JPH0425048A - 半導体封止用容器 - Google Patents

半導体封止用容器

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Publication number
JPH0425048A
JPH0425048A JP2126154A JP12615490A JPH0425048A JP H0425048 A JPH0425048 A JP H0425048A JP 2126154 A JP2126154 A JP 2126154A JP 12615490 A JP12615490 A JP 12615490A JP H0425048 A JPH0425048 A JP H0425048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal cap
ground conductor
dielectric
semiconductor sealing
circuit element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2126154A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Tsunoda
角田 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2126154A priority Critical patent/JPH0425048A/ja
Publication of JPH0425048A publication Critical patent/JPH0425048A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P7/00Resonators of the waveguide type
    • H01P7/06Cavity resonators

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野] 本発明は半導体封止用容器に関し、特にマイクロ波帯に
J5けるハイブリッド半導体封止用容器に関する。
[従来の技術1 この種の半導体封止用容器は、それ自身が半導体装置の
入出力回路の一部を構成しているのが通常である。
第2図は従来のマイクロ波帯半導体封止用容器の断面図
で、金属キャップ1と入出力信号線(図示しない)との
間にマイクロストリップ線路を構成する下部接地導体2
とから成り、下部接地導体2上に半導体チップ4および
誘電体共振器5とから成る発振器を載置した場合を示す
。この容器構造の場合では、金属キャップ1の上部に設
けられた電磁結合度調整用ネジ6の容器内への挿入長を
調節し、誘電体共振器5と金属キャップ1との間の電磁
結合度を変化させることで、共振器5の共振周波数を変
え発振周波数を変えることができるので、半導体装置の
マイクロ波特性を任意に調整できる利点をもつ。
[発明が解決しようとする課題1 しかしながら、このような従来の封1]二用容器は、金
属キャップ1の」一部から電磁結合度調整用ネジ6を突
出させており平坦ではないので、キャップの上部空間を
有効に利用する必要のある平坦でかつ小型構造の電子回
路装置を構成する場合、きわめて不都合な構造となる。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、金属キャップ」二
に電磁結合度調整用ネジを突出させた従来の構造的欠点
を解消した半導体封止用容器を提供することである。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば、半導体封止用容器は、」−面に誘電体
回路素子を含むハイブリッド電子回路を載置すると共に
前記ハイブリッド電子回路の入出力信号線とマイクロス
トリップ線路を構成する下部接地導体と、前記誘電体回
路素子との電磁結合度を前記下部接地導体が縁端部に形
成するテーパー傾斜面上に開放端部の内壁面を上下に摺
動させ、該誘電体回路素子と上部内壁面との離間距離を
変えることによって調整する金属キャップとを備えて構
成される。
[作  用  1 本発明によれば、金属キャップの」二部と下部接地導体
上の誘電体回路素子との間の電磁結合度を金属キャップ
の高さを変える直接手段によって調整するので、金属キ
ャップの上面が平坦なハイブリッドのマイクロ波帯半導
体装置を構成することかできる。
[実施例] 以下図面を参!沼して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)および(b)はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体封止用容器の上面図およびその/l−A’
断面図である。本実施例にJ:れば、鉄、ニッケル等の
金属から成る金属キャップ1と入出力信号線(図示しな
い)との間にマイクロストリップ線路を構成する下部接
地導体2とが、半導体チップ4と誘電体共振器5とから
成る発振器を気密封止した場合が示される。ずなわぢ、
本実施例によれば、下部接地導体2は、縁端部にテーパ
ー角Oが約10度のテパー傾斜面を備えた台形状とされ
、金属キャップ1の開放端部の内壁面がこのテーパー傾
斜面上を上下に摺動し、その高さを変えることにより誘
電体共振器5と金属キャップ1との間の電磁結合度か調
整できるよう構成される。ここで、3は金属キャップ1
の開放端部を折り曲げ成型する際生じるスリットを示す
。この際、誘電体共振器5と金属キャップ1との間隔は
最初共振器5の厚さの約2程度度に設定され、ついでこ
の間隔を変え、両者の間の電磁気的な結合度を変えるこ
とにより、発振周波数を調整する。また、例えば、下部
接地導体2上に伝送線路となる誘電体基板を載置した場
合は誘電体基板と金属キャップ1との離間距離を最初の
誘電体基板厚の10倍程度に設定しておき、ついでこの
間隔を変え電界結合を変えることによりマイクロ波の伝
送特性を調整することができる。
一般に、調整後の離間距離の大きさは、誘電体基板に対
する方か小さいので、一方の容器内に他方の容器を収納
させた複合容器構造の半導体装置を構成することも可能
である。いずれの場合でも調整後は金属キャップ1と下
部接地導体2との接触部は耐湿性樹脂で固着され固定さ
れる。
[発明の効果] 以上詳細に説明したように、本発明によれば誘電体回路
素子と金属キャップとの間の電磁結合度の調整は、従来
の如く調整用ネジの容器内への挿入手段によらず、金属
キャップの高さを変える直接的手段で行われる。従って
、金属キャップの上面には突出物が全く存在しない完全
な平坦面を保持することができるので、キャップの上部
空間を有効に利用した高密度電子回路装置を容易に構成
し得る。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)および(b)はそれぞれ本発明の一実施例
を示す半導体封止用容器の上面図およびそのA−A’断
面図、第2図は従来の半導体封止用容器の断面図である
。 1・・・金属キャップ、   2・・・下部接地導体、
θ・・−デーパ−角、    3・・・スリット、4・
・・半導体チップ、 5・・・誘電体共振器、 6・・・電磁結合度調整用ネジ。 特 許 出 願 人 日 本 気 株 式

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  上面に誘電体回路素子を含むハイブリッド電子回路を
    載置すると共に前記ハイブリッド電子回路の入出力信号
    線とマイクロストリップ線路を構成する下部接地導体と
    、前記誘電体回路素子との電磁結合度を前記下部接地導
    体が縁端部に形成するテーパー傾斜面上に開放端部の内
    壁面を上下に摺動させ、該誘電体回路素子と上部内壁面
    との離間距離を変えることによって調整する金属キャッ
    プとを備えることを特徴とする半導体封止用容器。
JP2126154A 1990-05-16 1990-05-16 半導体封止用容器 Pending JPH0425048A (ja)

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JP2126154A JPH0425048A (ja) 1990-05-16 1990-05-16 半導体封止用容器

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JP2126154A JPH0425048A (ja) 1990-05-16 1990-05-16 半導体封止用容器

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Publication Number Publication Date
JPH0425048A true JPH0425048A (ja) 1992-01-28

Family

ID=14928015

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JP2126154A Pending JPH0425048A (ja) 1990-05-16 1990-05-16 半導体封止用容器

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JP (1) JPH0425048A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036014A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036014A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置

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