JPH0354863B2 - - Google Patents
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- JPH0354863B2 JPH0354863B2 JP59117053A JP11705384A JPH0354863B2 JP H0354863 B2 JPH0354863 B2 JP H0354863B2 JP 59117053 A JP59117053 A JP 59117053A JP 11705384 A JP11705384 A JP 11705384A JP H0354863 B2 JPH0354863 B2 JP H0354863B2
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- holes
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3415—Surface mounted components on both sides of the substrate or combined with lead-in-hole components
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマイクロ波通信機に使用するトランジ
スタを用いたMIC（Microwave IC）化高周波増
幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
スタを用いたMIC（Microwave IC）化高周波増
幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、マイクロ波通信機の回路構成としては誘
電体基板上にマイクロストリツプ線路による回路
を形成したMIC回路が一般的に用いられるよう
になつたが、トランジスタを用いた増幅器を構成
する場合、トランジスタの接地を確実にしないと
利得が減少したり、動作が不安定となる。
電体基板上にマイクロストリツプ線路による回路
を形成したMIC回路が一般的に用いられるよう
になつたが、トランジスタを用いた増幅器を構成
する場合、トランジスタの接地を確実にしないと
利得が減少したり、動作が不安定となる。
以下図面を参照しながら従来のマイクロ波回路
装置について説明する。第１図は従来のMIC化
増幅器のトランジスタの配設部の要部図面であ
る。同図ａは裏面導体２を有する誘電体基板１上
に入出力マイクロストリツプ線路３ａおよび３ｂ
を形成し、トランジスタを接地するためのその内
側に裏面導体２を接続する導体を有する貫通穴４
ａおよび４ｂを形成したMIC基板の要部斜視図
である。同図ｂは同図ａのMIC基板にトランジ
スタ５を実装した要部斜視図で、６ａおよび６ｂ
は接地するエミツタ端子、７および８はそれぞれ
信号の入出力のベース端子およびコレクタ端子で
ある。同図ｃは同図ｂのＡ−A′断面図である。
さらに、同図ｄは同図ｂのＢ−B′断面図である。
なお、１２はトランジスタの入出力端子間に生ず
る浮遊容量を示す。
装置について説明する。第１図は従来のMIC化
増幅器のトランジスタの配設部の要部図面であ
る。同図ａは裏面導体２を有する誘電体基板１上
に入出力マイクロストリツプ線路３ａおよび３ｂ
を形成し、トランジスタを接地するためのその内
側に裏面導体２を接続する導体を有する貫通穴４
ａおよび４ｂを形成したMIC基板の要部斜視図
である。同図ｂは同図ａのMIC基板にトランジ
スタ５を実装した要部斜視図で、６ａおよび６ｂ
は接地するエミツタ端子、７および８はそれぞれ
信号の入出力のベース端子およびコレクタ端子で
ある。同図ｃは同図ｂのＡ−A′断面図である。
さらに、同図ｄは同図ｂのＢ−B′断面図である。
なお、１２はトランジスタの入出力端子間に生ず
る浮遊容量を示す。
さて、上記のようなMIC化増幅器においては
第１図ｄに示したようにトランジスタ５の入出力
端子７，８間に浮遊容量が発生するため回路が発
振状態に陥つたり、回路動作が不安定になるとい
う欠点を有していた。
第１図ｄに示したようにトランジスタ５の入出力
端子７，８間に浮遊容量が発生するため回路が発
振状態に陥つたり、回路動作が不安定になるとい
う欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的はマイクロ波帯のMIC化増幅器
の入出力間の浮遊容量を減少させて回路動作の安
定化を図ることができるマイクロ波回路装置を提
供することにある。
の入出力間の浮遊容量を減少させて回路動作の安
定化を図ることができるマイクロ波回路装置を提
供することにある。
発明の構成
本発明のマイクロ波回路装置は、トランジスタ
の２つの接地端子を挿入するための２つの穴が幅
の狭いスリツトによつて結ばれた形状の貫通穴を
設けた誘電体基板上に前記貫通穴のスリツト部分
に直交するようにその両側にマイクロストリツプ
線路が設けられ、前記誘電体基板の残りの一方の
面には接地導体を形成すると共に前記貫通穴の内
側には前記接地導体に接続するように導体を形成
し、前記トランジスタは前記貫通穴の中央部に設
け、その入出力端子をそれぞれ前記マイクロスト
リツプ線路に接続し、かつ前記トランジスタの接
地端子を前記２つの穴の位置で前記接地導体に接
続したことを特長とするものであり、トランジス
タの接地を前記２つの穴の位置で得ることがで
き、かつトランジスタの入出力端子間に発生する
浮遊容量を前記幅の狭いスリツト状の貫通部によ
つて減少することができる利点を有する。
の２つの接地端子を挿入するための２つの穴が幅
の狭いスリツトによつて結ばれた形状の貫通穴を
設けた誘電体基板上に前記貫通穴のスリツト部分
に直交するようにその両側にマイクロストリツプ
線路が設けられ、前記誘電体基板の残りの一方の
面には接地導体を形成すると共に前記貫通穴の内
側には前記接地導体に接続するように導体を形成
し、前記トランジスタは前記貫通穴の中央部に設
け、その入出力端子をそれぞれ前記マイクロスト
リツプ線路に接続し、かつ前記トランジスタの接
地端子を前記２つの穴の位置で前記接地導体に接
続したことを特長とするものであり、トランジス
タの接地を前記２つの穴の位置で得ることがで
き、かつトランジスタの入出力端子間に発生する
浮遊容量を前記幅の狭いスリツト状の貫通部によ
つて減少することができる利点を有する。
実施例の説明
第２図ａは本発明の第１の実施例のマイクロ波
回路装置に用いるMIC基板の要部斜視図である。
同図で、１３は誘電体基板、１４は裏面導体、１
５および１６はそれぞれ入出力のマイクロストリ
ツプ線路、１７ａおよび１７ｂは円形の貫通穴、
１８は幅の狭いスリツトであり、円形の貫通穴１
７ａおよび１７ｂを結ぶように延びている。な
お、貫通孔１７ａ，１７ｂおよびスリツト１８は
その内側に裏面導体１４を接続するように導体を
形成している。第２図ｂおよびｃはそれぞれ第２
図ａのＣ−C′断面図およびＤ−D′断面図である。
第３図ａは第２図に示したMIC基板上にトラン
ジスタを実装したマイクロ波回路装置の上面図で
ある。同図で、１９はトランジスタパツケージ、
２０ａおよび２０ｂは接地するエミツタ端子、２
１および２２はそれぞれ入力のベース端子、およ
び出力のコレクタ端子である。２３ａ，２３ｂ，
２４および２５ははんだ付け部分である。第３図
ｂおよびｃはそれぞれ第３図ａのＥ−E′断面図お
よびＦ−F′断面図である。なお、２６ａおよび２
６ｂはそれぞれトランジスタの入出力端子とスリ
ツトの内側の接地導体間の容量である。
回路装置に用いるMIC基板の要部斜視図である。
同図で、１３は誘電体基板、１４は裏面導体、１
５および１６はそれぞれ入出力のマイクロストリ
ツプ線路、１７ａおよび１７ｂは円形の貫通穴、
１８は幅の狭いスリツトであり、円形の貫通穴１
７ａおよび１７ｂを結ぶように延びている。な
お、貫通孔１７ａ，１７ｂおよびスリツト１８は
その内側に裏面導体１４を接続するように導体を
形成している。第２図ｂおよびｃはそれぞれ第２
図ａのＣ−C′断面図およびＤ−D′断面図である。
第３図ａは第２図に示したMIC基板上にトラン
ジスタを実装したマイクロ波回路装置の上面図で
ある。同図で、１９はトランジスタパツケージ、
２０ａおよび２０ｂは接地するエミツタ端子、２
１および２２はそれぞれ入力のベース端子、およ
び出力のコレクタ端子である。２３ａ，２３ｂ，
２４および２５ははんだ付け部分である。第３図
ｂおよびｃはそれぞれ第３図ａのＥ−E′断面図お
よびＦ−F′断面図である。なお、２６ａおよび２
６ｂはそれぞれトランジスタの入出力端子とスリ
ツトの内側の接地導体間の容量である。
以上のように構成したマイクロ波回路装置で
は、トランジスタの接地がトランジスタパツケー
ジ１９のごく近傍で得ることができ、かつトラン
ジスタの入出力間に発生する浮遊容量は、第３図
ｃに示すように直列帰還容量の一部が並列付加容
量になるため直列帰還容量が減少し、回路が発振
状態に陥りにくくなり、回路動作が安定化され
る。
は、トランジスタの接地がトランジスタパツケー
ジ１９のごく近傍で得ることができ、かつトラン
ジスタの入出力間に発生する浮遊容量は、第３図
ｃに示すように直列帰還容量の一部が並列付加容
量になるため直列帰還容量が減少し、回路が発振
状態に陥りにくくなり、回路動作が安定化され
る。
第４図は本発明の第２の実施例に用いるMIC
基板の要部斜視図である。同図で、２７は誘電体
基板、２８は裏面接地導体、２９および３０はそ
れぞれ入出力のマイクロストリツプ線路、３１ａ
および３１ｂはトランジスタの接地すべき電極の
形状に合わせた方形の貫通穴、３２は幅の狭いス
リツトで貫通穴３１ａおよび３１ｂを結ぶように
のびている。なお、貫通孔３１ａ，３１ｂおよび
スリツト３２の内側には裏面導体２８に接続する
ように導体を形成してある。第５図は実装するト
ランジスタの斜視図である。同図で、３３はトラ
ンジスタパツケージ、３４ａおよび３４ｂはそれ
ぞれ第４図に示したMIC基板の２つの方形の貫
通穴３１ａのおよび３１ｂに入るように折り曲げ
た接地するエミツタ端子、３５および３６はそれ
ぞれ入力のベース端子および出力のコレクタ端子
である。第６図ａは第４図のMIC基板に第５図
のトランジスタを実装したマイクロ波回路装置の
要部上面図である。同図で、３７ａ，３７ｂ，３
８および３９ははんだ付け部分である。第６図ｂ
およびｃはそれぞれ第６図ａのＧ−G′断面図お
よびＨ−H′断面図である。
基板の要部斜視図である。同図で、２７は誘電体
基板、２８は裏面接地導体、２９および３０はそ
れぞれ入出力のマイクロストリツプ線路、３１ａ
および３１ｂはトランジスタの接地すべき電極の
形状に合わせた方形の貫通穴、３２は幅の狭いス
リツトで貫通穴３１ａおよび３１ｂを結ぶように
のびている。なお、貫通孔３１ａ，３１ｂおよび
スリツト３２の内側には裏面導体２８に接続する
ように導体を形成してある。第５図は実装するト
ランジスタの斜視図である。同図で、３３はトラ
ンジスタパツケージ、３４ａおよび３４ｂはそれ
ぞれ第４図に示したMIC基板の２つの方形の貫
通穴３１ａのおよび３１ｂに入るように折り曲げ
た接地するエミツタ端子、３５および３６はそれ
ぞれ入力のベース端子および出力のコレクタ端子
である。第６図ａは第４図のMIC基板に第５図
のトランジスタを実装したマイクロ波回路装置の
要部上面図である。同図で、３７ａ，３７ｂ，３
８および３９ははんだ付け部分である。第６図ｂ
およびｃはそれぞれ第６図ａのＧ−G′断面図お
よびＨ−H′断面図である。
以上のように構成したマイクロ波回路装置で
は、トランジスタの接地がトランジスタパツケー
ジ３３のごく近傍で得られるとともに、トランジ
スタの入出力間に発生する浮遊量を接地導体を有
するスリツト状の貫通穴３２によつて軽減するこ
とができ、回路動作を安定化することができる。
さらに、方形の貫通穴３１ａ，３１ｂにトランジ
スタの接地端子３４ａ，３４ｂを折り曲げて挿入
することにより、トランジスタの配置位置を明確
にすることができる。
は、トランジスタの接地がトランジスタパツケー
ジ３３のごく近傍で得られるとともに、トランジ
スタの入出力間に発生する浮遊量を接地導体を有
するスリツト状の貫通穴３２によつて軽減するこ
とができ、回路動作を安定化することができる。
さらに、方形の貫通穴３１ａ，３１ｂにトランジ
スタの接地端子３４ａ，３４ｂを折り曲げて挿入
することにより、トランジスタの配置位置を明確
にすることができる。
第７図は本発明の更に他の実施例のマイクロ波
回路装置に用いるMIC基板の要部斜視図である。
同図で、４０は誘電体基板、４１は裏面導体、４
２および４３はそれぞれ入出力マイクロストリツ
プ線路、４４ａおよび４４ｂはそれぞれ方形の貫
通穴、４５ａおよび４５ｂは方形の貫通穴部４４
ａおよび４４ｂに接続する半円形の貫通穴、４６
は幅の狭いスリツトで貫通穴４４ａおよび４４ｂ
を結ぶようにのびている。なお、貫通穴４４ａ，
４４ｂ，４５ａ，４５ｂおよびスリツト４６から
なる貫通穴の内側には、裏面導体４１に接続する
導体を形成してある。第８図ａは第７図のMIC
基板に第５図のトランジスタを実装したマイクロ
波回路装置の要部上面図である。同図で、４７ａ
および４７ｂはトランジスタの接地端子のはんだ
付け部分で、半円形の貫通穴部４５ａ，４５ｂに
はほんだを充てんしてある。４８および４９はそ
れぞれ入出力マイクロストリツプ線路４２，４３
とトランジスタの入出力端子３５，３６との接続
部のはんだ付け部分である。第８図ｂおよびｃは
それぞれ同図ａのＩ−I′断面図およびＪ−J′断面
図である。
回路装置に用いるMIC基板の要部斜視図である。
同図で、４０は誘電体基板、４１は裏面導体、４
２および４３はそれぞれ入出力マイクロストリツ
プ線路、４４ａおよび４４ｂはそれぞれ方形の貫
通穴、４５ａおよび４５ｂは方形の貫通穴部４４
ａおよび４４ｂに接続する半円形の貫通穴、４６
は幅の狭いスリツトで貫通穴４４ａおよび４４ｂ
を結ぶようにのびている。なお、貫通穴４４ａ，
４４ｂ，４５ａ，４５ｂおよびスリツト４６から
なる貫通穴の内側には、裏面導体４１に接続する
導体を形成してある。第８図ａは第７図のMIC
基板に第５図のトランジスタを実装したマイクロ
波回路装置の要部上面図である。同図で、４７ａ
および４７ｂはトランジスタの接地端子のはんだ
付け部分で、半円形の貫通穴部４５ａ，４５ｂに
はほんだを充てんしてある。４８および４９はそ
れぞれ入出力マイクロストリツプ線路４２，４３
とトランジスタの入出力端子３５，３６との接続
部のはんだ付け部分である。第８図ｂおよびｃは
それぞれ同図ａのＩ−I′断面図およびＪ−J′断面
図である。
さて、以上のように構成したマイクロ波回路装
置では、トランジスタの接地部分の半円形の貫通
部４５ａ，４５ｂにはんだを充てんすることによ
り、方形の貫通穴のみの場合に比べてより接地が
確実になされる。同時に、トランジスタの入出力
端子間の浮遊容量がスリツト状の貫通穴４６によ
つて軽減され、回路動作を安定化することができ
る。さらに、トランジスタの接地端子を折り曲げ
て方形の貫通穴４４ａ，４４ｂに挿入することに
よりトランジスタの配置位置決定が容易になる。
置では、トランジスタの接地部分の半円形の貫通
部４５ａ，４５ｂにはんだを充てんすることによ
り、方形の貫通穴のみの場合に比べてより接地が
確実になされる。同時に、トランジスタの入出力
端子間の浮遊容量がスリツト状の貫通穴４６によ
つて軽減され、回路動作を安定化することができ
る。さらに、トランジスタの接地端子を折り曲げ
て方形の貫通穴４４ａ，４４ｂに挿入することに
よりトランジスタの配置位置決定が容易になる。
なお、以上の実施例ではトランジスタの接地端
子を接続する貫通穴の形状を円形、方形、および
方形と円形の組み合わせとしたが、この形はこれ
らに限定されるものでなく、貫通穴によつてトラ
ンジスタの接地端子を接地できる形状であれば他
の形状でもよい。
子を接続する貫通穴の形状を円形、方形、および
方形と円形の組み合わせとしたが、この形はこれ
らに限定されるものでなく、貫通穴によつてトラ
ンジスタの接地端子を接地できる形状であれば他
の形状でもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明は、トラ
ンジスタの２つの接地端子を挿入するための２つ
の穴が幅の狭いスリツトによつて結ばれた形状の
貫通穴を設けた誘電体基板上に前記貫通穴のスリ
ツト部分に直交するようにその両側にマイクロス
トリツプ線路を設けられ、前記誘電体基板の残り
の一方の面には接地導体を形成すると共に前記貫
通穴の内側には前記一方の面の接地導体に接続す
るように導体を形成し、前記トランジスタは前記
貫通穴の中央部に設け、その入出力端子はそれぞ
れ前記マイクロストリツプ線路に接続し、かつ前
記トランジスタの接地端子は前記２つの穴の位置
で前記接地導体に接続した構造のマイクロ波回路
装置であるため、トランジスタの接地をトランジ
スタパツケージのごく近傍で得ることができると
ともに、接地導体を有するスリツト状の貫通穴部
によつてトランジスタの入出力端子間に発生する
浮遊容量を減少することができ、回路動作を発振
状態に陥るのを防ぎ安定化するという効果が得ら
れる。
ンジスタの２つの接地端子を挿入するための２つ
の穴が幅の狭いスリツトによつて結ばれた形状の
貫通穴を設けた誘電体基板上に前記貫通穴のスリ
ツト部分に直交するようにその両側にマイクロス
トリツプ線路を設けられ、前記誘電体基板の残り
の一方の面には接地導体を形成すると共に前記貫
通穴の内側には前記一方の面の接地導体に接続す
るように導体を形成し、前記トランジスタは前記
貫通穴の中央部に設け、その入出力端子はそれぞ
れ前記マイクロストリツプ線路に接続し、かつ前
記トランジスタの接地端子は前記２つの穴の位置
で前記接地導体に接続した構造のマイクロ波回路
装置であるため、トランジスタの接地をトランジ
スタパツケージのごく近傍で得ることができると
ともに、接地導体を有するスリツト状の貫通穴部
によつてトランジスタの入出力端子間に発生する
浮遊容量を減少することができ、回路動作を発振
状態に陥るのを防ぎ安定化するという効果が得ら
れる。
第１図は従来のMIC化増幅器の要部を示し、
同図ａはMIC基板の斜視図、同図ｂはトランジ
スタを実装したMIC化増幅器の要部斜視図、同
図ｃはＡ−A′断面図、同図ｄはＢ−B′断面図、
第２図ａは本発明の第１の実施例のMIC基板の
要部斜視図、同図ｂはＣ−C′断面図、同図ｃはＤ
−D′断面図、第３図ａは本発明の第１の実施例
のMIC化増幅器の要部上面図、同図ｂはＥ−
E′断面図、同図ｃはＦ−F′断面図、第４図は本発
明の第２の実施例のMIC基板の要部斜視図、第
５図ａは本発明の第２の実施例のMIC化増幅器
に用いるパツケージ入りトランジスタの斜視図、
第５図ｂはその背面図、第６図ａは本発明の第２
の実施例のMIC化増幅器の要部上面図、同図ｂ
はＧ−G′断面図、同図ｃはＦ−F′断面図、第７図
は本発明の他の実施例のMIC基板の要部斜視図、
第８図ａは本発明の他の実施例のMIC化増幅器
の要部上面図、同図ｂはＩ−I′断面図、同図ｃは
Ｊ−J′断面図である。 １８……狭幅スリツト、２６ａ，ｂ……トラン
ジスタの入出力端子と狭幅スリツトの内側接地導
体間の浮遊容量、３１ａ，ｂ……方形貫通穴、３
２……狭幅スリツト、４５ａ，ｂ……半円形貫通
穴、４６……狭幅スリツト。
同図ａはMIC基板の斜視図、同図ｂはトランジ
スタを実装したMIC化増幅器の要部斜視図、同
図ｃはＡ−A′断面図、同図ｄはＢ−B′断面図、
第２図ａは本発明の第１の実施例のMIC基板の
要部斜視図、同図ｂはＣ−C′断面図、同図ｃはＤ
−D′断面図、第３図ａは本発明の第１の実施例
のMIC化増幅器の要部上面図、同図ｂはＥ−
E′断面図、同図ｃはＦ−F′断面図、第４図は本発
明の第２の実施例のMIC基板の要部斜視図、第
５図ａは本発明の第２の実施例のMIC化増幅器
に用いるパツケージ入りトランジスタの斜視図、
第５図ｂはその背面図、第６図ａは本発明の第２
の実施例のMIC化増幅器の要部上面図、同図ｂ
はＧ−G′断面図、同図ｃはＦ−F′断面図、第７図
は本発明の他の実施例のMIC基板の要部斜視図、
第８図ａは本発明の他の実施例のMIC化増幅器
の要部上面図、同図ｂはＩ−I′断面図、同図ｃは
Ｊ−J′断面図である。 １８……狭幅スリツト、２６ａ，ｂ……トラン
ジスタの入出力端子と狭幅スリツトの内側接地導
体間の浮遊容量、３１ａ，ｂ……方形貫通穴、３
２……狭幅スリツト、４５ａ，ｂ……半円形貫通
穴、４６……狭幅スリツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ トランジスタの２つの接地端子を挿入するた
めの２つ穴が幅の狭いスリツトによつて結ばれた
形状の貫通穴を設けた誘電体基板上に前記貫通穴
のスリツト部分に直交するようにその両側にマイ
クロストリツプ線路を設け、前記誘電体基板の残
りの一方の面に接地導体を形成すると共に前記貫
通穴の内側に前記接地導体に接続するように導体
を形成し、前記トランジスタを前記貫通穴の中央
部に対応するように前記誘電体基板上に配設し、
そのトランジスタの入出力端子をそれぞれ前記マ
イクロストリツプ線路に接続し、かつ前記トラン
ジスタの接地端子を前記２つの穴の位置で前記接
地導体に接続したことを特徴とするマイクロ波回
路装置。 ２ トランジスタの２つの接地端子が挿入される
２つの穴をそれぞれ方形に形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117053A JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59117053A JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261159A JPS60261159A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0354863B2 true JPH0354863B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=14702254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59117053A Granted JPS60261159A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261159A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1013110A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2661570B2 (ja) * | 1994-12-14 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 高周波装置 |
| JP2891299B2 (ja) * | 1997-05-02 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 半導体マイクロ波増幅器 |
| JP7364364B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2023-10-18 | 矢崎総業株式会社 | 増幅回路基板 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP59117053A patent/JPS60261159A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1013110A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261159A (ja) | 1985-12-24 |
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