JPH04251851A - 感光性樹脂及びこれを用いた感光性樹脂組成物 - Google Patents

感光性樹脂及びこれを用いた感光性樹脂組成物

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JPH04251851A
JPH04251851A JP879591A JP879591A JPH04251851A JP H04251851 A JPH04251851 A JP H04251851A JP 879591 A JP879591 A JP 879591A JP 879591 A JP879591 A JP 879591A JP H04251851 A JPH04251851 A JP H04251851A
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photosensitive resin
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JP879591A
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Yoshikazu Sakata
坂田 美和
Toshio Ito
伊東 敏雄
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等の製造
に用いられるレジスト材料として好適な感光性樹脂及び
これを用いた感光性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造における基板加工、例
えばICにおける金属配線パターンの形成は、被加工基
板全面に配線用金属膜を形成し、この上にレジスト膜を
形成しこれを露光・現像してレジストパターンを得、こ
のレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチング
し、その後このレジストパターンを除去するという手順
で行われる。
【0003】しかし、ICの高集積化、高速化に伴い、
配線パターンの超微細化や多層配線の採用が行われ、こ
の超微細化においては配線抵抗を下げるためにパターン
のアスペクト比が高くされる傾向にあることから、被加
工基板上の段差はますます大きくなる。このため、被加
工基板上にレジストパターンを形成する場合、以下に説
明するような問題が生じる。即ち、縮少投影露光装置の
焦点深度以上に段差が大きくなってしまう場合が生じる
ため、縮少投影露光装置を用いて目的とする寸法のレジ
ストパターンを形成することが困難になる。特に、サブ
ミクロン領域のパターニングを行う場合は、開口数の大
きなレンズを装備した縮少投影露光装置が用いられるた
め焦点深度はますます浅くなるので、上記段差の問題は
さらに顕著になり、従来のような一層レジストのみでは
パターン形成出来なくなるおそれがある。
【0004】そこで、以上のような問題を解決する技術
として、例えば文献(Journal  Of  El
ectrochemical  Society:SO
LID−STATE  SCIENCE  AND  
TECHNOLOGY((ジャーナル  オブ  エレ
クトロケミカル  ソサエティー:ソリッドステート 
 サイエンス  アンド  テクノロジー)Vol.1
32,No.5(1985.5)pp.1178〜11
82)に開示された技術が知られていた。この技術は、
二層レジスト法と称されるレジストパターン形成技術に
加えて、遠紫外領域(200〜300nm)に感度を有
するポジ型のレジストを用いるものであった。
【0005】ここで、二層レジスト法とは以下に説明す
るようなものである。
【0006】先ず、段差を有する被加工基板上に熱硬化
性樹脂を厚く形成し、これを熱硬化させ、基板を平坦化
する。この上に酸素プラズマによるエッチングに対し高
い耐性を有する感光性樹脂層を極めて薄く形成し、その
後、この感光性樹脂層を露光現像してこれのパターンを
形成する。次に、このパターンをマスクとして、酸素ガ
スを用いた反応性イオンエッチング(O2−RIE)に
より熱硬化性樹脂層のエッチングを行い、高アスペクト
比の二層レジストパターンを得る。さらに、この二層レ
ジストパターンをマスクとして被加工基板上の下地金属
層をエッチングする。
【0007】二層レジスト法の利点は、厚い平坦化層の
上に感光性樹脂層のパターンを形成するために、下地基
板からの影響を受けることなく、従って寸法変動なしに
高アスペクト比の微細パターンが形成出来ることである
【0008】このような感光性樹脂層に用いるレジスト
としてはケイ素を含有したものがあり、上述の文献によ
れば、ポリ(トリメチルシリルメチルメタクリレート−
3−オキシミノ−2−ブタノンメタクリレート)共重合
体が開示されている。このレジストは、遠紫外線(De
ep−UV)を用い1μmのライン・アンド・スペース
パタンを250mJ/cm2のドーズ量で解像できる感
度を有し、0.75μmの最小解像力を有するものであ
った。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のレジストは、ケイ層含有率が9.6重量%と低
いために、O2−RIEによるエッチング速度が15n
m/minと速い。即ちO2−RIE耐性が低いという
問題点があった。また、解像力、感度が十分ではないと
いう問題点があった。
【0010】この出願は上述した点に鑑みなされたもの
であり、従ってこの出願の第一発明の目的は、上述した
問題点を解決し、膜質及び加工精度の優れた感光性樹脂
を提供することにある。
【0011】また、この出願の第二発明の目的は第一発
明の感光性樹脂を用いさらに高感度な感光性樹脂組成物
を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段及び作用】この第一発明の
目的を達成するため、この出願の第一発明の感光性樹脂
は、不飽和基、アルキル基及びハロゲン化アルキル基か
ら成る群より選ばれた1種以上の基を有するポリシロキ
サン誘導体部と、ポリシリレン誘導体部とから成る共重
合体で構成したことを特徴とする。
【0013】この構成においては、ポリシリレン誘導体
部の構造を変えることにより(例えば分岐の有無((3
)、(4)式参照))、またポリシリレン誘導体部が有
するケイ素数や置換基の種類を変えることによって、こ
のポリシリレン誘導体部は波長200〜400nmの範
囲の任意の波長の光を吸収するようになり、その波長の
光を受けることによりシリルラジカル、シリレン等のよ
うな活性種を発生する。このため、当該感光性樹脂中の
ポリシロキサン誘導体部が不飽和基を有する場合は、上
記活性種がこの不飽和基へ付加して重合を開始させる。 また、当該ポリシロキサン誘導体部がアルキル基及び又
はハロゲン化アルキル基を有する場合は、上記活性種が
アルキル基から水素の引き抜きやハロゲン化アルキル基
からハロゲンの引き抜きを行なうので、重合が開始され
る。当該ポリシロキサン誘導体部の重合した部分は有機
溶媒に不溶になるので、当該感光性樹脂に対し光を選択
的に照射することにより所望のレジストパターンが得ら
れる。また、ポリシリレン誘導体部は、当該感光性樹脂
組成物中にランダムに存在しているので、重合が効率的
に開始されると思われる。
【0014】さらに、ポリシロキサン誘導体部及びポリ
シリレン誘導体部共にケイ素含有率が高いため、当該感
光性樹脂のケイ素含有率が少なくとも10数重量%とな
り、この結果、O2−RIE耐性に優れる感光性樹脂が
得られる。
【0015】ここで、第一発明の感光性樹脂を構成する
重合体の具体例としては、例えば、下記(1)式で示さ
れるポリシロキサン誘導体部と下記(3)式で示される
ポリシリレン誘導体部とから成る共重合体、下記(1)
式で示されるポリシロキサン誘導体部と下記(4)式で
示されるポリシリレン誘導体部とから成る共重合体、下
記(2)式で示されるポリシロキサン誘導体部と下記(
3)式で示されるポリシリレン誘導体部とから成る共重
合体、下記(2)式で示されるポリシロキサン誘導体部
と下記(4)式で示されるポリシリレン誘導体部とから
成る共重合体、これら共重合体の2種以上の共重合体を
挙げることが出来る。なお、これら例示共重合体の保存
安定性の点からこれの中のOH基をトリメチルシリル基
のような不活性な基で保護するのは常識でありこの発明
においてもそのようにするのが好適である。
【0016】
【化4】
【0017】
【0018】
【化5】
【0019】
【0020】上述のような例示共重合体は、この出願の
出願人に係る特開昭63−210839号公報で提案し
ているポリシロキサン誘導体の合成方法に準じた方法に
より合成可能である。その場合、(1)のポリシロキサ
ン誘導体部の合成原料としては下記(1a)で示される
化合物を、(2)のポリシロキサン誘導体部の合成原料
としては下記(2a)で示される化合物を、(3)のポ
リシリレン誘導体部の合成原料としては下記(3a)で
示される化合物を、(3)のポリシリレン誘導体部の合
成原料としては下記(4a)で示される化合物をそれぞ
れ用いることが出来る。
【0021】
【化6】
【0022】
【0023】但し、上記(1)〜(4)、(1a)〜(
4a)式中、R2、R3、R5、R6及びRは、不飽和
基、アルキル基及びハロゲン化アルキル基からなる群よ
り選ばれた基であり、同一であっても異なっていても良
い。また、m、nは、正の整数である。また、Xはハロ
ゲンまたはアルコキシ基である。また、RA、RB、R
C、RD、RE、RF、RG、RH、RI、RJ及びR
’は、下記の(a)〜(g)からなる群より選ばれた基
であり、同一であっても異なっていても良い。
【0024】(a):炭素数が10以下の鎖状、分岐状
又は環状のアルキル基。
【0025】(b):置換基を有していないフェニル基
【0026】(c):置換基を有していないナフチル基
【0027】(d):ニトロ基、炭素数5以下のアルコ
キシ基及びハロゲン基の中から選ばれた基を有するフェ
ニル基。
【0028】(e):ニトロ基、炭素数5以下のアルコ
キシ基及びハロゲン基の中から選ばれた基を有するナフ
チル基。
【0029】(f):置換基を有していないビフェニル
基。
【0030】(g):ニトロ基、炭素数5以下のアルコ
キシ基及びハロゲン基の中から選ばれた基を有するビフ
ェニル基。
【0031】また、(3)式中のケイ素数l(エル)は
2≦l≦10を満足する整数。(4)式中のケイ素数i
,j,kは、0≦i≦7、1≦j≦8、1≦k≦8でか
つi+j+k≦9を満足する整数である。)。
【0032】なお、上述の不飽和基とは、例えば、ビニ
ル基(CH2=CH−)、アリル基(CH2=CH−C
H2−)、イソプロペニル基(CH2=C(CH3)−
)及び2−ブテニル基(CH2=CH−CH2−CH2
−)である。
【0033】また、上述のアルキル基とは、例えば、メ
チル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基及びターシャリブ
チル基(但し、前記ポリシロキサン誘導体部の置換基全
てがターシャリブチル基となる場合を除く。)である。
【0034】また、ハロゲン化アルキル基とは、例えば
、クロロメチル基、クロロエチル基、クロロプロピル基
、クロロブチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、
ブロモプロピル基、ブロモブチル基、ヨードメチル基、
ヨードエチル基、ヨードプロピル基及びヨードブチル基
である(但し、前記各ハロゲン化アルキル基中のハロゲ
ン数は、1以上当該基においてとり得る最大数以下の範
囲内のいずれの数でも良い。)。
【0035】(1a)ないしは(2a)で示されるポリ
シロキサン誘導体部の合成原料と、(3a)ないしは(
4a)で示されるポリシリレン誘導体部の合成原料とを
適宜選択してそれらを混合する。そして、この混合物を
触媒存在下、−100℃〜室温において加水分解させそ
の後環流温度まで加熱し重縮合を起させると、目的の共
重合体が得られる(詳細は実施例の項にて説明する。)
【0036】上記加水分解時の温度は反応温度の制御の
容易さの点から−40℃以下とするのが好適である。
【0037】また、上記加水分解及び重縮合は溶媒存在
下で行う。これに使用する溶媒は−100℃〜室温の範
囲内において使用可能なものであれば特定されない。例
えば、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、トルエン、ジメチルホルムアミド
、ジメチルスルホキシド、1,4−ジオキサン等を用い
ることが出来る。また、使用する触媒は、塩基性触媒で
あれば特定されない。例えばトリエチルアミン、トリ−
n−ブチルアミン、ピリジン、ルチジン、γ−コリジン
、イミダゾール、炭酸カリウム等を用いることが出来る
【0038】このような合成方法において、重合条件を
変えることにより、重量平均分子量が2,000〜10
0,000程度のこの発明に係る重合体が制御性良く得
られる。重量平均分子量が100,000以上のものの
合成を行おうとすると合成段階でゲル化が生じ易い。ま
た、この重合体は感光性樹脂を構成するので、その点で
考えた場合、重量平均分子量が2,000以下のものは
、結晶とならないためレジスト皮膜が形成出来ずパター
ニングに必要な露光量が極めて多くなるなどの問題を示
す。これらの点から、この発明に係る重合体の重量平均
分子量は2,000〜100,000であるのが好まし
い。
【0039】また、これら重合体を合成する場合、ポリ
シリレン誘導体部の合成材料の仕込量をポリシロキサン
誘導体部の合成材料に対し0.5〜10mol%の範囲
内の量とするのが好適である。ポリシリレン誘導体部の
合成材料の仕込量が0.5mol%以下では、当該感光
性樹脂中のポリシリレン誘導体部(感光機能を示す部分
)の割合が少くなるため感度が極めて低くなってしまい
、一方仕込量が10mol%以上ではポリシリレン誘導
体部の割合が多くなりすぎ当該感光性樹脂の光を受けた
際に分解する部分が多くなりすぎるため感度低下の原因
になるからである。さらに、仕込量が10mol%以上
では、当該感光性樹脂中のポリシロキサン誘導体部の割
合が低下し該樹脂のO2−RIE耐性を損ねかねないほ
どに該樹脂のケイ素含有率が低下する恐れがあるからで
ある。
【0040】また、この出願の第二発明の感光性樹脂組
成物は、第一発明の感光性樹脂と増感剤とを含んで成る
ことを特徴とする。
【0041】増感剤としては、種々のものを用い得るが
、特にポリシリレン誘導体部が光により分解して発する
シリレンを捕捉する性質を有するヒドロシラン化合物を
用いるのが好適である。このヒドロシラン化合物は、1
分子中にSi−H結合を有するものであって、かつ、レ
ジストとして使用する点から、液体ないしは固体である
ものが望ましい。具体的には、下記(5)〜(9)式で
示されるヒドロシラン化合物の中から選ばれたものとす
るのが好適である。
【0042】(R)rSi(H)s  ・・・(5)(
R)tSi2(H)u  ・・・(6)
【化7】
【0043】
【0044】但し、(5)及び(6)式中のR、(7)
式中のR’は、アルキル基、置換基を有していないフェ
ニル基、置換基を有しているフェニル基、置換基を有し
ていないナフチル基、置換基を有しているナフチル基、
置換基を有していないビフェニル基、置換基を有してい
るビフェニル基の中から選ばれた基である。また(7)
〜(9)式中のRは、少なくとも1つは水素であり他は
水素、アルキル基、置換基を有していないフェニル基、
置換基を有しているフェニル基、置換基を有していない
ナフチル基、置換基を有しているナフチル基、置換基を
有していないビフェニル基、置換基を有しているビフェ
ニル基の中から選ばれた基である。さらに、(5)〜(
9)式中、r,s,t,u,v,wは、r+s=4、r
≧1、s≧1、t+u=6、u≧1、1≦v≦5、1≦
w≦6を満足する正の整数である。)。
【0045】また、この感光性樹脂組成物において、増
感剤の、第一発明の感光性樹脂する添加率を、0.1〜
30重量(wt)%の範囲内の値にするのが好適である
。0.1wt%以下では増感作用が小さく、30wt%
以上ではレジスト皮膜の成膜性に問題が生じるからであ
る。
【0046】
【実施例】以下、この発明の感光性樹脂組成物の実施例
について説明する。なお、以下の実施例では、この発明
の理解を容易とするため、特定の条件を例示して説明す
る。しかし、この発明は、これら実施例にのみに限定さ
れるものではないことを理解されたい。また、以下の実
施例で用いた薬品類のうち、出所を省略する場合も有る
が、いずれも化学的に充分に純粋であり、容易に入手し
得るものを用いた。 1.第一発明の説明 <実施例1>1−1.実施例1の感光性樹脂の合成説明
始めに、実施例1の感光性樹脂を以下のように合成する
【0047】先ず、上記(2a)式で示される化合物の
一種であるアリルトリクロロシラン176g(1mol
)と、上記(3a)式で示される化合物の一種である下
記(10)式で示されるパーメチルヘキサシリレニルジ
クロライド22.3g(0.053mol)とを、−4
0℃に冷却したメチルイソブチルケトン500ml中に
加え、撹拌、溶解させ、その後、この溶液中にトリエチ
ルアミン139ml(1mol)を45分間かけて滴下
する。なお、(10)式中のMeはメチル基である。 以下の各式において同じ。
【0048】
【化8】
【0049】
【0050】次に、この溶液を15分間撹拌した後、こ
れに水160mlを2時間かけて滴下し、その後この溶
液を撹拌しながら1時間冷却する。
【0051】次に、この溶液の温度が室温になるまでか
つ少なくとも3時間経過するまでこの溶液を撹拌しなが
ら放置し、その後これを緩やかにかつ1時間で還流温度
になるように加熱する。そして、この溶液を還流温度に
保ったまま1時間撹拌する。
【0052】次に、この溶液を室温まで冷却した後これ
に塩酸100mlを加え反応を停止させる。
【0053】次に、この溶液にトルエン1l(リットル
)を加えて希釈した後、分液漏斗を用いて水層を除き、
その後有機層を中性になるまで水により洗浄する。
【0054】次に、この有機層より溶媒を減圧下で留去
し油状物(実施例1の感光性樹脂)を得る。
【0055】この油状物の重量平均分子量(MW)は2
3,000、分散(MW/Mn)は4.3であった。ま
た、この油状物にはゲルは全く生じていなかった。
【0056】1−2.実施例1の感光性樹脂のパターニ
ング実験(その1)次に、上述のように合成した実施例
1の感光性樹脂100gをキシレン900gに溶解し、
その後この溶液を、直径0.2μmの孔を有するメンブ
レンフィルタで濾過して、実施例1の感光性樹脂の塗布
溶液を調製する。
【0057】次に、シリコン基板上に下層レジスト層を
形成するため、回転塗布法によりシリコン基板上にフォ
トレジスト(この実施例の場合シプレー社製MP240
0)を所定の条件で塗布し、次いで、200℃の温度の
オーブン中に1時間この試料を入れてフォトレジストを
硬化させる。これにより、膜厚が1.5μmの下層レジ
スト層を形成する。
【0058】次に、回転塗布法によりこの下層レジスト
層上に実施例1の感光性樹脂を膜厚が0.2μmとなる
ように塗布し、その後、ホットプレートを用いこの試料
を60℃の温度で1分間プリベークする。
【0059】次に、この試料に最少の線幅が0.5μm
とされた種々のライン・アンド・スペースのテストパタ
ーンを有するマスクを密着させ、Xe−Hgランプ及び
CM250コールドミラーを装着している露光装置(こ
の実施例では、キャノン(株)社製PLA501アライ
ナ)により、露光量を変えながら露光を行なう。
【0060】次に、露光済みの試料を、メチルイソブチ
ルケトンとイソプロピルアルコール(IPA)との1:
1混合液(容積比)中に45秒間浸漬し現像を行ない、
その後、IPA中に30秒間浸漬しリンスを行ない、そ
の後、ホットプレートを用い60℃の温度で1分間ベー
クする。
【0061】現像の終了した試料を観察したところ、初
期膜厚(この例では回転塗布後の膜厚である0.2μm
)に対する残膜率が50%となる露光量(Dn0.5)
は、1.2.8カウント(ここで、1カウント(ct)
=39mJ/cm2 である。以下同様。)であること
が分かった。また、得られたレジストパターンを走査型
電子顕微鏡(SEM)で観察したところ、最小解像寸法
は、用いたマスクの最小寸法と同じ0.5μmのライン
・アンド・スペース(L/S)であることが分った。な
お、この実験に用いたテストパターンの最少線幅が0.
5μmであるために、0.5μmの解像力が確保された
ことしか確認出来なかったが、実施例1の感光性樹脂は
さらに高い解像力を有するものであることは理解された
い(以下の各実施例のパターニング実験においても同様
。)。
【0062】1−3.実施例1の感光性樹脂のパターニ
ング実験(その2)また、実施例1の感光性樹脂を用い
、露光に用いる光源をKrFエキシマレーザとしたこと
以外は上述のパターニング実験(その1)と同様な手順
でパターニング実験を行う。
【0063】なお、レーザ発振器は、ラムダフィジック
ス社製のものを用いている。このレーザ発振器は、1パ
ルス当たり0.50mJ/cm2の照射量が得られるも
ので、パルス数により露光量が制御出来るものである。
【0064】その結果、感度(Dn0.5)は580m
J/cm2であることが分った。また、0.5μmのラ
イン・アンド・スペースパターンが解像可能なことが分
った。
【0065】1−4.実施例1の感光性樹脂のパターニ
ング実験(その3)また、実施例1の感光性樹脂を上層
レジストとして用い二層レジスト法によるパターニング
実験を以下に説明するように行う。
【0066】先ず、パターニング実験(その1)と同様
な手順で下層レジスト層(MP2400層)を形成し、
さらに、この下層レジスト上に実施例1の感光性樹脂の
パタを形成する。但し、このパターニング実験では、下
層レジスト層の膜厚を2μmとし、実施例1の感光性樹
脂のXe−Hgランプによる露光量を20カウントとし
ている。
【0067】次に、上層のパターニングが済んだ試料を
平行平板型のドライエッチング装置(この実施例で日電
アネルバ(株)製DEM451)内に入れる。そして、
O2ガス圧を1.0Pa、O2 ガス流量を20SCC
M、RFパワー密度を0.12W/cm2、エッチング
時間を35分とした条件で、下層レジスト層のエッチン
グを行う。
【0068】このエッチング後に得られた二層レジスト
パターンの断面をSEMを用いて観察したところ、0.
5μmのライン・アンド・スペースパターンであってア
スペクト比が4の然も矩形形状のライン・アンド・スペ
ースパターンが形成されていることが分った。
【0069】1.5.実施例1の感光性樹脂のO2−R
IE耐性の調査結果 次に、実施例1の感光性樹脂のO2−RIE耐性を以下
のように調査する。
【0070】先ず、回転塗布法によりシリコン基板上に
実施例1の感光性樹脂を0.2μmの膜厚に塗布し、そ
の後、この試料をホットプレートを用い60℃の温度で
1分間ベーキングする。
【0071】次に、この試料をDEM451ドライエッ
チング装置内に入れた後パターニング実験(その3)の
ドライエッチング条件と同様な条件でエッチングする。 但し、エッチング時間は20分とした。
【0072】次に、実施例1の感光性樹脂皮膜のエッチ
ング終了後の膜厚を膜厚計(この場合、テーラーホブソ
ン社製のタリステップ)を用いて測定してエッチングに
よるり膜減り量を求めたところ、4.7nmであること
が分った。この実施例でのエッチング条件が従来文献に
場合より厳しいにもかかわらず20分間に4.7nmし
かエッチングされていないことから、実施例1の感光性
樹脂は従来よりO2−RIE耐性に優れるものであるこ
とが理解出来る。
【0073】<実施例2>次に、ポリシリレン誘導体の
合成材料を上記(3a)式で示される化合物の一種であ
る下記(11)式で示されるペンタ(フェニルメチルシ
リレニル)ジクロライド35.6g(0.053mol
)としたこと以外は実施例1の手順と同様な手順で実施
例2の感光性樹脂を合成する。この結果、油状物(実施
例2の感光性樹脂)127gが得られた。なお、(11
)式中においてPhはフェニルである。以下の各式にお
いて同じ。
【0074】
【化9】
【0075】
【0076】この油状物の重量平均分子量(MW)は2
5,000、分散(MW/Mn)は4.5であった。
【0077】次に、この実施例2の感光性樹脂を用いそ
の塗布溶液を実施例1と同様にして調製する。その後、
実施例1のパターニング実験(その1)(Xe−Hgを
光源とした実験)の際の手順と同様な手順によりパター
ニング実験を行い、実施例2の感光性樹脂の感度(Dn
0.5)及び解像力をそれぞれ調査する。
【0078】この結果、実施例2の感光性樹脂の感度(
Dn0.5)は1.2ctであることが分った。また、
0.5μmのライン・アンド・スペースパターンが解像
されていることが分った。
【0079】また、この実施例2の感光性樹脂について
、実施例1のパターニング実験(その2)(KrFエキ
シマレーザ光源とした実験)の際の手順と同様な手順に
よりパターニング実験を行い、実施例2の感光性樹脂の
KrFエキシマレーザに対する感度(Dn0.5)及び
解像力をそれぞれ調査する。
【0080】この結果、実施例2の感光性樹脂のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は80mJ
/cm2であることが分った。また、0.5μmのライ
ン・アンド・スペースパターンが解像されていることが
分った。
【0081】<実施例3>次に、ポリシリレン誘導体の
合成材料を上記(3a)式で示される化合物の一種であ
る下記(12)式で示されるテトラフェニルテトラメチ
ルテトラシリレニルジクロライド26.2g(0.05
3mol)としたこと以外は実施例1の手順と同様な手
順で実施例3の感光性樹脂を合成する。この結果、油状
物(実施例3の感光性樹脂)121gが得られた。
【0082】
【化10】
【0083】
【0084】この油状物の重量平均分子量(MW)は2
3,000、分散(MW/Mn)は4.2であった。
【0085】次に、この実施例3の感光性樹脂を用いそ
の塗布溶液を実施例1と同様にして調製する。その後、
実施例1のパターニング実験(その2)(KrFエキシ
マレーザを光源とした実験)の際の手順と同様な手順に
よりパターニング実験を行い、実施例3の感光性樹脂の
KrFエキシマレーザに対する感度(Dn0.5)及び
解像力をそれぞれ調査する。
【0086】この結果、実施例3の感光性樹脂のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は120m
J/cm2であることが分った。また、0.5μmのラ
イン・アンド・スペースパターンが解像されていること
が分った。
【0087】<実施例4>次に、ポリシリレン誘導体の
合成材料を上記(3a)式で示される化合物の一種であ
る下記(13)式で示されるトリフェニルヘプタメチル
ペンタシリレニルジクロライド29.0g(0.053
mol)としたこと以外は実施例1の手順と同様な手順
で実施例3の感光性樹脂を合成する。この結果、油状物
(実施例4の感光性樹脂)130gが得られた。
【0088】
【化11】
【0089】
【0090】この油状物の重量平均分子量(MW)は2
7,000、分散(MW/Mn)は3.9であった。
【0091】次に、この実施例4の感光性樹脂を用いそ
の塗布溶液を実施例1と同様にして調製する。その後、
実施例1のパターニング実験(その2)(KrFエキシ
マレーザを光源とした実験)の際の手順と同様な手順に
よりパターニング実験を行い、実施例4の感光性樹脂の
KrFエキシマレーザに対する感度(Dn0.5)及び
解像力をそれぞれ調査する。
【0092】この結果、実施例4の感光性樹脂のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は240m
J/cm2であることが分った。また、0.5μmのラ
イン・アンド・スペースパターンが解像されていること
が分った。
【0093】<実施例5>次に、ポリシロキサン誘導体
部の合成原料を上記(2a)式で示される化合物の一種
であるクロロメチルトリクロロシランとしたこと以外は
実施例1の手順と同様な手順で実施例5の感光性樹脂を
合成する。この結果、油状物(実施例5の感光性樹脂)
89gが得られた。
【0094】この油状物の重量平均分子量(MW)は3
0,000、分散(MW/Mn)は4.8であった。
【0095】次に、この実施例5の感光性樹脂を用いそ
の塗布溶液を実施例1と同様にして調製する。その後、
実施例1のパターニング実験(その2)(KrFエキシ
マレーザを光源とした実験)の際の手順と同様な手順に
よりパターニング実験を行い、実施例5の感光性樹脂の
KrFエキシマレーザに対する感度(Dn0.5)及び
解像力をそれぞれ調査する。
【0096】この結果、実施例3の感光性樹脂のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は670m
J/cm2であることが分った。また、0.5μmのラ
イン・アンド・スペースパターンが解像されていること
が分った。
【0097】<実施例6>次に、ポリシロキサン誘導体
部の合成原料を上記(1a)式で示される化合物の一種
であるジメチルジクロロシランとし、ポリシリレン誘導
体の合成材料を実施例1で用いたパーメチルヘキサシリ
レニルジクロライド但しその仕込量を13.0g(0.
031mol)としたこと以外は実施例1の手順と同様
な手順で実施例6の感光性樹脂を合成する。この結果、
油状物(実施例6の感光性樹脂)115gが得られた。
【0098】この油状物の重量平均分子量(MW)は5
6,000、分散(MW/Mn)は6.0であった。
【0099】次に、この実施例6の感光性樹脂を用いそ
の塗布溶液を実施例1と同様にして調製する。その後、
実施例1のパターニング実験(その2)(KrFエキシ
マレーザを光源とした実験)の際の手順と同様な手順に
よりパターニング実験を行い、実施例6の感光性樹脂の
KrFエキシマレーザに対する感度(Dn0.5)及び
解像力をそれぞれ調査する。
【0100】この結果、実施例6の感光性樹脂のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は1200
mJ/cm2であることが分った。また、0.5μmの
ライン・アンド・スペースパターンが解像されているこ
とが分った。
【0101】第一発明の各実施例の感光性樹脂の組成・
感度の相違を明確にするために、各感光性樹脂の組成及
び感度を表1にまとめて示した。ただし、表1中の感度
の項において、ctで示したものはXe−Hgランプ及
びコールドミラーを用いた際の感度、mJ/cm2で示
したものはKrFエキシマレーザを用いた際の感度であ
る。
【0102】
【表1】
【0103】
【0104】2.第二発明の説明 次に、第一発明の実施例2の感光性樹脂100gと、増
感剤としてこの場合下記(15)式で示されるジメチル
フェニルシラン10gとを、キシレン900gに溶解さ
せて、第二発明の実施例の感光性樹脂組成物の塗布溶液
を調製する。
【0105】次に、第一発明の実施例1のパターニング
実験(その2)(KrFエキシマレーザを光源とした実
験)の際の手順と同様な手順によりパターニング実験を
行い、この感光性樹脂組成物のKrFエキシマレーザに
対する感度(Dn0.5)及び解像力をそれぞれ調査す
る。
【0106】この結果、この感光性樹脂組成物のKrF
エキシマレーザに対する感度(Dn0.5)は50mJ
/cm2であることが分った。また、0.5μmのライ
ン・アンド・スペースパターンが解像されていることが
分った。
【0107】第一発明の実施例2の感光性樹脂のみでの
KrFエキシマレーザに対する感度が80mJ/cm2
であったことを考えると、増感剤を入れることにより感
度が30mJ/cm2改善されることが理解出来る。
【0108】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の出願の第一発明の感光性樹脂は、O2−RIE耐性が
高いことで知られるポリシロキサン誘導体部であって不
飽和基、アルキル基及びハロゲン化アルキル基の中から
選ばれた1種以上の官能基を有するポリシロキサン誘導
体部と、この官能基に対し反応性の高いシリルラジカル
を効率的に発生するポリシリレン誘導体部とより成る共
重合体で構成されているので、高感度、高解像度、高O
2−RIE耐性を示す。
【0109】従って、膜質及び加工精度に優れる感光性
樹脂が提供出来る。
【0110】また、この発明の感光性樹脂によれば、ポ
リシリレン誘導体部の構造(例えば分岐の有無)や置換
基を適当に選択することによって波長200〜400n
mの広い範囲で光吸収波長を変えられるので、i線用、
XeClエキシマレーザ用、rFエキシマレーザ用、A
rFエキシマレーザ用のレジストを構成することが可能
になる。
【0111】また、第一発明の感光性樹脂に増感剤を混
合した構成の第二発明の感光性樹脂は、第一発明の感光
性樹脂の特徴に加えさらに高感度という特徴を有する。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  不飽和基、アルキル基及びハロゲン化
    アルキル基から成る群より選ばれた1種以上の基を有す
    るポリシロキサン誘導体部と、ポリシリレン誘導体部と
    から成る共重合体で構成したことを特徴とする感光性樹
    脂。
  2. 【請求項2】  請求項1に記載の感光性樹脂において
    、前記ポリシロキサン誘導体部を下記(1)式で示され
    るもの、下記(2)式で示されるもの、または、それら
    の共重合体としたことを特徴とする感光性樹脂(但し、
    R2、R3、R5及びR6は、不飽和基、アルキル基及
    びハロゲン化アルキル基からなる群より選ばれた基であ
    り、同一であっても異なっていても良い。また、m、n
    は、正の整数である。)。 【化1】
  3. 【請求項3】  請求項1または2に記載の感光性樹脂
    において、前記不飽和基を、ビニル基(CH2=CH−
    )、アリル基(CH2=CH−CH2−)、イソプロペ
    ニル基(CH2=C(CH3)−)及び2−ブテニル基
    (CH2=CH−CH2−CH2−)としたことを特徴
    とする感光性樹脂。
  4. 【請求項4】  請求項1または2に記載の感光性樹脂
    において、前記アルキル基を、メチル基、エチル基、ノ
    ルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基
    、イソブチル基及びターシャリブチル基としたことを特
    徴とする感光性樹脂(但し、前記ポリシロキサン誘導体
    部の置換基全てがターシャリブチル基となる場合を除く
    。)。
  5. 【請求項5】  請求項1または2に記載の感光性樹脂
    において、前記ハロゲン化アルキル基を、クロロメチル
    基、クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロブチル
    基、ブロモメチル基、ブロモエチル基、ブロモプロピル
    基、ブロモブチル基、ヨードメチル基、ヨードエチル基
    、ヨードプロピル基及びヨードブチル基としたことを特
    徴とする感光性樹脂(但し、前記各ハロゲン化アルキル
    基中のハロゲン数は、1以上当該基においてとり得る最
    大数以下の範囲内のいずれの数でも良い。)。
  6. 【請求項6】  請求項1に記載の感光性樹脂において
    、前記ポリシリレン誘導体部を下記(3)式で示される
    ものまたは下記(4)式で示されるものとしたことを特
    徴とする感光性樹脂(但し、RA、RB、RC、RD、
    RE、RF、RG、RH、RI及びRJは、下記の(a
    )〜(g)からなる群より選ばれた基であり、同一であ
    っても異なっていても良い。 (a):炭素数が10以下の鎖状、分岐状又は環状のア
    ルキル基。 (b):置換基を有していないフェニル基。 (c):置換基を有していないナフチル基。 (d):ニトロ基、炭素数5以下のアルコキシ基及びハ
    ロゲン基の中から選ばれた基を有するフェニル基。 (e):ニトロ基、炭素数5以下のアルコキシ基及びハ
    ロゲン基の中から選ばれた基を有するナフチル基。 (f):置換基を有していないビフェニル基。 (g):ニトロ基、炭素数5以下のアルコキシ基及びハ
    ロゲン基の中から選ばれた基を有するビフェニル基。 また、(3)式中のケイ素数lは2≦l≦10を満足す
    る整数。(4)式中のケイ素数i,j,kは、0≦i≦
    7、1≦j≦8、1≦k≦8でかつi+j+k≦9を満
    足する整数である。)。 【化2】
  7. 【請求項7】  請求項1または6に記載の感光性樹脂
    おいて、前記ポリシリレン誘導体部の原料の仕込量が前
    記ポリシロキサン誘導体部の原料の仕込量に対し、0.
    5〜10mol%の範囲内の量であることを特徴とする
    感光性樹脂。
  8. 【請求項8】  請求項1に記載の感光性樹脂において
    、前記共重合体は重量平均分子量が2,000以上10
    0,000以下のものであることを特徴とする感光性樹
    脂。
  9. 【請求項9】  請求項1〜8のいずれか1項に記載の
    感光性樹脂と増感剤とを含んで成ることを特徴とする感
    光性樹脂組成物。
  10. 【請求項10】  請求項9に記載の感光性樹脂組成物
    において、前記増感剤をヒドロシラン化合物としたこと
    を特徴とする感光性樹脂組成物。
  11. 【請求項11】  請求項10に記載の感光性樹脂組成
    物において、前記ヒドロシラン化合物を下記(5)〜(
    9)式で示されるヒドロシラン化合物の中から選ばれた
    ものとしたことを特徴とする感光性樹脂組成物(但し、
    (5)及び(6)式中のR、(7)式中のR’は、アル
    キル基、置換基を有していないフェニル基、置換基を有
    しているフェニル基、置換基を有していないナフチル基
    、置換基を有しているナフチル基、置換基を有していな
    いビフェニル基、置換基を有しているビフェニル基の中
    から選ばれた基である。また(7)〜(9)式中のRは
    、少なくとも1つは水素であり他は水素、アルキル基、
    置換基を有していないフェニル基、置換基を有している
    フェニル基、置換基を有していないナフチル基、置換基
    を有しているナフチル基、置換基を有していないビフェ
    ニル基、置換基を有しているビフェニル基の中から選ば
    れた基である。さらに、(5)〜(9)式中、r,s,
    t,u,v,wは、r+s=4、r≧1、s≧1、t+
    u=6、u≧1、1≦v≦5、1≦w≦6を満足する正
    の整数である。)。 (R)rSi(H)s  ・・・(5)(R)tSi2
    (H)u  ・・・(6)【化3】
  12. 【請求項12】  請求項9〜11のいずれか1項に記
    載の感光性樹脂組成物において、前記増感剤の添加量が
    前記感光性樹脂に対し0.1〜30重量%の範囲内の量
    であることを特徴とする感光性樹脂組成物。
JP879591A 1991-01-29 1991-01-29 感光性樹脂及びこれを用いた感光性樹脂組成物 Withdrawn JPH04251851A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492998B1 (ko) * 1998-03-24 2005-12-21 삼성전자주식회사 포토레지스트용 고분자 화합물, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100492998B1 (ko) * 1998-03-24 2005-12-21 삼성전자주식회사 포토레지스트용 고분자 화합물, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이의 제조방법

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