JPH04252024A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04252024A JPH04252024A JP827291A JP827291A JPH04252024A JP H04252024 A JPH04252024 A JP H04252024A JP 827291 A JP827291 A JP 827291A JP 827291 A JP827291 A JP 827291A JP H04252024 A JPH04252024 A JP H04252024A
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- Japan
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- phosphorus
- wafer
- compound
- core tube
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
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- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 abstract description 26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉウェーハにリンを拡
散する半導体製造装置に関する。
散する半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳｉウェーハにリンを拡散する装
置（以下、リン拡散炉と記す）は、図３の構成図に示す
ように、炉芯管２を高温に加熱するヒーター１と、リン
化合物等を供給するガスダイリューション３と、Ｓｉウ
ェーハ６を積載するボート５と、炉芯管２内への大気の
浸入を防止するための引出棒キャップ部７とを有してい
る。
置（以下、リン拡散炉と記す）は、図３の構成図に示す
ように、炉芯管２を高温に加熱するヒーター１と、リン
化合物等を供給するガスダイリューション３と、Ｓｉウ
ェーハ６を積載するボート５と、炉芯管２内への大気の
浸入を防止するための引出棒キャップ部７とを有してい
る。
【０００３】次にその動作について説明する。ヒーター
１で加熱された炉芯管２内に、Ｓｉウェーハ６を積載し
たボート５が入炉される。炉芯管２内に入炉されたＳｉ
ウェーハ６は、高温に加熱され温度が安定した後、ガス
ダイリューション３より炉芯管２内に窒素ガスで希釈さ
れたリン化合物が導入される。
１で加熱された炉芯管２内に、Ｓｉウェーハ６を積載し
たボート５が入炉される。炉芯管２内に入炉されたＳｉ
ウェーハ６は、高温に加熱され温度が安定した後、ガス
ダイリューション３より炉芯管２内に窒素ガスで希釈さ
れたリン化合物が導入される。
【０００４】炉芯管２内で高温に加熱されたリン化合物
ガスにＳｉウェーハ６が接触することで、Ｓｉウェーハ
６の表面にリン酸化物が形成され、Ｓｉウェーハ６への
リンの拡散が行われる。炉芯管２内に導入されたリン化
合物は、Ｓｉウェーハ６に取り込まれることによって、
また炉芯管２、ボート５等に付着すること等によって減
少するため、炉芯管２内のノズル４側と引出棒キャップ
部７側との間で濃度差が生じ、結果としてリン拡散後の
Ｓｉウェーハ６の層抵抗のばらつきが大きくなる。その
対策としてリン化合物の導入量は、Ｓｉウェーハ６のリ
ン拡散必要量の３００〜５００％以上と大量にする必要
があるため、余分のリン化合物は引出棒キャップ部７の
外側で液状になり蓄積する。
ガスにＳｉウェーハ６が接触することで、Ｓｉウェーハ
６の表面にリン酸化物が形成され、Ｓｉウェーハ６への
リンの拡散が行われる。炉芯管２内に導入されたリン化
合物は、Ｓｉウェーハ６に取り込まれることによって、
また炉芯管２、ボート５等に付着すること等によって減
少するため、炉芯管２内のノズル４側と引出棒キャップ
部７側との間で濃度差が生じ、結果としてリン拡散後の
Ｓｉウェーハ６の層抵抗のばらつきが大きくなる。その
対策としてリン化合物の導入量は、Ｓｉウェーハ６のリ
ン拡散必要量の３００〜５００％以上と大量にする必要
があるため、余分のリン化合物は引出棒キャップ部７の
外側で液状になり蓄積する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のリン拡散炉
において、リン拡散後のＳｉウェーハ６の層抵抗のばら
つきを押えるため、リン化合物の導入量は、Ｓｉウェー
ハ６の拡散に必要な量に対して大幅に多くなっている。 そのため、余分なリン化合物は、引出棒キャップ部７の
外側で大気により冷却され、炉芯管２内の出入口付近に
液状で蓄積する。Ｓｉウェーハ６の拡散終了後、ボート
５出炉の際、ボート車輪８等が液状のリン化合物に接触
することでリン化合物は舞い上がり、積載しているＳｉ
ウェーハ６に付着し、Ｓｉウェーハ６の外観異常を発生
させるという問題があった。
において、リン拡散後のＳｉウェーハ６の層抵抗のばら
つきを押えるため、リン化合物の導入量は、Ｓｉウェー
ハ６の拡散に必要な量に対して大幅に多くなっている。 そのため、余分なリン化合物は、引出棒キャップ部７の
外側で大気により冷却され、炉芯管２内の出入口付近に
液状で蓄積する。Ｓｉウェーハ６の拡散終了後、ボート
５出炉の際、ボート車輪８等が液状のリン化合物に接触
することでリン化合物は舞い上がり、積載しているＳｉ
ウェーハ６に付着し、Ｓｉウェーハ６の外観異常を発生
させるという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、Ｓｉウェーハのリン拡散時に、引出棒キャップ部外
側の炉芯管内の出入口付近に蓄積した液状のリン化合物
等を、ボート出炉直前に吸引除去するためのリン化合物
吸引部，真空ポンプ，リン化合物貯液槽を有している。
は、Ｓｉウェーハのリン拡散時に、引出棒キャップ部外
側の炉芯管内の出入口付近に蓄積した液状のリン化合物
等を、ボート出炉直前に吸引除去するためのリン化合物
吸引部，真空ポンプ，リン化合物貯液槽を有している。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は構
成図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図で
あり、同図（ｃ）は同図（ａ）の液状リン化合物の吸引
部詳細断面図である。
。図１は本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は構
成図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図で
あり、同図（ｃ）は同図（ａ）の液状リン化合物の吸引
部詳細断面図である。
【０００８】ヒーター１により高温に加熱された炉芯管
２内へ、ボート５に積載されたＳｉウェーハ６が入炉さ
れる。炉芯管２内に入炉された後、Ｓｉウェーハ６は更
に昇温されて温度が安定した後、ガスダイリューション
３よりガス導入ノズル４を経由して窒素ガスに希釈され
たリン化合物が炉芯管２内に導入され、Ｓｉウェーハ６
へのリンの拡散が行われる。又、拡散に寄与しない余分
なリン化合物は、引出棒キャップ部７の外側で低温の大
気と接触し、液状に蓄積する。
２内へ、ボート５に積載されたＳｉウェーハ６が入炉さ
れる。炉芯管２内に入炉された後、Ｓｉウェーハ６は更
に昇温されて温度が安定した後、ガスダイリューション
３よりガス導入ノズル４を経由して窒素ガスに希釈され
たリン化合物が炉芯管２内に導入され、Ｓｉウェーハ６
へのリンの拡散が行われる。又、拡散に寄与しない余分
なリン化合物は、引出棒キャップ部７の外側で低温の大
気と接触し、液状に蓄積する。
【０００９】リン化合物の導入が終了し、Ｓｉウェーハ
６が所定の温度に降温された後、真空吸引用ポンプ１１
が作動し、引出棒キャップ部７の外側に蓄積した液状の
リン化合物はリン化合物吸引部９により吸引され、リン
化合物貯液槽１０に貯蔵され除去が行われる。リン化合
物の除去が終了した後、Ｓｉウェーハ６を積載したボー
ト５が出炉し、リン拡散の処理が終了する。
６が所定の温度に降温された後、真空吸引用ポンプ１１
が作動し、引出棒キャップ部７の外側に蓄積した液状の
リン化合物はリン化合物吸引部９により吸引され、リン
化合物貯液槽１０に貯蔵され除去が行われる。リン化合
物の除去が終了した後、Ｓｉウェーハ６を積載したボー
ト５が出炉し、リン拡散の処理が終了する。
【００１０】次に実施例２について図面を参照して説明
する。図２は実施例２を示す図で、同図（ａ）は構成図
、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。本実
施例では、実施例１のリン化合物吸引部９に代って炉芯
管リン落下部１３を設けている。リン拡散時、引出棒キ
ャップ部７の外側で液状に蓄積したリンの化合物等は、
炉芯管リン落下部１３よりリン受部１２に流れこむため
、炉芯管２内にリン化合物等が残留しない構造となって
いる。
する。図２は実施例２を示す図で、同図（ａ）は構成図
、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。本実
施例では、実施例１のリン化合物吸引部９に代って炉芯
管リン落下部１３を設けている。リン拡散時、引出棒キ
ャップ部７の外側で液状に蓄積したリンの化合物等は、
炉芯管リン落下部１３よりリン受部１２に流れこむため
、炉芯管２内にリン化合物等が残留しない構造となって
いる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、引出棒キ
ャップ部外側に蓄積するリン化合物を吸引する機構を設
けた事により、引出棒キャップ部外側に蓄積するリン化
合物等は除去されるため、Ｓｉウェーハを積載したボー
トが炉芯管より出炉する際、車輪等が液状のリン化合物
に接触する恐れがなくなり、Ｓｉウェーハの外観異常の
不良が１０％以下に低減できるという効果がある。
ャップ部外側に蓄積するリン化合物を吸引する機構を設
けた事により、引出棒キャップ部外側に蓄積するリン化
合物等は除去されるため、Ｓｉウェーハを積載したボー
トが炉芯管より出炉する際、車輪等が液状のリン化合物
に接触する恐れがなくなり、Ｓｉウェーハの外観異常の
不良が１０％以下に低減できるという効果がある。
【図１】本発明の実施例１を示す図で、同図（ａ）は構
成図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（
ｃ）は同図（ａ）の液状に蓄積したリン化合物の吸引部
詳細断面図である。
成図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図、同図（
ｃ）は同図（ａ）の液状に蓄積したリン化合物の吸引部
詳細断面図である。
【図２】実施例２を示す図で、同図（ａ）は構成図、同
図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】従来の半導体製造装置の構成図である。
１ ヒーター
２ 炉芯管
３ ガスダイリューション
４ ノズル
５ ボート
６ Ｓｉウェーハ
７ 引出棒キャップ部
８ ボート車輪
９ リン化合物吸引部
１０ リン化合物貯液槽
１１ 真空吸引用ポンプ
１２ リン受部
１３ 炉芯管リン落下部
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉウェーハにリン拡散を行う半導体
製造装置において、炉芯管内の出入口付近に液状で蓄積
するリン化合物を除去する手段を備えたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP827291A JPH04252024A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP827291A JPH04252024A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252024A true JPH04252024A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11688538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP827291A Pending JPH04252024A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252024A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425665A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Reactor core tube |
| JPS63291676A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | 株式会社東芝 | 円筒内面の清浄装置 |
| JPH0217832B2 (ja) * | 1983-11-14 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP827291A patent/JPH04252024A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5425665A (en) * | 1977-07-28 | 1979-02-26 | Nec Corp | Reactor core tube |
| JPH0217832B2 (ja) * | 1983-11-14 | 1990-04-23 | Fujitsu Ltd | |
| JPS63291676A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | 株式会社東芝 | 円筒内面の清浄装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970729 |