JPH1126413A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1126413A JPH1126413A JP17951697A JP17951697A JPH1126413A JP H1126413 A JPH1126413 A JP H1126413A JP 17951697 A JP17951697 A JP 17951697A JP 17951697 A JP17951697 A JP 17951697A JP H1126413 A JPH1126413 A JP H1126413A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置の前洗浄方法に関する。高温薬液処
理前にウェハ及びキャリアの温度を事前に上げる事によ
り熱損失を低減し、窒化膜残りや洗浄効果低下を抑制す
ることを目的とする。 【解決手段】高温の薬液処理槽への投入初期に発生する
熱損失を低減するため、高温薬液処理槽の前槽に温純水
を供給し、高温薬液処理前にウェハとキャリアを加温す
る。ウェハ及びキャリアの温度が温純水の浸漬及び高温
の窒素ガスにより常温以上（５０℃以上）になっている
ため、高温薬液槽に投入された時点の薬液温度とウェハ
及びキャリアの温度差が小さくなり、初期の薬液温度の
低下を抑制する事が可能となる。 【効果】高温薬液槽の初期に発生する温度低下が抑制で
きる。よって窒化膜の残りや、洗浄効果の低下を防止す
る事が可能となる。
理前にウェハ及びキャリアの温度を事前に上げる事によ
り熱損失を低減し、窒化膜残りや洗浄効果低下を抑制す
ることを目的とする。 【解決手段】高温の薬液処理槽への投入初期に発生する
熱損失を低減するため、高温薬液処理槽の前槽に温純水
を供給し、高温薬液処理前にウェハとキャリアを加温す
る。ウェハ及びキャリアの温度が温純水の浸漬及び高温
の窒素ガスにより常温以上（５０℃以上）になっている
ため、高温薬液槽に投入された時点の薬液温度とウェハ
及びキャリアの温度差が小さくなり、初期の薬液温度の
低下を抑制する事が可能となる。 【効果】高温薬液槽の初期に発生する温度低下が抑制で
きる。よって窒化膜の残りや、洗浄効果の低下を防止す
る事が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程における前洗浄方法に関するものである。
工程における前洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では、高温の薬液処理をする
前のウェハ及びキャリアの温度は、室温もしくは前処理
の純水洗浄温度に律速されていた。
前のウェハ及びキャリアの温度は、室温もしくは前処理
の純水洗浄温度に律速されていた。
【０００３】素子分離形成後の窒化膜除去工程におい
て、高温の薬液処理槽にウェハ及びキャリアが投入され
た場合、初期に温度低下が発生し温度制御が不安定とな
り窒化膜の残りを発生させた。拡散、ＣＶＤ前洗浄工程
においては、洗浄効果の低下を引き起こしていた。
て、高温の薬液処理槽にウェハ及びキャリアが投入され
た場合、初期に温度低下が発生し温度制御が不安定とな
り窒化膜の残りを発生させた。拡散、ＣＶＤ前洗浄工程
においては、洗浄効果の低下を引き起こしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法にあっては、ウェハ及びキャリアが高温薬液処理
される初期にウェハ及びキャリアによる熱損失を受け処
理温度が一時的に低下し素子分離形成後の窒化膜除去で
窒化膜残りが発生するという問題点を有していた。
造方法にあっては、ウェハ及びキャリアが高温薬液処理
される初期にウェハ及びキャリアによる熱損失を受け処
理温度が一時的に低下し素子分離形成後の窒化膜除去で
窒化膜残りが発生するという問題点を有していた。
【０００５】また、従来の半導体装置の製造方法にあっ
ては、ウェハ及びキャリアが高温薬液処理される初期に
ウェハ及びキャリアによる熱損失を受け処理温度が一時
的に低下し拡散、ＣＶＤ前洗浄において洗浄効果が低下
するという問題点を有していた。
ては、ウェハ及びキャリアが高温薬液処理される初期に
ウェハ及びキャリアによる熱損失を受け処理温度が一時
的に低下し拡散、ＣＶＤ前洗浄において洗浄効果が低下
するという問題点を有していた。
【０００６】本発明は、高温薬液処理前にウェハ及びキ
ャリアの温度を事前に上げる事により熱損失を低減し、
窒化膜残りや洗浄効果低下を抑制することを目的とす
る。
ャリアの温度を事前に上げる事により熱損失を低減し、
窒化膜残りや洗浄効果低下を抑制することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、素子分離形成
後の窒化膜除去する半導体装置の製造方法において、高
温の熱燐酸水溶液で浸漬処理前に温純水でウェハとキャ
リアの温度を５０℃以上に上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法である。
後の窒化膜除去する半導体装置の製造方法において、高
温の熱燐酸水溶液で浸漬処理前に温純水でウェハとキャ
リアの温度を５０℃以上に上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法である。
【０００８】拡散、ＣＶＤ前洗浄する半導体装置の製造
方法において、高温のアルカリ水溶液及び硫酸／過酸化
水素溶液で浸漬処理前に高温の窒素ガスでウェハとキャ
リアの温度を５０℃以上に上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法である。
方法において、高温のアルカリ水溶液及び硫酸／過酸化
水素溶液で浸漬処理前に高温の窒素ガスでウェハとキャ
リアの温度を５０℃以上に上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法である。
【０００９】
【作用】素子分離形成後の窒化膜除去する半導体装置の
製造方法において、高温の熱燐酸水溶液で浸漬処理前に
温純水でウェハとキャリアの温度を５０℃以上に上げる
ことにより、処理槽内の熱損失が小さくなり窒化膜残り
不良が解消される。拡散、ＣＶＤ前洗浄する半導体装置
の製造方法において、高温のアルカリ水溶液及び硫酸／
過酸化水素溶液で浸漬処理前に高温の窒素ガスでウェハ
とキャリアの温度を５０℃以上に上げることにより洗浄
効果の低下を防止できる。
製造方法において、高温の熱燐酸水溶液で浸漬処理前に
温純水でウェハとキャリアの温度を５０℃以上に上げる
ことにより、処理槽内の熱損失が小さくなり窒化膜残り
不良が解消される。拡散、ＣＶＤ前洗浄する半導体装置
の製造方法において、高温のアルカリ水溶液及び硫酸／
過酸化水素溶液で浸漬処理前に高温の窒素ガスでウェハ
とキャリアの温度を５０℃以上に上げることにより洗浄
効果の低下を防止できる。
【００１０】温純水と高温の窒素ガスウェハ及びキャリ
アの温度が高い状態で、高温薬液処理槽へ投入されるた
め処理槽内の熱損失を小さくする事が可能となる。
アの温度が高い状態で、高温薬液処理槽へ投入されるた
め処理槽内の熱損失を小さくする事が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】素子分離形成後の窒化膜除去する
半導体装置の製造工程において、熱燐酸水溶液による窒
化膜除去の前に、フッ化水素水による窒化膜上の酸化膜
除去処理が存在する。酸化膜除去後の純水洗浄は、純水
度が２３〜２５℃でおこなわれている。この純水洗浄を
温純水（６０〜８０℃）に切り替え供給し、ウェハとキ
ャリアを５〜１０分浸漬する。温純水浸漬によりウェハ
とキャリアの温度は、室温（２０〜２５℃）より上昇す
る。その後、設定温度内で制御されている高温薬液処理
槽に搬送し浸漬する。ウェハ及びキャリアの温度が、温
純水の浸漬により室温以上（４０〜５０℃）になってい
るため、高温薬液処理槽に投入された時点の薬液温度と
ウェハ及びキャリアの温度差が小さくなり、高温薬液処
理槽内の熱損失を抑制する事が可能となる。
半導体装置の製造工程において、熱燐酸水溶液による窒
化膜除去の前に、フッ化水素水による窒化膜上の酸化膜
除去処理が存在する。酸化膜除去後の純水洗浄は、純水
度が２３〜２５℃でおこなわれている。この純水洗浄を
温純水（６０〜８０℃）に切り替え供給し、ウェハとキ
ャリアを５〜１０分浸漬する。温純水浸漬によりウェハ
とキャリアの温度は、室温（２０〜２５℃）より上昇す
る。その後、設定温度内で制御されている高温薬液処理
槽に搬送し浸漬する。ウェハ及びキャリアの温度が、温
純水の浸漬により室温以上（４０〜５０℃）になってい
るため、高温薬液処理槽に投入された時点の薬液温度と
ウェハ及びキャリアの温度差が小さくなり、高温薬液処
理槽内の熱損失を抑制する事が可能となる。
【００１２】拡散、ＣＶＤ前洗浄する半導体装置の製造
工程において、高温薬液処理前に高温（４０〜８０℃）
の窒素ガスをウェハ及びキャリアに５〜１０分間パ−ジ
する。高温の窒素ガスによりウェハ及びキャリアの温度
が上昇する。高温薬液処理槽に投入された時点の薬液温
度とウェハ及びキャリアの温度差が小さくなり、高温薬
液処理槽内の熱損失を抑制する事が可能となる。
工程において、高温薬液処理前に高温（４０〜８０℃）
の窒素ガスをウェハ及びキャリアに５〜１０分間パ−ジ
する。高温の窒素ガスによりウェハ及びキャリアの温度
が上昇する。高温薬液処理槽に投入された時点の薬液温
度とウェハ及びキャリアの温度差が小さくなり、高温薬
液処理槽内の熱損失を抑制する事が可能となる。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、高温薬液槽の初期に発生
する温度低下や熱履歴の不安定性が抑制できる。よって
窒化膜の残りや洗浄効果の低下を防止する事が可能とな
る。
する温度低下や熱履歴の不安定性が抑制できる。よって
窒化膜の残りや洗浄効果の低下を防止する事が可能とな
る。
【図１】高温薬液処理槽と前槽の温純水によるウェハ及
びキャリアの加温の断面図である。
びキャリアの加温の断面図である。
【図２】高温薬液処理槽と高温の窒素ガスによるウェハ
及びキャリアの加温の断面図である。
及びキャリアの加温の断面図である。
【図３】ウェハ及びキャリア加温の有無による高温薬液
処理初期の温度プロファイルである。
処理初期の温度プロファイルである。
１．ウェハ及びキャリア ２．温純水槽 ３．温純水供給口 ４．搬送軌道 ５．高温薬液循環槽システム ６．高温窒素ガス供給口 ７．薬液処理設定温度 ８．従来の温度フ゜ロファイル ９．ウェハ及びキャリア加温有りの温度フ゜ロファイル
Claims (2)
- 【請求項１】素子分離形成後の窒化膜除去する半導体装
置の製造方法において、高温の熱燐酸水溶液で浸漬処理
前に温純水でウェハとキャリアの温度を５０℃以上に上
げること特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】拡散、ＣＶＤ前洗浄する半導体装置の製造
方法において、高温のアルカリ水溶液及び硫酸／過酸化
水素溶液で浸漬処理前に高温の窒素ガスでウェハとキャ
リアの温度を５０℃以上に上げることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17951697A JPH1126413A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17951697A JPH1126413A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126413A true JPH1126413A (ja) | 1999-01-29 |
Family
ID=16067163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17951697A Withdrawn JPH1126413A (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1126413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069575A1 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for washing a wafer carrier |
| JP2009004675A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのエッチング方法及び装置 |
| JP2012186221A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
| JP2015230910A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17951697A patent/JPH1126413A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069575A1 (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for washing a wafer carrier |
| JP2009004675A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハのエッチング方法及び装置 |
| JP2012186221A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
| JP2015230910A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子製造装置および光起電力素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |