JPH04254399A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
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- JPH04254399A JPH04254399A JP1509991A JP1509991A JPH04254399A JP H04254399 A JPH04254399 A JP H04254399A JP 1509991 A JP1509991 A JP 1509991A JP 1509991 A JP1509991 A JP 1509991A JP H04254399 A JPH04254399 A JP H04254399A
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- multilayer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/142—Arrangements of planar printed circuit boards in the same plane, e.g. auxiliary printed circuit insert mounted in a main printed circuit
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層基板の製造方法に係
り、特に所要サイズの多層基板を面積的に分割した大き
さのサブ多層基板を接続して構成することで生産性の向
上を図ったセラミック多層基板の製造方法に関する。
り、特に所要サイズの多層基板を面積的に分割した大き
さのサブ多層基板を接続して構成することで生産性の向
上を図ったセラミック多層基板の製造方法に関する。
【０００２】現在の情報処理装置等では膨大な情報量を
高速且つ能率的に処理する必要から回路基板の大型化と
パターン微細化・多層化が益々進展してきており、特に
最近では例えば一辺が数１００ｍｍ の大きさで数１０
層にわたる微細パターンを持つガラスセラミック等から
なるセラミック多層基板が使用されるようになってきて
いる。
高速且つ能率的に処理する必要から回路基板の大型化と
パターン微細化・多層化が益々進展してきており、特に
最近では例えば一辺が数１００ｍｍ の大きさで数１０
層にわたる微細パターンを持つガラスセラミック等から
なるセラミック多層基板が使用されるようになってきて
いる。
【０００３】
【従来の技術】従来の多層基板の構成を説明する図４で
、セラミック多層基板（以下単に多層基板とする）１は
例えば一辺が ４００ｍｍ程度の大きさで厚さｔが７ｍ
ｍ位の約６０層からなる多層基板であり、該多層基板１
の内部には各層ごとに形成されているバイアホールを繋
ぐ導体（図では例えばａ１ 〜ａ４ 等）が図示の如く
所定パターンに沿って厚さ方向に形成されている。
、セラミック多層基板（以下単に多層基板とする）１は
例えば一辺が ４００ｍｍ程度の大きさで厚さｔが７ｍ
ｍ位の約６０層からなる多層基板であり、該多層基板１
の内部には各層ごとに形成されているバイアホールを繋
ぐ導体（図では例えばａ１ 〜ａ４ 等）が図示の如く
所定パターンに沿って厚さ方向に形成されている。
【０００４】通常かかる多層基板は、例えば各層毎に銅
（Ｃｕ）からなる所定パターンをバイアホールと共に形
成した未焼成のセラミックシート（グリーンシート）１
ａ，１ｂ，１ｃ〜を位置決めして積層した後、圧縮した
状態で１１００ ℃程度で行う通常の焼成技術で焼成し
て形成している。
（Ｃｕ）からなる所定パターンをバイアホールと共に形
成した未焼成のセラミックシート（グリーンシート）１
ａ，１ｂ，１ｃ〜を位置決めして積層した後、圧縮した
状態で１１００ ℃程度で行う通常の焼成技術で焼成し
て形成している。
【０００５】この場合、（１） 各層ごとに形成されて
いるパターンの断線やパターン幅のバラツキによる抵抗
値変化。
いるパターンの断線やパターン幅のバラツキによる抵抗
値変化。
【０００６】（２） 焼成時の基板収縮率のバラツキに
よる寸法不良。 （３） 基板サイズの大型化によるソリや内部応力。 （４） 表面層パターンの欠陥。 等種々の問題点が発生し易い。
よる寸法不良。 （３） 基板サイズの大型化によるソリや内部応力。 （４） 表面層パターンの欠陥。 等種々の問題点が発生し易い。
【０００７】そこで、（１） については不良検出時点
でできるだけ修理するようにしているがかかる不良が基
板の一部領域に集中発生すると修理の困難性が増すと共
に多くの修理工数ががかかることから該基板自体を不良
対象として処理することになり、製造バラツキで発生す
る（２） は通常は致命欠陥として基板そのものを不良
処理するようにしている。
でできるだけ修理するようにしているがかかる不良が基
板の一部領域に集中発生すると修理の困難性が増すと共
に多くの修理工数ががかかることから該基板自体を不良
対象として処理することになり、製造バラツキで発生す
る（２） は通常は致命欠陥として基板そのものを不良
処理するようにしている。
【０００８】また（３） に対しては製造バラツキとし
ても発生するものであるがこれに起因するパターンの層
間剥離やクラック等が基板としての致命欠陥になるため
不良処理されることが多く、更に（４） に対しては基
本的には修理再生するようにしているがパターンが微細
化されているため特に修理箇所が多い場合には多くの工
数を掛けて修理するようにしている。
ても発生するものであるがこれに起因するパターンの層
間剥離やクラック等が基板としての致命欠陥になるため
不良処理されることが多く、更に（４） に対しては基
本的には修理再生するようにしているがパターンが微細
化されているため特に修理箇所が多い場合には多くの工
数を掛けて修理するようにしている。
【０００９】従って、グリーンシート形成の段階から最
終の焼成工程までの間に多くのチェックシステムや検査
・修理工程を導入してかかる多層基板を形成している現
状にある。
終の焼成工程までの間に多くのチェックシステムや検査
・修理工程を導入してかかる多層基板を形成している現
状にある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の多層基板の製造
方法では、多層基板としての製造歩留りが悪いと共に多
くの工数がかかって生産性の向上を期待することができ
いないと言う問題があった。
方法では、多層基板としての製造歩留りが悪いと共に多
くの工数がかかって生産性の向上を期待することができ
いないと言う問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、導体パター
ンが形成されている未焼成のセラミックシートを積層し
た後焼成して形成するセラミック多層基板の製造方法で
あって、所要のセラミック多層基板サイズを面積的に複
数分割したそれぞれの大きさに相当する大きさで且つ内
在する導体と表面パターンに繋がる複数の電極パッドが
該分割端面近傍の表面所定位置に形成されている複数の
サブセラミック多層基板を形成した後、隣接させる各サ
ブセラミック多層基板間を上記分割端面で絶縁性接着剤
によって接合し、対応する上記電極パッド間を低抵抗導
体で接続して構成するセラミック多層基板の製造方法に
よって達成される。
ンが形成されている未焼成のセラミックシートを積層し
た後焼成して形成するセラミック多層基板の製造方法で
あって、所要のセラミック多層基板サイズを面積的に複
数分割したそれぞれの大きさに相当する大きさで且つ内
在する導体と表面パターンに繋がる複数の電極パッドが
該分割端面近傍の表面所定位置に形成されている複数の
サブセラミック多層基板を形成した後、隣接させる各サ
ブセラミック多層基板間を上記分割端面で絶縁性接着剤
によって接合し、対応する上記電極パッド間を低抵抗導
体で接続して構成するセラミック多層基板の製造方法に
よって達成される。
【００１２】
【作用】不良や欠陥のない複数の小さい面積の多層基板
を接続すると不良や欠陥のない大きい面積の多層基板を
容易に得ることができる。
を接続すると不良や欠陥のない大きい面積の多層基板を
容易に得ることができる。
【００１３】本発明では、周辺近傍の所定位置に電極パ
ッドがそれぞれ形成されている複数の小面積多層基板を
その端面領域で接合した後上記の各対応する電極パッド
間を電気的に接続して面積の大きい所要サイズの多層基
板を得るようにしている。
ッドがそれぞれ形成されている複数の小面積多層基板を
その端面領域で接合した後上記の各対応する電極パッド
間を電気的に接続して面積の大きい所要サイズの多層基
板を得るようにしている。
【００１４】このことは、サイズの大きい多層基板に存
在する不良や欠陥等の位置に対応する小面積多層基板の
みを不良対象として処理するだけで不良や欠陥のない所
要の多層基板が得られることを意味する。
在する不良や欠陥等の位置に対応する小面積多層基板の
みを不良対象として処理するだけで不良や欠陥のない所
要の多層基板が得られることを意味する。
【００１５】従って、完成品としての多層基板自体を修
理したり不良対象とする必要がなくなって生産性よく所
要の多層基板を得ることができる。
理したり不良対象とする必要がなくなって生産性よく所
要の多層基板を得ることができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明になる製造方法の例を説明する
図であり、（１−１）は単体の小面積多層基板を示し，
（１−２） は該多層基板を接合した状態を示す図，
（１−３） は所要サイズの多層基板に構成した場合を
示す図である。
図であり、（１−１）は単体の小面積多層基板を示し，
（１−２） は該多層基板を接合した状態を示す図，
（１−３） は所要サイズの多層基板に構成した場合を
示す図である。
【００１７】また図２，図３は他の実施例を説明する図
である。図の（１−１） で、１１，１２ は例えば所
要のセラミック多層基板（以下単に多層基板とする）サ
イズの約半分の大きさを持ち表面パターンや内在する図
４で説明した導体等が予め検査されたサブセラミック多
層基板（以下サブ多層基板とする）である。
である。図の（１−１） で、１１，１２ は例えば所
要のセラミック多層基板（以下単に多層基板とする）サ
イズの約半分の大きさを持ち表面パターンや内在する図
４で説明した導体等が予め検査されたサブセラミック多
層基板（以下サブ多層基板とする）である。
【００１８】そして該各サブ多層基板１１，１２ の片
面（図では上面）１１ａ，１２ａ には、接合面１１ｂ
，１２ｂ 側の端辺１１ｃ，１２ｃ に近接する位置に
例えば銅（Ｃｕ）からなる複数の電極パッド１１ｄ，１
２ｄ が該端辺１１ｃ，１２ｃ に沿って対向して対応
するように整列して形成されている。
面（図では上面）１１ａ，１２ａ には、接合面１１ｂ
，１２ｂ 側の端辺１１ｃ，１２ｃ に近接する位置に
例えば銅（Ｃｕ）からなる複数の電極パッド１１ｄ，１
２ｄ が該端辺１１ｃ，１２ｃ に沿って対向して対応
するように整列して形成されている。
【００１９】特にこの場合の各電極パッド１１ｄ，１２
ｄ は、各サブ多層基板１１，１２ の対向して位置す
る電極パッド（例えば図の電極パッド１１ｄ１ と １
２ｄ１ ）間を接続することで所要の多層基板が得られ
るように形成されている。
ｄ は、各サブ多層基板１１，１２ の対向して位置す
る電極パッド（例えば図の電極パッド１１ｄ１ と １
２ｄ１ ）間を接続することで所要の多層基板が得られ
るように形成されている。
【００２０】そこで、該２個のサブ多層基板１１，１２
の機械的にラッピング研磨された上記接合面１１ｂ，
１２ｂ に例えばエポキシ樹脂系接着材の如く １８０
℃程度の温度で硬化する絶縁性接着剤１３を塗布し両者
を圧着させた状態で接着すると、（１−２） で示す状
態にすることができる。
の機械的にラッピング研磨された上記接合面１１ｂ，
１２ｂ に例えばエポキシ樹脂系接着材の如く １８０
℃程度の温度で硬化する絶縁性接着剤１３を塗布し両者
を圧着させた状態で接着すると、（１−２） で示す状
態にすることができる。
【００２１】次いで、近接して対応する電極パッド１１
ｄ，１２ｄ 間を半導体装置の製造分野等で用いられて
いるワイヤ・ボンディング技術によって金（Ａｕ）から
なるワイヤ１４でボンディング接続すると、（１−３）
に示す如く所要サイズを持つ多層基板１５を得ること
ができる。
ｄ，１２ｄ 間を半導体装置の製造分野等で用いられて
いるワイヤ・ボンディング技術によって金（Ａｕ）から
なるワイヤ１４でボンディング接続すると、（１−３）
に示す如く所要サイズを持つ多層基板１５を得ること
ができる。
【００２２】かかる多層基板１５では上述した如く表面
パターンや導体等が予め検査されたサブ多層基板１１，
１２ を使用しているため完成した時点で前述したよう
な不良や欠陥等が存在することがなく、多層基板１５と
しての歩留りの向上を期待することができる。
パターンや導体等が予め検査されたサブ多層基板１１，
１２ を使用しているため完成した時点で前述したよう
な不良や欠陥等が存在することがなく、多層基板１５と
しての歩留りの向上を期待することができる。
【００２３】また、多層基板１５として発見される不良
や欠陥等はその情報を上記サブ多層基板１１，１２ の
内の対応する基板にフィードバックすることで爾後の処
置に速応できるので、不良対象となる多層基板１５を減
らすことができるメリットがある。
や欠陥等はその情報を上記サブ多層基板１１，１２ の
内の対応する基板にフィードバックすることで爾後の処
置に速応できるので、不良対象となる多層基板１５を減
らすことができるメリットがある。
【００２４】図２は図１で構成した多層基板１５の接合
部の補強を図った場合の例を示したもので、（２−１）
は補強前の状態を示し， また（２−２） は補強後
の状態を示す平面図である。
部の補強を図った場合の例を示したもので、（２−１）
は補強前の状態を示し， また（２−２） は補強後
の状態を示す平面図である。
【００２５】（２−１） で１６は断面視“コ”の字形
をなす金属クランパである。そこで、図１の（１−２）
の状態にある多層基板１５の接合部にその両面を挟む
ように該金属クランパ１６を挿入して固定することで（
２−２） に示す如く接合部が補強された多層基板１７
を得ることができる。
をなす金属クランパである。そこで、図１の（１−２）
の状態にある多層基板１５の接合部にその両面を挟む
ように該金属クランパ１６を挿入して固定することで（
２−２） に示す如く接合部が補強された多層基板１７
を得ることができる。
【００２６】かかる金属クランパ１６による補強は、上
記サブ多層基板１１，１２ 間の接合強度が弱い場合や
多層基板１５が例えば２〜３ｍｍまたはそれ以下程度の
薄い場合等に有効である。
記サブ多層基板１１，１２ 間の接合強度が弱い場合や
多層基板１５が例えば２〜３ｍｍまたはそれ以下程度の
薄い場合等に有効である。
【００２７】更に図３は、図１の（１−３） で説明し
た各電極パッド間のワイヤ・ボンディング接続をリード
フレームによる接続で実現した場合を示した図であり、
（３−１） はリードフレームの外観形状を示す図，（
３−２） は接続時の状態をまた（３−３） はリード
フレームのタイバー部分を切断して接続を完了させたと
きの状態を示す平面図である。
た各電極パッド間のワイヤ・ボンディング接続をリード
フレームによる接続で実現した場合を示した図であり、
（３−１） はリードフレームの外観形状を示す図，（
３−２） は接続時の状態をまた（３−３） はリード
フレームのタイバー部分を切断して接続を完了させたと
きの状態を示す平面図である。
【００２８】図の（３−１） で、リードフレーム１８
は図１の（１−１） で説明した各電極パッド１１ｄ，
１２ｄ の隣接する電極間ピッチと等しいピッチ間隔で
平行に形成されているリード１８ａ と該リード１８ａ
領域の外側に設けた該各リード１８ａ を幅方向に繋
いで連結するタイバー１８ｂ とで構成されているもの
であり、特に該リード１８ａ の領域は図１の（１−２
） の状態にある多層基板１５の各電極パッド１１ｄ，
１２ｄ 間の隔たりｄとほぼ等しい長さ部分が片面側に
突出するように形成されている。
は図１の（１−１） で説明した各電極パッド１１ｄ，
１２ｄ の隣接する電極間ピッチと等しいピッチ間隔で
平行に形成されているリード１８ａ と該リード１８ａ
領域の外側に設けた該各リード１８ａ を幅方向に繋
いで連結するタイバー１８ｂ とで構成されているもの
であり、特に該リード１８ａ の領域は図１の（１−２
） の状態にある多層基板１５の各電極パッド１１ｄ，
１２ｄ 間の隔たりｄとほぼ等しい長さ部分が片面側に
突出するように形成されている。
【００２９】そこで図１の（１−２） の状態にある多
層基板１５の各電極パッド１１ｄ，１２ｄ 上の対応す
る位置に上記リードフレーム１８をその突出する側が該
各電極パッドと接触するように載置し、例えば通常の超
音波溶接等の手段で該各リード１８ａ を対応する電極
パッド１１ｄ，１２ｄ に溶接すると（３−２） に示
す状態とすることができる。
層基板１５の各電極パッド１１ｄ，１２ｄ 上の対応す
る位置に上記リードフレーム１８をその突出する側が該
各電極パッドと接触するように載置し、例えば通常の超
音波溶接等の手段で該各リード１８ａ を対応する電極
パッド１１ｄ，１２ｄ に溶接すると（３−２） に示
す状態とすることができる。
【００３０】次いで、突出するリード１８ａ を除く上
記リードフレーム１８をタイバー１８ｂ と共に切断除
去することで（３−３） に示す如く各電極パッド１１
ｄ，１２ｄ 間がリードフレーム１８のリード１８ａ
で接続された多層基板１９を得ることができる。
記リードフレーム１８をタイバー１８ｂ と共に切断除
去することで（３−３） に示す如く各電極パッド１１
ｄ，１２ｄ 間がリードフレーム１８のリード１８ａ
で接続された多層基板１９を得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】上述の如く本発明により、所要多層基板
を面積的に分割した大きさのサブ多層基板を接続して構
成することで生産性の向上を図ったセラミック多層基板
の製造方法を提供することができる。
を面積的に分割した大きさのサブ多層基板を接続して構
成することで生産性の向上を図ったセラミック多層基板
の製造方法を提供することができる。
【００３２】なお本発明の説明では所要のセラミック多
層基板を２個のサブ多層基板で構成した場合について行
っているが、３個以上のサブ多層基板で構成しても同等
の効果を得ることができる。
層基板を２個のサブ多層基板で構成した場合について行
っているが、３個以上のサブ多層基板で構成しても同等
の効果を得ることができる。
【００３３】従ってサブ多層基板を相互に接合して大き
い面積の多層基板を構成するかかる方法の場合では、反
りや曲がり等によって従来実現できなかった大きさの多
層基板でも容易に形成できる効果もある。
い面積の多層基板を構成するかかる方法の場合では、反
りや曲がり等によって従来実現できなかった大きさの多
層基板でも容易に形成できる効果もある。
【図１】 本発明になる製造方法の例を説明する図。
【図２】 他の実施例を説明する図（その１）。
【図３】 他の実施例を説明する図（その２）。
【図４】 従来の多層基板の構成を説明する図。
１１，１２ サブセラミック多層基板
１５，１７，１９ セラミック多層基板 １１ａ，１２ａ 片面
１１ｂ，１２ｂ 接合面１１ｃ，１２ｃ
端辺 １１
ｄ，１２ｄ 電極パッド １３ 絶縁性接着剤
１４ ワイヤ１６ 金属クランパ
１８ リードフレー
ム
１５，１７，１９ セラミック多層基板 １１ａ，１２ａ 片面
１１ｂ，１２ｂ 接合面１１ｃ，１２ｃ
端辺 １１
ｄ，１２ｄ 電極パッド １３ 絶縁性接着剤
１４ ワイヤ１６ 金属クランパ
１８ リードフレー
ム
Claims (4)
- 【請求項１】 導体パターンが形成されている未焼成
のセラミックシートを積層した後焼成して形成するセラ
ミック多層基板の製造方法であって、所要のセラミック
多層基板サイズを面積的に複数分割したそれぞれの大き
さに相当する大きさで且つ内在する導体と表面パターン
に繋がる複数の電極パッド（１１ｄ，１２ｄ） が該分
割端面近傍の表面所定位置に形成されている複数のサブ
セラミック多層基板（１１，１２） を形成した後、隣
接させる各サブセラミック多層基板（１１，１２） 間
を上記分割端面で絶縁性接着剤（１３）によって接合し
、対応する上記電極パッド（１１ｄ，１２ｄ） 間を低
抵抗導体（１４）で接続して構成することを特徴とした
セラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記の対応する各サブセラミック多層
基板間を端面部分で絶縁性接着剤によって接合し更に該
接合領域をクランパで補強してから対応する電極パッド
間を低抵抗導体で接続して構成することを特徴とした請
求項１記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１の対応する電極パッド間の接
続をワイヤボンディング手段で行うことを特徴とした請
求項１記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１の対応する電極パッド間の接
続をリードフレーム溶接手段で行うことを特徴とした請
求項１記載のセラミック多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509991A JPH04254399A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | セラミック多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1509991A JPH04254399A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | セラミック多層基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254399A true JPH04254399A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=11879397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1509991A Withdrawn JPH04254399A (ja) | 1991-02-06 | 1991-02-06 | セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04254399A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679710A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 大型セラミック基板及びその製造方法 |
| JP2007227432A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Nitta Ind Corp | 基板相互の突き合わせ接続構造 |
-
1991
- 1991-02-06 JP JP1509991A patent/JPH04254399A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0679710A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 大型セラミック基板及びその製造方法 |
| JP2007227432A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Nitta Ind Corp | 基板相互の突き合わせ接続構造 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |