JPH04254442A - ハーメチックコートファイバの製造方法 - Google Patents
ハーメチックコートファイバの製造方法Info
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- JPH04254442A JPH04254442A JP3031341A JP3134191A JPH04254442A JP H04254442 A JPH04254442 A JP H04254442A JP 3031341 A JP3031341 A JP 3031341A JP 3134191 A JP3134191 A JP 3134191A JP H04254442 A JPH04254442 A JP H04254442A
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- Japan
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- gas
- fiber
- reaction vessel
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ表面上にカ
ーボン膜を施す、ハーメチックコートファイバの製造方
法の改良に関するものである。
ーボン膜を施す、ハーメチックコートファイバの製造方
法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハーメチックコートファイバは、例えば
欧州特許第３０８１４３号に記載されるように、図４に
模式図で示されるハーメチックコーティング装置を用い
て、線引炉８の下方に反応容器１を置き、加熱線引直後
の高温状態にある裸ファイバ１０表面やその近傍で、該
容器内の原料ガスである炭化水素類や補助ガスであるハ
ロゲン化炭化水素類を熱分解して化学反応させ、カーボ
ン膜を生成させる化学気相析出法（ＣＶＤ法）などの方
法で得られる。
欧州特許第３０８１４３号に記載されるように、図４に
模式図で示されるハーメチックコーティング装置を用い
て、線引炉８の下方に反応容器１を置き、加熱線引直後
の高温状態にある裸ファイバ１０表面やその近傍で、該
容器内の原料ガスである炭化水素類や補助ガスであるハ
ロゲン化炭化水素類を熱分解して化学反応させ、カーボ
ン膜を生成させる化学気相析出法（ＣＶＤ法）などの方
法で得られる。
【０００３】得られたコートファイバは、水素特性良好
（１００℃でＨ２ １００％中２４ｈｒ後の波長１．２
４μｍにおけるロス増α１．２４＝０．０１ｄＢ／ｋｍ
）で疲労係数も高く（ｎ＞１００）、耐候性も向上し、
敷設時に高張力のかかる海底用の他、ケーブル構造を簡
略化してコストダウンが期待できるなど、大きな需要が
期待でき、各社とも競って開発を行っている。
（１００℃でＨ２ １００％中２４ｈｒ後の波長１．２
４μｍにおけるロス増α１．２４＝０．０１ｄＢ／ｋｍ
）で疲労係数も高く（ｎ＞１００）、耐候性も向上し、
敷設時に高張力のかかる海底用の他、ケーブル構造を簡
略化してコストダウンが期待できるなど、大きな需要が
期待でき、各社とも競って開発を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、ハーメチックコ
ーティングは、加熱線引直後の裸ファイバ上にカーボン
膜を施すので、コーティングによるダメージにより引張
強度が約４ｋｇｆと通常の約６ｋｇｆに比べ、大きく低
下してしまう問題があった。水素特性、疲労強度に優れ
ていても、引張強度が劣っていては高強度ファイバとし
て不充分である。
ーティングは、加熱線引直後の裸ファイバ上にカーボン
膜を施すので、コーティングによるダメージにより引張
強度が約４ｋｇｆと通常の約６ｋｇｆに比べ、大きく低
下してしまう問題があった。水素特性、疲労強度に優れ
ていても、引張強度が劣っていては高強度ファイバとし
て不充分である。
【０００５】反応容器内は、原料ガスである炭化水素類
（ＣＨ４ 、Ｃ２ Ｈ４ 、Ｃ２ Ｈ２ 、Ｃ３ Ｈ８
など）の他、希釈ガス（Ｎ２ 、Ａｒなど）で無酸素
雰囲気に保たれている。原料ガスに塩素などのハロゲン
ガス（Ｃｌ２ 、Ｃ２ ＨＣｌ３ など）を添加するこ
とで、約５ｋｇｆまで改善されるが（このガス処理でフ
ァイバ表面付近のＨ２ や水分を除去するか、或いは成
膜速度が上昇するので、ガラスファイバ表面が湿度の低
いやや安定した状態でコーティングできる利点があると
考えられる）、原料比（Ｈ／Ｃｌ比）を変えても、Ｈ２
吸収ロス増を０≒ｄＢ／ｋｍに保ったまゝでは５．５
ｋｇｆ以上には出来ず、引張強度を通常のファイバ並み
に高めることができないでいた。
（ＣＨ４ 、Ｃ２ Ｈ４ 、Ｃ２ Ｈ２ 、Ｃ３ Ｈ８
など）の他、希釈ガス（Ｎ２ 、Ａｒなど）で無酸素
雰囲気に保たれている。原料ガスに塩素などのハロゲン
ガス（Ｃｌ２ 、Ｃ２ ＨＣｌ３ など）を添加するこ
とで、約５ｋｇｆまで改善されるが（このガス処理でフ
ァイバ表面付近のＨ２ や水分を除去するか、或いは成
膜速度が上昇するので、ガラスファイバ表面が湿度の低
いやや安定した状態でコーティングできる利点があると
考えられる）、原料比（Ｈ／Ｃｌ比）を変えても、Ｈ２
吸収ロス増を０≒ｄＢ／ｋｍに保ったまゝでは５．５
ｋｇｆ以上には出来ず、引張強度を通常のファイバ並み
に高めることができないでいた。
【０００６】また、その後の実験でＣｌ比を増やすと、
Ｎ２ ガスだけの雰囲気でも６ｋｇｆの値が得られたが
、Ｃｌが増えると、膜がすかすかなのかＨ２ を透過し
、ロスが増える。
Ｎ２ ガスだけの雰囲気でも６ｋｇｆの値が得られたが
、Ｃｌが増えると、膜がすかすかなのかＨ２ を透過し
、ロスが増える。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、熱伝導度
の高いＨｅガスを１部又は全部希釈ガスとして反応容器
内に導入することにより、ハーメチックコーティングに
よるダメージ、すなわち引張強度の低下を極力少なくす
ること出来、引張強度を通常のファイバ並みに高めるこ
とが可能となることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
の高いＨｅガスを１部又は全部希釈ガスとして反応容器
内に導入することにより、ハーメチックコーティングに
よるダメージ、すなわち引張強度の低下を極力少なくす
ること出来、引張強度を通常のファイバ並みに高めるこ
とが可能となることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００８】すなわち、本発明は：紡糸直後のガラスフ
ァイバを炭素系原料ガスを含んだコーティング反応容器
中を通過させて、該ガラスファイバの表面上にカーボン
膜を生成せしめ、その後樹脂コートを施すことから成る
ハーメチックコートファイバの製造方法において、コー
ティング容器内の雰囲気がＨｅを含む、ハーメチックコ
ートファイバの製造方法である。
ァイバを炭素系原料ガスを含んだコーティング反応容器
中を通過させて、該ガラスファイバの表面上にカーボン
膜を生成せしめ、その後樹脂コートを施すことから成る
ハーメチックコートファイバの製造方法において、コー
ティング容器内の雰囲気がＨｅを含む、ハーメチックコ
ートファイバの製造方法である。
【０００９】以下、図面に基づいて詳細に説明する。図
１〜３は、反応容器と原料供給系の概略図を示す。図１
はＨｅガスを液体原料（ガス）のキャリヤガスとして用
いる態様を示し、図２はＨｅガスをシールガス中に混入
・導入する態様を示し、図３はＨｅガスを炭素系原料ガ
スと同様に直接に反応容器に導入する態様を示している
。
１〜３は、反応容器と原料供給系の概略図を示す。図１
はＨｅガスを液体原料（ガス）のキャリヤガスとして用
いる態様を示し、図２はＨｅガスをシールガス中に混入
・導入する態様を示し、図３はＨｅガスを炭素系原料ガ
スと同様に直接に反応容器に導入する態様を示している
。
【００１０】図１〜３に示されるように、ガラス繊維の
プリフォーム９を線引炉８内で高温で線引して裸ファイ
バ１０が得られる。この裸ファイバ１０は続いて高温に
加熱された反応容器１内に上方より送りこまれ、反応容
器１内に導入された炭素系ガスなどの原料ガスが化学気
相析出法などの手段により熱的化学的反応を受け、この
上にハーメチックコートが施された光ファイバ１１が得
られる。次いで、その上に通常のアクリル系などのＵＶ
硬化性樹脂コーティングが施される（図示されていない
）。
プリフォーム９を線引炉８内で高温で線引して裸ファイ
バ１０が得られる。この裸ファイバ１０は続いて高温に
加熱された反応容器１内に上方より送りこまれ、反応容
器１内に導入された炭素系ガスなどの原料ガスが化学気
相析出法などの手段により熱的化学的反応を受け、この
上にハーメチックコートが施された光ファイバ１１が得
られる。次いで、その上に通常のアクリル系などのＵＶ
硬化性樹脂コーティングが施される（図示されていない
）。
【００１１】本発明においては、その際に、反応容器内
に熱導電率の高いＨｅガスを１部又は全部希釈ガス及び
／又はキャリヤガスとして導入することが重要である。 その導入方法としては、Ｈｅガスを炭素系などの液体原
料（ガス）のキャリヤガスとして用い、バブラー５内で
該キャリヤガスによりバブリングし両者を混合して後に
反応容器に供給する態様（図１）、ＨｅガスをＮ２ な
どのシールガス中に混入・導入する態様（図２）、Ｈｅ
ガスを直接に希釈ガスとして反応容器に導入する態様（
図３）などを挙げることができる。Ｈｅガスの導入濃度
は特に制限されないが、ダストの増加などの問題もあり
、最適範囲としては５〜３０％程度が好ましく用いられ
る。例えば、希釈ガスとしてＨｅガス１００％では、ス
ス詰まりのために、線引単長が５０ｋｍ〜３０ｋｍへと
短くなる。
に熱導電率の高いＨｅガスを１部又は全部希釈ガス及び
／又はキャリヤガスとして導入することが重要である。 その導入方法としては、Ｈｅガスを炭素系などの液体原
料（ガス）のキャリヤガスとして用い、バブラー５内で
該キャリヤガスによりバブリングし両者を混合して後に
反応容器に供給する態様（図１）、ＨｅガスをＮ２ な
どのシールガス中に混入・導入する態様（図２）、Ｈｅ
ガスを直接に希釈ガスとして反応容器に導入する態様（
図３）などを挙げることができる。Ｈｅガスの導入濃度
は特に制限されないが、ダストの増加などの問題もあり
、最適範囲としては５〜３０％程度が好ましく用いられ
る。例えば、希釈ガスとしてＨｅガス１００％では、ス
ス詰まりのために、線引単長が５０ｋｍ〜３０ｋｍへと
短くなる。
【００１２】本発明の炭素系原料ガスとしては、ＣＨ４
、Ｃ２ Ｈ４ 、Ｃ２ Ｈ２ 、Ｃ３ Ｈ８などの炭
化水素類を広く使用できる。また、本発明では、ハロゲ
ン化炭化水素類を補助原料（ガス）として使用でき、例
えばＣｌ２ 、Ｃ２ ＨＣｌ３ 、ＣＣｌ４ などを挙
げることができる。また、臭素、沃素系のハロゲン源も
塩素系源を適宜使用してもよい。シールガスは、排気系
６を減圧状態に維持するために反応容器１に導入するが
、通常Ｎ２ ガスが用いられるが、本発明ではＮ２ ガ
スにＨｅガスを混合導入する。希釈ガスは、通常Ｎ２
、Ａｒガスなどが用いられるが、本発明ではＨｅガスを
希釈ガスとして全部又は１部混合、導入する。
、Ｃ２ Ｈ４ 、Ｃ２ Ｈ２ 、Ｃ３ Ｈ８などの炭
化水素類を広く使用できる。また、本発明では、ハロゲ
ン化炭化水素類を補助原料（ガス）として使用でき、例
えばＣｌ２ 、Ｃ２ ＨＣｌ３ 、ＣＣｌ４ などを挙
げることができる。また、臭素、沃素系のハロゲン源も
塩素系源を適宜使用してもよい。シールガスは、排気系
６を減圧状態に維持するために反応容器１に導入するが
、通常Ｎ２ ガスが用いられるが、本発明ではＮ２ ガ
スにＨｅガスを混合導入する。希釈ガスは、通常Ｎ２
、Ａｒガスなどが用いられるが、本発明ではＨｅガスを
希釈ガスとして全部又は１部混合、導入する。
【００１３】
【作用】本発明においては、原料ガス組成だけではなく
、希釈ガスの成分も大きくコーティングの形成に影響を
与えるとの考えに立って種々検討した。通常の燃焼など
の他のプロセスとは異なり、ハーメチックコーティング
では、基本的に希釈ガスにＨｅを添加（導入）すること
で、ガスの熱伝導率が上昇する。その結果、ガスが高温
の状態にあるファイバにより加熱され易くなり、熱分解
反応が促進される。一方、ファイバはガスで冷やされ易
く、あるいは反応速度の上昇により、ダメージの少ない
比較的ファイバ温度の低い状態でのコーティングが可能
となる。
、希釈ガスの成分も大きくコーティングの形成に影響を
与えるとの考えに立って種々検討した。通常の燃焼など
の他のプロセスとは異なり、ハーメチックコーティング
では、基本的に希釈ガスにＨｅを添加（導入）すること
で、ガスの熱伝導率が上昇する。その結果、ガスが高温
の状態にあるファイバにより加熱され易くなり、熱分解
反応が促進される。一方、ファイバはガスで冷やされ易
く、あるいは反応速度の上昇により、ダメージの少ない
比較的ファイバ温度の低い状態でのコーティングが可能
となる。
【００１４】また、本発明では、このように、Ｈｅガス
を導入することで熱分解反応を促進できるので、それ以
上の熱分解反応の促進を招く容器壁を加熱するようなこ
とはあまり望ましくない。容器壁を加熱すると、気相中
での熱分解反応が促進されて、ススの発生が増加し、詰
まりで線引可能長がやや短くなる傾向を示す、例えば、
ファイバから離れた容器壁でもガスが熱分解してススを
発生した結果、約１／５の１３．５ｋｍで容器内がスス
詰まりで線引きの中断を招いた。このように、Ｈｅガス
を導入することで熱分解をファイバ表面に比較的集中さ
せたまま、成膜速度を向上できるので、ファイバダメー
ジの小さい状態でコーティングが可能になるものと考え
られる。
を導入することで熱分解反応を促進できるので、それ以
上の熱分解反応の促進を招く容器壁を加熱するようなこ
とはあまり望ましくない。容器壁を加熱すると、気相中
での熱分解反応が促進されて、ススの発生が増加し、詰
まりで線引可能長がやや短くなる傾向を示す、例えば、
ファイバから離れた容器壁でもガスが熱分解してススを
発生した結果、約１／５の１３．５ｋｍで容器内がスス
詰まりで線引きの中断を招いた。このように、Ｈｅガス
を導入することで熱分解をファイバ表面に比較的集中さ
せたまま、成膜速度を向上できるので、ファイバダメー
ジの小さい状態でコーティングが可能になるものと考え
られる。
【００１５】
【実施例】本発明は、以下の実施例により具体的に説明
されるが、これらは本発明の範囲を制限しない。図１に
従って、Ｈｅガスを炭素系などの液体原料（ガス）のキ
ャリヤガスとして用い、バブラー５内で該キャリヤガス
によりバブリングし両者を混合して後に反応容器１に供
給する仕方で、線引炉で線引された裸ファイバ１０を上
記反応容器１中に送り込み、常法に従って該ファイバの
表面上にハーメチックコートを施した。その結果を示す
と以下の表にまとめられる。
されるが、これらは本発明の範囲を制限しない。図１に
従って、Ｈｅガスを炭素系などの液体原料（ガス）のキ
ャリヤガスとして用い、バブラー５内で該キャリヤガス
によりバブリングし両者を混合して後に反応容器１に供
給する仕方で、線引炉で線引された裸ファイバ１０を上
記反応容器１中に送り込み、常法に従って該ファイバの
表面上にハーメチックコートを施した。その結果を示す
と以下の表にまとめられる。
【００１６】
【００１７】このように、他特性を落とさずに、引張強
度を通常品並みの６．１ｋｇｆまで高めることが出来た
。
度を通常品並みの６．１ｋｇｆまで高めることが出来た
。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、原料ガ
スの希釈ガスにＨｅガスを添加することにより、熱分解
をファイバ表面に比較的集中させたまま（スス発生が極
端に増えない）、成膜速度を上昇させることができるの
で、ファイバへのダメージの小さな状態でのハーメチッ
クコーティングが可能となり、ハーメチックコートの唯
一の欠点である、引張強度の低下を有効に防ぐことが出
来る。また、熱ＣＶＤ法において、希釈ガスの組成はプ
ロセスに影響を与えると考えられるが、本発明のケース
のように基盤であるファイバ自体がダメージを受け易い
点を改良できたことに意義がある。
スの希釈ガスにＨｅガスを添加することにより、熱分解
をファイバ表面に比較的集中させたまま（スス発生が極
端に増えない）、成膜速度を上昇させることができるの
で、ファイバへのダメージの小さな状態でのハーメチッ
クコーティングが可能となり、ハーメチックコートの唯
一の欠点である、引張強度の低下を有効に防ぐことが出
来る。また、熱ＣＶＤ法において、希釈ガスの組成はプ
ロセスに影響を与えると考えられるが、本発明のケース
のように基盤であるファイバ自体がダメージを受け易い
点を改良できたことに意義がある。
図１〜３は、反応容器と原料供給系の概略図を示す。図
１はＨｅガスを液体原料（ガス）のキャリヤガスとして
用いる態様を示す。図２はＨｅガスをシールガス中に混
入・導入する態様を示す。図３はＨｅガスを炭素系原料
ガスと同様に直接に反応容器に導入する態様を示す。図
４は、従来法によるハーメチックコーティング装置を示
し、原料がＣ２ Ｈ４ などの炭素系原料ガスを、液体
状に保持されたＣＣｌ４ などのハロゲン化炭化水素系
補助原料と共にＮ２ などのキャリヤガスでバブリング
することにより混合して後に、供給された状態を示す模
式図である。
１はＨｅガスを液体原料（ガス）のキャリヤガスとして
用いる態様を示す。図２はＨｅガスをシールガス中に混
入・導入する態様を示す。図３はＨｅガスを炭素系原料
ガスと同様に直接に反応容器に導入する態様を示す。図
４は、従来法によるハーメチックコーティング装置を示
し、原料がＣ２ Ｈ４ などの炭素系原料ガスを、液体
状に保持されたＣＣｌ４ などのハロゲン化炭化水素系
補助原料と共にＮ２ などのキャリヤガスでバブリング
することにより混合して後に、供給された状態を示す模
式図である。
１：反応容器
２：シールガス系
３：原料ガス系
４：キャリヤガス系
５：液体原料などを含むバブラー
６：排気系
７：希釈ガス系
８：線引炉
９：プリフォーム
１０：裸ファイバ
１１：ハーメチックコートファイバ
Claims (1)
- 【請求項１】 紡糸直後のガラスファイバを炭素系原
料ガスを含んだコーティング反応容器中を通過させて、
該ガラスファイバの表面上にカーボン膜を生成せしめ、
その後樹脂コートを施すことから成るハーメチックコー
トファイバの製造方法において、コーティング容器内の
雰囲気がＨｅを含むことを特徴とするハーメチックコー
トファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031341A JP3059227B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | ハーメチックコートファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031341A JP3059227B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | ハーメチックコートファイバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254442A true JPH04254442A (ja) | 1992-09-09 |
| JP3059227B2 JP3059227B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=12328535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3031341A Expired - Lifetime JP3059227B2 (ja) | 1991-02-01 | 1991-02-01 | ハーメチックコートファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3059227B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743375A3 (en) * | 1995-03-31 | 1997-05-21 | Ceramoptec Gmbh | Process for the production of diamond-like coatings |
-
1991
- 1991-02-01 JP JP3031341A patent/JP3059227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0743375A3 (en) * | 1995-03-31 | 1997-05-21 | Ceramoptec Gmbh | Process for the production of diamond-like coatings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3059227B2 (ja) | 2000-07-04 |
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|---|---|---|---|
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