JPH0425511B2 - - Google Patents
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- JPH0425511B2 JPH0425511B2 JP11361382A JP11361382A JPH0425511B2 JP H0425511 B2 JPH0425511 B2 JP H0425511B2 JP 11361382 A JP11361382 A JP 11361382A JP 11361382 A JP11361382 A JP 11361382A JP H0425511 B2 JPH0425511 B2 JP H0425511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- wave height
- energy
- shift amount
- unblank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はシンチレーシヨンカメラに関する。
一般にシンチレーシヨンカメラには空間非直線
性とエネルギ不均一性の両者に基づく感度不均一
性が存在し、従来よりこれを補正するための提案
が種々なされてきている。しかし従来のものは感
度が犠牲になる等問題が多かつた。
性とエネルギ不均一性の両者に基づく感度不均一
性が存在し、従来よりこれを補正するための提案
が種々なされてきている。しかし従来のものは感
度が犠牲になる等問題が多かつた。
この発明は上記に鑑み、エネルギ不均一性に基
づく感度不均一性を感度を犠牲にすることなしに
実時間で補正することのできるシンチレーシヨン
カメラを提供することを目的とする。
づく感度不均一性を感度を犠牲にすることなしに
実時間で補正することのできるシンチレーシヨン
カメラを提供することを目的とする。
以下、この発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。第１図において、シンチレー
タ１１の背面にライトガイド１２を介して光電変
換器であるPMT（フオトマルチプライア）１３が
多数配列されている。シンチレータ１１の前面か
ら放射線が入射して発光が生じるとその光はライ
トガイド１２を介して各PMT１３に導かれ電気
的な出力に変換される。これらPMT１３の出力
は位置及びエネルギ演算回路１４に導かれ、位置
計算及びエネルギ計算が行なわれて位置信号Ｘ，
Ｙ及びエネルギ信号Ｚが得られる。エネルギ信号
Ｚはサンプルホールド遅延回路１５をへて主波高
分析器１６、低補助波高分析器１７、高補助波高
分析器１８に送られる。これら波高分析器１６，
１７，１８はエネルギ信号Ｚの波高値がそれぞれ
のウインド範囲内に入つていることを検出しそれ
ぞれUNBLANK１，UNBLANK２，
UNBLANK３の各々を発生する。各ウインド範
囲はウインドレベル設定回路１９により与えら
れ、第２図に示すように主波高分析器１６につい
てはLL１〜UL１の範囲、低補助波高分析器１７
についてはLL２〜LL１の範囲、高補助波高分析
器１８についてはUL１〜UL２の範囲となつてい
る。ウインドレベル設定回路１９では放射性同位
元素の核種に応じたエネルギレベル（LEVEL）
とウインド範囲（WINDOW）とを任意に設定で
きるようになつている。WINDOWはLEVELに
対する％で設定される。LEVELはウインド範囲
の中心値である。LEVELとWINDOWとが設定
されると、WINDOWが20％であればLL１〜UL
１は20％であり、このときLL２〜LL１及びUL
１〜UL２はそれぞれ例えば５％程度とする。
UNBLANK１についてはOR回路２２をへてそ
のまま表示装置２５に輝度信号として送られる
が、UNBLANK２，３はそのまま送られる訳で
はなく、AND回路２０，２１でそれぞれゲート
されADMIT・Ｌ，ADMIT・Ｈの各々により許
容されたときのみOR回路２２をへて表示装置２
５に輝度信号として送られる。表示装置２５には
位置信号Ｘ，Ｙがそれぞれサンプルホールド遅延
回路２３，２４をへて送られてきており、これら
により定まる位置に輝点が表示される。
しながら説明する。第１図において、シンチレー
タ１１の背面にライトガイド１２を介して光電変
換器であるPMT（フオトマルチプライア）１３が
多数配列されている。シンチレータ１１の前面か
ら放射線が入射して発光が生じるとその光はライ
トガイド１２を介して各PMT１３に導かれ電気
的な出力に変換される。これらPMT１３の出力
は位置及びエネルギ演算回路１４に導かれ、位置
計算及びエネルギ計算が行なわれて位置信号Ｘ，
Ｙ及びエネルギ信号Ｚが得られる。エネルギ信号
Ｚはサンプルホールド遅延回路１５をへて主波高
分析器１６、低補助波高分析器１７、高補助波高
分析器１８に送られる。これら波高分析器１６，
１７，１８はエネルギ信号Ｚの波高値がそれぞれ
のウインド範囲内に入つていることを検出しそれ
ぞれUNBLANK１，UNBLANK２，
UNBLANK３の各々を発生する。各ウインド範
囲はウインドレベル設定回路１９により与えら
れ、第２図に示すように主波高分析器１６につい
てはLL１〜UL１の範囲、低補助波高分析器１７
についてはLL２〜LL１の範囲、高補助波高分析
器１８についてはUL１〜UL２の範囲となつてい
る。ウインドレベル設定回路１９では放射性同位
元素の核種に応じたエネルギレベル（LEVEL）
とウインド範囲（WINDOW）とを任意に設定で
きるようになつている。WINDOWはLEVELに
対する％で設定される。LEVELはウインド範囲
の中心値である。LEVELとWINDOWとが設定
されると、WINDOWが20％であればLL１〜UL
１は20％であり、このときLL２〜LL１及びUL
１〜UL２はそれぞれ例えば５％程度とする。
UNBLANK１についてはOR回路２２をへてそ
のまま表示装置２５に輝度信号として送られる
が、UNBLANK２，３はそのまま送られる訳で
はなく、AND回路２０，２１でそれぞれゲート
されADMIT・Ｌ，ADMIT・Ｈの各々により許
容されたときのみOR回路２２をへて表示装置２
５に輝度信号として送られる。表示装置２５には
位置信号Ｘ，Ｙがそれぞれサンプルホールド遅延
回路２３，２４をへて送られてきており、これら
により定まる位置に輝点が表示される。
ところでUNBLANK２，３を許容するための
信号ADMIT・Ｌ，ADMIT・Ｈは次のようにし
て作られる。位置信号Ｘ，Ｙがそれぞれサンプル
ホールド回路５１，５２をへてADコンバータ６
１，６２の各々によりデイジタル化（たとえば
6bits）され、たとえばＰ−ROMで構成される波
高シフト量メモリ２７に読出アドレスを指定する
信号として送られる。この波高シフト量メモリ２
７には予め測定された各位置に関するエネルギ信
号の波高値シフト量ΔZ及び補助波高分析器１７，
１８のいずれかを指定するための信号であるシフ
ト量ΔZの正・負に応じた1bitの信号が位置信号
Ｘ，Ｙで指定されるアドレス毎に書き込まれてい
る。一方、カウンタ２８は自走式であり、例えば
０〜255まで放射線入射イベントには依存しない
独立したタイミングで順次カウントアツプしては
零に戻るようなサイクルを繰り返しており、その
出力が波高シフト量メモリ２７から読み出された
シフト量ΔZの出力（例えば8bits）とともに読出
アドレスを指定する信号として頻度変換メモリ２
９（たとえばＰ−ROMで構成される）に送られ
る。この頻度変換メモリ２９にはカウンタ２８の
出力及び読み出された波高シフト量ΔZにより指
定されるアドレス毎に頻度に関する1bitのデータ
が第３図に示すように記憶されている。例えばシ
フト量ΔZが大きい程種々のカウント値に対し
「１」が読み出される確率が高くなるように「１」
と「０」の割合が予め設定されている。「１」が
読み出されるとパルス発生回路３０により信号
ADMITが生じAND回路３３，３４に送られる。
他方、波高シフト量メモリ２７から読み出された
シフト量ΔZの正・負に対応する1bitの信号はパ
ルス発生回路３１に送られてこのパルス発生回路
３１から出力されるパルスがAND回路３３に送
られ、このパルスを反転回路３２で反転したもの
がAND回路３４に送られる。従つて、位置信号
Ｘ，Ｙで規定される位置におけるエネルギ信号波
高のシフト量ΔZが正の場合（第２図点線のよう
に高エネルギ側にシフトしている場合）はAND
回路３３から信号ADMIT・Ｈが生じ、シフト量
ΔZが負である場合（第２図１点線のように低エ
ネルギ側にシフトしている場合）はAND回路３
４から信号ADMIT・Ｌが生じる。なお、第１図
の各回路のタイミング制御に関しては説明の便宜
上省略してある。
信号ADMIT・Ｌ，ADMIT・Ｈは次のようにし
て作られる。位置信号Ｘ，Ｙがそれぞれサンプル
ホールド回路５１，５２をへてADコンバータ６
１，６２の各々によりデイジタル化（たとえば
6bits）され、たとえばＰ−ROMで構成される波
高シフト量メモリ２７に読出アドレスを指定する
信号として送られる。この波高シフト量メモリ２
７には予め測定された各位置に関するエネルギ信
号の波高値シフト量ΔZ及び補助波高分析器１７，
１８のいずれかを指定するための信号であるシフ
ト量ΔZの正・負に応じた1bitの信号が位置信号
Ｘ，Ｙで指定されるアドレス毎に書き込まれてい
る。一方、カウンタ２８は自走式であり、例えば
０〜255まで放射線入射イベントには依存しない
独立したタイミングで順次カウントアツプしては
零に戻るようなサイクルを繰り返しており、その
出力が波高シフト量メモリ２７から読み出された
シフト量ΔZの出力（例えば8bits）とともに読出
アドレスを指定する信号として頻度変換メモリ２
９（たとえばＰ−ROMで構成される）に送られ
る。この頻度変換メモリ２９にはカウンタ２８の
出力及び読み出された波高シフト量ΔZにより指
定されるアドレス毎に頻度に関する1bitのデータ
が第３図に示すように記憶されている。例えばシ
フト量ΔZが大きい程種々のカウント値に対し
「１」が読み出される確率が高くなるように「１」
と「０」の割合が予め設定されている。「１」が
読み出されるとパルス発生回路３０により信号
ADMITが生じAND回路３３，３４に送られる。
他方、波高シフト量メモリ２７から読み出された
シフト量ΔZの正・負に対応する1bitの信号はパ
ルス発生回路３１に送られてこのパルス発生回路
３１から出力されるパルスがAND回路３３に送
られ、このパルスを反転回路３２で反転したもの
がAND回路３４に送られる。従つて、位置信号
Ｘ，Ｙで規定される位置におけるエネルギ信号波
高のシフト量ΔZが正の場合（第２図点線のよう
に高エネルギ側にシフトしている場合）はAND
回路３３から信号ADMIT・Ｈが生じ、シフト量
ΔZが負である場合（第２図１点線のように低エ
ネルギ側にシフトしている場合）はAND回路３
４から信号ADMIT・Ｌが生じる。なお、第１図
の各回路のタイミング制御に関しては説明の便宜
上省略してある。
上記の構成において放射線がシンチレータ１１
のある位置に入射したとする。この位置ではエネ
ルギ信号波高のシフトがなく、エネルギスペクト
ルは第２図の実線で示すようであつたとする。す
ると波高シフト量メモリ２７から読み出されるこ
の位置でのシフト量ΔZは零であり、頻度変換メ
モリ２９からは常に「０」が読み出される。従つ
てこの位置に放射線が何個入射しても信号
ADMIT・Ｈ，ADMIT・Ｌはいずれも常に、つ
まり「確率零」で生じないことになる。そのため
低補助波高分析器１７や高補助波高分析器１８か
らUNBLANK２，UNBLANK３が生じたとし
てもAND回路２０，２１で阻止されてしまい、
結局主波高分析器１６からのUNBLANK１のみ
が表示装置２５に送られる。従つて第２図のLL
１〜UL１の範囲にエネルギ信号Ｚの波高が入つ
たときに表示装置２５において輝点が表示され
る。
のある位置に入射したとする。この位置ではエネ
ルギ信号波高のシフトがなく、エネルギスペクト
ルは第２図の実線で示すようであつたとする。す
ると波高シフト量メモリ２７から読み出されるこ
の位置でのシフト量ΔZは零であり、頻度変換メ
モリ２９からは常に「０」が読み出される。従つ
てこの位置に放射線が何個入射しても信号
ADMIT・Ｈ，ADMIT・Ｌはいずれも常に、つ
まり「確率零」で生じないことになる。そのため
低補助波高分析器１７や高補助波高分析器１８か
らUNBLANK２，UNBLANK３が生じたとし
てもAND回路２０，２１で阻止されてしまい、
結局主波高分析器１６からのUNBLANK１のみ
が表示装置２５に送られる。従つて第２図のLL
１〜UL１の範囲にエネルギ信号Ｚの波高が入つ
たときに表示装置２５において輝点が表示され
る。
シンチレータ１１の他の位置に放射線が入射し
たとする。この入射位置ではエネルギ信号Ｚの波
高は高エネルギ側にずれ、エネルギスペクトルは
第２図点線で示すようになると予め測定されてい
るとする。このとき波高シフト量メモリ２７から
シフト量ΔZが読み出されその大きさに応じた頻
度で頻度変換メモリ２９から「１」が読み出され
る。またこのときのシフト量ΔZは正であるから
パルス発生回路３１から「１」の信号が生じる。
その結果この位置に多数個の放射線が入射したと
きその中の一定の割合のものについてAND回路
３３から信号ADMIT・Ｈが生じることになる。
従つてこのときにはLL１〜UL１の範囲にエネル
ギ信号Ｚの波高があることを示すUNBLANK１
の全てと、UL１〜UL２の範囲にあることを示す
高補助波高分析器１８からのUNBLANK３のう
ちの一定割合のものが輝度信号として表示装置２
５に送られ、輝点が表わされる。
たとする。この入射位置ではエネルギ信号Ｚの波
高は高エネルギ側にずれ、エネルギスペクトルは
第２図点線で示すようになると予め測定されてい
るとする。このとき波高シフト量メモリ２７から
シフト量ΔZが読み出されその大きさに応じた頻
度で頻度変換メモリ２９から「１」が読み出され
る。またこのときのシフト量ΔZは正であるから
パルス発生回路３１から「１」の信号が生じる。
その結果この位置に多数個の放射線が入射したと
きその中の一定の割合のものについてAND回路
３３から信号ADMIT・Ｈが生じることになる。
従つてこのときにはLL１〜UL１の範囲にエネル
ギ信号Ｚの波高があることを示すUNBLANK１
の全てと、UL１〜UL２の範囲にあることを示す
高補助波高分析器１８からのUNBLANK３のう
ちの一定割合のものが輝度信号として表示装置２
５に送られ、輝点が表わされる。
さらにエネルギスペクトルが第２図１点鎖線で
示すように低エネルギ側にずれるような位置に放
射線が入射した場合には、シフト量ΔZは負であ
るためAND回路３４から信号ADMIT・Ｌがシ
フト量ΔZに応じた頻度で生じる。そのためこの
ときはUNBLANK１の全てに加えてエネルギ信
号Ｚの波高がLL２〜LL１に入つたことに応じて
生じる低補助波高分析器１７からのUNBLANK
２の一定割合のものが表示装置２５に輝度信号と
して送られる。従つてこのときにはLL１〜UL１
の範囲に入つた回数の全てが輝点として表示され
るとともに、LL２〜LL１の範囲に入つた回数の
うちの一定割合（頻度）のものが輝点として表示
されることになる。
示すように低エネルギ側にずれるような位置に放
射線が入射した場合には、シフト量ΔZは負であ
るためAND回路３４から信号ADMIT・Ｌがシ
フト量ΔZに応じた頻度で生じる。そのためこの
ときはUNBLANK１の全てに加えてエネルギ信
号Ｚの波高がLL２〜LL１に入つたことに応じて
生じる低補助波高分析器１７からのUNBLANK
２の一定割合のものが表示装置２５に輝度信号と
して送られる。従つてこのときにはLL１〜UL１
の範囲に入つた回数の全てが輝点として表示され
るとともに、LL２〜LL１の範囲に入つた回数の
うちの一定割合（頻度）のものが輝点として表示
されることになる。
このように入射位置に応じてエネルギ信号波高
に不均一性が存在しているときでも波高分析器の
ウインド範囲を高エネルギ側あるいは低エネルギ
側に広げるとともに、広げた範囲のものをシフト
量に応じて所定の頻度で取り込むように構成した
ため、本来のウインド範囲のものは除外すること
がないので、感度を犠牲にすることなく、エネル
ギ不均一性に基づく感度不均一性を実時間で補正
することができる。
に不均一性が存在しているときでも波高分析器の
ウインド範囲を高エネルギ側あるいは低エネルギ
側に広げるとともに、広げた範囲のものをシフト
量に応じて所定の頻度で取り込むように構成した
ため、本来のウインド範囲のものは除外すること
がないので、感度を犠牲にすることなく、エネル
ギ不均一性に基づく感度不均一性を実時間で補正
することができる。
なお、自走式のカウンタ２８の代りに乱数発生
器を用いこの乱数発生器の出力により頻度変換メ
モリ２９のアドレスを指定する等の他の構成によ
りシフト量ΔZから頻度を変換することができる。
とくに波高シフト量メモリ２７と頻度変換メモリ
２９とを一体にし、シフト量ΔZを書き込んでお
くことなしに、各位置に関する予め測定されたシ
フト量に基づいて決められた頻度に応じて1bit信
号の「１」，「０」の割合が定められた1bit信号が
書き込まれているメモリを用い、位置信号とカウ
ント値とで直接「０」か「１」の頻度に関する信
号が得られるよう構成することもできる。
器を用いこの乱数発生器の出力により頻度変換メ
モリ２９のアドレスを指定する等の他の構成によ
りシフト量ΔZから頻度を変換することができる。
とくに波高シフト量メモリ２７と頻度変換メモリ
２９とを一体にし、シフト量ΔZを書き込んでお
くことなしに、各位置に関する予め測定されたシ
フト量に基づいて決められた頻度に応じて1bit信
号の「１」，「０」の割合が定められた1bit信号が
書き込まれているメモリを用い、位置信号とカウ
ント値とで直接「０」か「１」の頻度に関する信
号が得られるよう構成することもできる。
また主波高分析器１６のウインド範囲を狭くし
てシフト量が零の場合でも補助波高分析器１７，
１８を用いるように構成したり、補助波高分析器
１７，１８をさらに多数設けて精度を向上させる
ようにしてもよい。
てシフト量が零の場合でも補助波高分析器１７，
１８を用いるように構成したり、補助波高分析器
１７，１８をさらに多数設けて精度を向上させる
ようにしてもよい。
さらに上記の実施例では頻度変換メモリ２９に
書き込まれている頻度に関するデータはシフト量
ΔZの絶対値に応じて定められているが、シフト
量ΔZの符号に応じて異なるよう書き込んでおい
てもよい。
書き込まれている頻度に関するデータはシフト量
ΔZの絶対値に応じて定められているが、シフト
量ΔZの符号に応じて異なるよう書き込んでおい
てもよい。
まエネルギウインド設定条件（LEVEL，
WINDOW）に応じて波高シフト量メモリ２７の
内容や頻度変換メモリ２９の内容を書き変えるよ
うにしたり、あるいはこれらの間に読み出された
シフト量ΔZのゲイン調整回路を挿入して設定条
件に応じてシフト量ΔZを縮小または拡大してみ
たり、あるいは補助波高分析器１７，１８のウイ
ンド範囲LL２，UL２を変更するようにしてもよ
い。このようにWINDOWの設定に応じて変更す
るようにしたのは、一般にウインド範囲を拡げる
とエネルギ信号波高のシフト量が同じでも感度の
変化が小さくなるためである。またLEVELに応
じて上記のように変えるのは、放射線エネルギが
高いとエネルギ分解能が高くなつてWINDOW及
びシフト量ΔZの割合が同一の条件では感度変化
が小さくなるためである。また入射放射線のエネ
ルギが変わつても各位置でのシフト量ΔZの割合
は略一定と近似できるので、波高シフト量メモリ
２７の内容はこの意味で固定でもよいが、厳密に
は入射放射線のエネルギが変わるとシンチレータ
１１内で吸収の平均深さが変わるため、多少のエ
ネルギ依存性（これは光学系の構成、例えばライ
トガイド１２におけるマスクの有無等による）を
持つので、これに対応しようとすれば使用すべき
シフト量ΔZの値や頻度をLEVELに応じて変える
ことが望ましいからである。
WINDOW）に応じて波高シフト量メモリ２７の
内容や頻度変換メモリ２９の内容を書き変えるよ
うにしたり、あるいはこれらの間に読み出された
シフト量ΔZのゲイン調整回路を挿入して設定条
件に応じてシフト量ΔZを縮小または拡大してみ
たり、あるいは補助波高分析器１７，１８のウイ
ンド範囲LL２，UL２を変更するようにしてもよ
い。このようにWINDOWの設定に応じて変更す
るようにしたのは、一般にウインド範囲を拡げる
とエネルギ信号波高のシフト量が同じでも感度の
変化が小さくなるためである。またLEVELに応
じて上記のように変えるのは、放射線エネルギが
高いとエネルギ分解能が高くなつてWINDOW及
びシフト量ΔZの割合が同一の条件では感度変化
が小さくなるためである。また入射放射線のエネ
ルギが変わつても各位置でのシフト量ΔZの割合
は略一定と近似できるので、波高シフト量メモリ
２７の内容はこの意味で固定でもよいが、厳密に
は入射放射線のエネルギが変わるとシンチレータ
１１内で吸収の平均深さが変わるため、多少のエ
ネルギ依存性（これは光学系の構成、例えばライ
トガイド１２におけるマスクの有無等による）を
持つので、これに対応しようとすれば使用すべき
シフト量ΔZの値や頻度をLEVELに応じて変える
ことが望ましいからである。
以上、実施例について説明したように、この発
明によれば、感度を犠牲にすることなしにエネル
ギ不均一性に基づく感度不均一性を実時間で補正
することができる。
明によれば、感度を犠牲にすることなしにエネル
ギ不均一性に基づく感度不均一性を実時間で補正
することができる。
第１図はこの発明の一実施例のブロツク図、第
２図はエネルギスペクトルを示すグラフ、第３図
は頻度変換メモリの内容を表わす模式図である。 １１……シンチレータ、１２……ライトガイ
ド、１３……PMT、１４……位置及びエネルギ
演算回路、２５……表示装置。
２図はエネルギスペクトルを示すグラフ、第３図
は頻度変換メモリの内容を表わす模式図である。 １１……シンチレータ、１２……ライトガイ
ド、１３……PMT、１４……位置及びエネルギ
演算回路、２５……表示装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シンチレータと、このシンチレータにおける
発光が導かれる多数の光電変換器と、これら多数
の光電変換器の出力により位置信号及びエネルギ
信号を計算して出力する位置及びエネルギ演算回
路と、エネルギ信号の波高が所定のエネルギウイ
ンド範囲内であるときにアンブランク信号を生じ
る主波高分析器と、前記のエネルギウインド範囲
に隣接するエネルギウインド範囲を有しエネルギ
信号の波高がこれらの各エネルギウインド範囲内
であるときにそれぞれアンブランク信号を生じる
複数の補助波高分析器と、予め測定された各位置
に関するエネルギ信号の波高シフト量及びこの波
高シフト量に基づいて決められた補助波高分析器
指定信号とが記憶されており前記位置信号で読出
アドレス指定されるシフト量記憶手段と、読み出
されたシフト量を頻度に変換する手段と、前記主
波高分析器からのアンブランク信号とともに前記
指定信号で指定された補助波高分析器からのアン
ブランク信号が上記頻度変換手段により定められ
る頻度で入力され上記位置信号により指定される
位置に点を表示する表示装置とからなるシンチレ
ーシヨンカメラ。 ２ シンチレータと、このシンチレータにおける
発光が導かれる多数の光電変換器と、これら多数
の光電変換器の出力により位置信号及びエネルギ
信号を計算して出力する位置及びエネルギ演算回
路と、エネルギ信号の波高が所定のエネルギウイ
ンド範囲内であるときにアンブランク信号を生じ
る主波高分析器と、前記のエネルギウインド範囲
に隣接するエネルギウインド範囲を有しエネルギ
信号の波高がこれらの各エネルギウインド範囲内
であるときにそれぞれアンブランク信号を生じる
複数の補助波高分析器と、予め測定された各位置
に関するエネルギ信号の波高シフト量に基づいて
決められた補助波高分析器指定信号が前記位置信
号により指定されるアドレス毎に記憶されてお
り、且つ前記測定された各位置のシフト量により
定められた頻度に応じた信号が前記位置信号及び
ランダム信号により指定されるアドレス毎に記憶
され、前記位置信号及びランダム信号で読出アド
レス指定される記憶手段と、前記主波高分析器か
らのアンブランク信号とともに前記読み出された
指定信号で指定された補助波高分析器からのアン
ブランク信号が前記読み出された頻度で入力され
前記位置信号により指定される位置に点を表示す
る表示装置とからなるシンチレーシヨンカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11361382A JPS593378A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | シンチレ−シヨンカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11361382A JPS593378A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | シンチレ−シヨンカメラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593378A JPS593378A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0425511B2 true JPH0425511B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=14616651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11361382A Granted JPS593378A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | シンチレ−シヨンカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593378A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4755679A (en) * | 1986-06-19 | 1988-07-05 | Wong Wai Hoi | Method and apparatus for maximizing counts of a PET camera |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11361382A patent/JPS593378A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593378A (ja) | 1984-01-10 |
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