JPH0425546B2 - - Google Patents
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- JPH0425546B2 JPH0425546B2 JP57028173A JP2817382A JPH0425546B2 JP H0425546 B2 JPH0425546 B2 JP H0425546B2 JP 57028173 A JP57028173 A JP 57028173A JP 2817382 A JP2817382 A JP 2817382A JP H0425546 B2 JPH0425546 B2 JP H0425546B2
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- Japan
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- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/06—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
- G03G15/065—Arrangements for controlling the potential of the developing electrode
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Developing For Electrophotography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反転現像法を用いた電子写真装置に
関し、特に画像調整機構を有する電子写真装置に
関するものである。
関し、特に画像調整機構を有する電子写真装置に
関するものである。
通常、電子写真装置では感光体の劣化や露光光
学系の汚れ等により、かぶり画像や濃度のうすい
画像が出る。これは、感光体上に形成された潜像
電位が適正値からはずれるために起こる現象であ
り、それまで適正であつた現像バイアス電圧が十
分でなくなつたからである。感光体は疲労、劣化
すると充分な量の光を露光時に照射しても、表面
に存在する電荷が完全に消失せずに残留するよう
になる。また、露光光学系の照明用ランプやミラ
ーがトナー等によつて汚れると、感光体に充分な
光量を照射することができなくなり、同様にし
て、電荷を完全に消失させることができなくなつ
てしまう。さらに、電荷の保持能力が低下し、暗
部電位がシフトしてしまう。
学系の汚れ等により、かぶり画像や濃度のうすい
画像が出る。これは、感光体上に形成された潜像
電位が適正値からはずれるために起こる現象であ
り、それまで適正であつた現像バイアス電圧が十
分でなくなつたからである。感光体は疲労、劣化
すると充分な量の光を露光時に照射しても、表面
に存在する電荷が完全に消失せずに残留するよう
になる。また、露光光学系の照明用ランプやミラ
ーがトナー等によつて汚れると、感光体に充分な
光量を照射することができなくなり、同様にし
て、電荷を完全に消失させることができなくなつ
てしまう。さらに、電荷の保持能力が低下し、暗
部電位がシフトしてしまう。
特に、反転現像方法による電子写真装置では、
暗部電位が原稿の地肌部に相当するので、暗部電
位のシフトはかぶり画像の原因となり、また明部
電位のシフトは画像のボケ、飛びなどの原因とな
る。このような問題を解消するために、像形成領
域内の地肌部の表面電位を検知し、この検知され
た値に応じて現像バイアス電圧を印加する方法が
知られていた。しかしながら、プリント枚数が多
くなると上述したように感光体が劣化し、その現
象として明部と暗部との電位コントラストが変化
する。そのため、地肌部である暗部によつてのみ
現像バイアスを補正していると、画像濃度の低下
や、また逆に細線の太りを招くことになるといつ
た欠点があつた。
暗部電位が原稿の地肌部に相当するので、暗部電
位のシフトはかぶり画像の原因となり、また明部
電位のシフトは画像のボケ、飛びなどの原因とな
る。このような問題を解消するために、像形成領
域内の地肌部の表面電位を検知し、この検知され
た値に応じて現像バイアス電圧を印加する方法が
知られていた。しかしながら、プリント枚数が多
くなると上述したように感光体が劣化し、その現
象として明部と暗部との電位コントラストが変化
する。そのため、地肌部である暗部によつてのみ
現像バイアスを補正していると、画像濃度の低下
や、また逆に細線の太りを招くことになるといつ
た欠点があつた。
本発明の目的は、上述した欠点に鑑み、地肌か
ぶりがなく、かつ画像濃度が十分で、細線のシヤ
ープな電子写真装置を提供することにある。
ぶりがなく、かつ画像濃度が十分で、細線のシヤ
ープな電子写真装置を提供することにある。
以下図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
第１図に、本発明の一実施例を示す。ここで、
電子写真装置として、レーザビームプリンタを示
す。図において、矢印ａ方向に回転する感光ドラ
ム１１の感光体表面１３を一次帯電器１５でプラ
ス帯電した後、レーザビーム１７の照射の有無に
よつて感光体表面１３上に静電潜像を形成する。
この潜像は静電位の変化として現われ、この静電
位は電位センサ１９によつて検出できる。センサ
１９から出力される検出信号２１はアナログ信号
であるので、アナログ−デジタル（以下Ａ−Ｄと
称する）変換器２３によつてデジタル信号２５に
変換した後マイクロコンピユータ３０に供給す
る。
電子写真装置として、レーザビームプリンタを示
す。図において、矢印ａ方向に回転する感光ドラ
ム１１の感光体表面１３を一次帯電器１５でプラ
ス帯電した後、レーザビーム１７の照射の有無に
よつて感光体表面１３上に静電潜像を形成する。
この潜像は静電位の変化として現われ、この静電
位は電位センサ１９によつて検出できる。センサ
１９から出力される検出信号２１はアナログ信号
であるので、アナログ−デジタル（以下Ａ−Ｄと
称する）変換器２３によつてデジタル信号２５に
変換した後マイクロコンピユータ３０に供給す
る。
このようにして、感光ドラム１１の感光体表面
１３にレーザビーム１７により露光を受けない部
分の表面電位を暗部電位VDとし、レーザビーム
１７により露光を受けた部分の表面電位を明部電
位VLとし、これらの電位VDおよびVLを電位セン
サ１９によつて検出する。これら両電位VDおよ
びVLは、マイクロコンピユータ３０の演算部３
３で演算されて、適正な現像バイアスBDCが算出
される。なお、演算結果はマイクロコンピユータ
３０内のランダムアクセスメモリ（以下RAMと
称する）３５に格納する。このとき、両電位VD
およびVLと現像バイアスBDCとの値は次式(1)で与
えられる。
１３にレーザビーム１７により露光を受けない部
分の表面電位を暗部電位VDとし、レーザビーム
１７により露光を受けた部分の表面電位を明部電
位VLとし、これらの電位VDおよびVLを電位セン
サ１９によつて検出する。これら両電位VDおよ
びVLは、マイクロコンピユータ３０の演算部３
３で演算されて、適正な現像バイアスBDCが算出
される。なお、演算結果はマイクロコンピユータ
３０内のランダムアクセスメモリ（以下RAMと
称する）３５に格納する。このとき、両電位VD
およびVLと現像バイアスBDCとの値は次式(1)で与
えられる。
BDC＝VD−α（VD−VL） (1)
ここで、αは定数である。
次に、(1)式の妥当性を検討してみる。一般に、
地肌部電位である暗部電位VDの値に対し、 BDC≦VD−100（Ｖ） (2) であれば、かぶりのない鮮明な白地が得られる。
一方、細線に対する太りについては、画像部電位
である明部電位VLの値に対し、 BDC−VL≦500（Ｖ） (3) が太りのない条件である。さらに、ベタ黒部濃度
と細線細りに関しては、 BDC−VL≧300（Ｖ） (4) であれば、濃度がとれ、細りのない画質が得られ
る。いま、本実施例では初期の暗部電位VD＝750
（Ｖ）、明部電位（Ｖ）L＝150（Ｖ）であるとする
と、上記(2)〜(4)式を満足する適正な現像バイアス
BDC1は、 350（Ｖ）≦BDC1≦450（Ｖ） (5) となる。
地肌部電位である暗部電位VDの値に対し、 BDC≦VD−100（Ｖ） (2) であれば、かぶりのない鮮明な白地が得られる。
一方、細線に対する太りについては、画像部電位
である明部電位VLの値に対し、 BDC−VL≦500（Ｖ） (3) が太りのない条件である。さらに、ベタ黒部濃度
と細線細りに関しては、 BDC−VL≧300（Ｖ） (4) であれば、濃度がとれ、細りのない画質が得られ
る。いま、本実施例では初期の暗部電位VD＝750
（Ｖ）、明部電位（Ｖ）L＝150（Ｖ）であるとする
と、上記(2)〜(4)式を満足する適正な現像バイアス
BDC1は、 350（Ｖ）≦BDC1≦450（Ｖ） (5) となる。
(5)式から、現像バイアスBDCを400（Ｖ）に固定
すれば、初期画像は良好なものが得られる。
すれば、初期画像は良好なものが得られる。
ところで、感光ドラム１１を連続回転させて行
くと、暗部電位VDおよび明部電位VLは第２図の
様にシフトする。このとき、現像バイアスBDCを
固定させておくと暗部電位VDの低下でかぶりが
生じてしまう。そこで、第２図の点線に示す様に
現像バイアスBDCを暗部電位VDに従つて制御する
従来法によれば、かぶりは生じなくなる。しか
し、(4)式の条件を満足しなくなり、濃度低下や細
線の細りを生じる。これに対し、本発明の様に暗
部電位VDおよび明部電位VLによつて現像バイア
スBDCを制御すれば、良画像を維持することがで
きる。
くと、暗部電位VDおよび明部電位VLは第２図の
様にシフトする。このとき、現像バイアスBDCを
固定させておくと暗部電位VDの低下でかぶりが
生じてしまう。そこで、第２図の点線に示す様に
現像バイアスBDCを暗部電位VDに従つて制御する
従来法によれば、かぶりは生じなくなる。しか
し、(4)式の条件を満足しなくなり、濃度低下や細
線の細りを生じる。これに対し、本発明の様に暗
部電位VDおよび明部電位VLによつて現像バイア
スBDCを制御すれば、良画像を維持することがで
きる。
本実施例では８ビツトのマイクロコンピユータ
３０を用い、演算精度を向上させるため、係数を
分母に移動して、 BDC＝VD−VD−VL／β (6) を用いた。ここで、βは定数である。これは、マ
イクロコンピユータ３０による演算が０〜255の
整数で行われるので、上記(6)式の形の方が都合が
良いからである。更に、本例においては、βの値
を実験で求めたところ2.5であつたので5/2として
計算を行つた。一般に、βは２〜５の範囲の値を
とる。
３０を用い、演算精度を向上させるため、係数を
分母に移動して、 BDC＝VD−VD−VL／β (6) を用いた。ここで、βは定数である。これは、マ
イクロコンピユータ３０による演算が０〜255の
整数で行われるので、上記(6)式の形の方が都合が
良いからである。更に、本例においては、βの値
を実験で求めたところ2.5であつたので5/2として
計算を行つた。一般に、βは２〜５の範囲の値を
とる。
マイクロコンピユータ３０内の演算部３３で算
出された現像バイアスBDC値を、一度RAM３５
に蓄え、このRAM３５から出力信号３７をデジ
タル−アナログ（以下Ｄ−Ａと称する）変換器３
９でアナログ信号４１に変換する。この信号４１
を現像器４３に印加することにより、そのアナロ
グ信号値（現像バイアスBDCに対応）に応じて現
像器４３はポジトナーによつて感光ドラム１１の
感光体表面１３上を反転現像する。
出された現像バイアスBDC値を、一度RAM３５
に蓄え、このRAM３５から出力信号３７をデジ
タル−アナログ（以下Ｄ−Ａと称する）変換器３
９でアナログ信号４１に変換する。この信号４１
を現像器４３に印加することにより、そのアナロ
グ信号値（現像バイアスBDCに対応）に応じて現
像器４３はポジトナーによつて感光ドラム１１の
感光体表面１３上を反転現像する。
第３図に本発明の別実施例を示し、第１図と同
一の符号は同一回路部を示す。本実施例は比較的
短時間で暗部電位VDおよび明部電位VLがシフト
して、しかもコントラスト―VD−VL―は短時間
では変化しないものである。本実施例は所謂NP
プロセスを用いた電子写真装置であり、感光ドラ
ム５１の表面には絶縁層を設けた３層構成の感光
体表面５３としている。ここで、一次帯電器１５
でマイナスに帯電された感光ドラム５１の感光体
表面５３は、二次帯電器５５でプラス帯電されな
がら、レーザビーム１７によつて表面上に測定可
能な明部パターンを形成する。次に、電位センサ
１９で感光体表面５３上の暗部（レーザ１７によ
り露光を受けない部分）電位VDおよび明部電位
VLを検出する。これら検出された暗部電位VDお
よび明部電位VLはマイクロコンピユータ６０内
の演算部６３で演算されて、適正な現像バイアス
BDCが算出される。このとき、検出された両VDお
よびVLと現像バイアスBDCとの値は(1)式，(6)式と
同様の形式で与えられるが、両電位VDおよびVL
の極性が第１図の実施例と逆になるため、 BDC＝VD＋α（VL−VD） (7) BDC＝VD＋（VL−VD）／β (8) となる。更に、この感光体表面５３の特性は第４
図には示す様に、暗部電位VDおよび明部電位VL
は変化する。一方、コントラスト―VD−VL―は、
光学系汚れや環境の大きな変化によつては影響を
受けるものであるが、短時間の間では殆んど変化
しないものであるため、コントラスト―VD−VL
―による補正は必要に応じて時々行えばよい。そ
こで、本実施例では、暗部電位VDおよび明部電
位VLによる現像バイアスBDCの補正はプリント開
始前の前回転時に行う様にし、その際(8)式の右辺
第２項（VL−VD）／βをRAM６５に記憶してお
き、この値をもとに連続通紙時には暗部電位VD
だけを検出して、RAM６５内の値を加えたもの
を現像バイアスBDC値として出力する方法を用い
た。つまり、(8)式の第２項（VL−VD）／βは演
算部６３の演算結果をRAM６５に記憶させる。
(8)式の第１項に相当する暗部電位VDの検出は、
電位センサ１９による検出電位に基づくデジタル
信号２５を導入する。(8)式の演算は、デジタル信
号２５とRAM６５からの出力信号６７とに基づ
いて加算部６９で行う。この加算によつて得られ
る加算信号７１をＤ−Ａ変換器３９でアナログ信
号７３に変換し、これによつて得られた現像バイ
アスに基づいて現像器４３で現像を行う。
一の符号は同一回路部を示す。本実施例は比較的
短時間で暗部電位VDおよび明部電位VLがシフト
して、しかもコントラスト―VD−VL―は短時間
では変化しないものである。本実施例は所謂NP
プロセスを用いた電子写真装置であり、感光ドラ
ム５１の表面には絶縁層を設けた３層構成の感光
体表面５３としている。ここで、一次帯電器１５
でマイナスに帯電された感光ドラム５１の感光体
表面５３は、二次帯電器５５でプラス帯電されな
がら、レーザビーム１７によつて表面上に測定可
能な明部パターンを形成する。次に、電位センサ
１９で感光体表面５３上の暗部（レーザ１７によ
り露光を受けない部分）電位VDおよび明部電位
VLを検出する。これら検出された暗部電位VDお
よび明部電位VLはマイクロコンピユータ６０内
の演算部６３で演算されて、適正な現像バイアス
BDCが算出される。このとき、検出された両VDお
よびVLと現像バイアスBDCとの値は(1)式，(6)式と
同様の形式で与えられるが、両電位VDおよびVL
の極性が第１図の実施例と逆になるため、 BDC＝VD＋α（VL−VD） (7) BDC＝VD＋（VL−VD）／β (8) となる。更に、この感光体表面５３の特性は第４
図には示す様に、暗部電位VDおよび明部電位VL
は変化する。一方、コントラスト―VD−VL―は、
光学系汚れや環境の大きな変化によつては影響を
受けるものであるが、短時間の間では殆んど変化
しないものであるため、コントラスト―VD−VL
―による補正は必要に応じて時々行えばよい。そ
こで、本実施例では、暗部電位VDおよび明部電
位VLによる現像バイアスBDCの補正はプリント開
始前の前回転時に行う様にし、その際(8)式の右辺
第２項（VL−VD）／βをRAM６５に記憶してお
き、この値をもとに連続通紙時には暗部電位VD
だけを検出して、RAM６５内の値を加えたもの
を現像バイアスBDC値として出力する方法を用い
た。つまり、(8)式の第２項（VL−VD）／βは演
算部６３の演算結果をRAM６５に記憶させる。
(8)式の第１項に相当する暗部電位VDの検出は、
電位センサ１９による検出電位に基づくデジタル
信号２５を導入する。(8)式の演算は、デジタル信
号２５とRAM６５からの出力信号６７とに基づ
いて加算部６９で行う。この加算によつて得られ
る加算信号７１をＤ−Ａ変換器３９でアナログ信
号７３に変換し、これによつて得られた現像バイ
アスに基づいて現像器４３で現像を行う。
このような方法によれば、画像部間で暗部電位
VDを測定するだけで良く、紙間隔を減少させ、
紙間隔における現像バイアスBDCの制御を簡潔に
することができる。反転現像でない場合には、地
肌電位（原稿の白地に対する電位）を紙間隔で作
らねばならないので、上述した方法は、暗部が白
地部となる反転現像法において特に有効な手段で
ある。
VDを測定するだけで良く、紙間隔を減少させ、
紙間隔における現像バイアスBDCの制御を簡潔に
することができる。反転現像でない場合には、地
肌電位（原稿の白地に対する電位）を紙間隔で作
らねばならないので、上述した方法は、暗部が白
地部となる反転現像法において特に有効な手段で
ある。
なお、第１図に示した実施例では感光体として
Seを用い、また、第３図に示した実施例ではSeに
TeをドープしたSe−Te感光体表面に絶縁層を塗
布した３層構成の積層感光体を用いたが、これ等
感光体の材質を変えた場合、暗部電位VDおよび
明部電位VLの極性が変化することに注意して現
像バイアスBDCの補正式を作る必要がある。もち
ろん、極性の如何によつて本発明の効果が変わる
ものではなく、本発明は暗部電位VD部を地肌と
するあらゆる反転現像方式の電子写真装置に応用
出来るものである。
Seを用い、また、第３図に示した実施例ではSeに
TeをドープしたSe−Te感光体表面に絶縁層を塗
布した３層構成の積層感光体を用いたが、これ等
感光体の材質を変えた場合、暗部電位VDおよび
明部電位VLの極性が変化することに注意して現
像バイアスBDCの補正式を作る必要がある。もち
ろん、極性の如何によつて本発明の効果が変わる
ものではなく、本発明は暗部電位VD部を地肌と
するあらゆる反転現像方式の電子写真装置に応用
出来るものである。
以上詳述した如く、本発明によれば、現像バイ
アスを適宜補正制御することにより、良質な画像
を得ることのできる電子写真装置を実現できる。
アスを適宜補正制御することにより、良質な画像
を得ることのできる電子写真装置を実現できる。
第１図および第３図はそれぞれ本発明による電
子写真装置の実施例を示す構成図、第２図および
第４図はそれぞれ感光ドラムの回転数に対する感
光体表面における電位の変化を示す特性図であ
る。 １１，５１……感光ドラム、１３，５３……感
光体表面、１５……一次帯電器、１７……レーザ
ビーム、１９……電位センサ、３０，６０……マ
イクロコンピユータ、３３，６３……演算部、３
５，６５……ランダムアクセスメモリ、４３……
現像器、５５……二次帯電器、６９……加算部。
子写真装置の実施例を示す構成図、第２図および
第４図はそれぞれ感光ドラムの回転数に対する感
光体表面における電位の変化を示す特性図であ
る。 １１，５１……感光ドラム、１３，５３……感
光体表面、１５……一次帯電器、１７……レーザ
ビーム、１９……電位センサ、３０，６０……マ
イクロコンピユータ、３３，６３……演算部、３
５，６５……ランダムアクセスメモリ、４３……
現像器、５５……二次帯電器、６９……加算部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 感光体を露光することによつて形成した静電
潜像を現像するための現像バイアスを、前記静電
潜像の暗部電位に対して所定量変移させて設定す
ることにより反転現像を行う、帯電手段、露光手
段、現像手段を備えた電子写真装置において、 前記感光体上に形成された静電潜像の明部電位
及び暗部電位を検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された明部電位及び暗
部電位の両者に基いて前記現像バイアスを設定す
る制御手段とを有し、 前記制御手段は暗部電位に対する前記現像バイ
アスの変移量を明部電位の変化に応じて変更する
ことを特徴とする電子写真装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028173A JPS58145972A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子写真装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57028173A JPS58145972A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子写真装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145972A JPS58145972A (ja) | 1983-08-31 |
| JPH0425546B2 true JPH0425546B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=12241334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57028173A Granted JPS58145972A (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145972A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2577354B2 (ja) * | 1986-05-31 | 1997-01-29 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| JPH077219B2 (ja) * | 1986-07-07 | 1995-01-30 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
| JPH0750350B2 (ja) * | 1986-10-03 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | 画像記録装置 |
| JP3545775B2 (ja) * | 1993-03-25 | 2004-07-21 | 東芝テック株式会社 | 画像形成方法および装置 |
| JPH08202093A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Nec Corp | 電子写真画像形成装置 |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP57028173A patent/JPS58145972A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58145972A (ja) | 1983-08-31 |
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