JPS5960579A - パタ−ン検査装置 - Google Patents
パタ−ン検査装置Info
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- JPS5960579A JPS5960579A JP16950482A JP16950482A JPS5960579A JP S5960579 A JPS5960579 A JP S5960579A JP 16950482 A JP16950482 A JP 16950482A JP 16950482 A JP16950482 A JP 16950482A JP S5960579 A JPS5960579 A JP S5960579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
パターン検査装置、特に分解能を低くすることによシ高
速度でプリント板上のパターン欠陥を検査する装置に関
する。
速度でプリント板上のパターン欠陥を検査する装置に関
する。
（２）従来技術と問題点
一般に、プリント板上の銅箔パターンの情報を光ビーム
で読みとってメモリに移し、該パターンの欠陥を検査す
る方法が行われている。
で読みとってメモリに移し、該パターンの欠陥を検査す
る方法が行われている。
従来、高速でパターン検査を行う方式と・して、光ビー
ムの走査速度を増す方式と分解能を低くする方式とが考
えられている。しかし、走査速度を増す方式は機誠的、
血気的に実現が困難であシ、分解能を低くする方式は高
速で走査する場合にパターンの微小欠陥部分を見逃すと
いう問題点があった。
ムの走査速度を増す方式と分解能を低くする方式とが考
えられている。しかし、走査速度を増す方式は機誠的、
血気的に実現が困難であシ、分解能を低くする方式は高
速で走査する場合にパターンの微小欠陥部分を見逃すと
いう問題点があった。
（３）発明の目的
本発明の目的は、微小欠陥を見逃すことなく、パターン
の分解能を落とし、高速でパターン検査を行うことにあ
る。
の分解能を落とし、高速でパターン検査を行うことにあ
る。
（４）発明の構成
本発明によれば、試料パターン上方を光ビームで走査し
てパターン情報を読み取ることによりパターンを検査す
る装置において、所定の分解能の複数倍の光ビーム径で
走査してパターンデータを粗い間隔でサンプリングし、
更に適３＆数のスライスレベルでパターンデータを量子
化し量子化されたパターンデータの周囲の状態に依存し
て各スライスレベルにおけるパターンデータの切替を行
ってパターンを二値化することを特徴とするパターン検
査装置が提供される。
てパターン情報を読み取ることによりパターンを検査す
る装置において、所定の分解能の複数倍の光ビーム径で
走査してパターンデータを粗い間隔でサンプリングし、
更に適３＆数のスライスレベルでパターンデータを量子
化し量子化されたパターンデータの周囲の状態に依存し
て各スライスレベルにおけるパターンデータの切替を行
ってパターンを二値化することを特徴とするパターン検
査装置が提供される。
（５）発明の実施例
以下、本発明を実施例によシ添付図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るパターン検査装置の構成図である
。
。
第１図の装置は従来の１０μｍから２０μｍに拡大した
ビーム径を有する光ビームをレーザ１３からハーフミラ
１３′を介して回転ミラ１２で反射させてレンズ１１で
平行にして試料１０上のパターンを走査するようになっ
ている。
ビーム径を有する光ビームをレーザ１３からハーフミラ
１３′を介して回転ミラ１２で反射させてレンズ１１で
平行にして試料１０上のパターンを走査するようになっ
ている。
第２図に示すように、光ビームＲが矢印の方向に走査す
ると第２図（イ）乃至（ホ）の斜線で示すパターンＰの
おる部分では強く光を反射し、パターンのないブランク
部分Ｂでは全く光は反射しない。この反射光をハーフミ
ラ１３′、レンズ１４を介して光検知器１５で光電変換
してアンプ１６で増幅すれば信号レベルと走査距離との
関係は第２図（へ）のようになる。
ると第２図（イ）乃至（ホ）の斜線で示すパターンＰの
おる部分では強く光を反射し、パターンのないブランク
部分Ｂでは全く光は反射しない。この反射光をハーフミ
ラ１３′、レンズ１４を介して光検知器１５で光電変換
してアンプ１６で増幅すれば信号レベルと走査距離との
関係は第２図（へ）のようになる。
第２図（へ）の分布を持つ信号レベルに対し、高。
中、低のスライスレベルＨ，Ｍ、 Ｌ を設定する（第
１図）。 このレベルｋＩ、 Ｍ、 Ｌは基準電圧■。
１図）。 このレベルｋＩ、 Ｍ、 Ｌは基準電圧■。
を分圧して得られ、各コンノ（レータ１７． １８．１
９へ入力させ、アンプ１６の出力と比較する。即ち反射
光を２０μｍごとにＨ，Ｍ、 Ｌのスライスレベルでパ
ターンを量子化し、アドレスが）くターン座標一対一に
対応させた一次メモＩＪ ２０．２１．２２へ書き込む
。これにより第２図に示すように２０μｍで量子化する
際、２×２点の領域のノくターン化率を信号レベルとし
て記憶する。
９へ入力させ、アンプ１６の出力と比較する。即ち反射
光を２０μｍごとにＨ，Ｍ、 Ｌのスライスレベルでパ
ターンを量子化し、アドレスが）くターン座標一対一に
対応させた一次メモＩＪ ２０．２１．２２へ書き込む
。これにより第２図に示すように２０μｍで量子化する
際、２×２点の領域のノくターン化率を信号レベルとし
て記憶する。
このうち中間レベ）Ｌ／Ｍで一次メモリ２１に記憶され
たパターンデータは２０μｍ分解能で正確に読み取られ
たものと仮定し、着目点Ｑ（第１図）の周囲（斜線部分
）のパターンデータを読み出し、周囲判定回路２３へ入
力させる。周囲判定回路２３は１つのアントゲ−）２３
１．２つの■オアゲート２３２及び２３４．２つのイン
ノ（−夕２３３及び２３５から成り、着目点Ｑの周囲（
斜線部分）カスべてパターンかすべてブランクかまたは
一様でないかを判定する。例えばＱの周囲がすべてパタ
ーンならばアンドゲートの出力は論理「１」となシ、高
いスライスレベルＨのパターンデータが切替回路２４か
ら検査用メモリ２５へ送出される。
たパターンデータは２０μｍ分解能で正確に読み取られ
たものと仮定し、着目点Ｑ（第１図）の周囲（斜線部分
）のパターンデータを読み出し、周囲判定回路２３へ入
力させる。周囲判定回路２３は１つのアントゲ−）２３
１．２つの■オアゲート２３２及び２３４．２つのイン
ノ（−夕２３３及び２３５から成り、着目点Ｑの周囲（
斜線部分）カスべてパターンかすべてブランクかまたは
一様でないかを判定する。例えばＱの周囲がすべてパタ
ーンならばアンドゲートの出力は論理「１」となシ、高
いスライスレベルＨのパターンデータが切替回路２４か
ら検査用メモリ２５へ送出される。
この切替回路２４は３つのアンドゲート２４１゜２４２
及び２４３と１つの■オアゲート２４４から成シ、前記
判定回路２３の出力結果によシ高。
及び２４３と１つの■オアゲート２４４から成シ、前記
判定回路２３の出力結果によシ高。
中、低の各スライスレベルＨ，Ｍ、 Ｌのいずれのパタ
ーンデータを検査用メモリ２５へ送出すべきか切り替え
る回路である。
ーンデータを検査用メモリ２５へ送出すべきか切り替え
る回路である。
このようにして、Ｑの周囲がすべてパターンならばデー
タ人がメモリ２５へ送出されてパターン欠けが強調され
、周囲がすべてブランクならばデータＣがメモリ２５へ
送出されてパターン残シが強調され、周囲が一様でなめ
ならばデータＣがメモリ２５へ出力される。
タ人がメモリ２５へ送出されてパターン欠けが強調され
、周囲がすべてブランクならばデータＣがメモリ２５へ
送出されてパターン残シが強調され、周囲が一様でなめ
ならばデータＣがメモリ２５へ出力される。
（６）発明の効果
上記の通り、本発明によれば複数のスライスレベルで量
子化し中間レベル着目点の周囲パターンの状態に従って
各スライスレベルの切替が可能であるので、分解能を落
としても微小欠陥を見逃すことなく高速でパターン検査
を行うことができる。
子化し中間レベル着目点の周囲パターンの状態に従って
各スライスレベルの切替が可能であるので、分解能を落
としても微小欠陥を見逃すことなく高速でパターン検査
を行うことができる。
第１図は本発明に係るパターン検査装材のイ；ｑ成因、
第２図は第１図の動作説明図、第３図は第１図の周囲判
定回路２３と切替回路２４の構成図である。 １０・・・ＫＬ １１・・・レンズ、１２・・・回
転ミラ、 １３・・・レーザ、１３′・・・ハーフミ
ラ、 １４・・・レンズ、１５・・・光検知器、
１６・・・アンプ、１７．１８．１９・・・コンパレー
タ、２０．２１．２２・・・−次メモリ、 ２３・・・周囲判定回路、 ２４・・・切替回路、２
５・・・検査用メモリ。
第２図は第１図の動作説明図、第３図は第１図の周囲判
定回路２３と切替回路２４の構成図である。 １０・・・ＫＬ １１・・・レンズ、１２・・・回
転ミラ、 １３・・・レーザ、１３′・・・ハーフミ
ラ、 １４・・・レンズ、１５・・・光検知器、
１６・・・アンプ、１７．１８．１９・・・コンパレー
タ、２０．２１．２２・・・−次メモリ、 ２３・・・周囲判定回路、 ２４・・・切替回路、２
５・・・検査用メモリ。
Claims (1)
- 試料パターン上方を光ビームで走査してパターン情報を
読み取ることによシバターンを検査する装置において、
所定の分解能の櫨数倍の光ビーム径で走査してパターン
データを粗い間隔でサンプリングし、更に適当な数のス
ライスレベルでパターンデータを量子化し量子化された
パターンデータの周囲の状態に依存して各スライスレベ
ルにおけるパターンデータの切替を行ってパターンを二
値化することを特徴とするパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950482A JPS5960579A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | パタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16950482A JPS5960579A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | パタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960579A true JPS5960579A (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15887733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16950482A Pending JPS5960579A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | パタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108377A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Nec Corp | 画像処理装置 |
| JPH02300979A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | しきい値決定装置 |
| JPH0816752A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 指紋画像入力装置およびその入力方法 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP16950482A patent/JPS5960579A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108377A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Nec Corp | 画像処理装置 |
| JPH02300979A (ja) * | 1989-05-16 | 1990-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | しきい値決定装置 |
| JPH0816752A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Nec Corp | 指紋画像入力装置およびその入力方法 |
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