JPH04257592A - 新規薄膜形成用金属錯体 - Google Patents
新規薄膜形成用金属錯体Info
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- JPH04257592A JPH04257592A JP91102191A JP10219191A JPH04257592A JP H04257592 A JPH04257592 A JP H04257592A JP 91102191 A JP91102191 A JP 91102191A JP 10219191 A JP10219191 A JP 10219191A JP H04257592 A JPH04257592 A JP H04257592A
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- Japan
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- metal complex
- alkaline earth
- earth metal
- thin film
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルカリ土類金属錯体
の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる薄膜形成
用金属錯体に関する。
の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる薄膜形成
用金属錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体（以下アルカリ土
類金属錯体という）について、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２ Ｎｏ．１，Ｐ．
７３，１９６３にその合成法及び精製法が報告されてい
るが、アルカリ土類金属錯体に配位子を付加させた化合
物については未だかつて報告されていない。
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体（以下アルカリ土
類金属錯体という）について、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２ Ｎｏ．１，Ｐ．
７３，１９６３にその合成法及び精製法が報告されてい
るが、アルカリ土類金属錯体に配位子を付加させた化合
物については未だかつて報告されていない。
【０００３】一方、アルカリ土類金属錯体の気化特性に
ついて、Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８（１９７
０）に、また、非常に優れた気化特性を示すバリウム錯
体について１９９０年春季第３７回応用物理学関係連合
講演会（２９ｐ−Ｖ−１３）で報告されている。しかし
、従来のアルカリ土類金属錯体は、初期には優れた気化
特性を示すが、時間とともに急激に気化特性が劣化する
ため、安定して薄膜を形成することが困難であるなどの
問題を有する。
ついて、Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８（１９７
０）に、また、非常に優れた気化特性を示すバリウム錯
体について１９９０年春季第３７回応用物理学関係連合
講演会（２９ｐ−Ｖ−１３）で報告されている。しかし
、従来のアルカリ土類金属錯体は、初期には優れた気化
特性を示すが、時間とともに急激に気化特性が劣化する
ため、安定して薄膜を形成することが困難であるなどの
問題を有する。
【０００４】本発明者らは、鋭意検討を行った結果、ア
ルカリ土類金属錯体と配位子の付加体が薄膜形成用錯体
として有用であることを見いだし本発明を完成するに至
った。
ルカリ土類金属錯体と配位子の付加体が薄膜形成用錯体
として有用であることを見いだし本発明を完成するに至
った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、一般式（
Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは芳香族基を示す）で表わされるアルカリ土類金属錯
体と配位子の付加体からなることを特徴とする新規薄膜
形成用金属錯体、
Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは芳香族基を示す）で表わされるアルカリ土類金属錯
体と配位子の付加体からなることを特徴とする新規薄膜
形成用金属錯体、
【０００６】該配位子がポリエーテル化合物またはキレ
ート剤である請求項１記載の新規薄膜形成用金属錯体、
ート剤である請求項１記載の新規薄膜形成用金属錯体、
【０００７】該キレート剤がオルトフェナンスロリン誘
導体またはビピリジル誘導体である請求項１又は２記載
の新規薄膜形成用金属錯体、
導体またはビピリジル誘導体である請求項１又は２記載
の新規薄膜形成用金属錯体、
【０００８】該アルカリ土類金属がバリウム，ストロン
チウム，カルシウム，マグネシウムである請求項１〜３
までのいずれか１項記載の新規薄膜形成用金属錯体に存
する。
チウム，カルシウム，マグネシウムである請求項１〜３
までのいずれか１項記載の新規薄膜形成用金属錯体に存
する。
【０００９】
【作用】以下、本発明について更に詳しく説明する。本
発明は、アルカリ土類金属錯体と配位子の付加体である
ことを最も重要な特徴とする。このように付加体として
アルカリ土類金属錯体は、薄膜形成用原料として優れて
いる。特に化学気相堆積法で使用する場合は、気化特性
に優れ長期間にわたり安定した原料供給が行える。
発明は、アルカリ土類金属錯体と配位子の付加体である
ことを最も重要な特徴とする。このように付加体として
アルカリ土類金属錯体は、薄膜形成用原料として優れて
いる。特に化学気相堆積法で使用する場合は、気化特性
に優れ長期間にわたり安定した原料供給が行える。
【００１０】ここで、アルカリ土類金属錯体を例示すれ
ば、 ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＰＭ）２］ ビス−２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオナトバリ
ウム ［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２］ ビス−４，６−ノナンジオナトバリウム［Ｂａ（ＤＢＭ
）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム［Ｂａ（ａｃ
ａｃ）２］ ビス−１−フェニル−１，３−ブタンジオナトストロン
チウム ビス−１−（２−フリル）−１，３−ブタンジオナトカ
ルシウム ビス−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナトマ
グネシウム などが挙げられる。
ば、 ビス−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナトバリウム ［Ｂａ（ＤＰＭ）２］ ビス−２，８−ジメチル−４，６−ノナンジオナトバリ
ウム ［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２］ ビス−４，６−ノナンジオナトバリウム［Ｂａ（ＤＢＭ
）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム［Ｂａ（ａｃ
ａｃ）２］ ビス−１−フェニル−１，３−ブタンジオナトストロン
チウム ビス−１−（２−フリル）−１，３−ブタンジオナトカ
ルシウム ビス−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナトマ
グネシウム などが挙げられる。
【００１１】ポリエーテル化合物を例示すれば、ビス−
（２−エトキシエチル）エーテル１，２ビス（２−メト
キシエトキシ）エタン２，５，８，１１，１４−ペンタ
オキサペンタデカンビス（２−ブトキシエチル）エーテ
ル １，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオ
クタデカン １，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザ
シクロオクタデカン ４，７，１０，１６，１９，２４，２７−ヘプタオキサ
−１，１３−ジアザービシクロ［１１，８，８］ノナコ
サン １，４，１０，１３−テトラチア−７，１６−ジアザシ
クロオクタデカン ２，３，１１，１２−ジシクロヘキサノ−１，４，７，
１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン
（２−エトキシエチル）エーテル１，２ビス（２−メト
キシエトキシ）エタン２，５，８，１１，１４−ペンタ
オキサペンタデカンビス（２−ブトキシエチル）エーテ
ル １，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオ
クタデカン １，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザ
シクロオクタデカン ４，７，１０，１６，１９，２４，２７−ヘプタオキサ
−１，１３−ジアザービシクロ［１１，８，８］ノナコ
サン １，４，１０，１３−テトラチア−７，１６−ジアザシ
クロオクタデカン ２，３，１１，１２−ジシクロヘキサノ−１，４，７，
１０，１３，１６−ヘキサオキサシクロオクタデカン
【
００１２】 略 号 ［１８−ｃｒｏｗｎ−６］ ［４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６］［タ
リプタンド［３，２，２］］ などが挙げられる
００１２】 略 号 ［１８−ｃｒｏｗｎ−６］ ［４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６］［タ
リプタンド［３，２，２］］ などが挙げられる
【００１３】キレート剤としては、
２，２′−ビフラン
２，２′−ビチオフェン
２，２′−ジピリジルメタン
２，２′−ビオキサゾール
などが挙げられる。
【００１４】オルトフェナンスロリン誘導体としては、
１，１０−フェナンスロリン［ｐｈｅｎ］４，７−ジメ
チル−１，１０−フェナンスロリン４，７−ジフェニル
−１，１０−フェナンスロリンなどが挙げられる。
１，１０−フェナンスロリン［ｐｈｅｎ］４，７−ジメ
チル−１，１０−フェナンスロリン４，７−ジフェニル
−１，１０−フェナンスロリンなどが挙げられる。
【００１５】ビピリジル誘導体としては、ビピリジン［
ｂｐｙ］ ２，２′−ビキノリン ２，２′−ビピラジン ４，７−ジフェニル−２，９−ジメチル−１，１０−フ
ェナンスロリン などが挙げられる。
ｂｐｙ］ ２，２′−ビキノリン ２，２′−ビピラジン ４，７−ジフェニル−２，９−ジメチル−１，１０−フ
ェナンスロリン などが挙げられる。
【００１６】アルカリ土類金属錯体と配位子のモル比は
、配位子によって異なるが、１又は２である。
、配位子によって異なるが、１又は２である。
【００１７】気化特性は、熱天秤による熱重量減少で見
ることができる。熱重量減少とは、窒素気流化で５℃／
分の一定温度で室温より５００℃に昇温した際の重量減
少の値である。 気化特性の安定性は、合成直後と６ケ月後（室温，空気
中）の熱重量減少を比較することにより見ることができ
る。
ることができる。熱重量減少とは、窒素気流化で５℃／
分の一定温度で室温より５００℃に昇温した際の重量減
少の値である。 気化特性の安定性は、合成直後と６ケ月後（室温，空気
中）の熱重量減少を比較することにより見ることができ
る。
【００１８】図１（ａ）にＢａ（ＤＰＭ）２の合成直後
、図１（ｂ）に６ケ月後の熱重量減少を示す。これらの
図より、気化特性が劣化していることがわかる。
、図１（ｂ）に６ケ月後の熱重量減少を示す。これらの
図より、気化特性が劣化していることがわかる。
【００１９】本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄
膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。本発明の薄膜形成用金
属錯体を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常
圧下または減圧下のいずれも可能であるが、常圧下また
は減圧下が好ましい。
膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法がある
が、特に気相堆積法が好ましい。本発明の薄膜形成用金
属錯体を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常
圧下または減圧下のいずれも可能であるが、常圧下また
は減圧下が好ましい。
【００２０】本発明の薄膜形成用金属錯体を使用して薄
膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム，アルゴン，窒
素などがあり、反応ガスは、酸素，水，亜酸化窒素，オ
ゾンなどがある。
膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム，アルゴン，窒
素などがあり、反応ガスは、酸素，水，亜酸化窒素，オ
ゾンなどがある。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は
これらの例によって何ら限定されるものではない。 ［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例１．７ｇ
の水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液中に２．
２ｇの１，１０−フェナンスロリン１水和物を溶解させ
たエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合した後ＤＰ
Ｍ２．２ｇを室温で滴下し、約１時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液に水を加え晶析、濾過して目的
化合物９．２ｇを得た。更に、この目的化合物をエタノ
ールを用いて再結晶精製を行い８．５ｇの目的化合物を
回収した。
これらの例によって何ら限定されるものではない。 ［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例１．７ｇ
の水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液中に２．
２ｇの１，１０−フェナンスロリン１水和物を溶解させ
たエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合した後ＤＰ
Ｍ２．２ｇを室温で滴下し、約１時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液に水を加え晶析、濾過して目的
化合物９．２ｇを得た。更に、この目的化合物をエタノ
ールを用いて再結晶精製を行い８．５ｇの目的化合物を
回収した。
【００２２】図２（ａ）（ｂ）に合成直後と６ケ月間大
気中室温でサンプル瓶中に保存していた［Ｂａ（ＤＰＭ
）２（ｐｈｅｎ）２］の熱重量減少値を示す。又、図１
（ａ），（ｂ）に合成直後と６ケ月間、大気中・室温で
サンプル瓶中に保存していたＢａ（ＤＰＭ）２の熱重量
減少値を示す。［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］が
９２ｗｔ％から９０．８ｗｔ％の変化に対し、Ｂａ（Ｄ
ＰＭ）２は、８９ｗｔ％から５３ｗｔ％に変化している
。
気中室温でサンプル瓶中に保存していた［Ｂａ（ＤＰＭ
）２（ｐｈｅｎ）２］の熱重量減少値を示す。又、図１
（ａ），（ｂ）に合成直後と６ケ月間、大気中・室温で
サンプル瓶中に保存していたＢａ（ＤＰＭ）２の熱重量
減少値を示す。［Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］が
９２ｗｔ％から９０．８ｗｔ％の変化に対し、Ｂａ（Ｄ
ＰＭ）２は、８９ｗｔ％から５３ｗｔ％に変化している
。
【００２３】製造および実験例２
［Ｂａ（ＤＰＭ）２（１８−ｃｒｏｗｎ６）］の製造例
１５ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と
１３ｇの１８−クラウン−６−エーテルを溶解させたメ
タノール溶液を室温で６時間撹拌混合した後、ＤＰＭ２
０ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次に
、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した後
、濾過して目的化合物２９ｇを得た。更に、この目的化
合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い２０ｇの目
的化合物を回収した。
１５ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と
１３ｇの１８−クラウン−６−エーテルを溶解させたメ
タノール溶液を室温で６時間撹拌混合した後、ＤＰＭ２
０ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次に
、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した後
、濾過して目的化合物２９ｇを得た。更に、この目的化
合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い２０ｇの目
的化合物を回収した。
【００２４】［Ｂａ（ＤＰＭ）２（１８−ｃｒｏｗｎ−
６）２］は、合成直後の熱重量減少値が９３．５ｗｔ％
に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存
していたものは、９２．３ｗｔ％であった。
６）２］は、合成直後の熱重量減少値が９３．５ｗｔ％
に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存
していたものは、９２．３ｗｔ％であった。
【００２５】製造および実験例３
［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２］の製造例７．５ｇ
の水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と７．８
ｇの２，２−ビピリジンを溶解させたエタノール溶液を
４０℃で約３時間撹拌混合し室温まで冷却した後、ＤＩ
ＶＭ８．６ｇを室温で滴下し約２時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からエタノール減圧除去し晶析
した後、濾過して目的化合物１６．８ｇを得た。更に、
この目的化合物をエタノールを用いて再結晶精製を行い
１２ｇの目的化合物を回収した。
の水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液と７．８
ｇの２，２−ビピリジンを溶解させたエタノール溶液を
４０℃で約３時間撹拌混合し室温まで冷却した後、ＤＩ
ＶＭ８．６ｇを室温で滴下し約２時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からエタノール減圧除去し晶析
した後、濾過して目的化合物１６．８ｇを得た。更に、
この目的化合物をエタノールを用いて再結晶精製を行い
１２ｇの目的化合物を回収した。
【００２６】［Ｂａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２］は、
合成直後の熱重量減少値が８６．５ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、８４．６ｗｔ％であった。
合成直後の熱重量減少値が８６．５ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、８４．６ｗｔ％であった。
【００２７】製造および実験例５
［Ｓｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，２］）］
２ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた水溶
液と３．５ｇのクリプタンド［３，２，２］を溶解させ
たメタノール溶液を４５℃で６時間撹拌混合した後、Ｄ
ＢＭ２．９ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶
析した後、濾過して目的化合物５．３ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
３．４ｇの目的化合物を回収した。
２ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた水溶
液と３．５ｇのクリプタンド［３，２，２］を溶解させ
たメタノール溶液を４５℃で６時間撹拌混合した後、Ｄ
ＢＭ２．９ｇを室温で滴下し約３時間で反応を終了させ
た。次に、この反応溶液からメタノールを減圧除去し晶
析した後、濾過して目的化合物５．３ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
３．４ｇの目的化合物を回収した。
【００２８】［Ｓｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，
２，２］）］は、合成直後の熱重量減少値が７９．５ｗ
ｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に
保存していたものは、７７．９ｗｔ％であった。
２，２］）］は、合成直後の熱重量減少値が７９．５ｗ
ｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に
保存していたものは、７７．９ｗｔ％であった。
【００２９】製造および実施例６
［Ｓｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８−ｃ
ｒｏｗｎ−６）］ ２．１ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた
水溶液と２．４ｇの４，１３−ジアザ−１８−クラウン
−６−エーテルを溶解させたメタノール溶液を室温で約
４時間撹拌混合した後、ＤＰＭ３．８ｇを室温で滴下し
約３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液から
メタノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合
物４．１ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノール
を用いて再結晶精製を行い２．７ｇの目的化合物を回収
した。
ｒｏｗｎ−６）］ ２．１ｇの水酸化ストロンチウム８水和物を溶解させた
水溶液と２．４ｇの４，１３−ジアザ−１８−クラウン
−６−エーテルを溶解させたメタノール溶液を室温で約
４時間撹拌混合した後、ＤＰＭ３．８ｇを室温で滴下し
約３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶液から
メタノールを減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合
物４．１ｇを得た。更に、この目的化合物をメタノール
を用いて再結晶精製を行い２．７ｇの目的化合物を回収
した。
【００３０】［Ｓｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚ
ａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６）］は、合成直後の熱重量減
少値が９３．２ｗｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温
でサンプル瓶中に保存していたものは、９２．１ｗｔ％
であった。
ａ−１８−ｃｒｏｗｎ−６）］は、合成直後の熱重量減
少値が９３．２ｗｔ％に対して、６ヶ月間、大気中室温
でサンプル瓶中に保存していたものは、９２．１ｗｔ％
であった。
【００３１】製造および実験例７
［Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例３０ｇの
水酸化ナトリウムを溶解させた水溶液中にＤＰＭ１６３
ｇのメタノール溶液を室温で滴下し約１時間撹拌後、４
１．６ｇの塩化カルシウムを投入し約１時間撹拌する。 この反応溶液中に１５０ｇの１，１０−フェナンスロリ
ンを氷冷下で滴下撹拌し室温に戻した後、約２時間で反
応を終了させた。次に、この反応溶液からメタタノール
を減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物３７０ｇ
を得た。更に、この目的化合物をメタノールを用いて再
結晶精製を尾濃い３４０ｇの目的化合物を回収した。
水酸化ナトリウムを溶解させた水溶液中にＤＰＭ１６３
ｇのメタノール溶液を室温で滴下し約１時間撹拌後、４
１．６ｇの塩化カルシウムを投入し約１時間撹拌する。 この反応溶液中に１５０ｇの１，１０−フェナンスロリ
ンを氷冷下で滴下撹拌し室温に戻した後、約２時間で反
応を終了させた。次に、この反応溶液からメタタノール
を減圧除去し晶析した後、濾過して目的化合物３７０ｇ
を得た。更に、この目的化合物をメタノールを用いて再
結晶精製を尾濃い３４０ｇの目的化合物を回収した。
【００３２】［Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］は、
合成直後の熱重量減少値が９７．６ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、９５．３ｗｔ％であった。
合成直後の熱重量減少値が９７．６ｗｔ％に対して、６
ヶ月間、大気中室温でサンプル瓶中に保存していたもの
は、９５．３ｗｔ％であった。
【００３３】実施例１
有機金属化学気相堆積法（以下ＭＯＣＶＤ法という）の
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ）２・（
ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反応室
に同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を形成
することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであっ
た。
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ）２・（
ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反応室
に同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を形成
することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであっ
た。
【００３４】
＊ｓｃｃｍとはＳｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃ
ｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒＭｉｎｕｔｅの略で０℃
、１気圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）
である。
ｅｎｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒＭｉｎｕｔｅの略で０℃
、１気圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）
である。
【００３５】実施例２
ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＭｇＯ基板を７５０℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ
）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。 ここで同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を
形成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈで
あった。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ＤＰＭ
）２（１８−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。 ここで同時に酸素を導入することで良好なＢａＯ薄膜を
形成することが出来た。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈで
あった。
【００３６】
【００３７】実施例３
ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＢａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２を気化させて導
入した。ここで同時に亜酸化窒素を導入することで良好
なＢａＯ薄膜を形成することができた。成膜速度は２〜
８μｍ／ｈであった。
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＢａ（ＤＩＶＭ）２（ｂｐｙ）２を気化させて導
入した。ここで同時に亜酸化窒素を導入することで良好
なＢａＯ薄膜を形成することができた。成膜速度は２〜
８μｍ／ｈであった。
【００３８】
【００３９】実施例４
ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，２］
）を気化させて導入した。ここで同時に酸素を導入する
ことで良好なＳｒＯ薄膜を形成することができた。 成膜速度は３〜１５μｍ／ｈであった。
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＢＭ）２（クリプタンド［３，２，２］
）を気化させて導入した。ここで同時に酸素を導入する
ことで良好なＳｒＯ薄膜を形成することができた。 成膜速度は３〜１５μｍ／ｈであった。
【００４０】
【００４１】実施例５
ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８
−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。ここで同時
に水蒸気を導入することで良好なＳｒＯ薄膜を形成する
ことができた。成膜速度は５〜２０μｍ／ｈであった。
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ＤＰＭ）２（４，１３−ｄｉａｚａ−１８
−ｃｒｏｗｎ−６）を気化させて導入した。ここで同時
に水蒸気を導入することで良好なＳｒＯ薄膜を形成する
ことができた。成膜速度は５〜２０μｍ／ｈであった。
【００４２】
【００４３】実施例６
ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、Ｍｇ０基板を反応室で７
００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガスとして
Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した
。ここで同時に酸素を導入するこで良好なＣａＯ薄膜を
形成することができた。成膜速度は５〜１５μｍ／ｈで
あった。
００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガスとして
Ｃａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した
。ここで同時に酸素を導入するこで良好なＣａＯ薄膜を
形成することができた。成膜速度は５〜１５μｍ／ｈで
あった。
【００４４】
【００４５】
【発明の効果】本発明のアルカリ土類金属錯体を用いる
ことにより、化学気相堆積法において長期間安定かつ再
現性の高い薄膜形成が可能となり、産業上極めて有利で
ある。
ことにより、化学気相堆積法において長期間安定かつ再
現性の高い薄膜形成が可能となり、産業上極めて有利で
ある。
【００４６】
【図１】（ａ）は、従来のＢａ（ＤＰＭ）２の合成直後
の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中
に室温でサンプル瓶中に保存していた同化合物の熱重量
減少（％）を示している。
の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中
に室温でサンプル瓶中に保存していた同化合物の熱重量
減少（％）を示している。
【図２】（ａ）は、本発明の製造例１における［Ｂａ（
ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の合成直後の熱重量減少（
％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中に室温でサンプ
ル瓶中に保存していた同化合物の熱重量減少（％）を示
している。
ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２］の合成直後の熱重量減少（
％）を示し、（ｂ）は、６ヶ月間大気中に室温でサンプ
ル瓶中に保存していた同化合物の熱重量減少（％）を示
している。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） （式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ
３，Ｒ４は同一か又は異なる低級アルキル基および／ま
たは芳香族基を示す）で表わされるアルカリ土類金属錯
体と配位子の付加体からなることを特徴とする新規薄膜
形成用金属錯体。 - 【請求項２】 該配位子がポリエーテル化合物または
キレート剤である請求項１記載の新規薄膜形成用金属錯
体。 - 【請求項３】 該キレート剤がオルトフェナンスロリ
ン誘導体またはビピリジル誘導体である請求項１又は２
記載の新規薄膜形成用金属錯体。 - 【請求項４】 該アルカリ土類金属がバリウム，スト
ロンチウム，カルシウム，マグネシウムである請求項１
〜３までのいずれか１項記載の新規薄膜形成用金属錯体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219191A JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10219191A JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257592A true JPH04257592A (ja) | 1992-09-11 |
| JPH0822863B2 JPH0822863B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=14320778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10219191A Expired - Fee Related JPH0822863B2 (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 新規薄膜形成用金属錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822863B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372844B1 (ko) * | 2000-03-14 | 2003-02-25 | 학교법인 포항공과대학교 | 바륨 또는 스트론튬 착체 |
| JP2022525030A (ja) * | 2019-03-08 | 2022-05-11 | シェブロン ユー．エス．エー． インコーポレイテッド | 直接噴射火花点火エンジンにおける低速過早点火を防止または低減するための組成物及び方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP10219191A patent/JPH0822863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100372844B1 (ko) * | 2000-03-14 | 2003-02-25 | 학교법인 포항공과대학교 | 바륨 또는 스트론튬 착체 |
| JP2022525030A (ja) * | 2019-03-08 | 2022-05-11 | シェブロン ユー．エス．エー． インコーポレイテッド | 直接噴射火花点火エンジンにおける低速過早点火を防止または低減するための組成物及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0822863B2 (ja) | 1996-03-06 |
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