JPH08975B2 - 酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体 - Google Patents
酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属アセチルアセトナ
ト錯体の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる酸
化物薄膜形成用金属錯体に関する。
ト錯体の付加体からなり、気相堆積法等で用いられる酸
化物薄膜形成用金属錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体について、Ｉｎｏ
ｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２Ｎｏ．
１，Ｐ．７３，１９６３にその合成法及び精製法、また
Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．
４２ Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８，１９７０に熱重量減
少による気化特性等が報告されている。化学気相堆積法
でこれらの原料を使用する場合、気化温度が高いため配
管などを２００℃以上に加熱しなければならないないな
どの問題があった。このために気化温度を低温化する事
が望まれていた。キャリヤーガス中にテトラヒドロフラ
ンもしくは１，４−ジオキサンを混合させ原料ガスの気
化温度を低温化する試みが１９８９年秋季第５０回応用
物理学会学術講演会講演番号３０ａ−Ｍ−２で報告され
ている。
アルカリ土類金属のβ−ジケトン錯体について、Ｉｎｏ
ｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．２Ｎｏ．
１，Ｐ．７３，１９６３にその合成法及び精製法、また
Ａｎａｌｉｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｖｏｌ．
４２ Ｎｏ．１４，Ｐ．１８２８，１９７０に熱重量減
少による気化特性等が報告されている。化学気相堆積法
でこれらの原料を使用する場合、気化温度が高いため配
管などを２００℃以上に加熱しなければならないないな
どの問題があった。このために気化温度を低温化する事
が望まれていた。キャリヤーガス中にテトラヒドロフラ
ンもしくは１，４−ジオキサンを混合させ原料ガスの気
化温度を低温化する試みが１９８９年秋季第５０回応用
物理学会学術講演会講演番号３０ａ−Ｍ−２で報告され
ている。
【０００３】また、ＥＵＲＯＰＥＡＮ ＰＡＴＥＮＴ
ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ９０２０１４８５．１にアルカ
リ土類金属β−ジケトン錯体と中性酸素もしくは中性窒
素供与体配位子からなる揮発性金属錯体により原料ガス
の供給量が安定化されることが報告されている。しか
し、テトラヒドロフランをキャリアーガス中に混合させ
る方法は多量のテトラヒドロフランが薄膜製造時に存在
するためにこの分解物が不純物として取り込まれ易い。
また、Ｍ（ＤＰＭ）２−Ｌ２｛Ｍ＝Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，
Ｍｇ：Ｌ＝アルコール，環状エーテル、非環状エーテ
ル，ケトン，ジアミン，アルデヒド，ピリジン，アミ
イ，イミン，ジイミン｝は、気化するのに必要な２００
℃以上の温度に加熱すると付加させていた配位子Ｌが解
離してしまい初期の気化特性が継続できないことが解っ
た。
ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮ９０２０１４８５．１にアルカ
リ土類金属β−ジケトン錯体と中性酸素もしくは中性窒
素供与体配位子からなる揮発性金属錯体により原料ガス
の供給量が安定化されることが報告されている。しか
し、テトラヒドロフランをキャリアーガス中に混合させ
る方法は多量のテトラヒドロフランが薄膜製造時に存在
するためにこの分解物が不純物として取り込まれ易い。
また、Ｍ（ＤＰＭ）２−Ｌ２｛Ｍ＝Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，
Ｍｇ：Ｌ＝アルコール，環状エーテル、非環状エーテ
ル，ケトン，ジアミン，アルデヒド，ピリジン，アミ
イ，イミン，ジイミン｝は、気化するのに必要な２００
℃以上の温度に加熱すると付加させていた配位子Ｌが解
離してしまい初期の気化特性が継続できないことが解っ
た。
【０００４】本発明者は鋭意検討を行った結果、請求項
１にしめすアセチルアセトンを配位子とする金属錯体と
オルトフェナントロリン誘導体の付加体または２，２−
ビピリジル誘導体の付加体から成る化合物の気化温度が
著しく低温化でき、酸化物薄膜形成用の材料として有用
であることを見いだし本発明を完成するに至った。
１にしめすアセチルアセトンを配位子とする金属錯体と
オルトフェナントロリン誘導体の付加体または２，２−
ビピリジル誘導体の付加体から成る化合物の気化温度が
著しく低温化でき、酸化物薄膜形成用の材料として有用
であることを見いだし本発明を完成するに至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は 一般式 （式中Ｍはｎ価の金属である。）で示されるアセチルア
セトンを配位子とする金属錯体とオルトフェナントロリ
ン誘導体の付加体または２，２′−ビピリジル誘導体の
付加体から成ることを特徴とする酸化物薄膜形成用金属
アセチルアセトナト錯体である。
セトンを配位子とする金属錯体とオルトフェナントロリ
ン誘導体の付加体または２，２′−ビピリジル誘導体の
付加体から成ることを特徴とする酸化物薄膜形成用金属
アセチルアセトナト錯体である。
【０００６】
【作用】以下、本発明について更に詳しく説明する。本
発明は、アセチルアセトンを配位子とする金属錯体とオ
ルトフェナントロリン誘導体の付加体または２，２′−
ビピリジル誘導体の付加体から成る化合物であることを
最も重要な特徴とする。
発明は、アセチルアセトンを配位子とする金属錯体とオ
ルトフェナントロリン誘導体の付加体または２，２′−
ビピリジル誘導体の付加体から成る化合物であることを
最も重要な特徴とする。
【０００７】このように付加体としての金属アセチルア
セトナト錯体は、酸化物薄膜形成用原料として優れてい
る。従来のものに比べて気化温度が著しく低温化できて
おり例えばＢａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２が圧力１５
Ｔｏｒｒ−Ｎ２キャリヤ流量２０ｍｌ／ｍｉｎ．の条件
で気化開始温度約２００℃であるのに対してＢａ（ａｃ
ａｃ）２（ｐｈｅｎ）２は同条件で気化開始温度が約１
２０℃であり約８０℃の気化温度の低温化を実現し産業
上極めて有用である。
セトナト錯体は、酸化物薄膜形成用原料として優れてい
る。従来のものに比べて気化温度が著しく低温化できて
おり例えばＢａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２が圧力１５
Ｔｏｒｒ−Ｎ２キャリヤ流量２０ｍｌ／ｍｉｎ．の条件
で気化開始温度約２００℃であるのに対してＢａ（ａｃ
ａｃ）２（ｐｈｅｎ）２は同条件で気化開始温度が約１
２０℃であり約８０℃の気化温度の低温化を実現し産業
上極めて有用である。
【０００８】ここで，（１）式で示されるアセチルアセ
トンを配位子とする金属錯体を例示すれば、 ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム ［Ｂａ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトストロンチウム ［Ｓｒ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトカルシウム ［Ｃａ（ａｃａｃ）２］ ビス−２４−ペンタンジオナトマグネシウム ［Ｍｇ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトカッパー ［Ｃｕ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトニッケル ［Ｎｉ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトリード ［Ｐｂ（ａｃａｃ）２］ トリス−２，４−ペンタンジオナトビスマス ［Ｂｉ（ａｃａｃ）３］ ビス−２，４−ペンタンジオナトシルバー ［Ａｇ（ａｃａｃ）２］ トリス−２，４−ペンタンジオナトインジウム ［Ｉｎ（ａｃａｃ）３］ トリス−２，４−ペンタンジオナトランタニド ［Ｌａ（ａｃａｃ）３］ などが挙げられる。
トンを配位子とする金属錯体を例示すれば、 ビス−２，４−ペンタンジオナトバリウム ［Ｂａ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトストロンチウム ［Ｓｒ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトカルシウム ［Ｃａ（ａｃａｃ）２］ ビス−２４−ペンタンジオナトマグネシウム ［Ｍｇ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトカッパー ［Ｃｕ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトニッケル ［Ｎｉ（ａｃａｃ）２］ ビス−２，４−ペンタンジオナトリード ［Ｐｂ（ａｃａｃ）２］ トリス−２，４−ペンタンジオナトビスマス ［Ｂｉ（ａｃａｃ）３］ ビス−２，４−ペンタンジオナトシルバー ［Ａｇ（ａｃａｃ）２］ トリス−２，４−ペンタンジオナトインジウム ［Ｉｎ（ａｃａｃ）３］ トリス−２，４−ペンタンジオナトランタニド ［Ｌａ（ａｃａｃ）３］ などが挙げられる。
【０００９】オルトフェナントロリン誘導体としては、 １，１０−フェナントロリン［ｐｈｅｎ］ ４，７−ジメチル−１，１０−フェナントロリン ４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン ４，７−ジフェニル−２，９−ジメチル−１，１０−フ
ェナントロリン などが挙げられる。
ェナントロリン などが挙げられる。
【００１０】２，２′−ビピリジル誘導体としては、 ２，２′−ビピリジル ［ｂｐｙ］ ４，４′−ジメチル−２，２′−ビピリジル などが挙げられる。
【００１１】気化特性は、熱天秤による熱重量減少で見
ることができる。熱重量減少とは真空１５〜２０ｔｏｒ
ｒ付近で窒素キャリヤー約２０ｍｌ／ｍｉｎ．、５℃／
ｍｉｎ．の一定昇温速度により室温から５００℃に昇温
した際の重量減少の値である。 これにより気化開始温度が見ることができる。
ることができる。熱重量減少とは真空１５〜２０ｔｏｒ
ｒ付近で窒素キャリヤー約２０ｍｌ／ｍｉｎ．、５℃／
ｍｉｎ．の一定昇温速度により室温から５００℃に昇温
した際の重量減少の値である。 これにより気化開始温度が見ることができる。
【００１２】本発明の酸化物薄膜形成用金属錯体を使用
して薄膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法
があるが、特に気相堆積法が好ましい。
して薄膜を形成する場合、液相堆積法または気相堆積法
があるが、特に気相堆積法が好ましい。
【００１３】本発明の酸化物酸化物薄膜形成用金属錯体
を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常圧下ま
たは減圧下が好ましい。
を使用して薄膜を形成する場合、加圧下または常圧下ま
たは減圧下が好ましい。
【００１４】本発明の酸化物薄膜形成用金属錯体を使用
して薄膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム、アルゴ
ン、窒素などがあり、反応ガスは、酸素、水、亜酸化窒
素、オゾンなどがある。
して薄膜を形成する場合、同伴ガスはヘリウム、アルゴ
ン、窒素などがあり、反応ガスは、酸素、水、亜酸化窒
素、オゾンなどがある。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は
これらの例によってなんら限定されるものではない。
これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００１６】製造および実施例１ ［Ｂａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２］の製造例 １．７ｇの水酸化バリウム８水和物を溶解させた水溶液
中に２．４ｇの１，１０−フェナントロリン１水和物を
溶解させたエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合し
た後ａｃａｃ１．３７ｇを室温で滴下し、約１時間で反
応を終了させた。次に、この反応溶液に水を加え晶析、
漉過して目的化合物３．６ｇを得た。更に、この目的化
合物をエタノールを用いて再結晶精製を行い３．２ｇの
目的化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５８．５９（５８．６２）；Ｈ４．９７（４．８
８）；Ｎ８．０４（８．０５）；Ｂａ１９．７３（１
９．７３）
中に２．４ｇの１，１０−フェナントロリン１水和物を
溶解させたエタノール溶液を室温で滴下し、撹拌混合し
た後ａｃａｃ１．３７ｇを室温で滴下し、約１時間で反
応を終了させた。次に、この反応溶液に水を加え晶析、
漉過して目的化合物３．６ｇを得た。更に、この目的化
合物をエタノールを用いて再結晶精製を行い３．２ｇの
目的化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５８．５９（５８．６２）；Ｈ４．９７（４．８
８）；Ｎ８．０４（８．０５）；Ｂａ１９．７３（１
９．７３）
【００１７】図１（ａ）にＢａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅ
ｎ）２、図１（ｂ）にＢａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）
２の熱重量減少を示す。Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）
２の気化開始温度は約２００℃であり、Ｂａ（ａｃａ
ｃ）２（ｐｈｅｎ）２の気化開始温度は約１２０℃でＢ
ａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２対して８０℃も低温化し
ている。産業上２００℃以下での気化が実現できること
は極めて有用である。
ｎ）２、図１（ｂ）にＢａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）
２の熱重量減少を示す。Ｂａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）
２の気化開始温度は約２００℃であり、Ｂａ（ａｃａ
ｃ）２（ｐｈｅｎ）２の気化開始温度は約１２０℃でＢ
ａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅｎ）２対して８０℃も低温化し
ている。産業上２００℃以下での気化が実現できること
は極めて有用である。
【００１８】製造および実施例２ ［Ｓｒ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２］２ｇの水酸化ス
トロンチウム８水和物を溶解させた水溶液と３．１ｇの
１，１０−フェナントロリンを溶解させたメタノール溶
液を４５℃で６時間撹拌混合した後、ａｃａｃ１．７ｇ
室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次に、この
反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した後、漉過
して目的化合物４．７ｇを得た。更に、この目的化合物
をメタノールを用いて再結晶精製を行い４．２ｇの目的
化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ６３．０８（６３．１３）；Ｈ５．３３（５．２
６）；Ｎ８．６４（８．６７）；Ｓｒ１３．５６（１
３．５６）
トロンチウム８水和物を溶解させた水溶液と３．１ｇの
１，１０−フェナントロリンを溶解させたメタノール溶
液を４５℃で６時間撹拌混合した後、ａｃａｃ１．７ｇ
室温で滴下し約３時間で反応を終了させた。次に、この
反応溶液からメタノールを減圧除去し晶析した後、漉過
して目的化合物４．７ｇを得た。更に、この目的化合物
をメタノールを用いて再結晶精製を行い４．２ｇの目的
化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ６３．０８（６３．１３）；Ｈ５．３３（５．２
６）；Ｎ８．６４（８．６７）；Ｓｒ１３．５６（１
３．５６）
【００１９】Ｓｒ（ＤＰＭ）２の気化開始温度は、約２
００℃でありＳｒ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２の気化
開始温度は、約１１５℃であった。約８５℃の気化開始
温度の低温化が実現できた。
００℃でありＳｒ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２の気化
開始温度は、約１１５℃であった。約８５℃の気化開始
温度の低温化が実現できた。
【００２０】製造および実施例３ ［Ｓｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）］２．１ｇの水酸化ス
トロンチウム８水和物を溶解させた水溶液と１．６ｇの
２，２′−ビピリジルを溶解させたメタノール溶液を４
５℃で６時間撹拌混合した後、ａｃａｃ１．８ｇ室温で
滴下し約３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶
液からメタノールを減圧除去し晶析した後、漉過して目
的化合物３．３ｇを得た。更に、この目的化合物をメタ
ノールを用いて再結晶精製を行い２．９ｇの目的化合物
を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５４．２４（５４．３０）；Ｈ５．００（４．９
８）；Ｎ６．３１（６．３３）；Ｓｒ１９．８２（１
９．８２）
トロンチウム８水和物を溶解させた水溶液と１．６ｇの
２，２′−ビピリジルを溶解させたメタノール溶液を４
５℃で６時間撹拌混合した後、ａｃａｃ１．８ｇ室温で
滴下し約３時間で反応を終了させた。次に、この反応溶
液からメタノールを減圧除去し晶析した後、漉過して目
的化合物３．３ｇを得た。更に、この目的化合物をメタ
ノールを用いて再結晶精製を行い２．９ｇの目的化合物
を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５４．２４（５４．３０）；Ｈ５．００（４．９
８）；Ｎ６．３１（６．３３）；Ｓｒ１９．８２（１
９．８２）
【００２１】Ｓｒ（ＤＰＭ）２の気化開始温度は、約２
００℃でありＳｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）の気化開始
温度は、約１１０℃であった。約９０℃の気化開始温度
の低温化が実現できた。
００℃でありＳｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）の気化開始
温度は、約１１０℃であった。約９０℃の気化開始温度
の低温化が実現できた。
【００２２】製造および実施例４ ［Ｃｕ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）］３０ｇの酢酸銅１
水和物を溶解させた水溶液中に３７．２４ｇの１，１０
−フェナントロリンを溶解したメタノール溶液を室温で
滴下し約１時間撹拌混合した後、この反応溶液中に３
３．４ｇのａｃａｃを滴下撹拌し約２時間で反応を終了
させた。次にこの反応溶液からメタノールを減圧除去し
晶析した後、漉過して目的化合物６４ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
６０ｇの目的化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５９．６９（５９．７３）；Ｈ５．４９（５．４
３）；Ｎ６．３６（６．３３）Ｂａ１４．３８（１４．
３８）
水和物を溶解させた水溶液中に３７．２４ｇの１，１０
−フェナントロリンを溶解したメタノール溶液を室温で
滴下し約１時間撹拌混合した後、この反応溶液中に３
３．４ｇのａｃａｃを滴下撹拌し約２時間で反応を終了
させた。次にこの反応溶液からメタノールを減圧除去し
晶析した後、漉過して目的化合物６４ｇを得た。更に、
この目的化合物をメタノールを用いて再結晶精製を行い
６０ｇの目的化合物を回収した。 元素分析：実測値（計算値）（％） Ｃ５９．６９（５９．７３）；Ｈ５．４９（５．４
３）；Ｎ６．３６（６．３３）Ｂａ１４．３８（１４．
３８）
【００２３】Ｃｕ（ＤＰＭ）２の気化開始温度は、約１
１０℃でありＣｕ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）の気化開始
温度は、約５０℃であった。約６０℃の気化開始温度の
低温化が実現できた。
１０℃でありＣｕ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）の気化開始
温度は、約５０℃であった。約６０℃の気化開始温度の
低温化が実現できた。
【００２４】実験例１ 有機金属化学気相堆積法（以下ＭＯＣＶＤ法という）の
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ａｃａｃ）
２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反
応室に同時に酸素を導入しＢａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅ
ｎ）２と反応させることで良好なＢａＯ薄膜をＭｇＯ基
板上に形成することができた。成膜速度は１〜１０μｍ
／ｈであった。
装置を用い、ＭｇＯ基板を反応室で８００℃に加熱して
アルゴンをキャリアーガスとしてＢａ（ａｃａｃ）
２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。さらにこの反
応室に同時に酸素を導入しＢａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅ
ｎ）２と反応させることで良好なＢａＯ薄膜をＭｇＯ基
板上に形成することができた。成膜速度は１〜１０μｍ
／ｈであった。
【００２５】 Ｂａ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２容器温度；１００〜１３０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸素ガス流量 ；２００ｓｃｃｍ ＊ｓｃｃｍとはＳｔａｎｄａｒｄ Ｃｕｂｉｃ Ｃｅｎ
ｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒＭｉｎｕｔｅの略で０℃、１気
圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）であ
る。
ｔｉｍｅｔｅｒ ｐｅｒＭｉｎｕｔｅの略で０℃、１気
圧における１分間に流れるガスの容積（ｃｍ３）であ
る。
【００２６】実験例２ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＭｇＯ基板を７５０℃に
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＳｒ（ａｃａ
ｃ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。ここで同
時に酸素を導入しＳｒ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２と
反応させることで良好なＳｒＯ薄膜をＭｇＯ基板上に形
成することができた。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであ
った。
加熱してアルゴンをキャリアーガスとしてＳｒ（ａｃａ
ｃ）２（ｐｈｅｎ）２を気化させて導入した。ここで同
時に酸素を導入しＳｒ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２と
反応させることで良好なＳｒＯ薄膜をＭｇＯ基板上に形
成することができた。成膜速度は１〜１０μｍ／ｈであ
った。
【００２７】 Ｓｒ（ａｃａｃ）２・（ｐｈｅｎ）２容器温度； ９０〜１２０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ
【００２８】実験例３ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）を気化させて導入
した。ここで同時に酸素を導入しＳｒ（ａｃａｃ）
２（ｂｐｙ）と反応させることで良好なＳｒＯ薄膜をＳ
ｒＴｉＯ３基板上に形成することができた。成膜速度は
３〜１５μｍ／ｈであった。
室で７５０℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＳｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ）を気化させて導入
した。ここで同時に酸素を導入しＳｒ（ａｃａｃ）
２（ｂｐｙ）と反応させることで良好なＳｒＯ薄膜をＳ
ｒＴｉＯ３基板上に形成することができた。成膜速度は
３〜１５μｍ／ｈであった。
【００２９】成膜速度は３〜１５μｍ／ｈであった。 Ｓｒ（ａｃａｃ）２（ｂｐｙ） 容器温度； ９０〜１２０℃ キャリアーガス流量 ；１５０ｓｃｃｍ 酸 素 流 量 ；２００ｓｃｃｍ
【００３０】実験例４ ＭＯＣＶＤ法用の装置を用い、ＳｒＴｉＯ３基板を反応
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＣｕ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）を気化させて導
入した。ここで同時に水蒸気を導入しＣｕ（ａｃａｃ）
２（ｐｈｅｎ）と反応させることで良好なＣｕ２Ｏ薄膜
をＳｒＴｉＯ３基板上に形成することができた。成膜速
度は５〜２０μｍ／ｈであった。
室で８００℃に加熱してアルゴンガスをキャリアーガス
としてＣｕ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）を気化させて導
入した。ここで同時に水蒸気を導入しＣｕ（ａｃａｃ）
２（ｐｈｅｎ）と反応させることで良好なＣｕ２Ｏ薄膜
をＳｒＴｉＯ３基板上に形成することができた。成膜速
度は５〜２０μｍ／ｈであった。
【００３１】 Ｃｕ（ａｃａｃ）２（ｐｈｅｎ） ）容器温度；５０〜７０℃ キャリアーガス流量 ；２００ｓｃｃｍ 水 蒸 気 流 量 ；１５０ｓｃｃｍ
【００３２】
【発明の効果】本発明の酸化物薄膜形成用金属アセチル
アセトナト錯体を用いることにより、低温での酸化物薄
膜形成が可能となった。また、化学気相堆積法において
安定かつ再現性の高い酸化物薄膜形成が可能となり産業
上極めて有益である。
アセトナト錯体を用いることにより、低温での酸化物薄
膜形成が可能となった。また、化学気相堆積法において
安定かつ再現性の高い酸化物薄膜形成が可能となり産業
上極めて有益である。
【図１】（ａ）は、従来のＢａ（ＤＰＭ）２（ｐｈｅ
ｎ）２の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、Ｂａ（ａ
ｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２の熱重量減少（％）を示す線
図である。
ｎ）２の熱重量減少（％）を示し、（ｂ）は、Ｂａ（ａ
ｃａｃ）２（ｐｈｅｎ）２の熱重量減少（％）を示す線
図である。
Claims (1)
- 【請求項１】一般式 （式中Ｍはｎ価の金属である）で示されるアセチルアセ
トンを配位子とする金属錯体とオルトフェナントロリン
誘導体の付加体または２，２′−ビピリジル誘導体の付
加体から成ることを特徴とする金属酸化物薄膜形成用金
属アセチルアセトナト錯体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33296991A JPH08975B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33296991A JPH08975B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05106045A JPH05106045A (ja) | 1993-04-27 |
| JPH08975B2 true JPH08975B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=18260847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33296991A Expired - Fee Related JPH08975B2 (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 酸化物薄膜形成用金属アセチルアセトナト錯体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08975B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001039290A2 (en) * | 1999-11-23 | 2001-05-31 | Johnson Research & Development Company, Inc. | Method and apparatus for producing lithium based cathodes |
| JP4738775B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-08-03 | 株式会社豊島製作所 | ランタニド系金属含有薄膜製造に用いるｃｖｄ用原料溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
| JP7461194B2 (ja) | 2020-03-27 | 2024-04-03 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 金属架橋性高分子組成物、金属架橋高分子材料、金属部材、ワイヤーハーネスならびに金属架橋高分子材料の製造方法 |
| CN116490552B (zh) | 2020-11-16 | 2024-10-01 | 株式会社自动网络技术研究所 | 交联性高分子组合物、交联高分子材料、金属构件和线束 |
| JP7642677B2 (ja) | 2020-12-11 | 2025-03-10 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 金属部材およびワイヤーハーネス |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP33296991A patent/JPH08975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05106045A (ja) | 1993-04-27 |
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|---|---|---|---|
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