JPH04258113A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH04258113A JPH04258113A JP3019730A JP1973091A JPH04258113A JP H04258113 A JPH04258113 A JP H04258113A JP 3019730 A JP3019730 A JP 3019730A JP 1973091 A JP1973091 A JP 1973091A JP H04258113 A JPH04258113 A JP H04258113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- light
- resist film
- peripheral
- exposure
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に感
光性レジストを塗布した半導体ウェハの周辺部の不要な
レジストを除去する周辺露光方法に係わる。
光性レジストを塗布した半導体ウェハの周辺部の不要な
レジストを除去する周辺露光方法に係わる。
【０００２】
【従来技術】従来から、半導体集積回路素子製造工程で
半導体ウェハ上に積層された薄膜を所望のパターンに形
成する工程では、薄膜上にレジスト膜を塗布し、所望の
パターンに形成したマスクを通し前記レジスト膜を露光
した後、現像、エッチングして薄膜をパターンに形成し
ている。薄膜にレジストを塗布するレジスト塗布工程で
は、半導体ウェハ上にレジスト液を滴下して半導体ウェ
ハを高速回転させ塗布するスピンコータが用いられるた
め、パターン形成されている中心部からパターンが形成
されていない周辺部までレジスト膜は塗布されてしまう
。そのため、搬送機構等で半導体ウェハの周辺部を支持
する際に周辺部の余剰のレジスト膜が剥離され、ゴミ、
パーティクル発生の原因となってしまった。ゴミ、パー
ティクル発生を防止するため、周辺に塗布された余剰の
レジストを除去するため半導体ウェハの周辺部のみを露
光し、現像を行う周辺露光装置がある（特開平１−１８
７８２２号、特開平１−１９４３２４号、特開平１−２
１７９１６号、特開平１−２５１６１４号公報等）。
半導体ウェハ上に積層された薄膜を所望のパターンに形
成する工程では、薄膜上にレジスト膜を塗布し、所望の
パターンに形成したマスクを通し前記レジスト膜を露光
した後、現像、エッチングして薄膜をパターンに形成し
ている。薄膜にレジストを塗布するレジスト塗布工程で
は、半導体ウェハ上にレジスト液を滴下して半導体ウェ
ハを高速回転させ塗布するスピンコータが用いられるた
め、パターン形成されている中心部からパターンが形成
されていない周辺部までレジスト膜は塗布されてしまう
。そのため、搬送機構等で半導体ウェハの周辺部を支持
する際に周辺部の余剰のレジスト膜が剥離され、ゴミ、
パーティクル発生の原因となってしまった。ゴミ、パー
ティクル発生を防止するため、周辺に塗布された余剰の
レジストを除去するため半導体ウェハの周辺部のみを露
光し、現像を行う周辺露光装置がある（特開平１−１８
７８２２号、特開平１−１９４３２４号、特開平１−２
１７９１６号、特開平１−２５１６１４号公報等）。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】周辺露光装置は、光源からの
Ｕ．Ｖ光を光ファイバー等の光導管等で導き、位置セン
サで半導体の位置を検知して半導体ウェハあるいは光フ
ァイバーを移動、回転させて半導体ウェハの周辺の露光
を行うものである。しかしながらこれらの周辺露光装置
ではレジストの半導体ウェハへの密着力と、露光のため
の光の強度が適当でないことが多かった。また半導体ウ
ェハのエッジ部は研磨精度が悪く、さらに半導体ウェハ
搬送時のゴミ等が付着しやすくレジスト膜の密着が低い
。また前記露光の光の強度が強すぎるとレジスト膜から
例えばＮ２等の気体が激しく発生し、その結果レジスト
膜が割れてレジストの破片が飛散し、光ファイバーの先
端に設けたレンズ等に付着したりあるいはレジスト膜が
変形し、照射距離が変って照射強度にムラが生じてしま
った。また、さらにレジスト膜がめくれ上がってパター
ン形成部まで悪影響を及ぼしてしまうこともあった。
Ｕ．Ｖ光を光ファイバー等の光導管等で導き、位置セン
サで半導体の位置を検知して半導体ウェハあるいは光フ
ァイバーを移動、回転させて半導体ウェハの周辺の露光
を行うものである。しかしながらこれらの周辺露光装置
ではレジストの半導体ウェハへの密着力と、露光のため
の光の強度が適当でないことが多かった。また半導体ウ
ェハのエッジ部は研磨精度が悪く、さらに半導体ウェハ
搬送時のゴミ等が付着しやすくレジスト膜の密着が低い
。また前記露光の光の強度が強すぎるとレジスト膜から
例えばＮ２等の気体が激しく発生し、その結果レジスト
膜が割れてレジストの破片が飛散し、光ファイバーの先
端に設けたレンズ等に付着したりあるいはレジスト膜が
変形し、照射距離が変って照射強度にムラが生じてしま
った。また、さらにレジスト膜がめくれ上がってパター
ン形成部まで悪影響を及ぼしてしまうこともあった。
【０００４】本発明は上記の欠点を解消するためになさ
れたものであって、半導体ウェハの周辺部に塗布された
余剰レジスト膜を適度な強度で露光して除去し、歩留り
良くパターン形成を行う周辺露光方法を提供することを
目的とする。
れたものであって、半導体ウェハの周辺部に塗布された
余剰レジスト膜を適度な強度で露光して除去し、歩留り
良くパターン形成を行う周辺露光方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の周辺露光方法は、半導体ウェハと光源から
の光とを相対的に移動して前記半導体ウェハの周辺部に
塗布されたレジスト膜を露光する露光装置において、前
記周辺部の露光領域を同心状に複数に分割し、前記同心
円の内側と、外側とをそれぞれ前記光の照射強度及び照
射時間を調整し、周辺程照射強度を相対的に弱く露光す
るものである。
め、本発明の周辺露光方法は、半導体ウェハと光源から
の光とを相対的に移動して前記半導体ウェハの周辺部に
塗布されたレジスト膜を露光する露光装置において、前
記周辺部の露光領域を同心状に複数に分割し、前記同心
円の内側と、外側とをそれぞれ前記光の照射強度及び照
射時間を調整し、周辺程照射強度を相対的に弱く露光す
るものである。
【０００６】
【作用】レジスト塗布した半導体ウェハの周辺を露光し
て余剰のレジストを除去する際に、レジスト膜の半導体
ウェハへの密着力に応じて露光の強度及び時間を調整し
て行う。そのため、周辺部の露光領域を同心状に分割し
、中心部に近いレジスト膜の密着が強い部分は短時間に
強く照射し、端縁部のレジスト膜の密着が弱い部分は弱
い光を長時間照射することによりパターン形成部のレジ
スト膜に悪影響を与えることなく露光できる。しかも全
体では露光時間の短縮を図ることができるので歩留りの
良いパターン形成を行うことができる。
て余剰のレジストを除去する際に、レジスト膜の半導体
ウェハへの密着力に応じて露光の強度及び時間を調整し
て行う。そのため、周辺部の露光領域を同心状に分割し
、中心部に近いレジスト膜の密着が強い部分は短時間に
強く照射し、端縁部のレジスト膜の密着が弱い部分は弱
い光を長時間照射することによりパターン形成部のレジ
スト膜に悪影響を与えることなく露光できる。しかも全
体では露光時間の短縮を図ることができるので歩留りの
良いパターン形成を行うことができる。
【０００７】
【実施例】本発明の周辺露光方法を適用した一実施例を
図面を参照して説明する。図１に示す周辺露光装置１は
、半導体ウェハ２を図示しない真空ポンプ等に接続され
て吸着固定する載置台３を備える。載置台３はモータ等
の回転機構４に接続され、半導体ウェハ２を回転できる
ようになっている。さらに周辺露光装置１は半導体ウェ
ハ２の位置を検知するセンサ５を備える。センサ５は投
光素子６と、投光素子６からの光を収束するレンズ７と
、レンズ７を通過した光を受光する受光素子８とから成
り、受光素子８から出力を入力する制御部９により半導
体ウェハ２の周辺を検知し、半導体ウェハ２の有無及び
オリフラ部１０を検知可能となっている。
図面を参照して説明する。図１に示す周辺露光装置１は
、半導体ウェハ２を図示しない真空ポンプ等に接続され
て吸着固定する載置台３を備える。載置台３はモータ等
の回転機構４に接続され、半導体ウェハ２を回転できる
ようになっている。さらに周辺露光装置１は半導体ウェ
ハ２の位置を検知するセンサ５を備える。センサ５は投
光素子６と、投光素子６からの光を収束するレンズ７と
、レンズ７を通過した光を受光する受光素子８とから成
り、受光素子８から出力を入力する制御部９により半導
体ウェハ２の周辺を検知し、半導体ウェハ２の有無及び
オリフラ部１０を検知可能となっている。
【０００８】このようなセンサ５により位置が検知され
る半導体ウェハ２の周辺部２１を露光する照射部１１は
、光源１２と光源１２からの光を周辺部２１に伝播する
光ファイバ等の光導管１３と、光導管１３からの光を収
光するレンズ機構１４と、光導管１３を支持して直径方
向（Ｘ方向）に移動可能なボールネジ等の水平移動機構
１５と、水平移動機構１５の移動方向と垂直な方向（Ｙ
方向）に水平移動機構１５を移動させる移動機構１６と
を備える。照射部１１及び載置台３は半導体ウェハ２の
位置センサ５からの情報により制御部９により制御され
るようになっている。
る半導体ウェハ２の周辺部２１を露光する照射部１１は
、光源１２と光源１２からの光を周辺部２１に伝播する
光ファイバ等の光導管１３と、光導管１３からの光を収
光するレンズ機構１４と、光導管１３を支持して直径方
向（Ｘ方向）に移動可能なボールネジ等の水平移動機構
１５と、水平移動機構１５の移動方向と垂直な方向（Ｙ
方向）に水平移動機構１５を移動させる移動機構１６と
を備える。照射部１１及び載置台３は半導体ウェハ２の
位置センサ５からの情報により制御部９により制御され
るようになっている。
【０００９】このような構成の周辺露光装置１を用いた
周辺露光方法を説明する。図示しないハンドリングアー
ム等の搬送機構により全面にレジスト膜２２が塗布され
た半導体ウェハ２を搬入し、載置台３の回転軸と同軸的
に位置決めして載置台３上に載置する。半導体ウェハ２
は載置台３に吸着等により固定される。そして回転機構
４により載置台３を回転させ位置センサ５を作動させる
。位置センサ５の投光素子６からの光を受光素子６が受
光し、制御部９により半導体ウェハ２の回転中心からの
距離を測定する。制御部９からの出力信号により水平移
動機構１５を動作させて光導管１３及びレンズ機構１４
を露光位置に移動させて半導体ウェハ２の周辺部２１を
露光する。この時、半導体ウェハ２の周辺部２１を図２
に示すように同心状に複数、例えば内側２１１及び外側
２１２に２分割し例えば周辺部２１の幅が２ｍｍならば
各１ｍｍに分割し、光導管１３からの光をまず高速回転
する半導体ウェハ２の内側２１１に例えば照度１０００
ｍＷ／ｃｍ２で９秒照射する。この時、照射強度が強い
とＮ２等の気体が発生することがあるが、半導体ウェハ
２の周辺部２１における半導体ウェハ２とレジスト膜２
２との密着強度は内側２１１の領域が外側２１２領域よ
りも相対的に強いことが確認されており、この実施例の
場合、内側２１１を照度１０００ｍＷ／ｃｍ２で光照射
した時、発生した気体はレジスト膜２２にダメージを与
えることなく大気中に発散し、従ってレジスト膜２２が
割れてレンズ機構１４を汚したり、パーテイクルとなっ
てレジスト膜２２に付着したり、また剥離することはな
い。そのためパターン形成部のレジスト膜を剥離したり
悪影響を及ぼすことはない。次に制御部９から水平移動
機構１５を作動させ光導管１３の位置を外側２１２に設
定する。 外側２１２は内側２１１を照射する照度よりも相対的に
少ない照度例えば３００ｍＷで３０秒照射するようにす
る。この時も内側２１１と同様に、照射強度が強いとＮ
２等の気体が発生することがあるが、内側２１１より密
着強度の弱い外側２１２においても照射強度を内側より
弱くして照射すればレジスト膜２２を剥離することはな
く、周辺部２１の中で内側と外側で照度を変えて露光す
る。レジスト膜の密着強度の強い内側２１１では照度を
強く短時間で照射することができ、密着強度の弱い外側
２１２では照度を下げて長時間照射するようにできる。 このように外側と内側で照射強度を調整すれば適当な強
度で効率的に照射できるので、光照度が強すぎてレジス
ト膜が剥離したりすることがなく、また従来の周辺露光
方法によれば露光に１分必要であったところ２／３に短
縮することができる。またオリフラ部９の部分は、周辺
部２１の外側２１２及び内側２１１の何れの場合も位置
センサからの検知により移動機構１６を作動して自動的
に行うことができる。
周辺露光方法を説明する。図示しないハンドリングアー
ム等の搬送機構により全面にレジスト膜２２が塗布され
た半導体ウェハ２を搬入し、載置台３の回転軸と同軸的
に位置決めして載置台３上に載置する。半導体ウェハ２
は載置台３に吸着等により固定される。そして回転機構
４により載置台３を回転させ位置センサ５を作動させる
。位置センサ５の投光素子６からの光を受光素子６が受
光し、制御部９により半導体ウェハ２の回転中心からの
距離を測定する。制御部９からの出力信号により水平移
動機構１５を動作させて光導管１３及びレンズ機構１４
を露光位置に移動させて半導体ウェハ２の周辺部２１を
露光する。この時、半導体ウェハ２の周辺部２１を図２
に示すように同心状に複数、例えば内側２１１及び外側
２１２に２分割し例えば周辺部２１の幅が２ｍｍならば
各１ｍｍに分割し、光導管１３からの光をまず高速回転
する半導体ウェハ２の内側２１１に例えば照度１０００
ｍＷ／ｃｍ２で９秒照射する。この時、照射強度が強い
とＮ２等の気体が発生することがあるが、半導体ウェハ
２の周辺部２１における半導体ウェハ２とレジスト膜２
２との密着強度は内側２１１の領域が外側２１２領域よ
りも相対的に強いことが確認されており、この実施例の
場合、内側２１１を照度１０００ｍＷ／ｃｍ２で光照射
した時、発生した気体はレジスト膜２２にダメージを与
えることなく大気中に発散し、従ってレジスト膜２２が
割れてレンズ機構１４を汚したり、パーテイクルとなっ
てレジスト膜２２に付着したり、また剥離することはな
い。そのためパターン形成部のレジスト膜を剥離したり
悪影響を及ぼすことはない。次に制御部９から水平移動
機構１５を作動させ光導管１３の位置を外側２１２に設
定する。 外側２１２は内側２１１を照射する照度よりも相対的に
少ない照度例えば３００ｍＷで３０秒照射するようにす
る。この時も内側２１１と同様に、照射強度が強いとＮ
２等の気体が発生することがあるが、内側２１１より密
着強度の弱い外側２１２においても照射強度を内側より
弱くして照射すればレジスト膜２２を剥離することはな
く、周辺部２１の中で内側と外側で照度を変えて露光す
る。レジスト膜の密着強度の強い内側２１１では照度を
強く短時間で照射することができ、密着強度の弱い外側
２１２では照度を下げて長時間照射するようにできる。 このように外側と内側で照射強度を調整すれば適当な強
度で効率的に照射できるので、光照度が強すぎてレジス
ト膜が剥離したりすることがなく、また従来の周辺露光
方法によれば露光に１分必要であったところ２／３に短
縮することができる。またオリフラ部９の部分は、周辺
部２１の外側２１２及び内側２１１の何れの場合も位置
センサからの検知により移動機構１６を作動して自動的
に行うことができる。
【００１０】このように周辺を露光された半導体ウェハ
２は現像されて周辺部の余剰のレジスト膜が除去される
のでゴミ、パーティクルの発生が生じることがない。上
記説明では、周辺部を２分割する方法を述べたが、レジ
スト膜の密着強度の状態に応じてもっと照射強度を細分
化して露光を行ってもよい。
２は現像されて周辺部の余剰のレジスト膜が除去される
のでゴミ、パーティクルの発生が生じることがない。上
記説明では、周辺部を２分割する方法を述べたが、レジ
スト膜の密着強度の状態に応じてもっと照射強度を細分
化して露光を行ってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の周辺露光方法によれば、パターン形成部のレジスト
膜に悪影響を及ぼすことなく半導体ウェハの周辺部のレ
ジスト膜の密着強度に応じて露光を行うため高品位なパ
ターン成形を行うことができる。また、露光時間を短縮
できるため、歩留りの良い製造を行うことができる。
明の周辺露光方法によれば、パターン形成部のレジスト
膜に悪影響を及ぼすことなく半導体ウェハの周辺部のレ
ジスト膜の密着強度に応じて露光を行うため高品位なパ
ターン成形を行うことができる。また、露光時間を短縮
できるため、歩留りの良い製造を行うことができる。
【図１】本発明の周辺露光方法を適用した一実施例の構
成図
成図
【図２】図１に示す一実施例による露光方法を説明する
図
図
１・・・・・・周辺露光装置
２・・・・・・半導体ウェハ
２１・・・・・周辺部
２２・・・・・レジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハと光源からの光とを相対的に
移動して前記半導体ウェハの周辺部に塗布されたレジス
ト膜を露光する露光装置において、前記周辺部の露光領
域を同心状に複数に分割し、前記同心円の内側と、外側
とをそれぞれ前記光の照射強度及び照射時間を調整し、
周辺程照射強度を相対的に弱く露光することを特徴とす
る周辺露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019730A JP2845629B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3019730A JP2845629B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04258113A true JPH04258113A (ja) | 1992-09-14 |
| JP2845629B2 JP2845629B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=12007434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3019730A Expired - Fee Related JP2845629B2 (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2845629B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072543A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 周辺露光装置用の光照射装置 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3019730A patent/JP2845629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016072543A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 | 周辺露光装置用の光照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2845629B2 (ja) | 1999-01-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980922 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |