JPH0722400A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0722400A JPH0722400A JP16493093A JP16493093A JPH0722400A JP H0722400 A JPH0722400 A JP H0722400A JP 16493093 A JP16493093 A JP 16493093A JP 16493093 A JP16493093 A JP 16493093A JP H0722400 A JPH0722400 A JP H0722400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- electrode
- chamber
- high frequency
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】対向する２つの電極に高周波電圧を印加し、プ
ラズマを誘起する半導体装置の製造装置に於いて、半導
体基板を処理した際に対向電極に付着した物質をチャン
バーを大気開放，洗浄することなしに除去し、半導体基
板に再付着するのを防ぐ。 【構成】対向する２つの電極３（面積Ｓ3 ）８と電極２
（面積Ｓ2 ）７とに高周波電圧を印加すると表面積の小
さい電極２（面積Ｓ2 ）７側にイオンシースができる。
ここで加速されたイオンにより電極２（面積Ｓ2 ）７上
に付着した物質をチャンバー（面積ＳW ）１を大気開放
する事なく除去できる。 【効果】半導体基板に付着するパーティクルを防げる
為、歩留の低下を防げる。さらに、チャンバーを大気開
放せずにすむ為、装置の稼働率を向上できる。
ラズマを誘起する半導体装置の製造装置に於いて、半導
体基板を処理した際に対向電極に付着した物質をチャン
バーを大気開放，洗浄することなしに除去し、半導体基
板に再付着するのを防ぐ。 【構成】対向する２つの電極３（面積Ｓ3 ）８と電極２
（面積Ｓ2 ）７とに高周波電圧を印加すると表面積の小
さい電極２（面積Ｓ2 ）７側にイオンシースができる。
ここで加速されたイオンにより電極２（面積Ｓ2 ）７上
に付着した物質をチャンバー（面積ＳW ）１を大気開放
する事なく除去できる。 【効果】半導体基板に付着するパーティクルを防げる
為、歩留の低下を防げる。さらに、チャンバーを大気開
放せずにすむ為、装置の稼働率を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
関し、特に高周波プラズマ装置に関する。
関し、特に高周波プラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の高周波プラズマ装置は、図
３（ａ）の様に対向する２つの電極，電極１（面積
Ｓ1 ）６と電極２（面積Ｓ2 ）７とに高周波電圧を印加
する場合と、図３（ｂ）の様に電極１（面積Ｓ1 ）６と
チャンバー（面積ＳW ）１とに高周波電圧を印加する場
合の２つに大別される。
３（ａ）の様に対向する２つの電極，電極１（面積
Ｓ1 ）６と電極２（面積Ｓ2 ）７とに高周波電圧を印加
する場合と、図３（ｂ）の様に電極１（面積Ｓ1 ）６と
チャンバー（面積ＳW ）１とに高周波電圧を印加する場
合の２つに大別される。
【０００３】次に動作について図４のフローチャートを
使って説明する。まずチャンバー（面積ＳW ）１を真空
引きし、ガスを導入し、半導体基板１２をチャンバー
（面積ＳW ）１へ搬送する。その後、高周波電源４をＯ
Ｎし、放電を開始する。放電が平衡状態に達すると、高
周波電圧を印加両電極の表面積が非対象の場合は、表面
積が小さい電極，電極１（面積Ｓ1 ）６側に大きな電位
降下、電圧Ｖ12 １０又は電圧Ｖ1W １５が発生し、負
にバイアスされ、イオンシースが形成される。
使って説明する。まずチャンバー（面積ＳW ）１を真空
引きし、ガスを導入し、半導体基板１２をチャンバー
（面積ＳW ）１へ搬送する。その後、高周波電源４をＯ
Ｎし、放電を開始する。放電が平衡状態に達すると、高
周波電圧を印加両電極の表面積が非対象の場合は、表面
積が小さい電極，電極１（面積Ｓ1 ）６側に大きな電位
降下、電圧Ｖ12 １０又は電圧Ｖ1W １５が発生し、負
にバイアスされ、イオンシースが形成される。
【０００４】このイオンシースで加速されるイオンによ
り半導体基板１２上を一定時間処理する。その後、高周
波電源４をＯＦＦし半導体基板１２をチャンバー（面積
ＳW）１の外へ搬送する。
り半導体基板１２上を一定時間処理する。その後、高周
波電源４をＯＦＦし半導体基板１２をチャンバー（面積
ＳW）１の外へ搬送する。
【０００５】この様に半導体基板１２をある設定枚数処
理した後は、電極２（面積Ｓ2 ）７又はチャンバー（面
積ＳW ）１に付着した物質を除去する為にガスの導入を
ストップし、チャンバー（面積ＳW ）を大気開放し、各
電極又はシールド類を取りはずし洗浄していた。
理した後は、電極２（面積Ｓ2 ）７又はチャンバー（面
積ＳW ）１に付着した物質を除去する為にガスの導入を
ストップし、チャンバー（面積ＳW ）を大気開放し、各
電極又はシールド類を取りはずし洗浄していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
プラズマ装置では、イオンシース内で加速されたイオン
によって半導体基板表面をスパッタリング（物理的にエ
ッチング）するなどの処理をしている。
プラズマ装置では、イオンシース内で加速されたイオン
によって半導体基板表面をスパッタリング（物理的にエ
ッチング）するなどの処理をしている。
【０００７】これらスパッタリングされた物質は対向電
極またはチャンバー側壁等に付着する。しかし、これら
の物質は密着性が悪い為、堆積量が多くなると、はがれ
易く、パーティクルが半導体基板に再付着すると、回路
上ショートやオープンまたは特性異常などを引き起こ
し、歩留を低下させるという問題点があった。さらにこ
の様な問題を防ぐ為にしばしばチャンバーを大気開放
し、対向電極またはチャンバー側壁を洗浄していた。こ
の為に装置の稼働率を低下させるという問題点があっ
た。
極またはチャンバー側壁等に付着する。しかし、これら
の物質は密着性が悪い為、堆積量が多くなると、はがれ
易く、パーティクルが半導体基板に再付着すると、回路
上ショートやオープンまたは特性異常などを引き起こ
し、歩留を低下させるという問題点があった。さらにこ
の様な問題を防ぐ為にしばしばチャンバーを大気開放
し、対向電極またはチャンバー側壁を洗浄していた。こ
の為に装置の稼働率を低下させるという問題点があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、高周波プラズマ装置にお
いて、半導体基板を処理した際に対向電極に付着した物
質を大気開放し洗浄することなく除去し、半導体基板に
再付着するのを防ぐことができる半導体製造装置を提供
することにある。
いて、半導体基板を処理した際に対向電極に付着した物
質を大気開放し洗浄することなく除去し、半導体基板に
再付着するのを防ぐことができる半導体製造装置を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波プラズマ
装置は、チャンバー内にガスを導入するガスラインと、
前記チャンバー内を真空引きする排気ラインを有し、前
記チャンバー内にプラズマを誘起する為の対向する２つ
の電極と高周波電源を有する半導体装置に於いて、前記
電極以外に第３の電極と、該第３電極に高周波電圧を印
加する為の切換スイッチを備えている。
装置は、チャンバー内にガスを導入するガスラインと、
前記チャンバー内を真空引きする排気ラインを有し、前
記チャンバー内にプラズマを誘起する為の対向する２つ
の電極と高周波電源を有する半導体装置に於いて、前記
電極以外に第３の電極と、該第３電極に高周波電圧を印
加する為の切換スイッチを備えている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の高周波プラズマ装置の断
面図であり、図２はその動作を表すフローチャートであ
る。
る。図１は本発明の一実施例の高周波プラズマ装置の断
面図であり、図２はその動作を表すフローチャートであ
る。
【００１１】まずチャンバー（面積ＳW ）１を真空引き
し、ガスを導入し、半導体基板１２をチャンバー（面積
ＳW ）１内へ搬送する。その後、高周波電源４をＯＮ
し、電極１（面積Ｓ1 ）６と電極２（面積Ｓ2 ）間に高
周波電圧を印加し、放電を開始する。放電が平衡状態に
達すると表面積の小さい電極１（面積Ｓ1 ）６側に大き
な電位降下、電圧Ｖ12 １０が発生し負にバイアスさ
れ、イオンシースが形成される。このイオンシースで加
速されるイオンにより半導体基板１２上を一定時間処理
する。その後、高周波電源４をＯＦＦし、半導体基板１
２をチャンバー（面積ＳW ）１の外へ搬送する。
し、ガスを導入し、半導体基板１２をチャンバー（面積
ＳW ）１内へ搬送する。その後、高周波電源４をＯＮ
し、電極１（面積Ｓ1 ）６と電極２（面積Ｓ2 ）間に高
周波電圧を印加し、放電を開始する。放電が平衡状態に
達すると表面積の小さい電極１（面積Ｓ1 ）６側に大き
な電位降下、電圧Ｖ12 １０が発生し負にバイアスさ
れ、イオンシースが形成される。このイオンシースで加
速されるイオンにより半導体基板１２上を一定時間処理
する。その後、高周波電源４をＯＦＦし、半導体基板１
２をチャンバー（面積ＳW ）１の外へ搬送する。
【００１２】この様に半導体基板１２をある設定枚数処
理した後は電極３（面積Ｓ3 ）８を引き出し、電極２
（面積Ｓ2 ）７に対向させ、スイッチを電極３（面積Ｓ
3 ）８側に切り換える。
理した後は電極３（面積Ｓ3 ）８を引き出し、電極２
（面積Ｓ2 ）７に対向させ、スイッチを電極３（面積Ｓ
3 ）８側に切り換える。
【００１３】その後、高周波電源４をＯＮし、電極２
（面積Ｓ2 ）７と電極３（面積Ｓ3 ）８間に高周波電圧
を印加し、放電を開始する。放電が平衡状態に達すると
表面積の小さい電極２（面積Ｓ2 ）７側に大きな電位降
下、電圧降下、電圧Ｖ23 １３が発生し、負にバイアス
され、イオンシースが形成される。このイオンシースで
加速されたイオンにより電極２（面積Ｓ2 ）７上を一定
時間処理する。この処理により、電極２（面積Ｓ2 ）７
上の付着物を除去する事ができる。その後、高周波電源
４をＯＦＦし、電極３（面積Ｓ3 ）８を元の位置に格納
し、スイッチを電極１（面積Ｓ1 ）６側に切り換える。
（面積Ｓ2 ）７と電極３（面積Ｓ3 ）８間に高周波電圧
を印加し、放電を開始する。放電が平衡状態に達すると
表面積の小さい電極２（面積Ｓ2 ）７側に大きな電位降
下、電圧降下、電圧Ｖ23 １３が発生し、負にバイアス
され、イオンシースが形成される。このイオンシースで
加速されたイオンにより電極２（面積Ｓ2 ）７上を一定
時間処理する。この処理により、電極２（面積Ｓ2 ）７
上の付着物を除去する事ができる。その後、高周波電源
４をＯＦＦし、電極３（面積Ｓ3 ）８を元の位置に格納
し、スイッチを電極１（面積Ｓ1 ）６側に切り換える。
【００１４】また、この作業（図２（ｂ）点線部）が、
ある設定回数を超えない場合は、再び半導体基板１２の
処理が可能となり、チャンバー（面積ＳW ）１を大気開
放する頻度が少なくなる。
ある設定回数を超えない場合は、再び半導体基板１２の
処理が可能となり、チャンバー（面積ＳW ）１を大気開
放する頻度が少なくなる。
【００１５】また、この作業（図２（ｂ）点線部）があ
る設定回数を超える場合は、電極３（面積Ｓ3 ）８また
はチャンバー（面積ＳW ）１に付着した物質を除去する
為に、ガス導入をストップし、チャンバー（面積ＳW ）
１を大気開放し、各電極やシールド類を取り外し洗浄す
る。
る設定回数を超える場合は、電極３（面積Ｓ3 ）８また
はチャンバー（面積ＳW ）１に付着した物質を除去する
為に、ガス導入をストップし、チャンバー（面積ＳW ）
１を大気開放し、各電極やシールド類を取り外し洗浄す
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、対向電極
またはチャンバー側壁に付着した物質を除去可能である
為、半導体基板へのパーティクルの付着を防止できると
いう効果がある。
またはチャンバー側壁に付着した物質を除去可能である
為、半導体基板へのパーティクルの付着を防止できると
いう効果がある。
【００１７】さらに、チャンバーを大気開放の必要性が
少ない為に装置の稼働率を低下させないという効果もあ
る。
少ない為に装置の稼働率を低下させないという効果もあ
る。
【図１】本発明に一実施例を説明する為に示した半導体
製造装置の断面図であり（ａ）図は稼働時、（ｂ）図は
付着した物質を除去する時の構成を示す図である。
製造装置の断面図であり（ａ）図は稼働時、（ｂ）図は
付着した物質を除去する時の構成を示す図である。
【図２】本発明の半導体製造装置の使用フローチャート
である。
である。
【図３】従来の半導体製造装置の断面図であり、（ａ）
図は電極１と電極２を備える場合、（ｂ）図は電極１と
チャンバ−を他の電極とする場合のその構成を示す図で
ある。
図は電極１と電極２を備える場合、（ｂ）図は電極１と
チャンバ−を他の電極とする場合のその構成を示す図で
ある。
【図４】従来の半導体製造装置の使用フローチャートで
ある。
ある。
１ チャンバー（面積ＳW ） ２ ガスライン ３ 排気ライン ４ 高周波電源 ５ スイッチ ６ 電極１（面積Ｓ1 ） ７ 電極２（面積Ｓ2 ） ８ 電極３（面積Ｓ3 ） ９ プラズマ １０ 電圧Ｖ12 （イオンシース） １１ 電圧Ｖ21 １２ 半導体基板 １３ 電圧Ｖ23 （イオンシース） １４ 電圧Ｖ32 １５ 電圧Ｖ1W １６ 電圧ＶW1
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバー内にガスを導入するガスライ
ンと、前記チャンバー内を真空引きする排気ラインを有
し、前記チャンバー内にプラズマを誘起する為の対向す
る２つの電極と高周波電源を有する半導体装置の製造方
法に於いて、前記電極以外に第３の電極と該第３電極に
高周波電圧を印加する為の切換スイッチを備えることを
特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記第３の電極は装置稼働時はチャンバ
ーに設けられた収納部に収納され、使用時には収納部か
ら引き出され両電極間に対向位置させる構造を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16493093A JPH0722400A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16493093A JPH0722400A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722400A true JPH0722400A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15802548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16493093A Withdrawn JPH0722400A (ja) | 1993-07-05 | 1993-07-05 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722400A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749153A1 (en) * | 1995-06-11 | 1996-12-18 | Sizary Materials Purification Ltd. | Cleaning system and method |
| US6177356B1 (en) | 1997-06-05 | 2001-01-23 | Sizary Ltd. | Semiconductor cleaning apparatus |
| CN115799027A (zh) * | 2021-09-09 | 2023-03-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种用于提高ccp反应腔体内清洁效率的方法 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP16493093A patent/JPH0722400A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0749153A1 (en) * | 1995-06-11 | 1996-12-18 | Sizary Materials Purification Ltd. | Cleaning system and method |
| US5770000A (en) * | 1995-06-11 | 1998-06-23 | Sizary Materials Purification Ltd. | Cleaning system and method |
| US6177356B1 (en) | 1997-06-05 | 2001-01-23 | Sizary Ltd. | Semiconductor cleaning apparatus |
| CN115799027A (zh) * | 2021-09-09 | 2023-03-14 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种用于提高ccp反应腔体内清洁效率的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5531862A (en) | Method of and apparatus for removing foreign particles | |
| KR100782621B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP3555084B2 (ja) | 半導体基板に対するプラズマ処理方法及び半導体基板のためのプラズマ処理装置 | |
| JPH10321604A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0822980A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002100614A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| JPH0722400A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0555184A (ja) | クリーニング方法 | |
| JPH0467776B2 (ja) | ||
| JPH11293468A (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法 | |
| JP2628795B2 (ja) | 物理蒸着室中のシールドの清浄方法 | |
| JP2003031553A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JP2002367967A (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JP4355046B2 (ja) | クリーニング方法及び基板処理装置 | |
| JP3207638B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| JPS62130524A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH09306882A (ja) | 基板上の粒子除去装置および粒子除去方法 | |
| JPH09129596A (ja) | 反応室のクリーニング方法 | |
| JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
| JP2864141B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11330056A (ja) | 電極のクリーニング方法 | |
| JP2002252205A (ja) | 半導体製造装置のパーティクル除去装置及びパーティクルの除去方法 | |
| JP2669249B2 (ja) | プラズマ処理装置及び該装置のクリーニング方法 | |
| JP2548164B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2001244239A (ja) | 半導体製造装置及び堆積物除去方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |