JPH0426032A - 含浸形陰極 - Google Patents
含浸形陰極Info
- Publication number
- JPH0426032A JPH0426032A JP2129066A JP12906690A JPH0426032A JP H0426032 A JPH0426032 A JP H0426032A JP 2129066 A JP2129066 A JP 2129066A JP 12906690 A JP12906690 A JP 12906690A JP H0426032 A JPH0426032 A JP H0426032A
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- Japan
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- thin film
- impregnated
- mixed thin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業−」二の利用分野］
本発明はブラウン管、撮像管、進行肢管なとの電子管に
用いられる含浸形陰極に係り、特に、低温動作型であり
かつ高電流密度・長寿命を得ることのできる含浸形陰極
に関する。
用いられる含浸形陰極に係り、特に、低温動作型であり
かつ高電流密度・長寿命を得ることのできる含浸形陰極
に関する。
［従来の技術］
含浸形陰極はタングステン（Ｗ）あるいはモリブデン（
へ知）などからなる耐熱性多孔質基体の細孔部にバリウ
ム（Ｂａ）を主成分とする電子放出物質を含浸させた構
成を基本とするものであるが、この基本＋Ｍ成のままで
は動作温度か高く、実用的ではない。
へ知）などからなる耐熱性多孔質基体の細孔部にバリウ
ム（Ｂａ）を主成分とする電子放出物質を含浸させた構
成を基本とするものであるが、この基本＋Ｍ成のままで
は動作温度か高く、実用的ではない。
動作温度を下げる方法としては、例えば特公昭第４７−
２］３４３号公報記載のように、陰極表面にオスミウム
（Ｏｓ）−ルテニウム（Ｒｕ）台金などを被覆する方法
か一般的に行われているが、この方法によっても動作温
度は約１０００℃と高く、実用化促進に大きな障害とな
っていた。
２］３４３号公報記載のように、陰極表面にオスミウム
（Ｏｓ）−ルテニウム（Ｒｕ）台金などを被覆する方法
か一般的に行われているが、この方法によっても動作温
度は約１０００℃と高く、実用化促進に大きな障害とな
っていた。
動作温度をさらに下げる方法として、特開昭第６］−１
３５２６号公報記載のように、０ｓ−Ｒｕ合金の代りに
Ｗおよびスカンジウム（Ｓｃ）酸化物の混合薄膜を陰極
表面に被覆する方法かある。この方法によれば高い電子
放出能（エミッション特性）か得られ、［）；１者より
も動作温度を１０（１”１５０℃下げることかできる。
３５２６号公報記載のように、０ｓ−Ｒｕ合金の代りに
Ｗおよびスカンジウム（Ｓｃ）酸化物の混合薄膜を陰極
表面に被覆する方法かある。この方法によれば高い電子
放出能（エミッション特性）か得られ、［）；１者より
も動作温度を１０（１”１５０℃下げることかできる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記讐およびＳｃ酸化物の混合薄膜を被
覆した含浸形陰極は、動作温度は低くなるが、エミッシ
ョン寿命が従来型陰極に比べて若干短く、実用化する上
で難点があった。
覆した含浸形陰極は、動作温度は低くなるが、エミッシ
ョン寿命が従来型陰極に比べて若干短く、実用化する上
で難点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の有していた課題を解決
して、低温動作型でありかつ高電流密度、長寿命を得る
ことのできる含浸形陰極を提供することにある。
して、低温動作型でありかつ高電流密度、長寿命を得る
ことのできる含浸形陰極を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、耐熱性多孔質基体と、該基体の細孔部に含
浸させたＢａを主成分とする電子放出物質と、該基体表
面に設けた少なくともＷとＷおよびＳｃを含む酸化物の
混合薄膜とからなる含浸形陰極において、上記ＷとＷお
よびＳｃを含む酸化物の混合薄膜を島状に設けた混合薄
膜とすることによって達成することができる。
浸させたＢａを主成分とする電子放出物質と、該基体表
面に設けた少なくともＷとＷおよびＳｃを含む酸化物の
混合薄膜とからなる含浸形陰極において、上記ＷとＷお
よびＳｃを含む酸化物の混合薄膜を島状に設けた混合薄
膜とすることによって達成することができる。
特に、上記混合薄膜は、陰極表面積の５０〜９０％を占
有させた場合に効果が顕著である。
有させた場合に効果が顕著である。
［作用コ
第２図にＷとＷおよびＳｃを含む酸化物とからなる混合
薄膜８を設けた従来技術の含浸形陰極の断面模式図を示
す。ここで、ヒータ６に通電して陰極を加熱することに
よって、下地含浸形陰極ペレット３内において耐熱多孔
質基体］と電子放出物質２とが反応して遊離のＢａが生
成される。生成した遊離のＢａは薄膜８中に拡散し、そ
の一部は玩１およびＳｃを含む酸化物と反応して遊離の
Ｓｃを生成する。
薄膜８を設けた従来技術の含浸形陰極の断面模式図を示
す。ここで、ヒータ６に通電して陰極を加熱することに
よって、下地含浸形陰極ペレット３内において耐熱多孔
質基体］と電子放出物質２とが反応して遊離のＢａが生
成される。生成した遊離のＢａは薄膜８中に拡散し、そ
の一部は玩１およびＳｃを含む酸化物と反応して遊離の
Ｓｃを生成する。
ＷおよびＳｃを含む酸化物がＳｃ、 Ｗ、 Ｏ，、から
なる場合にはＳｃ、 ＩＪ、 ｏ、 ＩとＢａとが反応
して、下式によってＳｃが生成され、薄膜８内を拡散し
て陰極表面に達する。
なる場合にはＳｃ、 ＩＪ、 ｏ、 ＩとＢａとが反応
して、下式によってＳｃが生成され、薄膜８内を拡散し
て陰極表面に達する。
Ｓｃ、Ｗ、０．、＋３Ｂａ ：＞ ３ＢａＷＯ４＋２
Ｓｃ −（１）また、上記反応に与らなかったＢ
ａは薄膜８中を拡散して陰極表面に達する。このように
して陰極表面に到達したＢａおよびＳｃは電子放出物質
２の熱分解で生ずる酸素や雰囲気中の酸素と結合して、
陰極表面に単分子層〜数分子層程度の棲めて薄い厚さの
（Ｂａ、 Ｓｃ、０）″ｆ５Ａ台層を形成する。この複
合層の形成によって陰極の電子放出仕事関数が１．２ｅ
Ｖ（該複合層が存在しない場合の仕事関数は約Ｑ、Ｑｅ
Ｖ）まで低下して電子放出能が大幅に向上し、これによ
って陰極の動作温度を大幅に下げることが可能になる。
Ｓｃ −（１）また、上記反応に与らなかったＢ
ａは薄膜８中を拡散して陰極表面に達する。このように
して陰極表面に到達したＢａおよびＳｃは電子放出物質
２の熱分解で生ずる酸素や雰囲気中の酸素と結合して、
陰極表面に単分子層〜数分子層程度の棲めて薄い厚さの
（Ｂａ、 Ｓｃ、０）″ｆ５Ａ台層を形成する。この複
合層の形成によって陰極の電子放出仕事関数が１．２ｅ
Ｖ（該複合層が存在しない場合の仕事関数は約Ｑ、Ｑｅ
Ｖ）まで低下して電子放出能が大幅に向上し、これによ
って陰極の動作温度を大幅に下げることが可能になる。
ここで、上記の電子放出能を長期にわたって維持するた
めには低仕事関数の（Ｂａ、 Ｓｃ、０）複合層を継続
して形成し続けなければならないが、下地陰極ペレット
３からのＢａ供給量は動作（加熱）経過時間の平方根に
比例して減少し、また、陰極表面に拡散したＢａ、 Ｓ
ｃの陰極表面での滞在時間はｉｉ′ｌｊ者の方が短い。
めには低仕事関数の（Ｂａ、 Ｓｃ、０）複合層を継続
して形成し続けなければならないが、下地陰極ペレット
３からのＢａ供給量は動作（加熱）経過時間の平方根に
比例して減少し、また、陰極表面に拡散したＢａ、 Ｓ
ｃの陰極表面での滞在時間はｉｉ′ｌｊ者の方が短い。
従って、動作初期では、薄膜８へのＢａ供給量が多く、
Ｓｃを形成するとともに陰極表面に到達するに十分なり
ａが生成されるが、動作時間の経過とともに陰極表面へ
のＢａ拡散量が少なくなり、（Ｂａ、 Ｓｃ、 Ｏ）複
合層の組成バランスが崩れ、電子放出能か低下する。（
電子放出能の低下した陰極表面はＢａ濃度か極端に少な
い）。
Ｓｃを形成するとともに陰極表面に到達するに十分なり
ａが生成されるが、動作時間の経過とともに陰極表面へ
のＢａ拡散量が少なくなり、（Ｂａ、 Ｓｃ、 Ｏ）複
合層の組成バランスが崩れ、電子放出能か低下する。（
電子放出能の低下した陰極表面はＢａ濃度か極端に少な
い）。
従って、下地隠棲ベレット３から陰極表面へのＢ ｒ＋
の供給を容易にできる構成とすることによって陰極の電
子放出能を長期にわたって維持できることになるが、こ
のためには、下地陰極ペレット３で生成したＢａが薄膜
８内のみの拡散によることなく陰極表面に到達できる構
成とすれば良く、第１図に示すように、ＷとＷおよびＳ
ｃを含む酸化物とからなる混合薄膜を島状に設けた混合
薄膜７とし、Ｂａの供給を薄膜８を通しての拡散のみに
よる供給でなく、表面拡散による供給も加えることによ
って、下地陰極ペレット３からのＢａ総供給量か減少し
ても必要かつ十分なりａを陰極表面に供給することがで
き、これによって、（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合層を長時間
にわたって形成、維持することかできることになる。
の供給を容易にできる構成とすることによって陰極の電
子放出能を長期にわたって維持できることになるが、こ
のためには、下地陰極ペレット３で生成したＢａが薄膜
８内のみの拡散によることなく陰極表面に到達できる構
成とすれば良く、第１図に示すように、ＷとＷおよびＳ
ｃを含む酸化物とからなる混合薄膜を島状に設けた混合
薄膜７とし、Ｂａの供給を薄膜８を通しての拡散のみに
よる供給でなく、表面拡散による供給も加えることによ
って、下地陰極ペレット３からのＢａ総供給量か減少し
ても必要かつ十分なりａを陰極表面に供給することがで
き、これによって、（Ｂａ、Ｓｃ、Ｏ）複合層を長時間
にわたって形成、維持することかできることになる。
なお、上記島状に設ける混合薄膜７の陰極表面積に占め
る比率が５０〜９０％の範囲の場合効果を示すことが実
験的に知られた。
る比率が５０〜９０％の範囲の場合効果を示すことが実
験的に知られた。
［実施例］
以下、本発明構成の含浸形陰極について実施例によって
具体的に説明する。
具体的に説明する。
第１図本発明含浸形陰極の概略構成を示す断面模式図に
よってその作製について説明する。すなわち、まず、平
均粒径５−のＷ粉末をプレス成形し、水素雰囲気中で仮
焼結、真空中で本焼結を行い、細孔率が２８％の耐熱多
孔質基体１を作製し、さらに該基体］に４ＢａＯ−Ｃａ
Ｏ−ＡＩ、 Ｏ，の組成からなる電子放出物質２を非酸
化性雰囲気（水素中または真空中）で加熱溶融、含浸さ
せて、下地含浸形陰極ペレット３を作製した。次いで、
該ペレット３をＭＯからなるカップ状の障壁層４に挿入
し、さらにヒータ６を内包するＭＯ製ススリーブ５挿入
した後固着して陰極本体を作製した。
よってその作製について説明する。すなわち、まず、平
均粒径５−のＷ粉末をプレス成形し、水素雰囲気中で仮
焼結、真空中で本焼結を行い、細孔率が２８％の耐熱多
孔質基体１を作製し、さらに該基体］に４ＢａＯ−Ｃａ
Ｏ−ＡＩ、 Ｏ，の組成からなる電子放出物質２を非酸
化性雰囲気（水素中または真空中）で加熱溶融、含浸さ
せて、下地含浸形陰極ペレット３を作製した。次いで、
該ペレット３をＭＯからなるカップ状の障壁層４に挿入
し、さらにヒータ６を内包するＭＯ製ススリーブ５挿入
した後固着して陰極本体を作製した。
次に、複数物質の同時スパッタリングが可能な装置を使
用して、Ｗ、 ＳＣ，Ｗ、Ｏｌｌの２種をスパッタター
ゲットとじ、開孔部が数十−角で開孔率それぞれ３０．
５０．７０．９０％のメツシュ状マスクを用い、ペレッ
ト３表面に面積占有率それぞれ３０．５０．７０．９０
％の島状混合薄膜を作製した。なお、マスクを用いない
場合（面積占有率１００％に相当する）の試料も同時に
作製した。ここで、スパッタリングは、まず装置内を約
３ＸＩＯ−’Ｐａまで排気し、アルゴンガスをフロー（
３０ｓｅｃｍ、この時の雰囲気４ Ｘ １０−’ Ｐａ
）した後、装置排気系の主バルブにより１ＯＰａの圧ツ
ノに調節した状態で、上記陰極本体を水冷しながら、Ｗ
はＤＣ（直流）スパッタ、Ｓｃ、 Ｗ、 ０． 、はＲ
Ｆ（高周波）スパッタにより、混合薄膜７の厚さが５０
〜ｌｏｏｏｎｍの範囲でしかも該薄膜中のＳｃ、Ｗ、０
．、が１８〜３３重量％となるようにスパッタパワーお
よび時間を調節して行った。なお、Ｓｃ、 Ｗ、 ０．
、が１８〜３３重量％の混合薄膜７について溶液発光
分光分析（ＩＣＰＳ）によりＳｃとＷとの重量比を求め
たところＳｃ／Ｗは０．０２〜０．０４の範囲であった
。
用して、Ｗ、 ＳＣ，Ｗ、Ｏｌｌの２種をスパッタター
ゲットとじ、開孔部が数十−角で開孔率それぞれ３０．
５０．７０．９０％のメツシュ状マスクを用い、ペレッ
ト３表面に面積占有率それぞれ３０．５０．７０．９０
％の島状混合薄膜を作製した。なお、マスクを用いない
場合（面積占有率１００％に相当する）の試料も同時に
作製した。ここで、スパッタリングは、まず装置内を約
３ＸＩＯ−’Ｐａまで排気し、アルゴンガスをフロー（
３０ｓｅｃｍ、この時の雰囲気４ Ｘ １０−’ Ｐａ
）した後、装置排気系の主バルブにより１ＯＰａの圧ツ
ノに調節した状態で、上記陰極本体を水冷しながら、Ｗ
はＤＣ（直流）スパッタ、Ｓｃ、 Ｗ、 ０． 、はＲ
Ｆ（高周波）スパッタにより、混合薄膜７の厚さが５０
〜ｌｏｏｏｎｍの範囲でしかも該薄膜中のＳｃ、Ｗ、０
．、が１８〜３３重量％となるようにスパッタパワーお
よび時間を調節して行った。なお、Ｓｃ、 Ｗ、 ０．
、が１８〜３３重量％の混合薄膜７について溶液発光
分光分析（ＩＣＰＳ）によりＳｃとＷとの重量比を求め
たところＳｃ／Ｗは０．０２〜０．０４の範囲であった
。
以下、混合薄膜の厚さを２００ｎｍ、組成をＷ−２５％
Ｓｃ、 Ｗ、 Ｏｌ、とした場合の陰極について得られ
た特性について説明する。
Ｓｃ、 Ｗ、 Ｏｌ、とした場合の陰極について得られ
た特性について説明する。
第３図は、上記のようにして作成した陰極試料について
１０−“Ｐａオーダーの高真空容器内に設けた陽極と陰
極とからなる２極管配置において、１１５０℃４時間の
活性化後に陽極に正のパルス電圧を印加して求めた９
００ ’Ｃにおける飽和電流密度と、島状混合薄膜占有
面積比率との関係を示した図である。この結果から、占
有面積比率７０％以上では電子放出能は低下せず、また
、５０％でも１割程度低下するに止まるが、３０％では
半分程度まで低下することがわかる。従って、混合薄膜
の占有面積比率か５０％以上であれば９００℃動作が可
能であり、低温動作型陰極ということができる。
１０−“Ｐａオーダーの高真空容器内に設けた陽極と陰
極とからなる２極管配置において、１１５０℃４時間の
活性化後に陽極に正のパルス電圧を印加して求めた９
００ ’Ｃにおける飽和電流密度と、島状混合薄膜占有
面積比率との関係を示した図である。この結果から、占
有面積比率７０％以上では電子放出能は低下せず、また
、５０％でも１割程度低下するに止まるが、３０％では
半分程度まで低下することがわかる。従って、混合薄膜
の占有面積比率か５０％以上であれば９００℃動作が可
能であり、低温動作型陰極ということができる。
また、第４図は電子放出（エミッション電流）の動作時
の経時変化を示した図で、縦軸は初期におけるエミッシ
ョン電流を１００とした場合のエミッション電流値、横
軸は１０００時間単時間表した動作経過時間であり、混
合薄膜の占有面積比率をパラメータとして示したもので
ある。この結果から、混合薄膜を島状に設けることによ
ってエミッション電流を長時間にわたって維持すること
ができ、格段に長寿命化が図られることがわかる。
の経時変化を示した図で、縦軸は初期におけるエミッシ
ョン電流を１００とした場合のエミッション電流値、横
軸は１０００時間単時間表した動作経過時間であり、混
合薄膜の占有面積比率をパラメータとして示したもので
ある。この結果から、混合薄膜を島状に設けることによ
ってエミッション電流を長時間にわたって維持すること
ができ、格段に長寿命化が図られることがわかる。
また、第５図は、混合薄膜占有面積比率７０％の陰極と
１００％の陰極（従来型陰極）とについて、動作初期の
陰極表面と１００００時間動作後の陰極表面のオージェ
分析を行った結果を示した図である。
１００％の陰極（従来型陰極）とについて、動作初期の
陰極表面と１００００時間動作後の陰極表面のオージェ
分析を行った結果を示した図である。
この結果から、動作初期の低仕事関数（Ｂａ、Ｓｃ、０
）複合層表面（ａ）と比較して、１００００時間動作後
の従来構成１（３極の表面（ｃ）は明らかにＢａが不足
しており（ｌ（ａ、Ｓｃ、０）複合層の組成バランスが
崩れているか、本発明の混合薄膜占有面積比率７０％の
１！２極表面は１００００時間動作後（ｂ）でも初期の
状態（ａ）と殆と同じ状態に保たれていることがわかる
。また、このことから、従来構成陰極の動作時間経過に
伴うエミッション電流の低下は下地陰極ペレットから陰
極表面へのＢａ供給不足によるものであることかわかる
。
）複合層表面（ａ）と比較して、１００００時間動作後
の従来構成１（３極の表面（ｃ）は明らかにＢａが不足
しており（ｌ（ａ、Ｓｃ、０）複合層の組成バランスが
崩れているか、本発明の混合薄膜占有面積比率７０％の
１！２極表面は１００００時間動作後（ｂ）でも初期の
状態（ａ）と殆と同じ状態に保たれていることがわかる
。また、このことから、従来構成陰極の動作時間経過に
伴うエミッション電流の低下は下地陰極ペレットから陰
極表面へのＢａ供給不足によるものであることかわかる
。
［発明の効果］
以上述べてきたように、含浸形陰極を本発明構成の含浸
形陰極とすることすなわち陰極表面にＷおよびＷとＳｃ
とを含む酸化物からなる混合薄膜を島状に設けた含浸形
陰極とすることによって、従来技術の有していた課題を
解決して、陰極表面に低仕事関数の（Ｂａ、 ５Ｃ１０
）複合層を長時間にわたって形成、維持することができ
、従来陰極に比べてエミッション電流を格段に長く維持
することのできる長寿命の含浸形陰極を提供することが
てきた。また、低仕事関数の（Ｂａ、 Ｓｃ、０）複合
層を容易に形成できることにより、従来の含浸形陰極よ
りも動作温度を１００〜１５０℃下げることができ、従
って陰樹表面からのＢａおよびＢａＯの蒸発速度を１〜
１．５桁小さくすることかできるため、グリッドエミッ
ションなどによる管球特性劣化の発生を格段に改善する
ことのできる含浸形陰榛を得ることかできた。さらに、
動作温度を下げることにより、陰極加熱用ヒータの信頼
性も向上するとともに、低消費電力化が可能になった。
形陰極とすることすなわち陰極表面にＷおよびＷとＳｃ
とを含む酸化物からなる混合薄膜を島状に設けた含浸形
陰極とすることによって、従来技術の有していた課題を
解決して、陰極表面に低仕事関数の（Ｂａ、 ５Ｃ１０
）複合層を長時間にわたって形成、維持することができ
、従来陰極に比べてエミッション電流を格段に長く維持
することのできる長寿命の含浸形陰極を提供することが
てきた。また、低仕事関数の（Ｂａ、 Ｓｃ、０）複合
層を容易に形成できることにより、従来の含浸形陰極よ
りも動作温度を１００〜１５０℃下げることができ、従
って陰樹表面からのＢａおよびＢａＯの蒸発速度を１〜
１．５桁小さくすることかできるため、グリッドエミッ
ションなどによる管球特性劣化の発生を格段に改善する
ことのできる含浸形陰榛を得ることかできた。さらに、
動作温度を下げることにより、陰極加熱用ヒータの信頼
性も向上するとともに、低消費電力化が可能になった。
第１図は本発明含浸形陰極の概略構成を示す断面模式図
、第２図は従来技術の含浸形陰極の概略構成を示す断面
模式図、第３図は混合薄膜占有面積比率と９００℃にお
ける飽和電流密度との関係を示す図、第４図は本発明構
成の含浸形陰極と従来構成の含浸形陰極との動作時のエ
ミッション電流の経時変化の比較を示した図、第５図は
本発明構成の含浸形陰極と従来構成の含浸形陰極とにつ
いて、動作初期と動作１００００時間経過後の陰極表面
のオーシェスベク）・ルの比較を示した図である。 ｌ・・耐熱性多孔質基体、２・・・電子放出物τ′１、
：３・・・下地含浸形陰極ぺしット、４・障壁層、５・
・・スリーブ、 ６・・・ヒータ、７・島状混
合薄膜、 ８・・；・昆合薄膜９代理人 芹埋士
小川）扮；ノｊ、−−（＜ 第 図 第２図 第３図 第 図 賽クジに社ａｆｕご丁ア１丁う２【ζ５治リセ呼Ｍ（’
１０）１１ヒ１７４’Ｆ（４θクタ！シン好−ト１讐１
（ｋｈ）第 図 千−ジエ噌鴎：づ：工オルＮ−（ｅ）
、第２図は従来技術の含浸形陰極の概略構成を示す断面
模式図、第３図は混合薄膜占有面積比率と９００℃にお
ける飽和電流密度との関係を示す図、第４図は本発明構
成の含浸形陰極と従来構成の含浸形陰極との動作時のエ
ミッション電流の経時変化の比較を示した図、第５図は
本発明構成の含浸形陰極と従来構成の含浸形陰極とにつ
いて、動作初期と動作１００００時間経過後の陰極表面
のオーシェスベク）・ルの比較を示した図である。 ｌ・・耐熱性多孔質基体、２・・・電子放出物τ′１、
：３・・・下地含浸形陰極ぺしット、４・障壁層、５・
・・スリーブ、 ６・・・ヒータ、７・島状混
合薄膜、 ８・・；・昆合薄膜９代理人 芹埋士
小川）扮；ノｊ、−−（＜ 第 図 第２図 第３図 第 図 賽クジに社ａｆｕご丁ア１丁う２【ζ５治リセ呼Ｍ（’
１０）１１ヒ１７４’Ｆ（４θクタ！シン好−ト１讐１
（ｋｈ）第 図 千−ジエ噌鴎：づ：工オルＮ−（ｅ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、耐熱性多孔質基体と、該基体の細孔部に含浸させた
Ｂａを主成分とする電子放出物質と、該基体表面に設け
た少なくともＷとＷおよびＳｃを含む酸化物の混合薄膜
とからなる含浸形陰極において、上記ＷとＷおよびＳｃ
を含む酸化物の混合薄膜が島状に設けられた混合薄膜で
あることを特徴とする含浸形陰極。 ２、上記ＷとＷおよびＳｃを含む酸化物の混合薄膜が陰
極表面積の５０〜９０％を占有していることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の含浸形陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129066A JPH0426032A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 含浸形陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2129066A JPH0426032A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 含浸形陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426032A true JPH0426032A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15000242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2129066A Pending JPH0426032A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 含浸形陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1050438C (zh) * | 1993-10-05 | 2000-03-15 | 株式会社金星社 | 阴极射线管的浸渍型阴极 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2129066A patent/JPH0426032A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1050438C (zh) * | 1993-10-05 | 2000-03-15 | 株式会社金星社 | 阴极射线管的浸渍型阴极 |
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