JPH04260637A - ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法 - Google Patents
ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法Info
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- JPH04260637A JPH04260637A JP3018678A JP1867891A JPH04260637A JP H04260637 A JPH04260637 A JP H04260637A JP 3018678 A JP3018678 A JP 3018678A JP 1867891 A JP1867891 A JP 1867891A JP H04260637 A JPH04260637 A JP H04260637A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種光学基板等におけ
る絶縁体薄膜あるいは／および保護薄膜として、またさ
らに必要に応じて屈折率あるいは／および可視光線透過
率等を種々調整することができる、透明ガラス基板の表
面にＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする
複合薄膜を一層あるいは該薄膜層を少なくとも一層含む
積層薄膜被覆層を被覆形成して成る、ことに単板で使用
できるＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスならびにその製法に
関し、各種ディスプレー基板および各種光学材料品ある
いは各種電子材料品、ならびに建築用あるいは自動車用
の窓材等の広い分野に有用であるものと、効率的でかつ
経済的なその製法を提供するものである。
る絶縁体薄膜あるいは／および保護薄膜として、またさ
らに必要に応じて屈折率あるいは／および可視光線透過
率等を種々調整することができる、透明ガラス基板の表
面にＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする
複合薄膜を一層あるいは該薄膜層を少なくとも一層含む
積層薄膜被覆層を被覆形成して成る、ことに単板で使用
できるＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスならびにその製法に
関し、各種ディスプレー基板および各種光学材料品ある
いは各種電子材料品、ならびに建築用あるいは自動車用
の窓材等の広い分野に有用であるものと、効率的でかつ
経済的なその製法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディスプレー基板の絶縁体薄膜あ
るいは保護薄膜として、また光学材料として低屈折率、
高可視光線透過率あるいは保護等の薄膜としてＳｉＯ薄
膜、ＳｉＮ薄膜などが用いられており、これらのＳｉＯ
薄膜、ＳｉＮ薄膜などは真空薄膜積層装置内に、ＳｉＯ
物あるいはＳｉＮ物のターゲットを設置し、ＲＦスパッ
タリングにより成膜されているものの、スパッタ成膜レ
ートが低く、また例えば屈折率の異なる成膜をする際に
はその都度ターゲットの交換を要する等生産性が劣り、
さらに大面積の基板への成膜に対しては、例えば長さ約
２ｍ程度のターゲットに対応できるＲＦスパッタリング
の電源が非常に高価格になる等のためほとんど使用され
ていないものであった。
るいは保護薄膜として、また光学材料として低屈折率、
高可視光線透過率あるいは保護等の薄膜としてＳｉＯ薄
膜、ＳｉＮ薄膜などが用いられており、これらのＳｉＯ
薄膜、ＳｉＮ薄膜などは真空薄膜積層装置内に、ＳｉＯ
物あるいはＳｉＮ物のターゲットを設置し、ＲＦスパッ
タリングにより成膜されているものの、スパッタ成膜レ
ートが低く、また例えば屈折率の異なる成膜をする際に
はその都度ターゲットの交換を要する等生産性が劣り、
さらに大面積の基板への成膜に対しては、例えば長さ約
２ｍ程度のターゲットに対応できるＲＦスパッタリング
の電源が非常に高価格になる等のためほとんど使用され
ていないものであった。
【０００３】一方、ＤＣ反応スパッタリングでは、例え
ばターゲットとして金属Ｓｉを、また反応ガスとしてＡ
ｒと適量のＮ２ およびＯ２ ガスをそれぞれ用いて、
該雰囲気中で成膜しても短時間のうちにターゲット表面
が高電気抵抗となり、長時間安定して基板にＳｉＯ薄膜
あるいはＳｉＮ薄膜が成膜できなかった。
ばターゲットとして金属Ｓｉを、また反応ガスとしてＡ
ｒと適量のＮ２ およびＯ２ ガスをそれぞれ用いて、
該雰囲気中で成膜しても短時間のうちにターゲット表面
が高電気抵抗となり、長時間安定して基板にＳｉＯ薄膜
あるいはＳｉＮ薄膜が成膜できなかった。
【０００４】さらに、ＤＣ反応スパッタリングでＳｉＣ
Ｏ薄膜を成膜することが特開昭６３ー１１３５０７号公
報あるいは特開平２ー１５７１４１号公報等に記載され
ているが、耐薬品性のなかの特に耐アルカリ性において
優れているというものではなかった。しかも例えば保護
薄膜として、約５００Å程度の膜厚において、可視光線
透過率を任意に選定する場合など必ずしも容易に調整で
きるものではなかった。
Ｏ薄膜を成膜することが特開昭６３ー１１３５０７号公
報あるいは特開平２ー１５７１４１号公報等に記載され
ているが、耐薬品性のなかの特に耐アルカリ性において
優れているというものではなかった。しかも例えば保護
薄膜として、約５００Å程度の膜厚において、可視光線
透過率を任意に選定する場合など必ずしも容易に調整で
きるものではなかった。
【０００５】さらにまた、酸化ケイ素と窒化ケイ素から
なるオキシナイトライド膜について、またＳｉターゲッ
トを用い、所定の比率のＮ２ とＯ２ を含有してなる
ガスとして、ＲＦスパッタリング法により、所定の屈折
率を有するその製造方法についての記載が特開昭６０ー
１１４８１１号公報にあり、スパッタ時のガスの組成を
時間的に変えるのみで例えばＳｉＯ２ 膜からＳｉ３
Ｎ４ 膜の間の任意の屈折率を簡単に種々得ることがで
きるということが開示されているものの、ＤＣスパッタ
リング法では成膜し難く、可視光線透過率も調整し得る
ようなものでもなく、必ずしも耐アルカリ性等に優れて
いるというものではなかった。
なるオキシナイトライド膜について、またＳｉターゲッ
トを用い、所定の比率のＮ２ とＯ２ を含有してなる
ガスとして、ＲＦスパッタリング法により、所定の屈折
率を有するその製造方法についての記載が特開昭６０ー
１１４８１１号公報にあり、スパッタ時のガスの組成を
時間的に変えるのみで例えばＳｉＯ２ 膜からＳｉ３
Ｎ４ 膜の間の任意の屈折率を簡単に種々得ることがで
きるということが開示されているものの、ＤＣスパッタ
リング法では成膜し難く、可視光線透過率も調整し得る
ようなものでもなく、必ずしも耐アルカリ性等に優れて
いるというものではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】前述した従来の各公
報に記載されているように、例えばＲＦスパッタリング
法で所期の屈折率あるいは膜厚を得ようとする際には、
所期の屈折率をもつターゲットに交換設置することある
いは成膜用基板の搬送速度をかなり遅くすること、さら
にはターゲットとＲＦスパッタリング電源を増やさなけ
ればてらないこと等が必要であって、設備投資が必要で
あったり、生産効率の低下等を来すものとなるものであ
る。
報に記載されているように、例えばＲＦスパッタリング
法で所期の屈折率あるいは膜厚を得ようとする際には、
所期の屈折率をもつターゲットに交換設置することある
いは成膜用基板の搬送速度をかなり遅くすること、さら
にはターゲットとＲＦスパッタリング電源を増やさなけ
ればてらないこと等が必要であって、設備投資が必要で
あったり、生産効率の低下等を来すものとなるものであ
る。
【０００７】また、ＲＦスパッタリング法で、例えば約
２ｍ長さの屈折率１．４８であるＳｉＯあるいはＳｉＮ
非金属ターゲットを用いて、大面積の基板に膜厚約５０
０Åの均一な成膜を行う場合、仮に成膜ができたとして
もスパッタ成膜レートは低く長時間を必要とするもので
あり、さらに仮に高出力のＲＦスパッタ電源の製作が可
能であったとしても非常に高額であって、成膜生産コス
トが非常に高くなり実用化に乏しいものである。
２ｍ長さの屈折率１．４８であるＳｉＯあるいはＳｉＮ
非金属ターゲットを用いて、大面積の基板に膜厚約５０
０Åの均一な成膜を行う場合、仮に成膜ができたとして
もスパッタ成膜レートは低く長時間を必要とするもので
あり、さらに仮に高出力のＲＦスパッタ電源の製作が可
能であったとしても非常に高額であって、成膜生産コス
トが非常に高くなり実用化に乏しいものである。
【０００８】さらに、ＤＣマグネトロンスパッタリング
法による通常の成膜装置で成膜した場合、例えば金属Ｓ
ｉターゲットでは該表面に、導入したＯ２ あるいはＮ
２ ガスなどが吸着または反応して高電気抵抗のＳｉＯ
ｘあるいはＳｉｘＮｙを形成した後、さらにターゲット
の表面抵抗がより高抵抗となり、ついにはスパッタが停
止することとなり、仮令ターゲットの表面抵抗が高抵抗
にならないようになる構造になし得たとしても、上述し
た通常の成膜装置を改造あるいは増設しなければならず
、成膜生産コストが非常に高くなり実用に供し得ないも
のである。さらにまたＤＣ反応スパッタリング法による
ＳｉＣＯ薄膜が開示されているが、耐薬品性のなかでも
耐アルカリ性において必ずしも優れている薄膜というも
のではないし、また保護膜として、例えば約５００Åの
膜厚を一定にし、可視光線透過率を任意に選定するよう
にしようとしても容易には調整し難いものである等、上
述した各公報等に記載された事項からは所期の目的を達
成することができないものと言わざるを得ないものであ
った。
法による通常の成膜装置で成膜した場合、例えば金属Ｓ
ｉターゲットでは該表面に、導入したＯ２ あるいはＮ
２ ガスなどが吸着または反応して高電気抵抗のＳｉＯ
ｘあるいはＳｉｘＮｙを形成した後、さらにターゲット
の表面抵抗がより高抵抗となり、ついにはスパッタが停
止することとなり、仮令ターゲットの表面抵抗が高抵抗
にならないようになる構造になし得たとしても、上述し
た通常の成膜装置を改造あるいは増設しなければならず
、成膜生産コストが非常に高くなり実用に供し得ないも
のである。さらにまたＤＣ反応スパッタリング法による
ＳｉＣＯ薄膜が開示されているが、耐薬品性のなかでも
耐アルカリ性において必ずしも優れている薄膜というも
のではないし、また保護膜として、例えば約５００Åの
膜厚を一定にし、可視光線透過率を任意に選定するよう
にしようとしても容易には調整し難いものである等、上
述した各公報等に記載された事項からは所期の目的を達
成することができないものと言わざるを得ないものであ
った。
【０００９】
【問題点を解決するための手段】本発明は、従来のかか
る欠点に鑑みてなしたものであって、安価なＤＣスパッ
タ電源が使用できて、大面積の基板に特定膜厚でかつ均
一な膜厚で成膜し得、スパッタ成膜レートが高くかつ長
時間安定した状態を確保し得る成膜条件ならびに手段、
すなわち生産性に優れたＤＣ反応スパッタリング（ＤＣ
マグネトロン反応スパッタリング）法によって、可視光
線透過率あるいは屈折率が任意に種々選定することがで
き、絶縁膜あるいは保護膜等に有用であって、ことに耐
アルカリ性に対し特異に優れる特定膜厚のＳｉＣＮＯ薄
膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜を一層あ
るいは少なくとも一層被覆して薄膜被覆層を形成して成
るＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法を提供す
るものである。
る欠点に鑑みてなしたものであって、安価なＤＣスパッ
タ電源が使用できて、大面積の基板に特定膜厚でかつ均
一な膜厚で成膜し得、スパッタ成膜レートが高くかつ長
時間安定した状態を確保し得る成膜条件ならびに手段、
すなわち生産性に優れたＤＣ反応スパッタリング（ＤＣ
マグネトロン反応スパッタリング）法によって、可視光
線透過率あるいは屈折率が任意に種々選定することがで
き、絶縁膜あるいは保護膜等に有用であって、ことに耐
アルカリ性に対し特異に優れる特定膜厚のＳｉＣＮＯ薄
膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜を一層あ
るいは少なくとも一層被覆して薄膜被覆層を形成して成
るＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法を提供す
るものである。
【００１０】すなわち、本発明は、透明ガラス基板の表
面に、少なくとも一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜を被覆して一層または多層
の薄膜被覆層を形成して成り、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるい
はＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の膜厚が１０〜５
０００Åであって、かつ耐アルカリ性として３０％Ｎａ
ＯＨ溶液による該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜の膜ベリ量が１０Å／６０℃、３
．５分以下であることを特徴とするＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラス。
面に、少なくとも一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜を被覆して一層または多層
の薄膜被覆層を形成して成り、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるい
はＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の膜厚が１０〜５
０００Åであって、かつ耐アルカリ性として３０％Ｎａ
ＯＨ溶液による該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜の膜ベリ量が１０Å／６０℃、３
．５分以下であることを特徴とするＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラス。
【００１１】ならびに、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳ
ｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の屈折率が１．５〜２
．８であって、かつ該薄膜を少なくとも被覆したＳｉＣ
ＮＯ系薄膜被覆ガラスの可視光線透過率が５〜９０．７
％であることを特徴とする上述したＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラス。
ｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の屈折率が１．５〜２
．８であって、かつ該薄膜を少なくとも被覆したＳｉＣ
ＮＯ系薄膜被覆ガラスの可視光線透過率が５〜９０．７
％であることを特徴とする上述したＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラス。
【００１２】さらに、透明ガラス基板の表面に、少なく
とも一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分
とする複合薄膜を被覆して一層または多層の薄膜被覆層
を形成して成るＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスを製造する
に当たり、真空薄膜積層装置内に、ターゲットとしてＳ
ｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのう
ち少なくとも２種以上の導入ガス雰囲気中において、Ｄ
Ｃ反応スパッタリング法により、膜厚が１０〜５０００
Åの範囲となるＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主
成分とする複合薄膜を成膜することを特徴とするＳｉＣ
ＮＯ系薄膜被覆ガラスの製法をそれぞれ提供するもので
ある。
とも一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分
とする複合薄膜を被覆して一層または多層の薄膜被覆層
を形成して成るＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスを製造する
に当たり、真空薄膜積層装置内に、ターゲットとしてＳ
ｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのう
ち少なくとも２種以上の導入ガス雰囲気中において、Ｄ
Ｃ反応スパッタリング法により、膜厚が１０〜５０００
Åの範囲となるＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主
成分とする複合薄膜を成膜することを特徴とするＳｉＣ
ＮＯ系薄膜被覆ガラスの製法をそれぞれ提供するもので
ある。
【００１３】ここで、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉ
ＣＮＯを主成分とする複合薄膜を用いることとしたのは
、該両薄膜が耐薬品性、ことに耐アルカリ性に優れ、絶
縁性が高くしかも耐摩耗性や耐久性が極めて高くて保護
膜として優れ、さらに他の各種スパッタリング薄膜との
接着力が高く強烈であって、最外側表面はもちろん例え
ばガラス表面と第２層薄膜との間に前記ＳｉＣＮＯ薄膜
あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜を介して用
いたとしても被覆積層薄膜全体の接着力を高めることが
できるとともに、耐薬品性あるいは耐摩耗性や耐久性を
も向上することと成り、さらにまた例えば可視光線透過
率を５〜９０．７％ならびに屈折率を１．５〜２．８程
度と広く種々選定ができる等数々の特性機能を発現する
ものであるからである。さらにまた、他の各種機能性薄
膜と巧みに組み合わせて被覆積層薄膜層を形成すること
ができて、より多機能で有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガ
ラスと成し得るものである。
ＣＮＯを主成分とする複合薄膜を用いることとしたのは
、該両薄膜が耐薬品性、ことに耐アルカリ性に優れ、絶
縁性が高くしかも耐摩耗性や耐久性が極めて高くて保護
膜として優れ、さらに他の各種スパッタリング薄膜との
接着力が高く強烈であって、最外側表面はもちろん例え
ばガラス表面と第２層薄膜との間に前記ＳｉＣＮＯ薄膜
あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜を介して用
いたとしても被覆積層薄膜全体の接着力を高めることが
できるとともに、耐薬品性あるいは耐摩耗性や耐久性を
も向上することと成り、さらにまた例えば可視光線透過
率を５〜９０．７％ならびに屈折率を１．５〜２．８程
度と広く種々選定ができる等数々の特性機能を発現する
ものであるからである。さらにまた、他の各種機能性薄
膜と巧みに組み合わせて被覆積層薄膜層を形成すること
ができて、より多機能で有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガ
ラスと成し得るものである。
【００１４】また前記透明ガラス基板表面に少なくとも
一層被覆する前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜については、ＳｉＣｘＮｙＯｚ薄
膜であってｘ：ｙ：ｚが各種割合の薄膜、あるいはＳｉ
ＣｘＮｙＯｚに例えばＳｉＣＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ等のうち少なくとも１種含有する複合薄膜
を一層または少なくとも一層含む被覆積層薄膜に被覆形
成してＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスに成るようにするも
のであり、該薄膜ならびに複合薄膜は真空薄膜積層装置
内に、ターゲットとしてＳｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ
、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのうち少なくとも２種以上の導入
ガス雰囲気中において、ＤＣ反応スパッタリング法によ
り得るものである。
一層被覆する前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜については、ＳｉＣｘＮｙＯｚ薄
膜であってｘ：ｙ：ｚが各種割合の薄膜、あるいはＳｉ
ＣｘＮｙＯｚに例えばＳｉＣＯ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ、Ｓ
ｉＮ、ＳｉＣ等のうち少なくとも１種含有する複合薄膜
を一層または少なくとも一層含む被覆積層薄膜に被覆形
成してＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスに成るようにするも
のであり、該薄膜ならびに複合薄膜は真空薄膜積層装置
内に、ターゲットとしてＳｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ
、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのうち少なくとも２種以上の導入
ガス雰囲気中において、ＤＣ反応スパッタリング法によ
り得るものである。
【００１５】さらに、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜の膜厚を１０〜５０００Å
としたのは、１０Å未満であれば不均一な薄膜となり易
く、必ずしも頑固な保護膜や充分な絶縁膜等となり難く
、安心して使用できなくなる等が生じるためであり、５
０００Åを超えると保護膜等としてはほぼ充分であって
これ以上厚くしても経済的でなくなるからであり、また
厚ければ厚いほど歪み等も発現し易くなって好ましくな
いためである。好ましくは３０〜３０００Å程度であっ
て、さらにより好ましくは５０〜１０００Å程度である
。
ＮＯを主成分とする複合薄膜の膜厚を１０〜５０００Å
としたのは、１０Å未満であれば不均一な薄膜となり易
く、必ずしも頑固な保護膜や充分な絶縁膜等となり難く
、安心して使用できなくなる等が生じるためであり、５
０００Åを超えると保護膜等としてはほぼ充分であって
これ以上厚くしても経済的でなくなるからであり、また
厚ければ厚いほど歪み等も発現し易くなって好ましくな
いためである。好ましくは３０〜３０００Å程度であっ
て、さらにより好ましくは５０〜１０００Å程度である
。
【００１６】さらにまた、耐アルカリ性として３０％Ｎ
ａＯＨ溶液による該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯ
を主成分とする複合薄膜の膜ベリ量が１０Å／６０℃、
３．５分以下であるとしたのは、１０Å／６０℃、３．
５分を超えるときびしい環境において長時間の使用では
保護膜として充分とは言い難くなる等があるためであり
、保護膜として耐アルカリ性の向上が待望されていると
ころでもあって、これに答えることができるものとする
ためである。
ａＯＨ溶液による該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯ
を主成分とする複合薄膜の膜ベリ量が１０Å／６０℃、
３．５分以下であるとしたのは、１０Å／６０℃、３．
５分を超えるときびしい環境において長時間の使用では
保護膜として充分とは言い難くなる等があるためであり
、保護膜として耐アルカリ性の向上が待望されていると
ころでもあって、これに答えることができるものとする
ためである。
【００１７】さらにまた、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいは
ＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の屈折率が１．５〜
２．８であって、かつ可視光線透過率が５〜９０．７％
であると好ましいものであるとしたのは、屈折率が２．
８を超えると干渉色が発現し易くなって、必ずしも好ま
しいとは言い難くなることもあるためであり、屈折率が
１．５未満では前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯ
を主成分とする複合薄膜自体の屈折率も１．５未満の値
とは制御し難くなり、かつガラス基板自体の屈折率の値
、例えば通常の板ガラスでは約１．５１〜１．５２程度
、ホウ珪酸系ガラスでは約１．４８程度等にちかずいて
しまい、１．５程度の値より低い屈折率に制御する必要
がなくなるためである。また可視光線透過率が９０．７
％を超えるとガラス基板自体の値、例えば通常の板ガラ
スでは約９０．５％程度（板厚：３ｍｍ）にちかずきほ
ぼ同等となって目指すものの上限となり９０．７％程度
を超えるものはほとんど必要ないためであり、可視光線
透過率が５％未満であればほぼ不透明となって透視性が
ほぼなくなり好ましくなくなるためである。
ＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜の屈折率が１．５〜
２．８であって、かつ可視光線透過率が５〜９０．７％
であると好ましいものであるとしたのは、屈折率が２．
８を超えると干渉色が発現し易くなって、必ずしも好ま
しいとは言い難くなることもあるためであり、屈折率が
１．５未満では前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯ
を主成分とする複合薄膜自体の屈折率も１．５未満の値
とは制御し難くなり、かつガラス基板自体の屈折率の値
、例えば通常の板ガラスでは約１．５１〜１．５２程度
、ホウ珪酸系ガラスでは約１．４８程度等にちかずいて
しまい、１．５程度の値より低い屈折率に制御する必要
がなくなるためである。また可視光線透過率が９０．７
％を超えるとガラス基板自体の値、例えば通常の板ガラ
スでは約９０．５％程度（板厚：３ｍｍ）にちかずきほ
ぼ同等となって目指すものの上限となり９０．７％程度
を超えるものはほとんど必要ないためであり、可視光線
透過率が５％未満であればほぼ不透明となって透視性が
ほぼなくなり好ましくなくなるためである。
【００１８】つぎに、成膜方法として前記ＤＣスパッタ
リング法を用いることとしたのは、例えばＲＦスパッタ
リング法では前述したように大面積の基板にスパッタを
することができず、仮に実施するとしても設備の大改造
等を伴う等のもので採用し難く、一方ＤＣスパッタリン
グ法は例えば約３ｍ平方程度の大面積でも、前述したよ
うに導入スパッタガス等の成膜条件において工夫をすれ
ば、そのままの装置で高い成膜レートでもって実施でき
ることを見出したためである。
リング法を用いることとしたのは、例えばＲＦスパッタ
リング法では前述したように大面積の基板にスパッタを
することができず、仮に実施するとしても設備の大改造
等を伴う等のもので採用し難く、一方ＤＣスパッタリン
グ法は例えば約３ｍ平方程度の大面積でも、前述したよ
うに導入スパッタガス等の成膜条件において工夫をすれ
ば、そのままの装置で高い成膜レートでもって実施でき
ることを見出したためである。
【００１９】また該導入スパッタガス等の成膜条件につ
いて、前記真空薄膜積層装置内に、ターゲットとしてＳ
ｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２、Ｎ２ ガスのうち
少なくとも２種以上の導入ガス雰囲気中において行うこ
ととしたのは、少なくともＮ２ ガスを導入スパッタガ
ス中に存在せしめるようにして、前記四種類のガスを巧
みに組み合わせることで、例えばターゲット表面の酸化
現象を極めて低減させ、成膜レートが低下することある
いはついにはスパッタできなくなりストップせざるを得
ない事態となる現象を防止できるようになり、しかも前
記ＳｉＣｘＮｙＯｘのｘ：ｙ：ｚを調整して、成膜した
前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする
複合薄膜自体の耐アルカリ性を充分高いものとすること
ができ、該薄膜の屈折率あるいは可視光線透過率ならび
に色調等を制御することができることとなる等のためで
ある。なお、前記導入スパッタガス中に存在する酸素ガ
ス量には、装置あるいは成膜条件等によって異なるがあ
る上限値があるものである。
いて、前記真空薄膜積層装置内に、ターゲットとしてＳ
ｉＣを用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２、Ｎ２ ガスのうち
少なくとも２種以上の導入ガス雰囲気中において行うこ
ととしたのは、少なくともＮ２ ガスを導入スパッタガ
ス中に存在せしめるようにして、前記四種類のガスを巧
みに組み合わせることで、例えばターゲット表面の酸化
現象を極めて低減させ、成膜レートが低下することある
いはついにはスパッタできなくなりストップせざるを得
ない事態となる現象を防止できるようになり、しかも前
記ＳｉＣｘＮｙＯｘのｘ：ｙ：ｚを調整して、成膜した
前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする
複合薄膜自体の耐アルカリ性を充分高いものとすること
ができ、該薄膜の屈折率あるいは可視光線透過率ならび
に色調等を制御することができることとなる等のためで
ある。なお、前記導入スパッタガス中に存在する酸素ガ
ス量には、装置あるいは成膜条件等によって異なるがあ
る上限値があるものである。
【００２０】なお、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜の色調については、例えば
ＳＩＣｘＮｙＯｚ薄膜においてｘ：ｙ：ｚの割合を種々
の値に組み合わせることで、透過色についてはゴールド
色調、淡い褐色色調、無色透明等に、また反射色につい
てはゴールド色調、シルバー色調あるいは赤〜緑〜青色
調、無色透明等にすることができるものである。
ＮＯを主成分とする複合薄膜の色調については、例えば
ＳＩＣｘＮｙＯｚ薄膜においてｘ：ｙ：ｚの割合を種々
の値に組み合わせることで、透過色についてはゴールド
色調、淡い褐色色調、無色透明等に、また反射色につい
てはゴールド色調、シルバー色調あるいは赤〜緑〜青色
調、無色透明等にすることができるものである。
【００２１】さらに、ガラス基板としては、透明ガラス
であればよいが、特にブルー、ブロンズ、グレーあるい
はグリーンガラス等でもよく、ブルーあるいはゴールド
、グリーン系色調を得やすいものであればより好ましい
ものである。また単板で使用できることはもとより、複
層あるいは合せガラスとしても使用できることは言うま
でもない。さらにまた、ガラス基板が無機質であること
はもちろん、有機質でもよいことは言うまでもない。
であればよいが、特にブルー、ブロンズ、グレーあるい
はグリーンガラス等でもよく、ブルーあるいはゴールド
、グリーン系色調を得やすいものであればより好ましい
ものである。また単板で使用できることはもとより、複
層あるいは合せガラスとしても使用できることは言うま
でもない。さらにまた、ガラス基板が無機質であること
はもちろん、有機質でもよいことは言うまでもない。
【００２２】
【作用】前述したとおり、本発明のＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラスの製法は、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜を成膜するに当たり、ＲＦ
スパッタリング法ではなく、従来の装置そのままのＤＣ
スパッタ電源とＳｉＣターゲットを用い、導入ガスとし
てＡｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのうち少なくと
も２種以上の構成であってかつ該導入ガス濃度を適宜任
意に調整した導入ガス雰囲気中においてＤＣマグネトロ
ン反応スパッタリング法により、長時間安定した状態で
スパッタできしかも高いスパッタ成膜レートを可能とし
達成し、また大面積の基板にも支障なく充分成膜できる
等、低投資で優れた生産性をもたらす製法であって、こ
れによって成したＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜は、該薄膜、ことにＳｉＣｘＮｙ
Ｏｚ薄膜のｘ：ｙ：ｚを適宜任意に選定してその量比を
変えた薄膜ならびに該薄膜の所定範囲の膜厚を適宜巧み
に組み合わしたものとすることで、種々任意の屈折率お
よび可視光線透過率、あるいは色調を無色透明から各種
色合い等と幅広く任意に選定できるものとなり、さらに
特に該薄膜中にＮを少なくとも含有した前記ーＣＮＯの
ｘ：ｙ：ｚ量比によるバランスによって優れた耐アルカ
リ性を有するものとなって高耐薬品性となり、しかも高
耐摩耗性、高電気抵抗、高耐久性であって、保護薄膜あ
るいは絶縁薄膜さらには接着積層薄膜として優れたもの
となり、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分
とする複合薄膜を一層あるいは少なくとも一層を有する
多層の薄膜被覆層を被覆したガラス基板は広い分野で採
用し得るものとなり、ことに各種ディスプレー基板、各
種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建築用あるい
は自動車用の窓材、ことに単板として使用できて有用な
ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスとなるものである。
覆ガラスの製法は、前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣ
ＮＯを主成分とする複合薄膜を成膜するに当たり、ＲＦ
スパッタリング法ではなく、従来の装置そのままのＤＣ
スパッタ電源とＳｉＣターゲットを用い、導入ガスとし
てＡｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２ 、Ｎ２ ガスのうち少なくと
も２種以上の構成であってかつ該導入ガス濃度を適宜任
意に調整した導入ガス雰囲気中においてＤＣマグネトロ
ン反応スパッタリング法により、長時間安定した状態で
スパッタできしかも高いスパッタ成膜レートを可能とし
達成し、また大面積の基板にも支障なく充分成膜できる
等、低投資で優れた生産性をもたらす製法であって、こ
れによって成したＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを
主成分とする複合薄膜は、該薄膜、ことにＳｉＣｘＮｙ
Ｏｚ薄膜のｘ：ｙ：ｚを適宜任意に選定してその量比を
変えた薄膜ならびに該薄膜の所定範囲の膜厚を適宜巧み
に組み合わしたものとすることで、種々任意の屈折率お
よび可視光線透過率、あるいは色調を無色透明から各種
色合い等と幅広く任意に選定できるものとなり、さらに
特に該薄膜中にＮを少なくとも含有した前記ーＣＮＯの
ｘ：ｙ：ｚ量比によるバランスによって優れた耐アルカ
リ性を有するものとなって高耐薬品性となり、しかも高
耐摩耗性、高電気抵抗、高耐久性であって、保護薄膜あ
るいは絶縁薄膜さらには接着積層薄膜として優れたもの
となり、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分
とする複合薄膜を一層あるいは少なくとも一層を有する
多層の薄膜被覆層を被覆したガラス基板は広い分野で採
用し得るものとなり、ことに各種ディスプレー基板、各
種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建築用あるい
は自動車用の窓材、ことに単板として使用できて有用な
ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスとなるものである。
【００２３】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
る。ただし本発明は係る実施例に限定されるものではな
い。
【００２４】実施例１
大きさ６１０×６１０ｍｍ２ 、厚さ３ｍｍのクリアー
ガラス基板（ＦＬ３）を中性洗剤、水すすぎ、イソプロ
ピルアルコールで順次洗浄し、乾燥した後、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置の真空槽内にセットしてある
ＳｉＣターゲットに対向して上方を往復通過できるよう
セットし、つぎに前記槽内を真空ポンプで約５×１０−
６Ｔｏｒｒまでに脱気した後、該真空槽内にＡｒ、Ｏ２
、Ｎ２ ガスをｗｔ％でＡｒ８９、Ｏ２ １０、Ｎ２
４０の量比の混合ガス濃度になるよう調整し導入して
真空度を約３×１０−３Ｔｏｒｒに保持し、前記ＳｉＣ
ターゲットに約２ＫＷの電力を印加し、前記三つの混合
ガスによるＤＣマグネトロンスパッタの中を、前記Ｓｉ
Ｃターゲット上方においてスピード約３５ｍｍ／ｍｉｎ
で前記ガラス基板を搬送することによって約１０２０Å
厚さのＳｉＣＮＯ薄膜を前記ガラス基板表面に成膜した
。成膜が完了した後、ＳｉＣターゲットへの印加を停止
する。
ガラス基板（ＦＬ３）を中性洗剤、水すすぎ、イソプロ
ピルアルコールで順次洗浄し、乾燥した後、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング装置の真空槽内にセットしてある
ＳｉＣターゲットに対向して上方を往復通過できるよう
セットし、つぎに前記槽内を真空ポンプで約５×１０−
６Ｔｏｒｒまでに脱気した後、該真空槽内にＡｒ、Ｏ２
、Ｎ２ ガスをｗｔ％でＡｒ８９、Ｏ２ １０、Ｎ２
４０の量比の混合ガス濃度になるよう調整し導入して
真空度を約３×１０−３Ｔｏｒｒに保持し、前記ＳｉＣ
ターゲットに約２ＫＷの電力を印加し、前記三つの混合
ガスによるＤＣマグネトロンスパッタの中を、前記Ｓｉ
Ｃターゲット上方においてスピード約３５ｍｍ／ｍｉｎ
で前記ガラス基板を搬送することによって約１０２０Å
厚さのＳｉＣＮＯ薄膜を前記ガラス基板表面に成膜した
。成膜が完了した後、ＳｉＣターゲットへの印加を停止
する。
【００２５】得られた単層薄膜を有するＳｉＣＮＯ系薄
膜被覆ガラスについて、可視光線透過率（３８０〜７８
０ｎｍ）については、３４０型自記分光光度計（日立製
作所製）とＪＩＳＺ８７２２、ＪＩＳＲ３１０６によっ
てそれぞれその光学的特性を求めた。
膜被覆ガラスについて、可視光線透過率（３８０〜７８
０ｎｍ）については、３４０型自記分光光度計（日立製
作所製）とＪＩＳＺ８７２２、ＪＩＳＲ３１０６によっ
てそれぞれその光学的特性を求めた。
【００２６】次に、耐薬品性のうち耐酸試験については
、温度約２５℃の所定の硝フッ酸溶液中に前記試験片を
約３．５分間浸漬した後における膜ベリ量（Å）ならび
に常温で１規定のＨＣｌ溶液中に前記試験片を約６時間
浸漬した後における膜の劣化状態を見て判断したもので
あり、耐アルカリ試験については、温度約６０℃の約３
０％ＮａＯＨ溶液中に前記試験片を約３．５分間浸漬し
た後における膜ベリ量（Å）ならびに常温で１規定のＮ
ａＯＨ溶液に試験片を約６時間浸漬した後における膜の
劣化状態を見て判断したものである。
、温度約２５℃の所定の硝フッ酸溶液中に前記試験片を
約３．５分間浸漬した後における膜ベリ量（Å）ならび
に常温で１規定のＨＣｌ溶液中に前記試験片を約６時間
浸漬した後における膜の劣化状態を見て判断したもので
あり、耐アルカリ試験については、温度約６０℃の約３
０％ＮａＯＨ溶液中に前記試験片を約３．５分間浸漬し
た後における膜ベリ量（Å）ならびに常温で１規定のＮ
ａＯＨ溶液に試験片を約６時間浸漬した後における膜の
劣化状態を見て判断したものである。
【００２７】またエンピツ引っ掻き強度については、Ｊ
ＩＳ認定エンピツで行い判定した。さらに絶縁抵抗につ
いては、三菱油化製表面高抵抗計（ ＨＩＲＥＳＴＡ
ＨＴー２１０）によって測定したものである。またさ
らに、屈折率については、島津製作所製エリプソメータ
によって測定することで得た。
ＩＳ認定エンピツで行い判定した。さらに絶縁抵抗につ
いては、三菱油化製表面高抵抗計（ ＨＩＲＥＳＴＡ
ＨＴー２１０）によって測定したものである。またさ
らに、屈折率については、島津製作所製エリプソメータ
によって測定することで得た。
【００２８】表１より明らかなように、従来例である比
較例の各薄膜に比してことに耐アルカリ性が充分向上し
ており、耐摩耗性、耐薬品性、耐候性、耐久性を有し、
絶縁体膜あるいは保護膜等として優れ、色調も透過色が
無色透明で反射色がイエロー色となり、各種ディスプレ
ー基板、各種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建
築用あるいは自動車用の窓材、ことに単板として等幅広
い分野において有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスと成
り、しかもＤＣスパッタリング法でそのままの装置にお
いて高い成膜レートで安定して成し得、高効率で優れた
経済性をもって成し得ることができ、所期のめざすもの
とすることができた。
較例の各薄膜に比してことに耐アルカリ性が充分向上し
ており、耐摩耗性、耐薬品性、耐候性、耐久性を有し、
絶縁体膜あるいは保護膜等として優れ、色調も透過色が
無色透明で反射色がイエロー色となり、各種ディスプレ
ー基板、各種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建
築用あるいは自動車用の窓材、ことに単板として等幅広
い分野において有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスと成
り、しかもＤＣスパッタリング法でそのままの装置にお
いて高い成膜レートで安定して成し得、高効率で優れた
経済性をもって成し得ることができ、所期のめざすもの
とすることができた。
【００２９】実施例２〜９
実施例１と同様の方法によって、表１に示すような単層
の薄膜およびその膜厚を得て、その薄膜において実施例
１で示したと同様の測定法等によって、同様の評価手段
で行い、その結果を表１にそれぞれ示す。
の薄膜およびその膜厚を得て、その薄膜において実施例
１で示したと同様の測定法等によって、同様の評価手段
で行い、その結果を表１にそれぞれ示す。
【００３０】表１より明らかなように、各実施例共、実
施例１と同様のものが得られ、従来例である比較例の各
薄膜に比してことに耐アルカリ性が充分向上しており、
耐摩耗性、耐薬品性、耐候性、耐久性を有し、必要に応
じて屈折率ならびに可視光線透過率を任意に種々選定で
き、絶縁体膜あるいは保護膜等として優れ、色調も無色
透明から各種色合いを得ることができ、各種ディスプレ
ー基板、各種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建
築用あるいは自動車用の窓材、ことに単板として等幅広
い分野において有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスと成
り、しかもＤＣスパッタリング法でそのままの装置にお
いて高い成膜レートで安定して成し得、高効率で優れた
経済性をもって成し得ることができ、所期のめざすもの
とすることができた。
施例１と同様のものが得られ、従来例である比較例の各
薄膜に比してことに耐アルカリ性が充分向上しており、
耐摩耗性、耐薬品性、耐候性、耐久性を有し、必要に応
じて屈折率ならびに可視光線透過率を任意に種々選定で
き、絶縁体膜あるいは保護膜等として優れ、色調も無色
透明から各種色合いを得ることができ、各種ディスプレ
ー基板、各種光学材料品、各種電子材料品、ならびに建
築用あるいは自動車用の窓材、ことに単板として等幅広
い分野において有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスと成
り、しかもＤＣスパッタリング法でそのままの装置にお
いて高い成膜レートで安定して成し得、高効率で優れた
経済性をもって成し得ることができ、所期のめざすもの
とすることができた。
【００３１】比較例１〜３
実施例１と同様の方法によって表１に示すような単層薄
膜を得、その薄膜において、実施例１と同様の測定法、
同様の評価手段で行い、その結果を表１にそれぞれ示す
。
膜を得、その薄膜において、実施例１と同様の測定法、
同様の評価手段で行い、その結果を表１にそれぞれ示す
。
【００３２】それぞれ、各実施例に比して、耐薬品性、
ことに耐アルカリ性が劣り、成膜レートも低く、ことに
ＲＦスパッタリングにおいてはＳｉＯあるいはＳｉＣＯ
薄膜ではあるがかなり成膜レートが悪く、長く安定して
スパッタ操業をすることができ難いものであって、ＤＣ
スパッタにおいてのＳｉＣＯ薄膜でも成膜レートが多少
低下することとなるとともに、長時間安定してスパッタ
操業をすることができ難いものであった。
ことに耐アルカリ性が劣り、成膜レートも低く、ことに
ＲＦスパッタリングにおいてはＳｉＯあるいはＳｉＣＯ
薄膜ではあるがかなり成膜レートが悪く、長く安定して
スパッタ操業をすることができ難いものであって、ＤＣ
スパッタにおいてのＳｉＣＯ薄膜でも成膜レートが多少
低下することとなるとともに、長時間安定してスパッタ
操業をすることができ難いものであった。
【００３３】
【表１】
【００３４】実施例１０、１１ならびに比較例４前記実
施例と同様の方法によって表２に示すような単層と２層
薄膜を得、その薄膜構成において、ＳｉＣＮＯ薄膜の接
着力ならびに膜強度を評価するため、膜の耐摩耗性テス
トであるテーバー試験を行い、ヘーズ（曇り具合）値の
変化量（△Ｈ％）で示した。すなわち、テーバー試験機
（ＭＯＤＥＬ５０３、ＴＹＢＥＲ社製）に膜面を上にし
た１０ｃｍ角の試験片をセットし、膜面に荷重５００ｇ
のかかった摩耗輪（ＣＳー１０Ｆ）が２ケ所で当たるよ
うになっているもので、３００回回転した後、ヘーズメ
ーター（日本電色工業製、ＮＤＨー２０Ｄ）によって測
定し、試験前の測定値と対比し、その変化量（△Ｈ％）
をもって表した数値である。
施例と同様の方法によって表２に示すような単層と２層
薄膜を得、その薄膜構成において、ＳｉＣＮＯ薄膜の接
着力ならびに膜強度を評価するため、膜の耐摩耗性テス
トであるテーバー試験を行い、ヘーズ（曇り具合）値の
変化量（△Ｈ％）で示した。すなわち、テーバー試験機
（ＭＯＤＥＬ５０３、ＴＹＢＥＲ社製）に膜面を上にし
た１０ｃｍ角の試験片をセットし、膜面に荷重５００ｇ
のかかった摩耗輪（ＣＳー１０Ｆ）が２ケ所で当たるよ
うになっているもので、３００回回転した後、ヘーズメ
ーター（日本電色工業製、ＮＤＨー２０Ｄ）によって測
定し、試験前の測定値と対比し、その変化量（△Ｈ％）
をもって表した数値である。
【００３５】表２に示すように、前記ＳｉＣＮＯ薄膜は
保護膜として優れているだけではなく接着力も優れ、多
層薄膜における接着層的な役目も含めた多機能を有する
薄膜として有用であることが明らかである。
保護膜として優れているだけではなく接着力も優れ、多
層薄膜における接着層的な役目も含めた多機能を有する
薄膜として有用であることが明らかである。
【００３６】
【表２】
【００３７】
【発明の効果】以上前述したように、本発明は通常のＤ
Ｃマグネトロン反応スパッタリング法でＳｉＣターゲッ
トを用い、Ａｒ、Ｎ２ 、Ｏ２ 、Ｎ２ Ｏの四種類の
導入ガスを各種量比で少なくとも２種類巧みに組み合わ
せて任意に調整して導入ガス雰囲気中にて、反応スパッ
タすることで、長時間安定して高成膜レートで、しかも
大面積基板をも充分成膜できることとなる等、安価で効
率良く巧みに成膜できることとなり、該ＳｉＣＮＯ薄膜
あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜は耐薬品性
、ことに耐アルカリ性に優れ、高耐摩耗性、高耐久性、
高電気抵抗であるものであって、しかも屈折率、可視光
線透過率ならびに色調を適宜巧みに制御できたものとな
り、さらに高接着薄膜層的な役目も兼ね備えて例えば多
層積層薄膜自体をも高強度膜とせしめることができ、さ
らにまた他の各種機能薄膜と組み合わせてより優れた多
機能な多層積層薄膜となり、該薄膜被覆層を被覆形成す
るガラス基板は、単板で充分使用できて、各種ディスプ
レー基板、各種フィルターなどの光学材料品、電子材料
品、ならびに建築用あるいは自動車用窓材等に採用でき
るものとなり、幅広い分野で有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラスおよびその製法を提供するものである。
Ｃマグネトロン反応スパッタリング法でＳｉＣターゲッ
トを用い、Ａｒ、Ｎ２ 、Ｏ２ 、Ｎ２ Ｏの四種類の
導入ガスを各種量比で少なくとも２種類巧みに組み合わ
せて任意に調整して導入ガス雰囲気中にて、反応スパッ
タすることで、長時間安定して高成膜レートで、しかも
大面積基板をも充分成膜できることとなる等、安価で効
率良く巧みに成膜できることとなり、該ＳｉＣＮＯ薄膜
あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合薄膜は耐薬品性
、ことに耐アルカリ性に優れ、高耐摩耗性、高耐久性、
高電気抵抗であるものであって、しかも屈折率、可視光
線透過率ならびに色調を適宜巧みに制御できたものとな
り、さらに高接着薄膜層的な役目も兼ね備えて例えば多
層積層薄膜自体をも高強度膜とせしめることができ、さ
らにまた他の各種機能薄膜と組み合わせてより優れた多
機能な多層積層薄膜となり、該薄膜被覆層を被覆形成す
るガラス基板は、単板で充分使用できて、各種ディスプ
レー基板、各種フィルターなどの光学材料品、電子材料
品、ならびに建築用あるいは自動車用窓材等に採用でき
るものとなり、幅広い分野で有用なＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラスおよびその製法を提供するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明ガラス基板の表面に、少なくとも
一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とす
る複合薄膜を被覆して一層または多層の薄膜被覆層を形
成して成り、該ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主
成分とする複合薄膜の膜厚が１０〜５０００Åであって
、かつ耐アルカリ性として３０％ＮａＯＨ溶液による該
ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とする複合
薄膜の膜ベリ量が１０Å／６０℃、３．５分以下である
ことを特徴とするＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラス。 - 【請求項２】 前記ＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮ
Ｏを主成分とする複合薄膜の屈折率が１．５〜２．８で
あって、かつ該薄膜を少なくとも被覆したＳｉＣＮＯ系
薄膜被覆ガラスの可視光線透過率が５〜９０．７％であ
ることを特徴とする請求項１記載のＳｉＣＮＯ系薄膜被
覆ガラス。 - 【請求項３】 透明ガラス基板の表面に、少なくとも
一層のＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分とす
る複合薄膜を被覆して一層または多層の薄膜被覆層を形
成して成るＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスを製造するに当
たり、真空薄膜積層装置内に、ターゲットとしてＳｉＣ
を用い、Ａｒ、Ｎ２ Ｏ、Ｏ２、Ｎ２ ガスのうち少な
くとも２種以上の導入ガス雰囲気中において、ＤＣ反応
スパッタリング法により、膜厚が１０〜５０００Åの範
囲となるＳｉＣＮＯ薄膜あるいはＳｉＣＮＯを主成分と
する複合薄膜を成膜することを特徴とするＳｉＣＮＯ系
薄膜被覆ガラスの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018678A JPH04260637A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3018678A JPH04260637A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260637A true JPH04260637A (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=11978270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018678A Pending JPH04260637A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | ＳｉＣＮＯ系薄膜被覆ガラスおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04260637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013216A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Bridgestone Corp | 透明薄膜の成膜方法 |
| US6774418B2 (en) * | 2000-02-22 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric silicon oxynitride spacer films and devices incorporating such films |
| US6800182B2 (en) | 1999-10-13 | 2004-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering target, process for its production and film forming method |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3018678A patent/JPH04260637A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800182B2 (en) | 1999-10-13 | 2004-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering target, process for its production and film forming method |
| US6774418B2 (en) * | 2000-02-22 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric silicon oxynitride spacer films and devices incorporating such films |
| JP2003013216A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Bridgestone Corp | 透明薄膜の成膜方法 |
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