JPH04261081A - 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 - Google Patents
多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04261081A JPH04261081A JP735491A JP735491A JPH04261081A JP H04261081 A JPH04261081 A JP H04261081A JP 735491 A JP735491 A JP 735491A JP 735491 A JP735491 A JP 735491A JP H04261081 A JPH04261081 A JP H04261081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- active layers
- different
- laser
- quantum well
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多波長半導体レ−ザア
レイおよびその製造方法に関するものである。
レイおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の多波長半導体レ−ザアレイ
を示す斜視図である。この図において、１はｎ−ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３は多重
量子井戸（ＭＱＷ）活性層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上ク
ラッド層、５はｐ−ＧａＡｓ層、６は第１の回折格子、
７は第２の回折格子、８は第３の回折格子、９はＺｎ拡
散領域、１０は第１の発光領域、１１は第２の発光領域
、１２は第３の発光領域、１３は分離溝である。
を示す斜視図である。この図において、１はｎ−ＧａＡ
ｓ基板、２はｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層、３は多重
量子井戸（ＭＱＷ）活性層、４はｐ−ＡｌＧａＡｓ上ク
ラッド層、５はｐ−ＧａＡｓ層、６は第１の回折格子、
７は第２の回折格子、８は第３の回折格子、９はＺｎ拡
散領域、１０は第１の発光領域、１１は第２の発光領域
、１２は第３の発光領域、１３は分離溝である。
【０００３】次に、構造および動作について説明する。
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのＭＱＷ層によって構成される
活性層３は、第１〜第３の発光領域１０，１１，１２を
除いてＺｎ拡散によって無秩序化されており、導波路を
構成している。そして、各レ−ザ素子は分離溝１３によ
って分離されている。各レ−ザ素子には各々周期の異な
る第１〜第３の回折格子６，７，８が形成されており、
各レ−ザ素子の第１〜第３の発光領域１０〜１３から各
々の回折格子６〜８の周期に応じた波長の異なるレ−ザ
光が出力される。
活性層３は、第１〜第３の発光領域１０，１１，１２を
除いてＺｎ拡散によって無秩序化されており、導波路を
構成している。そして、各レ−ザ素子は分離溝１３によ
って分離されている。各レ−ザ素子には各々周期の異な
る第１〜第３の回折格子６，７，８が形成されており、
各レ−ザ素子の第１〜第３の発光領域１０〜１３から各
々の回折格子６〜８の周期に応じた波長の異なるレ−ザ
光が出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の多波長半導体レ
−ザアレイは以上のように構成されているので、周期の
異なる回折格子を各レ−ザ素子に対応して作製する必要
がある等構造および工程が複雑になる問題点があった。
−ザアレイは以上のように構成されているので、周期の
異なる回折格子を各レ−ザ素子に対応して作製する必要
がある等構造および工程が複雑になる問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、構造が簡単で、かつ簡単な製造
工程により多波長半導体レ−ザアレイを得ることを目的
とする。
ためになされたもので、構造が簡単で、かつ簡単な製造
工程により多波長半導体レ−ザアレイを得ることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
多波長半導体レ−ザアレイは、各レ−ザ素子の活性層を
各々厚さの異なる量子井戸層によって構成したものであ
る。
多波長半導体レ−ザアレイは、各レ−ザ素子の活性層を
各々厚さの異なる量子井戸層によって構成したものであ
る。
【０００７】また、請求項２に係る多波長半導体レ−ザ
アレイの製造方法は、有機金属気相成長法によって結晶
成長する際に、各レ−ザ素子を形成する基板の位置に対
応して強度の異なるレ−ザ光を照射しながら成長を行う
ものである。
アレイの製造方法は、有機金属気相成長法によって結晶
成長する際に、各レ−ザ素子を形成する基板の位置に対
応して強度の異なるレ−ザ光を照射しながら成長を行う
ものである。
【０００８】
【作用】本発明における多波長半導体レ−ザアレイは、
各レ−ザ素子の量子井戸活性層の量子井戸の厚さを各々
異なるものとしたので、各々のレ−ザ素子は異なる発振
波長を持つ。
各レ−ザ素子の量子井戸活性層の量子井戸の厚さを各々
異なるものとしたので、各々のレ−ザ素子は異なる発振
波長を持つ。
【０００９】また、本発明における多波長半導体レ−ザ
アレイの製造方法は、有機金属気相成長法による結晶の
成長速度が、照射されるレ−ザ光の強度に比例すること
から位置により異なる厚さの結晶成長層が形成される。
アレイの製造方法は、有機金属気相成長法による結晶の
成長速度が、照射されるレ−ザ光の強度に比例すること
から位置により異なる厚さの結晶成長層が形成される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。図１において、１０１，１０２，１０３はそれぞ
れ厚さの異なる量子井戸を持つ第１〜第３のＭＱＷ活性
層である。１１１，１１２，１１３はそれぞれ強度の異
なる第１〜第３のレ−ザ光であり、その他の図２と同一
符号は同一または相当部分を示す。
する。図１において、１０１，１０２，１０３はそれぞ
れ厚さの異なる量子井戸を持つ第１〜第３のＭＱＷ活性
層である。１１１，１１２，１１３はそれぞれ強度の異
なる第１〜第３のレ−ザ光であり、その他の図２と同一
符号は同一または相当部分を示す。
【００１１】次に、製造方法とともにその構造について
説明する。有機金属気相成長法によって結晶を成長する
際にレ−ザ光を基板に照射すると、レ−ザ光の強度に比
例して成長速度が増加することが一般に知られている。
説明する。有機金属気相成長法によって結晶を成長する
際にレ−ザ光を基板に照射すると、レ−ザ光の強度に比
例して成長速度が増加することが一般に知られている。
【００１２】図１（ａ）において、量子井戸活性層を有
機金属気相成長法によって成長する際、ｎ−ＧａＡｓ基
板１の位置によって、照射する第１〜第３のレ−ザ光１
１１，１１２，１１３の強度を異なるものにし、量子井
戸の厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層１０１，１
０２，１０３をそれぞれ形成する（その他の層はレ−ザ
光を用いない通常の方法で成長する。）。次に、図１（
ｂ）において、厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層
１０１〜１０３に対応した各部分に、Ｚｎ拡散領域９に
よるＭＱＷ層の無秩序化技術などを用いてレ−ザ素子を
形成し、境界部分を分離溝１３で分離する。ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１上に形成された各レ−ザ素子は第１〜第３のＭ
ＱＷ活性層１０１〜１０３の量子井戸厚がそれぞれ異な
るため発振波長が異なり、多波長レ−ザアレイが形成さ
れる。
機金属気相成長法によって成長する際、ｎ−ＧａＡｓ基
板１の位置によって、照射する第１〜第３のレ−ザ光１
１１，１１２，１１３の強度を異なるものにし、量子井
戸の厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層１０１，１
０２，１０３をそれぞれ形成する（その他の層はレ−ザ
光を用いない通常の方法で成長する。）。次に、図１（
ｂ）において、厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層
１０１〜１０３に対応した各部分に、Ｚｎ拡散領域９に
よるＭＱＷ層の無秩序化技術などを用いてレ−ザ素子を
形成し、境界部分を分離溝１３で分離する。ｎ−ＧａＡ
ｓ基板１上に形成された各レ−ザ素子は第１〜第３のＭ
ＱＷ活性層１０１〜１０３の量子井戸厚がそれぞれ異な
るため発振波長が異なり、多波長レ−ザアレイが形成さ
れる。
【００１３】なお、上記実施例では各レ−ザ光１１１〜
１１３の強度を３種類として３点アレイとしたが、さら
にレ−ザ光の強度の種類を多くすることにより、４点以
上のアレイを作製することも可能である。
１１３の強度を３種類として３点アレイとしたが、さら
にレ−ザ光の強度の種類を多くすることにより、４点以
上のアレイを作製することも可能である。
【００１４】また、レ−ザ光を用いた有機金属気相成長
法によって厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層１０
１〜１０３を形成したが、多数回の選択成長によっても
形成できる。さらに、Ｚｎ拡散によるＭＱＷ活性層の無
秩序化技術を用いて各レ−ザ素子を形成したが、その他
の方法、例えば、ＭＱＷ活性層の埋め込み成長技術など
によって形成しても良い。また、本例ではＧａＡｓ系の
材料を用いているが他の材料、例えばＩｎＰ系の材料を
用いても良い。
法によって厚さの異なる第１〜第３のＭＱＷ活性層１０
１〜１０３を形成したが、多数回の選択成長によっても
形成できる。さらに、Ｚｎ拡散によるＭＱＷ活性層の無
秩序化技術を用いて各レ−ザ素子を形成したが、その他
の方法、例えば、ＭＱＷ活性層の埋め込み成長技術など
によって形成しても良い。また、本例ではＧａＡｓ系の
材料を用いているが他の材料、例えばＩｎＰ系の材料を
用いても良い。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば各レ−ザ素子の活性層を厚さの異なる量子井戸で
構成したことにより、簡単な構造の多波長レ−ザアレイ
が得られる効果がある。
よれば各レ−ザ素子の活性層を厚さの異なる量子井戸で
構成したことにより、簡単な構造の多波長レ−ザアレイ
が得られる効果がある。
【００１６】また、請求項２の発明によれば半導体基板
の各位置によって異なる強度のレ−ザ光を照射しながら
有機金属気相成長法によって結晶成長することにより簡
単な工程により半導体基板の位置によって異なる厚さの
結晶成長層が作製でき、したがって、従来のように各レ
−ザ素子ごとに周期の異なる回折格子を形成することな
く多波長半導体レ−ザアレイが得られる効果がある。
の各位置によって異なる強度のレ−ザ光を照射しながら
有機金属気相成長法によって結晶成長することにより簡
単な工程により半導体基板の位置によって異なる厚さの
結晶成長層が作製でき、したがって、従来のように各レ
−ザ素子ごとに周期の異なる回折格子を形成することな
く多波長半導体レ−ザアレイが得られる効果がある。
【図１】図１は本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図２は従来の多波長半導体レ−ザレ−ザアレイ
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
１ ｎ−ＧａＡｓ基板
２ ｎ−ＡｌＧａＡｓ下クラッド層９
Ｚｎ拡散領域 １３ 分離溝 １０１ 第１のＭＱＷ活性層 １０２ 第２のＭＱＷ活性層 １０３ 第３のＭＱＷ活性層 １１１ 第１のレ−ザ光 １１２ 第２のレ−ザ光 １１３ 第３のレ−ザ光
Ｚｎ拡散領域 １３ 分離溝 １０１ 第１のＭＱＷ活性層 １０２ 第２のＭＱＷ活性層 １０３ 第３のＭＱＷ活性層 １１１ 第１のレ−ザ光 １１２ 第２のレ−ザ光 １１３ 第３のレ−ザ光
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも２素子以上の半導体レ−ザ
素子から構成される半導体レ−ザアレイにおいて、前記
各レ−ザ素子の活性層が各々レ−ザ素子別に異なる厚さ
の量子井戸によって構成されていることを特徴とする多
波長半導体レ−ザアレイ。 - 【請求項２】 半導体基板の位置によって異なる強度
のレ−ザ光を照射しながら有機金属気相成長法によって
半導体結晶を成長させて厚さの異なる量子井戸活性層を
形成し、これら厚さの異なる量子井戸活性層に対応した
部分を無秩序化して半導体レ−ザ素子を形成し、前記厚
さの異なる量子井戸活性層の境界部分を分離溝で分離す
ることを特徴とする多波長半導体レ−ザアレイの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP735491A JPH04261081A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP735491A JPH04261081A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261081A true JPH04261081A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=11663625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP735491A Pending JPH04261081A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04261081A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161486A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62134986A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63153877A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS63156384A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6450587A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Seiko Epson Corp | Multi wavelength integrated semiconductor laser |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP735491A patent/JPH04261081A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161486A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62134986A (ja) * | 1985-12-09 | 1987-06-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS63153877A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-27 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPS63156384A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6450587A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Seiko Epson Corp | Multi wavelength integrated semiconductor laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5465263A (en) | Monolithic, multiple wavelength, dual polarization laser diode arrays | |
| US5073893A (en) | Semiconductor structure and semiconductor laser device | |
| JPH02162717A (ja) | 量子細線の形成方法 | |
| JPH0653619A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07154024A (ja) | 半導体レーザー | |
| KR100541111B1 (ko) | 다파장 반도체 레이저 제조방법 | |
| JPS61196592A (ja) | 複合共振器型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JP2000058958A (ja) | 多波長面発光半導体レーザアレイ | |
| JPH04299881A (ja) | 量子細線レーザ及びその製造方法 | |
| JPH04261081A (ja) | 多波長半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 | |
| JPH03151684A (ja) | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 | |
| JPH04364084A (ja) | 波長多重レーザ | |
| JPH07263655A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPS6332982A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH1098231A (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法 | |
| JP2852663B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH084176B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0722216B2 (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH01248585A (ja) | 分布帰還形半導体レーザ | |
| JPH0364086A (ja) | 多波長発振レーザ装置 | |
| JPH05343801A (ja) | 多波長レーザの製造方法 | |
| JPH04229679A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05327119A (ja) | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6242592A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置およびその製造方法 | |
| JPH10112567A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 |