JPH0426181B2 - - Google Patents
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- JPH0426181B2 JPH0426181B2 JP61271545A JP27154586A JPH0426181B2 JP H0426181 B2 JPH0426181 B2 JP H0426181B2 JP 61271545 A JP61271545 A JP 61271545A JP 27154586 A JP27154586 A JP 27154586A JP H0426181 B2 JPH0426181 B2 JP H0426181B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- energy
- sample
- spherical
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本発明は試料から放出される荷電粒子の運動の
エネルギーおよび方向分布を測定することによ
り、試料の組成、構造或は電子状態等を調査する
装置に関し、特に試料から放射される荷電粒子の
エネルギー分布或は、注目するエネルギーの粒子
の放出される方向分布を2次元的に測定するのに
適した装置に関する。
エネルギーおよび方向分布を測定することによ
り、試料の組成、構造或は電子状態等を調査する
装置に関し、特に試料から放射される荷電粒子の
エネルギー分布或は、注目するエネルギーの粒子
の放出される方向分布を2次元的に測定するのに
適した装置に関する。
ロ 従来の技術
従来、試料から放出される荷電粒子のエネルギ
ーを分析するには、ある適宜の方向の小さな立体
角内に放出される粒子についてエネルギーを測定
して、その方向に放出される粒子エネルギー分布
を調べる方法が一般に用いられており、放出粒子
のエネルギーの角度分布を調べる場合は、上記し
た小立体角内の粒子のエネルギー分析装置を、試
料の粒子放射点を中心とする球面上で1次元的或
は2次元的に移動させ、上記球面を多くの画素或
に区分して各画素毎に測定すると云う方法をとつ
ている。この方法によるときは、一つの方向の画
素における或る値のエネルギー粒子の放射強度を
統計的なゆらぎが平均化されるだけの時間をかけ
て測定し、その後隣の画素における測定に移るの
で広い立体角内に放射される粒子のエネルギーの
方向分布測定には大へんな時間を要していた。
ーを分析するには、ある適宜の方向の小さな立体
角内に放出される粒子についてエネルギーを測定
して、その方向に放出される粒子エネルギー分布
を調べる方法が一般に用いられており、放出粒子
のエネルギーの角度分布を調べる場合は、上記し
た小立体角内の粒子のエネルギー分析装置を、試
料の粒子放射点を中心とする球面上で1次元的或
は2次元的に移動させ、上記球面を多くの画素或
に区分して各画素毎に測定すると云う方法をとつ
ている。この方法によるときは、一つの方向の画
素における或る値のエネルギー粒子の放射強度を
統計的なゆらぎが平均化されるだけの時間をかけ
て測定し、その後隣の画素における測定に移るの
で広い立体角内に放射される粒子のエネルギーの
方向分布測定には大へんな時間を要していた。
上述した難点を解消する方法として第3図に示
すような難点を解消する方法として第3図に示す
ような方法がイーストマン(Eastman)等によ
つて提案されている。この方法は導体の回転楕円
面Mとその内側に近接して面Mに平行に設けたグ
リツドG3とにより一つのエネルギーローパスフ
イルタを構成し、楕円面Mの一つの焦点位置に試
料Sを置き、楕円面Mのもう一つの焦点位置に小
さな開口Aを配置し、この開口を中心に楕円面M
と反対の側に開口Aを中心とする同心球面グリツ
ドG4,G5を設けてハイパスフイルタとし、こ
れらのグリツドの外側に2次元的な荷電粒子検出
器Dを配置したものである。試料Sから各方向に
放出された荷電粒子は直進し、M,G3よりなる
ローパスフイルタで、或るエネルギーE1より低
いエネルギーの粒子は楕円面Mで丁度鏡面反射さ
れたように向きを変え、開口Aに集中し、その
まゝ直進してグリツドG4,G5よりなるハイパ
スフイルタに入射し、或るエネルギーE2をより
高いエネルギーの粒子のみがグリツドG5を通過
して検出器Dに入射する。図から明らかなように
検出器Dに入射する荷電粒子の密度分布は試料S
からの各方向に放射されエネルギーがE1とE2
との間にあるエネルギーの方向分布を平面上に投
影したものになつている。
すような難点を解消する方法として第3図に示す
ような方法がイーストマン(Eastman)等によ
つて提案されている。この方法は導体の回転楕円
面Mとその内側に近接して面Mに平行に設けたグ
リツドG3とにより一つのエネルギーローパスフ
イルタを構成し、楕円面Mの一つの焦点位置に試
料Sを置き、楕円面Mのもう一つの焦点位置に小
さな開口Aを配置し、この開口を中心に楕円面M
と反対の側に開口Aを中心とする同心球面グリツ
ドG4,G5を設けてハイパスフイルタとし、こ
れらのグリツドの外側に2次元的な荷電粒子検出
器Dを配置したものである。試料Sから各方向に
放出された荷電粒子は直進し、M,G3よりなる
ローパスフイルタで、或るエネルギーE1より低
いエネルギーの粒子は楕円面Mで丁度鏡面反射さ
れたように向きを変え、開口Aに集中し、その
まゝ直進してグリツドG4,G5よりなるハイパ
スフイルタに入射し、或るエネルギーE2をより
高いエネルギーの粒子のみがグリツドG5を通過
して検出器Dに入射する。図から明らかなように
検出器Dに入射する荷電粒子の密度分布は試料S
からの各方向に放射されエネルギーがE1とE2
との間にあるエネルギーの方向分布を平面上に投
影したものになつている。
上述した方法では原理的にはグリツドはG3,
G4,G5の3枚で足りるが、実際には検出器D
を作動させるために粒子を加速しなければならな
いから、加速グリツドG5,G6とG6を通過し
た粒子が直進するようにG6と検出器Dとの間の
空間の電位を一定にするためのグリツドG7、更
に試料Sを囲んで同心2重球面のグリツドG1,
G2を設けねばならないから、全部で8枚のグリ
ツドを必要とし、更に根本的な欠点として、粒子
の方向の分布像が歪むのである。図で一つの中心
粒子軌跡aを考え、試料S側で、この軌跡の左右
に、同じ角度θだけ離れた、2本の粒子軌跡b,
cを考えると、軌跡b,cの試料側での方向が少
し変化したときの、開口A側の方向変化の倍率
は、軌跡bについては縮小,cについては拡大と
なつており、この歪みを補正するため検出器Dの
面を軌跡aに対して垂直より図で右下がりに傾け
るがこのような形で歪みが補正できるためにはθ
は、余り大きくとれない。また試料面上で軌跡a
を中心とする頂角2θの円錐面に沿つて放射された
或るエネルギーの粒子の検出器D面上の像は円に
はならない。もう一つの根本的な欠点は、電子の
軌跡は光の反射の場合と異なり、回転楕円面の鏡
を使つても、電子の軌跡から考えた仮想的な反射
面は回転楕円面とは正確に一致しないことであ
る。この不一致は取り出す立体角が大きくなる
と、しだいに大きくなり、収束しなくなる。従つ
てこの方法では余り大きな立体角の測定はできな
いのである。
G4,G5の3枚で足りるが、実際には検出器D
を作動させるために粒子を加速しなければならな
いから、加速グリツドG5,G6とG6を通過し
た粒子が直進するようにG6と検出器Dとの間の
空間の電位を一定にするためのグリツドG7、更
に試料Sを囲んで同心2重球面のグリツドG1,
G2を設けねばならないから、全部で8枚のグリ
ツドを必要とし、更に根本的な欠点として、粒子
の方向の分布像が歪むのである。図で一つの中心
粒子軌跡aを考え、試料S側で、この軌跡の左右
に、同じ角度θだけ離れた、2本の粒子軌跡b,
cを考えると、軌跡b,cの試料側での方向が少
し変化したときの、開口A側の方向変化の倍率
は、軌跡bについては縮小,cについては拡大と
なつており、この歪みを補正するため検出器Dの
面を軌跡aに対して垂直より図で右下がりに傾け
るがこのような形で歪みが補正できるためにはθ
は、余り大きくとれない。また試料面上で軌跡a
を中心とする頂角2θの円錐面に沿つて放射された
或るエネルギーの粒子の検出器D面上の像は円に
はならない。もう一つの根本的な欠点は、電子の
軌跡は光の反射の場合と異なり、回転楕円面の鏡
を使つても、電子の軌跡から考えた仮想的な反射
面は回転楕円面とは正確に一致しないことであ
る。この不一致は取り出す立体角が大きくなる
と、しだいに大きくなり、収束しなくなる。従つ
てこの方法では余り大きな立体角の測定はできな
いのである。
なお上の方法ではMは回転楕円面であるから製
作が稍面倒である。面Mは球面で置換しても、球
の半径に比し試料Sと開口Aとの間の距離が十分
小さければ、Sから出た特定エネルギーの粒子
は、近似的にAの位置に集まるから一応目的を達
成することができるが、この場合も中心軌跡aか
ら離れると収差が目立つて来るため、収差の制限
から、上述した方法より一度に測定できる立体角
は更に小さくなる。
作が稍面倒である。面Mは球面で置換しても、球
の半径に比し試料Sと開口Aとの間の距離が十分
小さければ、Sから出た特定エネルギーの粒子
は、近似的にAの位置に集まるから一応目的を達
成することができるが、この場合も中心軌跡aか
ら離れると収差が目立つて来るため、収差の制限
から、上述した方法より一度に測定できる立体角
は更に小さくなる。
ハ 発明が解決しようとする問題点
本発明は上述したような状況に鑑み試料から放
出される荷電粒子のエネルギー分析を行う装置
で、簡単な構造で大きな立体角内に放出される荷
電粒子のエネルギーの角度分布が一度に測定でき
るような構成を提供しようとするものである。
出される荷電粒子のエネルギー分析を行う装置
で、簡単な構造で大きな立体角内に放出される荷
電粒子のエネルギーの角度分布が一度に測定でき
るような構成を提供しようとするものである。
ニ 問題点解決のための手段
第1図のように、球面のグリツド1と、その外
側にグリツド1と同心的に球面の電極2を配置
し、グリツド1の内側で同グリツドの球面中心よ
り離れた位置に試料Sを置き、グリツド1の中心
に関して試料Sと対称の位置に開口Aを有する遮
蔽板3を配置し、この遮蔽板のグリツド1等と反
対側の空間に開口Aに対向させて荷電粒子に対す
る2次元的な検出手段4を配置した。
側にグリツド1と同心的に球面の電極2を配置
し、グリツド1の内側で同グリツドの球面中心よ
り離れた位置に試料Sを置き、グリツド1の中心
に関して試料Sと対称の位置に開口Aを有する遮
蔽板3を配置し、この遮蔽板のグリツド1等と反
対側の空間に開口Aに対向させて荷電粒子に対す
る2次元的な検出手段4を配置した。
ホ 作用
試料Sから放出される荷電粒子を電子とする。
グリツド1は試料Sと同電位で、グリツド1の内
側及び更に図で下方の空間では電界は0である。
グリツド1に対して電極2を一定の負電位に保
つ。試料Sから放射される電子はグリツド1の面
までは直進し、グリツド1と電極2との間の空間
Fに入射し、この空間F内ではグリツド1の球面
中心を焦点とする楕円軌動を画き、エネルギーと
試料からの放射方向によつて或る電子は電極2に
入射して吸収され、或る電子は空間Fで反転して
再びグリツド1の内側の空間に出る。こゝで或特
定のエネルギーを持つた電子は空間Fで反転して
試料Sからグリツド1に向つて放射したときと平
行な方向で再びグリツド1の内側の空間に戻つて
来る。図ではこのような軌道を画く電子の軌道が
三つ画いてある。これらの軌道においてグリツド
1の球面中心0と夫々の軌道の楕円部分の中心0
から一番遠い所とを結ぶ直線が長軸であるが、そ
の長軸に関して対称の形であり、従つてSから出
た特定エネルギーの電子はSから放射されたとき
と同じ角度(図のθ)で開口Aを通過する。つま
り、特定エネルギーの電子によるSの像がAに形
成され、それらの電子が試料Sから出射した方向
と平行な方向で開口Aを通過する。このため開口
Aに対向させて配置した検出器4の面には、試料
Sから放射された特定エネルギーの電子の角度分
布の歪みのない分布像(球面を平面に投影するこ
とによる歪みはあるが)が形成される。検出面を
Aを中心とする球面にすれば、球面を平面に投影
することによる歪みもなくなる。
グリツド1は試料Sと同電位で、グリツド1の内
側及び更に図で下方の空間では電界は0である。
グリツド1に対して電極2を一定の負電位に保
つ。試料Sから放射される電子はグリツド1の面
までは直進し、グリツド1と電極2との間の空間
Fに入射し、この空間F内ではグリツド1の球面
中心を焦点とする楕円軌動を画き、エネルギーと
試料からの放射方向によつて或る電子は電極2に
入射して吸収され、或る電子は空間Fで反転して
再びグリツド1の内側の空間に出る。こゝで或特
定のエネルギーを持つた電子は空間Fで反転して
試料Sからグリツド1に向つて放射したときと平
行な方向で再びグリツド1の内側の空間に戻つて
来る。図ではこのような軌道を画く電子の軌道が
三つ画いてある。これらの軌道においてグリツド
1の球面中心0と夫々の軌道の楕円部分の中心0
から一番遠い所とを結ぶ直線が長軸であるが、そ
の長軸に関して対称の形であり、従つてSから出
た特定エネルギーの電子はSから放射されたとき
と同じ角度(図のθ)で開口Aを通過する。つま
り、特定エネルギーの電子によるSの像がAに形
成され、それらの電子が試料Sから出射した方向
と平行な方向で開口Aを通過する。このため開口
Aに対向させて配置した検出器4の面には、試料
Sから放射された特定エネルギーの電子の角度分
布の歪みのない分布像(球面を平面に投影するこ
とによる歪みはあるが)が形成される。検出面を
Aを中心とする球面にすれば、球面を平面に投影
することによる歪みもなくなる。
上述した所から明らかなように、グリツド1と
電極2とは第3図の従来例のG3,Mのようなロ
ーパスフイルタを構成しているのではない。即ち
本発明の構成では、エネルギーフイルタのように
或るエネルギーEcを境にしてそれより高いエネ
ルギーの粒子は全て電極2に入射し、Ecより低
いエネルギーの粒子だけが反射してくるというよ
うな機能を持つたものではなく、ある特定エネル
ギーの粒子だけは、開口Aに集まりこれを通過す
るか、その他のエネルギーの粒子は遮蔽板3上に
分散して開口Aを通過できないという機能でエネ
ルギーの選別が行われるのである。このため第3
図の従来例のようにローパスフイルタとハイパス
フイルタを組合わせて特定のエネルギーを粒子を
選別する必要がなく、原理的にはグリツトは図の
グリツト1一つだけでよいのであり、検出器を作
動させるため、粒子加速の必要があるとしても開
口Aを中心とする2つのグリツドを追加すれば十
分であつて、電極2もグリツド1も球面であるこ
とと相俟つて構造的に大へん簡単なものである。
電極2とは第3図の従来例のG3,Mのようなロ
ーパスフイルタを構成しているのではない。即ち
本発明の構成では、エネルギーフイルタのように
或るエネルギーEcを境にしてそれより高いエネ
ルギーの粒子は全て電極2に入射し、Ecより低
いエネルギーの粒子だけが反射してくるというよ
うな機能を持つたものではなく、ある特定エネル
ギーの粒子だけは、開口Aに集まりこれを通過す
るか、その他のエネルギーの粒子は遮蔽板3上に
分散して開口Aを通過できないという機能でエネ
ルギーの選別が行われるのである。このため第3
図の従来例のようにローパスフイルタとハイパス
フイルタを組合わせて特定のエネルギーを粒子を
選別する必要がなく、原理的にはグリツトは図の
グリツト1一つだけでよいのであり、検出器を作
動させるため、粒子加速の必要があるとしても開
口Aを中心とする2つのグリツドを追加すれば十
分であつて、電極2もグリツド1も球面であるこ
とと相俟つて構造的に大へん簡単なものである。
第1図に例示した軌道を画く粒子が全て同一エ
ネルギーを有するものであることについて簡単に
説明しておく。第2図に示すように、半径Rの球
を考え、この球の外側にこの球の中心0からの距
離の2乗に反比例する静電気力による引力の場が
あるとすると、球面上の任意の点Pから図のY軸
と平行の方向に飛びだした荷電粒子はその速度に
よつて、図のように大小種々な楕円軌道を画く。
これらの楕円は全て0を一つの焦点としている
が、その中で特に長軸が図のY軸と一致している
軌道群を考える。このような軌道群の中の特別な
ものとして、球面の頂点TからY軸方向に飛出し
た粒子について、TU=Rの点Uを上端とする直
線軌道がある。また球面の横のQ点からY方向に
飛出した粒子については上述の軌道は球面に沿う
円弧となる。これらの場合について球面から飛出
すときの初速度を求める。球面上の引力の強さを
gとするとT点から測つたU点の位置のエネルギ
ーEは E=gR/2 粒子の質量をm、球面上から飛出すときの初速を
vとすると、第2図で、T点から飛出してU点で
折返す粒子の初速vは運動のエネルギーと位置の
エネルギーを等しいと置いて 1/2mv2=1/2gR 故にv=√ 次に球面に沿つて円軌道を画く粒子の速度vを考
えると、 v′=√ でv=v′。一般の場合については第2図でJで示
される軌道を考える。この軌道は軌道の球面上の
出発点Pを通る水平線に関し上下対称であるか
ら、軌道の上側の焦点位置fは球の中心0から
2Rcosθの所にある。軌道の頂点と焦点との距離
xは楕円上の一点と二つの焦点を結ぶ長さの和が
一定2Rであるから、 X=R(1−cosθ) 故に球の中心0から軌道頂点までの距離はR(1
+cosθ)である。軌道頂点における水平速度をu
とすると、面積速度一定の法則により、 Rvsinθ=R(1+cosθ)u 故に u=simθ/1+cosθv 軌道頂点における位置のエネルギーLは L=gRcosθ/1+cosθ また運動のエネルギーは K=mv2sim2θ/2(1+cosθ)2 球面上の出発点における運動のエネルギーからK
を引いたものがLに等しいから 1/2mu2(1−sim2θ/(1+cosθ)2)gRcosθ/
1+cosθ 上式を整理すると、 1/2mu2(1+2cosθ+cos2θ)=gR/
2(1+2cosθ+cos2θ) となり、θを含む項が消えてu=√とな
り、上記した軌道群に属する粒子の初速度が全て
等しいことが証明された。上述した楕円群に属す
る軌道は楕円が球面と交わる2点において、軌道
方向が互いに平行であり、全て等しい初速度を有
しており第1図において例示された軌道はこのよ
うな軌道群に属するので、全てが同じ初速度を持
つているのである。そしてgの値はグリツドと球
面電極間の電位差で決まるから、グリツドと球面
電極との間に電圧を変えることにより、検出しよ
うとする粒子のエネルギーを変えることができる
のである。
ネルギーを有するものであることについて簡単に
説明しておく。第2図に示すように、半径Rの球
を考え、この球の外側にこの球の中心0からの距
離の2乗に反比例する静電気力による引力の場が
あるとすると、球面上の任意の点Pから図のY軸
と平行の方向に飛びだした荷電粒子はその速度に
よつて、図のように大小種々な楕円軌道を画く。
これらの楕円は全て0を一つの焦点としている
が、その中で特に長軸が図のY軸と一致している
軌道群を考える。このような軌道群の中の特別な
ものとして、球面の頂点TからY軸方向に飛出し
た粒子について、TU=Rの点Uを上端とする直
線軌道がある。また球面の横のQ点からY方向に
飛出した粒子については上述の軌道は球面に沿う
円弧となる。これらの場合について球面から飛出
すときの初速度を求める。球面上の引力の強さを
gとするとT点から測つたU点の位置のエネルギ
ーEは E=gR/2 粒子の質量をm、球面上から飛出すときの初速を
vとすると、第2図で、T点から飛出してU点で
折返す粒子の初速vは運動のエネルギーと位置の
エネルギーを等しいと置いて 1/2mv2=1/2gR 故にv=√ 次に球面に沿つて円軌道を画く粒子の速度vを考
えると、 v′=√ でv=v′。一般の場合については第2図でJで示
される軌道を考える。この軌道は軌道の球面上の
出発点Pを通る水平線に関し上下対称であるか
ら、軌道の上側の焦点位置fは球の中心0から
2Rcosθの所にある。軌道の頂点と焦点との距離
xは楕円上の一点と二つの焦点を結ぶ長さの和が
一定2Rであるから、 X=R(1−cosθ) 故に球の中心0から軌道頂点までの距離はR(1
+cosθ)である。軌道頂点における水平速度をu
とすると、面積速度一定の法則により、 Rvsinθ=R(1+cosθ)u 故に u=simθ/1+cosθv 軌道頂点における位置のエネルギーLは L=gRcosθ/1+cosθ また運動のエネルギーは K=mv2sim2θ/2(1+cosθ)2 球面上の出発点における運動のエネルギーからK
を引いたものがLに等しいから 1/2mu2(1−sim2θ/(1+cosθ)2)gRcosθ/
1+cosθ 上式を整理すると、 1/2mu2(1+2cosθ+cos2θ)=gR/
2(1+2cosθ+cos2θ) となり、θを含む項が消えてu=√とな
り、上記した軌道群に属する粒子の初速度が全て
等しいことが証明された。上述した楕円群に属す
る軌道は楕円が球面と交わる2点において、軌道
方向が互いに平行であり、全て等しい初速度を有
しており第1図において例示された軌道はこのよ
うな軌道群に属するので、全てが同じ初速度を持
つているのである。そしてgの値はグリツドと球
面電極間の電位差で決まるから、グリツドと球面
電極との間に電圧を変えることにより、検出しよ
うとする粒子のエネルギーを変えることができる
のである。
ヘ 実施例
第1図は本発明の一実施例を示す。グリツド1
と電極2は0を共通中心とする同心球面であり、
この実施例ではグリツドの半径に対して電極の半
径は2倍である。原理的には電極2の半径をグリ
ツド半径の2倍にしておけば試料から立体角2π
ステラジアン(半球面全体)の範囲を一度に測定
することができる。要求される立体角がさ程大き
くないときは電極半径はグリツド半径の2倍より
小さくでもよい。5はグリツド1と電極2の夫々
の縁の間に設けられた同心円状のガードリング
で、抵抗6に図のように接続されており、抵抗6
の一端はグリツド1に接続されていると共に接地
されており、他端は電極2に接続されると共に電
源7の負極側に接続されており、カードリング5
によつてグリツド1と電極2間の電界がグリツド
及び電極2の縁で乱れるのを防いている。3は半
球形のグリツド1の底面に位置する遮蔽板で導体
で作られており、これも接地されている。上の構
成で電源7の出力電圧を変えることで検出される
荷電粒子のエネルギー走査が行われる。遮蔽板3
には中心0からグリツドの半径より稍小さい距離
だけ離れた所に試料Sをセツトする窓Wが設けら
れて、0を中心にしてWと対称の位置に開口Aが
穿たれている。h1,h2はグリツド1及び球面
電極2に穿たれた小孔で、この小孔を通して試料
Sを励起する励起線例えばX線が試料面に入射せ
しめられる。4は遮蔽板3の下方で開口Aに対向
して配置された粒子検出器で、この実施例では蛍
光板であり、その上面にはグリツド8,9が蛍光
板と平行に張設されており、グリツド8は接地、
9は正の高電圧が印加してあり、グリツド8を通
過した電子はグリツド8,9間で蛍光板4に垂直
の方向に加速されて蛍光板4に当たり、これを発
光させる。蛍光板4の発光パターンが試料Sから
放射される電子のうち或る特定のエネルギーを持
つたものの放射角度分布を示す。蛍光板4の代わ
りにチヤンネルプレートを置いて電子の分布パタ
ーンを電気的な映像信号に変換するようにしても
よい。或は上述したような2次元的な電子検出手
段ではなく、1次元的な検出器で電子検出面を一
方向に走査するようにしてもよい。
と電極2は0を共通中心とする同心球面であり、
この実施例ではグリツドの半径に対して電極の半
径は2倍である。原理的には電極2の半径をグリ
ツド半径の2倍にしておけば試料から立体角2π
ステラジアン(半球面全体)の範囲を一度に測定
することができる。要求される立体角がさ程大き
くないときは電極半径はグリツド半径の2倍より
小さくでもよい。5はグリツド1と電極2の夫々
の縁の間に設けられた同心円状のガードリング
で、抵抗6に図のように接続されており、抵抗6
の一端はグリツド1に接続されていると共に接地
されており、他端は電極2に接続されると共に電
源7の負極側に接続されており、カードリング5
によつてグリツド1と電極2間の電界がグリツド
及び電極2の縁で乱れるのを防いている。3は半
球形のグリツド1の底面に位置する遮蔽板で導体
で作られており、これも接地されている。上の構
成で電源7の出力電圧を変えることで検出される
荷電粒子のエネルギー走査が行われる。遮蔽板3
には中心0からグリツドの半径より稍小さい距離
だけ離れた所に試料Sをセツトする窓Wが設けら
れて、0を中心にしてWと対称の位置に開口Aが
穿たれている。h1,h2はグリツド1及び球面
電極2に穿たれた小孔で、この小孔を通して試料
Sを励起する励起線例えばX線が試料面に入射せ
しめられる。4は遮蔽板3の下方で開口Aに対向
して配置された粒子検出器で、この実施例では蛍
光板であり、その上面にはグリツド8,9が蛍光
板と平行に張設されており、グリツド8は接地、
9は正の高電圧が印加してあり、グリツド8を通
過した電子はグリツド8,9間で蛍光板4に垂直
の方向に加速されて蛍光板4に当たり、これを発
光させる。蛍光板4の発光パターンが試料Sから
放射される電子のうち或る特定のエネルギーを持
つたものの放射角度分布を示す。蛍光板4の代わ
りにチヤンネルプレートを置いて電子の分布パタ
ーンを電気的な映像信号に変換するようにしても
よい。或は上述したような2次元的な電子検出手
段ではなく、1次元的な検出器で電子検出面を一
方向に走査するようにしてもよい。
電極2の半径14cm、グリツド1の半径7cm、0
点から試料窓Wの中心及び開口Aの中心までの距
離5cm、開口Aの孔径1mmとしたとき、エネルギ
ー分解能(ΔE/E)は約1/100である。エネル
ギー分解能は試料S及び開口Aの位置をグリツド
1の縁に近づける程向上する。開口Aの下側に開
口Aを中心として同心2重半球形のグリツドより
なるハイパスフイルターを置くことにより一層エ
ネルギー分解能を向上させうる。
点から試料窓Wの中心及び開口Aの中心までの距
離5cm、開口Aの孔径1mmとしたとき、エネルギ
ー分解能(ΔE/E)は約1/100である。エネル
ギー分解能は試料S及び開口Aの位置をグリツド
1の縁に近づける程向上する。開口Aの下側に開
口Aを中心として同心2重半球形のグリツドより
なるハイパスフイルターを置くことにより一層エ
ネルギー分解能を向上させうる。
本発明の装置は上述したように試料から放射さ
れる荷電粒子のうち任意のエネルギーを有するも
のの放射角度による分布を測定する場合の外、検
出手段4の所に位置分解能のない検出器を配置す
ることにより大きい立体角内に放射される全荷電
粒子のエネルギー分布を測定することもでき、大
きい立体角内に放射される荷電粒子の全部を合わ
せて検出するからきわめて明るいエネルギー分析
器となる。なお、第1図における試料Sの荷電粒
子放射点は、試料そのものではなく、資料上の一
点から放射される粒子レンズ系により収束させた
収束点であつてもよい。
れる荷電粒子のうち任意のエネルギーを有するも
のの放射角度による分布を測定する場合の外、検
出手段4の所に位置分解能のない検出器を配置す
ることにより大きい立体角内に放射される全荷電
粒子のエネルギー分布を測定することもでき、大
きい立体角内に放射される荷電粒子の全部を合わ
せて検出するからきわめて明るいエネルギー分析
器となる。なお、第1図における試料Sの荷電粒
子放射点は、試料そのものではなく、資料上の一
点から放射される粒子レンズ系により収束させた
収束点であつてもよい。
ト 効果
本発明エネルギー分析装置は上述したような構
成で、主要部は一組の同心半球状のグリツドと電
極だけであり、基本的にローパスフイルタとハイ
パスフイルタを要する第3図の構成に比し構造が
大へん簡単である。また、グリツドを構成してい
るワイヤの近辺を通る荷電粒子及びワイヤに当た
る荷電粒子は軌道が乱れ、このような軌道の乱れ
た荷電粒子は目的のエネルギーの粒子の検出器へ
の到達率を低下させる一方目的外のエネルギーの
粒子で検出器に入射するものが増すので、感度低
下とバツクグラウンド増加と云う2重の障碍作用
を有するから、グリツドは成るべく少ない方がよ
いが、本発明では基本的にはグリツドは一枚でよ
く第3図の従来例が最小限三枚必要であるのに比
し、グリツド数が少く、第3図の従来例では目的
エネルギーの粒子の検出器への到達率(透過率)
は34%程度であるが、本発明ではその2倍の約66
%である。そしてこのことは他方では本発明の方
がバツクラウンドも少ないことを意味している。
また近似式を使つておらず、全立体角で収束が保
証されるので、広い立体角の測定域を確保でき、
第3図の従来装置では一度に測定できる範囲は
1.8ステラジアン程度であるが、本発明では6.28
ステラジアン程度と第3図に示すような従来例の
約3倍である。
成で、主要部は一組の同心半球状のグリツドと電
極だけであり、基本的にローパスフイルタとハイ
パスフイルタを要する第3図の構成に比し構造が
大へん簡単である。また、グリツドを構成してい
るワイヤの近辺を通る荷電粒子及びワイヤに当た
る荷電粒子は軌道が乱れ、このような軌道の乱れ
た荷電粒子は目的のエネルギーの粒子の検出器へ
の到達率を低下させる一方目的外のエネルギーの
粒子で検出器に入射するものが増すので、感度低
下とバツクグラウンド増加と云う2重の障碍作用
を有するから、グリツドは成るべく少ない方がよ
いが、本発明では基本的にはグリツドは一枚でよ
く第3図の従来例が最小限三枚必要であるのに比
し、グリツド数が少く、第3図の従来例では目的
エネルギーの粒子の検出器への到達率(透過率)
は34%程度であるが、本発明ではその2倍の約66
%である。そしてこのことは他方では本発明の方
がバツクラウンドも少ないことを意味している。
また近似式を使つておらず、全立体角で収束が保
証されるので、広い立体角の測定域を確保でき、
第3図の従来装置では一度に測定できる範囲は
1.8ステラジアン程度であるが、本発明では6.28
ステラジアン程度と第3図に示すような従来例の
約3倍である。
第1図は本発明の一実施例装置の要部縦断側面
図、第2図は本発明における電子軌道の説明図、
第3図は従来の一例の装置の縦断側面図である。 1……グリツド、2……電極、3……遮蔽板、
4……荷電粒子検出手段、5……ガードリング、
S……試料、A……開口、W……窓。
図、第2図は本発明における電子軌道の説明図、
第3図は従来の一例の装置の縦断側面図である。 1……グリツド、2……電極、3……遮蔽板、
4……荷電粒子検出手段、5……ガードリング、
S……試料、A……開口、W……窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 球状のグリツドの外側に、このグリツドと同
心に球状電極を配置し、上記グリツドの内側でグ
リツドの縁線に近い位置に荷電粒子放射点を設
け、グリツドの球面中心と上記粒子放射点とを含
む平面上に遮蔽板を配置し、上記グリツドの球面
中心に関して、上記粒子放射点と対称の位置にお
いて上記遮蔽板に開口を設け、この遮蔽板の上記
グリツドとは反対の側において、上記開口に対向
させて荷電粒子検出手段を配置したことを特徴と
する荷電粒子アナライザー。 2 特許請求の範囲第1項においてグリツド及び
電極が半球でなく、球の一部または全部である荷
電粒子アナライザー。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271545A JPS63126148A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 荷電粒子アナライザ− |
| US07/120,155 US4849629A (en) | 1986-11-14 | 1987-11-13 | Charged particle analyzer |
| EP87116800A EP0268232B1 (en) | 1986-11-14 | 1987-11-13 | Charged particle analyzer |
| DE8787116800T DE3780766T2 (de) | 1986-11-14 | 1987-11-13 | Analysator fuer geladene teilchen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61271545A JPS63126148A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 荷電粒子アナライザ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63126148A JPS63126148A (ja) | 1988-05-30 |
| JPH0426181B2 true JPH0426181B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17501557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61271545A Granted JPS63126148A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 荷電粒子アナライザ− |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4849629A (ja) |
| EP (1) | EP0268232B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63126148A (ja) |
| DE (1) | DE3780766T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008535A (en) * | 1988-09-02 | 1991-04-16 | U.S. Philips Corporation | Energy analyzer and spectrometer for low-energy electrons |
| JPH02201857A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Shimadzu Corp | 球面型荷電粒子アナライザ |
| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| US5059785A (en) * | 1990-05-30 | 1991-10-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Backscattering spectrometry device for identifying unknown elements present in a workpiece |
| EP0465695B1 (en) * | 1990-07-09 | 1996-09-25 | Shimadzu Corporation | Spherical electrode type charged particle analyzer |
| US5451784A (en) * | 1994-10-31 | 1995-09-19 | Applied Materials, Inc. | Composite diagnostic wafer for semiconductor wafer processing systems |
| US5801386A (en) * | 1995-12-11 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring plasma characteristics within a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating and using same |
| US5962850A (en) * | 1998-03-04 | 1999-10-05 | Southwest Research Institute | Large aperture particle detector with integrated antenna |
| DE69924240T2 (de) * | 1999-06-23 | 2006-02-09 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Ladungsträgerteilchenstrahlvorrichtung |
| US6690007B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-02-10 | Shimadzu Corporation | Three-dimensional atom microscope, three-dimensional observation method of atomic arrangement, and stereoscopic measuring method of atomic arrangement |
| US20060022147A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Nanya Technology Corporation | Method and device of monitoring and controlling ion beam energy distribution |
| KR100782370B1 (ko) * | 2006-08-04 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 지연 전기장을 이용한 이온 에너지 분포 분석기에 근거한이온 분석 시스템 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU475686A1 (ru) * | 1973-02-02 | 1975-06-30 | Предприятие П/Я Р-6681 | Устройство дл регистрации энергетических спектров электронов |
| JPS52488A (en) * | 1975-06-23 | 1977-01-05 | Hitachi Ltd | Apparatus for composite analysis |
| DE2920972A1 (de) * | 1978-05-25 | 1979-11-29 | Kratos Ltd | Vorrichtung zur spektroskopie mit geladenen teilchen |
| DE3138929A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verbessertes sekundaerelektronen-spektrometer fuer die potentialmessung an einer probe mit einer elektronensonde |
| JPS5878362A (ja) * | 1981-10-31 | 1983-05-11 | Shimadzu Corp | 荷電粒子エネルギ−分析器 |
| US4546254A (en) * | 1983-03-24 | 1985-10-08 | Shimadzu Corporation | Charged particle energy analyzer |
| EP0185789B1 (de) * | 1984-12-22 | 1991-03-06 | Vg Instruments Group Limited | Analysator für geladene Teilchen |
| US4633084A (en) * | 1985-01-16 | 1986-12-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High efficiency direct detection of ions from resonance ionization of sputtered atoms |
| JPH0736321B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-04-19 | イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング | 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61271545A patent/JPS63126148A/ja active Granted
-
1987
- 1987-11-13 US US07/120,155 patent/US4849629A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-13 EP EP87116800A patent/EP0268232B1/en not_active Expired
- 1987-11-13 DE DE8787116800T patent/DE3780766T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0268232A3 (en) | 1989-10-18 |
| US4849629A (en) | 1989-07-18 |
| DE3780766D1 (de) | 1992-09-03 |
| JPS63126148A (ja) | 1988-05-30 |
| DE3780766T2 (de) | 1993-03-18 |
| EP0268232B1 (en) | 1992-07-29 |
| EP0268232A2 (en) | 1988-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |