JPH0426207B2 - - Google Patents
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- JPH0426207B2 JPH0426207B2 JP59114000A JP11400084A JPH0426207B2 JP H0426207 B2 JPH0426207 B2 JP H0426207B2 JP 59114000 A JP59114000 A JP 59114000A JP 11400084 A JP11400084 A JP 11400084A JP H0426207 B2 JPH0426207 B2 JP H0426207B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線リソグラフイ、詳しくは、Ｘ線
源として紫外線やレーザで発生させられるプラズ
マを使用したサブミクロンのＸ線リソグラフイに
関する。 本発明は、特に集積回路を形成するのに使用す
るレジスト材料に高分解能をサブミクロンパター
ンを形成するのに適している。また、本発明は、
ホトリソグラフイでは形成することができない高
分解能のサブミクロンのパターンを必要とする用
途を有している。 電子ビームと金属ターゲツトの相互作用により
Ｘ線を発生させるＸ線リソグラフイが提案されて
いる（1973年７月３日発行の米国特許第3743842
号参照）。また、レーザで発生させられるプラズ
マを使用するリソグラフイ用のＸ線パルスを形成
することも示唆されている（1980年１月15日発行
の米国特許第4184078号参照）。しかしながら、Ｘ
線感応性材料（例えば、Ｘ線レジスト）を比較的
長い時間露出することが必要であつた。例えば、
米国特許第4184078号に提案されている方法は、
露出と現象の後に受け入れられるパターンを得る
ように充分に吸収されるＸ線エネルギを得るため
には90回のレーザ照射を使用することを必要とす
る（D.J.Nagel、et al.、Electronic Letters、
14、24、p781（1978）参照）。報告されている最
も小さな露出は多重ナノセコドレーザ照射である
（10ナノセコンドのパルスに続いて１ナノセコン
ドのパルス）（P.J.Mallozzi、et al.、in
Advance in Ｘ−ray Analysis（Plenum Press、
New York、1979））参照）。 本発明によれば、Ｘ線パルス源として紫外線レ
ーザで発生させられるプラズマを使用すると高分
解能のサブミクロンのリソグラフイを達成し得る
ことが判明した。慣用のＸ線レジスト材料を露出
するに充分なＸ線束を発生するのに約１ナノセコ
ンド（ns）の継続時間を有する紫外線レーザエネ
ルギを１回照射することが必要なだけである。紫
外線レーザパルスが入射するターゲツトからの微
片状の高温プラズマを阻止する遮蔽体を使用して
Ｘ線束による露出は達成される。この遮蔽体はレ
ジストと熱的に結合されていて、Ｘ線束によつて
露出される時レジストは加熱される。遮蔽体は使
用されたことはあるが、レジストを加熱するため
に使用されたことはない（米国特許第4184078号
および上記Electronic Letterの文献参照）。レジ
ストに入射するＸ線束は、レーザで発生させられ
たプラズマからのＸ線による露出に匹敵し得る露
出を得るのに従来必要であつたものよりも約１桁
小さい大きさのものである。本発明はいかなる作
用の論理にも制約されないが、必要とされるＸ線
束の減少を可能にするレジストへのＸ線エネルギ
の移行効率の増大は、レジストの露出と同時また
は露出後であつてパターンを形成するためのレジ
ストの現像の前におけるレジスト温度の急激な上
昇によるものであろう。 従つて、本発明の特徴は、Ｘ線エネルギによる
最小の露出により高分解能のサブミクロンのパタ
ーンを形成するＸ線リソグラフイ用の改良された
方法および装置を提供することにある。 本発明の他の特徴は、従来のＸ線レジストおよ
びこのようなレジストを露出後現像する従来の方
法を使用したサブミクロンの高分解能のＸ線リソ
グラフイ用の改良された方法および装置を提供す
ることにあり、ここにおいて発生させられるＸ線
のエネルギの量は最小になつている。 本発明の更に他の特徴は、Ｘ線源としてレーザ
で発生させられるプラズマを使用し、リソグラフ
イ用のパターンを完全に露出するのに長い時間の
レーザエネルギや多重パルスのレーザエネルギを
必要としないＸ線リソグラフイ用の改良された方
法および装置を提供することにある。 本発明の上記および他の特徴、目的、利点、更
に本発明の現在の好適実施例、および本発明を実
施するのに知られていない最適モードは、本発明
を具体化するサブミクロンのＸ線リソグラフイ装
置の概略図である添付図面を参照して次の記載を
閲読することにより更に明白になるであろう。 図を参照すると、Ndガラスレーザを使用した
周波数を３倍にされたNdガラスレーザ装置が示
されている。このレーザは、ポツケルスセル制御
装置１２によつてモードロツクレーザとして作動
させられ、1nsの継続時間を有する単一パルスの
赤外線レーザ光を発生する。この光の波長は約
1.05ミクロン（μｍ）である。この光はレーザか
らビーム状に放射され、このビームは三倍器１４
を通過し、約0.35μｍの波長を有する出力パルス
光を発生する。この三倍器は、1982年８月24日に
R.S.Craxtonに発行された米国特許第4346314号
に記載されている形式のものが適している。この
1nsの紫外線パルス光は、三倍器１４からビーム
状で出力される。このビームはレンズ１６によつ
て平なターゲツト１８上にスポツトとして焦点を
形成する。短い波長で（例えば、紫外線）充分な
パワーを発生するレーザが入手可能である場合に
は、これらを使用してもよい。光は、真空室２０
の窓を透過する。この真空室は、ターゲツト１
８、パターンを形成するマスク２２、Ｘ線レジス
トのコーテイング２６を有するシリコン基板２
４、遮蔽体（ベリリウムで作られたものが適して
いる）２８を有している。真空室２０は約10-6ト
ルの圧力まで真空にされていることが適切であ
る。 ターゲツトは適切には純鉄である。高原子番号
の他の金属を使用してもよい。また、ターゲツト
は、ターゲツト物質、例えばレーザパルスによつ
てプラズマに変換される時のホトレジストの感度
に合う強い放射を有する物質を含むマイクロバル
ーンであつてもよい。マイクロバルーンは、レー
ザ融合装置におけるような軸に支持されてもよ
い。それから、レーザビームは複数の（２つ以上
の）ビームに分割され、このビームはターゲツト
を内破し、強烈で非常に小さなＸ線源を形成す
る。 ターゲツト物質は、レーザパルスによりＸ線放
出温度まで加熱される。小さな質量のターゲツ
ト、例えば50ナノグラムがプラズマに変換され
る。吸収されたレーザエネルギの大部分がプラズ
マの運動エネルギになる（73％）。残りのエネル
ギはＸ線束に変換される。適切には、Ndガラス
レーザは、周波数を３倍にされた後、１ナノセコ
ンド、35ジユール(J)のレーザパルスを発生する。
その時、鉄のターゲツト１８によつて放出された
全体のＸ線エネルギは、約5.7Jである。残りのエ
ネルギは、加熱されたプラズマに変換される。Ｘ
線は、レーザパルスがレンズ１６によつて焦点が
合わされたターゲツト上の焦点スポツトから放射
状光線として放射される。このスポツトは直径が
約100μｍである。Ｘ線は遮蔽体２８、パターン
２２およびレジスト２６の方に向かつて放出され
る。遮蔽体２８、パターン２２およびレジスト２
６の組立体は、図示のものよりもレーザビームの
軸により接近したある角度で位置付けられてもよ
い。ターゲツト１８の傾斜はレーザビームに対し
て直角に近いものであつてもよい。この代りの構
成はレジスト２６上に有効なＸ線束を増加し得
る。また、プラズマまたはターゲツトの微破片は
遮蔽体、パターンおよびレジストからなるこの組
立体の方に放出される。Ｘ線は長い破線で示さ
れ、プラズマ／ターゲツト微破片は短い破線で示
されている。 遮蔽体２８、マスク２２、レジスト２６および
基板２４の構成について説明する。レジストおよ
び基板は例えばアルミニウムからなる脱熱器上に
支持されてもよい。レジストは吸収されたＸ線に
よつて加熱されるとは考えられない。これは弱い
露出によつてレジスト温度が数度上昇するだけだ
からである。レジストは、PBS（ポリ硫化ブチ
ル）、PMMA（ポリメタクリル酸メチル）または
COP（ポリグリクリシジルメタクリレート−コ−
エチルアクリレート）のようないかなる通常のレ
ジストであつてもよい。露出後、レジストは、
COPの場合には例えば1980年７月29日に発行さ
れた米国特許第4215192号に記載されているよう
な周知の方法によつて現像されてもよい。また、
ターゲツトの特性および現像技術は、L.F.
Thompson、et al.、J.Electochem.Soc.：Solid
State Sci.Techn.、121、1500（1974）およびP.D.
Lenzo、et al.、Appl.Phys.Lett.24、289（1974）
に記載されている。 マスクは、適切には金製の格子であり、この格
子はその端部に沿つてフレームに支持されてい
る。格子線の幅および間隔は0.45μｍであつても
よい。マスク２２は、レジスト２６の面に近接
し、適切に空間をあけて設けられており、その空
間は25μｍであることが適切である。遮蔽体２８
はまたレジスト２６に熱的に結合されるようにレ
ジスト２６に近接している。例えば、レジストは
マスク２２から５mmの所にある。熱いプラズマ／
ターゲツト微破片は遮蔽体２８によつて阻止さ
れ、遮蔽体を加熱する。遮蔽体はレジストに近接
され、熱的に結合されているので、レジストは加
熱される。熱結合は組立体用に使用されているフ
レームまたは他の支持構造物を通して放射結合お
よび伝導結合により行なわれている。フレームま
たは他の支持構造物は図を簡単にするため示され
ていない。レジストは、レジスト２６を構成する
重合体のガラス転移温度にほぼ等しい温度、例え
ば約100℃の温度に達し得る。レジストの加熱は、
Ｘ線によるレジストの露出後すぐに行なわれる。
これは、ターゲツトの微破片が約１マイクロセコ
ンド遅延して遮蔽体２８に達するためであり、微
破片の到着は露出の後である。Ｘ線は光の速度で
進み、Ｘ線とプラズマの両者はターゲツトの面に
おいて実質的に同時に発生する。所望のＸ線透過
率によつて他の遮蔽体を使用してもよい。遮蔽体
２８は約1keV以上のＸ線を通過させる。また、
マイラーのような他の材料はＸ線を透過し、プラ
ズマを阻止する特性を有しているが、ベリリウム
は所与のプラズマ阻止機能に対してより多くのＸ
線を透過するのでベリリウムが好適である。 上述したように、ターゲツト１８に吸収される
約27％のレーザエネルギはＸ線に変換される。レ
ーザエネルギのいくらかは三倍器１４内で失なわ
れるのであるが、紫外線レーザ光によつてＸ線を
発生する効率は高くなつている。適切には18μｍ
の厚さであるベリリウムの遮蔽体２８は全体のＸ
線エネルギ（5.7J）のフイルタとして作用し、約
0.72Jがベリリウムの遮蔽体２８を透過する。タ
ーゲツト２０から10cm離れた位置に設けられてい
るレジスト２６上に入射するＸ線エネルギ密度は
約0.57ｍＪ／cm2である。レジストの面で吸収され
る単位体積当りの全Ｘ線エネルギは0.9J／cm3であ
る。上述したThompson、et al.およびLenzo、
et al.の文献で報告されているような従来のＸ線
リソグラフイにおいてはここに記載した例示装置
において吸収される0.9J／cm3のエネルギで得られ
る露出に等しい露出を得るためには、14J／cm3の
レーザエネルギが同じレジストに吸収されなけれ
ばならない。これは、完全な露出を得るために従
来必要であつたものよりも１桁大きさの小さいＸ
線束（エネルギ）である。従つて、本装置は従来
提案されていたＸ線リソグラフイ装置よりも１桁
感度が大きくなつているものである。 ここに記載した方法および装置を変形したり、
変更することは、本技術分野に専門知識を有する
者にとつて疑いもなく示唆されることであろう。
特に、露出時にまたは露出に続いてレジストを加
熱することは他の方法の加熱によりいかなる他の
レジストに応用されることもできるし、パターン
をレジストするために使用されるいかなる他の放
射源または粒子源に関連して応用されることもで
きる。従つて、上述した記載は、例示として取ら
れるものであつて、限定の意味に取られるもので
ない。
源として紫外線やレーザで発生させられるプラズ
マを使用したサブミクロンのＸ線リソグラフイに
関する。 本発明は、特に集積回路を形成するのに使用す
るレジスト材料に高分解能をサブミクロンパター
ンを形成するのに適している。また、本発明は、
ホトリソグラフイでは形成することができない高
分解能のサブミクロンのパターンを必要とする用
途を有している。 電子ビームと金属ターゲツトの相互作用により
Ｘ線を発生させるＸ線リソグラフイが提案されて
いる（1973年７月３日発行の米国特許第3743842
号参照）。また、レーザで発生させられるプラズ
マを使用するリソグラフイ用のＸ線パルスを形成
することも示唆されている（1980年１月15日発行
の米国特許第4184078号参照）。しかしながら、Ｘ
線感応性材料（例えば、Ｘ線レジスト）を比較的
長い時間露出することが必要であつた。例えば、
米国特許第4184078号に提案されている方法は、
露出と現象の後に受け入れられるパターンを得る
ように充分に吸収されるＸ線エネルギを得るため
には90回のレーザ照射を使用することを必要とす
る（D.J.Nagel、et al.、Electronic Letters、
14、24、p781（1978）参照）。報告されている最
も小さな露出は多重ナノセコドレーザ照射である
（10ナノセコンドのパルスに続いて１ナノセコン
ドのパルス）（P.J.Mallozzi、et al.、in
Advance in Ｘ−ray Analysis（Plenum Press、
New York、1979））参照）。 本発明によれば、Ｘ線パルス源として紫外線レ
ーザで発生させられるプラズマを使用すると高分
解能のサブミクロンのリソグラフイを達成し得る
ことが判明した。慣用のＸ線レジスト材料を露出
するに充分なＸ線束を発生するのに約１ナノセコ
ンド（ns）の継続時間を有する紫外線レーザエネ
ルギを１回照射することが必要なだけである。紫
外線レーザパルスが入射するターゲツトからの微
片状の高温プラズマを阻止する遮蔽体を使用して
Ｘ線束による露出は達成される。この遮蔽体はレ
ジストと熱的に結合されていて、Ｘ線束によつて
露出される時レジストは加熱される。遮蔽体は使
用されたことはあるが、レジストを加熱するため
に使用されたことはない（米国特許第4184078号
および上記Electronic Letterの文献参照）。レジ
ストに入射するＸ線束は、レーザで発生させられ
たプラズマからのＸ線による露出に匹敵し得る露
出を得るのに従来必要であつたものよりも約１桁
小さい大きさのものである。本発明はいかなる作
用の論理にも制約されないが、必要とされるＸ線
束の減少を可能にするレジストへのＸ線エネルギ
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は露出後であつてパターンを形成するためのレジ
ストの現像の前におけるレジスト温度の急激な上
昇によるものであろう。 従つて、本発明の特徴は、Ｘ線エネルギによる
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ーンを形成するＸ線リソグラフイ用の改良された
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びこのようなレジストを露出後現像する従来の方
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グラフイ用の改良された方法および装置を提供す
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のエネルギの量は最小になつている。 本発明の更に他の特徴は、Ｘ線源としてレーザ
で発生させられるプラズマを使用し、リソグラフ
イ用のパターンを完全に露出するのに長い時間の
レーザエネルギや多重パルスのレーザエネルギを
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施するのに知られていない最適モードは、本発明
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置の概略図である添付図面を参照して次の記載を
閲読することにより更に明白になるであろう。 図を参照すると、Ndガラスレーザを使用した
周波数を３倍にされたNdガラスレーザ装置が示
されている。このレーザは、ポツケルスセル制御
装置１２によつてモードロツクレーザとして作動
させられ、1nsの継続時間を有する単一パルスの
赤外線レーザ光を発生する。この光の波長は約
1.05ミクロン（μｍ）である。この光はレーザか
らビーム状に放射され、このビームは三倍器１４
を通過し、約0.35μｍの波長を有する出力パルス
光を発生する。この三倍器は、1982年８月24日に
R.S.Craxtonに発行された米国特許第4346314号
に記載されている形式のものが適している。この
1nsの紫外線パルス光は、三倍器１４からビーム
状で出力される。このビームはレンズ１６によつ
て平なターゲツト１８上にスポツトとして焦点を
形成する。短い波長で（例えば、紫外線）充分な
パワーを発生するレーザが入手可能である場合に
は、これらを使用してもよい。光は、真空室２０
の窓を透過する。この真空室は、ターゲツト１
８、パターンを形成するマスク２２、Ｘ線レジス
トのコーテイング２６を有するシリコン基板２
４、遮蔽体（ベリリウムで作られたものが適して
いる）２８を有している。真空室２０は約10-6ト
ルの圧力まで真空にされていることが適切であ
る。 ターゲツトは適切には純鉄である。高原子番号
の他の金属を使用してもよい。また、ターゲツト
は、ターゲツト物質、例えばレーザパルスによつ
てプラズマに変換される時のホトレジストの感度
に合う強い放射を有する物質を含むマイクロバル
ーンであつてもよい。マイクロバルーンは、レー
ザ融合装置におけるような軸に支持されてもよ
い。それから、レーザビームは複数の（２つ以上
の）ビームに分割され、このビームはターゲツト
を内破し、強烈で非常に小さなＸ線源を形成す
る。 ターゲツト物質は、レーザパルスによりＸ線放
出温度まで加熱される。小さな質量のターゲツ
ト、例えば50ナノグラムがプラズマに変換され
る。吸収されたレーザエネルギの大部分がプラズ
マの運動エネルギになる（73％）。残りのエネル
ギはＸ線束に変換される。適切には、Ndガラス
レーザは、周波数を３倍にされた後、１ナノセコ
ンド、35ジユール(J)のレーザパルスを発生する。
その時、鉄のターゲツト１８によつて放出された
全体のＸ線エネルギは、約5.7Jである。残りのエ
ネルギは、加熱されたプラズマに変換される。Ｘ
線は、レーザパルスがレンズ１６によつて焦点が
合わされたターゲツト上の焦点スポツトから放射
状光線として放射される。このスポツトは直径が
約100μｍである。Ｘ線は遮蔽体２８、パターン
２２およびレジスト２６の方に向かつて放出され
る。遮蔽体２８、パターン２２およびレジスト２
６の組立体は、図示のものよりもレーザビームの
軸により接近したある角度で位置付けられてもよ
い。ターゲツト１８の傾斜はレーザビームに対し
て直角に近いものであつてもよい。この代りの構
成はレジスト２６上に有効なＸ線束を増加し得
る。また、プラズマまたはターゲツトの微破片は
遮蔽体、パターンおよびレジストからなるこの組
立体の方に放出される。Ｘ線は長い破線で示さ
れ、プラズマ／ターゲツト微破片は短い破線で示
されている。 遮蔽体２８、マスク２２、レジスト２６および
基板２４の構成について説明する。レジストおよ
び基板は例えばアルミニウムからなる脱熱器上に
支持されてもよい。レジストは吸収されたＸ線に
よつて加熱されるとは考えられない。これは弱い
露出によつてレジスト温度が数度上昇するだけだ
からである。レジストは、PBS（ポリ硫化ブチ
ル）、PMMA（ポリメタクリル酸メチル）または
COP（ポリグリクリシジルメタクリレート−コ−
エチルアクリレート）のようないかなる通常のレ
ジストであつてもよい。露出後、レジストは、
COPの場合には例えば1980年７月29日に発行さ
れた米国特許第4215192号に記載されているよう
な周知の方法によつて現像されてもよい。また、
ターゲツトの特性および現像技術は、L.F.
Thompson、et al.、J.Electochem.Soc.：Solid
State Sci.Techn.、121、1500（1974）およびP.D.
Lenzo、et al.、Appl.Phys.Lett.24、289（1974）
に記載されている。 マスクは、適切には金製の格子であり、この格
子はその端部に沿つてフレームに支持されてい
る。格子線の幅および間隔は0.45μｍであつても
よい。マスク２２は、レジスト２６の面に近接
し、適切に空間をあけて設けられており、その空
間は25μｍであることが適切である。遮蔽体２８
はまたレジスト２６に熱的に結合されるようにレ
ジスト２６に近接している。例えば、レジストは
マスク２２から５mmの所にある。熱いプラズマ／
ターゲツト微破片は遮蔽体２８によつて阻止さ
れ、遮蔽体を加熱する。遮蔽体はレジストに近接
され、熱的に結合されているので、レジストは加
熱される。熱結合は組立体用に使用されているフ
レームまたは他の支持構造物を通して放射結合お
よび伝導結合により行なわれている。フレームま
たは他の支持構造物は図を簡単にするため示され
ていない。レジストは、レジスト２６を構成する
重合体のガラス転移温度にほぼ等しい温度、例え
ば約100℃の温度に達し得る。レジストの加熱は、
Ｘ線によるレジストの露出後すぐに行なわれる。
これは、ターゲツトの微破片が約１マイクロセコ
ンド遅延して遮蔽体２８に達するためであり、微
破片の到着は露出の後である。Ｘ線は光の速度で
進み、Ｘ線とプラズマの両者はターゲツトの面に
おいて実質的に同時に発生する。所望のＸ線透過
率によつて他の遮蔽体を使用してもよい。遮蔽体
２８は約1keV以上のＸ線を通過させる。また、
マイラーのような他の材料はＸ線を透過し、プラ
ズマを阻止する特性を有しているが、ベリリウム
は所与のプラズマ阻止機能に対してより多くのＸ
線を透過するのでベリリウムが好適である。 上述したように、ターゲツト１８に吸収される
約27％のレーザエネルギはＸ線に変換される。レ
ーザエネルギのいくらかは三倍器１４内で失なわ
れるのであるが、紫外線レーザ光によつてＸ線を
発生する効率は高くなつている。適切には18μｍ
の厚さであるベリリウムの遮蔽体２８は全体のＸ
線エネルギ（5.7J）のフイルタとして作用し、約
0.72Jがベリリウムの遮蔽体２８を透過する。タ
ーゲツト２０から10cm離れた位置に設けられてい
るレジスト２６上に入射するＸ線エネルギ密度は
約0.57ｍＪ／cm2である。レジストの面で吸収され
る単位体積当りの全Ｘ線エネルギは0.9J／cm3であ
る。上述したThompson、et al.およびLenzo、
et al.の文献で報告されているような従来のＸ線
リソグラフイにおいてはここに記載した例示装置
において吸収される0.9J／cm3のエネルギで得られ
る露出に等しい露出を得るためには、14J／cm3の
レーザエネルギが同じレジストに吸収されなけれ
ばならない。これは、完全な露出を得るために従
来必要であつたものよりも１桁大きさの小さいＸ
線束（エネルギ）である。従つて、本装置は従来
提案されていたＸ線リソグラフイ装置よりも１桁
感度が大きくなつているものである。 ここに記載した方法および装置を変形したり、
変更することは、本技術分野に専門知識を有する
者にとつて疑いもなく示唆されることであろう。
特に、露出時にまたは露出に続いてレジストを加
熱することは他の方法の加熱によりいかなる他の
レジストに応用されることもできるし、パターン
をレジストするために使用されるいかなる他の放
射源または粒子源に関連して応用されることもで
きる。従つて、上述した記載は、例示として取ら
れるものであつて、限定の意味に取られるもので
ない。
図は本発明の一実施例によるＸ線リソグラフイ
装置の概略構成図である。 １０……ガラスレーザ、１２……制御装置、１
４……三倍器、１６……レンズ、１８……ターゲ
ツト、２０……真空室、２２……マスク、２４…
…基板、２６……レジスト、２８……遮蔽体。
装置の概略構成図である。 １０……ガラスレーザ、１２……制御装置、１
４……三倍器、１６……レンズ、１８……ターゲ
ツト、２０……真空室、２２……マスク、２４…
…基板、２６……レジスト、２８……遮蔽体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 紫外線域の波長を有し、約1nsを越えない継
続時間を有する単一の光パルスを発生し、この光
パルスをＸ線パルスに変換し、Ｘ線感応性レジス
トを前記Ｘ線パルスで露出してパターンを形成す
ることからなるＸ線リソグラフイ法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法であつて、
前記変換段階は、前記光パルスをターゲツトに入
射するように方向付けし、前記Ｘ線パルスを放射
するターゲツト物質のプラズマを発生することに
よつて達成される方法。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の方法であつて、
前記プラズマ状態のターゲツト物質を阻止する材
料からなる遮蔽体を配設し、前記レジストに熱的
に結合することによつて前記レジストの温度を上
昇させる段階を有する方法。 ４ 特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載
の方法であつて、前記発生段階は、レーザ光のビ
ームを発生することにより達成され、前記変換段
階は、ターゲツトを前記レーザビームの通路に配
設し、前記Ｘ線パルスを放出するプラズマを発生
することによつて達成させる方法。 ５ 特許請求の範囲第４項記載の方法であつて、
前記レーザビームは前記ターゲツト上の約100μ
ｍのスポツト上に焦点が合わせられている方法。 ６ 特許請求の範囲第１項記載の方法であつて、
前記発生手段は、単一パルスの赤外線レーザ光を
発生し、この赤外線レーザ光パルスの周波数を３
倍にすることにより達成され、前記変換手段は、
前記レジストに面するターゲツトに入射する前記
３倍にされたレーザ光パルスを形成することによ
り達成されている方法。 ７ 特許請求の範囲第６項記載の方法であつて、
前記赤外線レーザ光パルスは、約1.05μｍの波長
を有し、前記３倍にされたレーザ光パルスは、約
0.35μｍの波長を有する方法。 ８ パターンを形成するＸ線マスクがＸ線感応性
レジスト材料を有する基板に近接して位置付けら
れているレーザリソグラフイ装置において、約
1ns継続時間を有する紫外線単一パルス光を発生
するレーザと、前記レーザパルスが入射してプラ
ズマを発生し、前記レーザパルスに対応するＸ線
パルスを送出して前記マスクを通して前記レジス
トを露出するターゲツトとを含む手段を有する装
置。 ９ 特許請求の範囲第８項記載の装置であつて、
更に前記プラズマ内のターゲツト物質を遮断し、
これにより加熱され、前記Ｘ線パルスを透過する
材料からなり、前記ターゲツトと前記マスクとの
間に前記マスクに近接して配設され、前記Ｘ線パ
ルスによる露出時前記レジストを加熱するように
前記マスクに熱的に結合している遮蔽体を有する
装置。 １０ 特許請求の範囲第９項記載の装置であつ
て、前記遮蔽体はベリリウムである装置。 １１ 特許請求の範囲第１０項記載の装置であつ
て、前記ベリリウムのターゲツトは、前記レジス
トから約25μｍの所に配設された厚さが約18μｍ
のシートである装置。 １２ 特許請求の範囲第８項記載の装置であつ
て、前記レーザ手段は、赤外線域で作動するレー
ザと、前記レーザの出力を紫外線に変換する三倍
器とを有する装置。 １３ 特許請求の範囲第１２項記載の装置であつ
て、更に前記三倍器からの紫外線光の焦点を前記
ターゲツトの表面上に直径が100μｍ以下のスポ
ツトとして合わせる手段を有する装置。 １４ 特許請求の範囲第８項記載の装置であつ
て、前記レーザ出力の波長は約1.05μｍであり、
前記三倍器の出力波長は約0.35μｍである装置。 １５ 特許請求の範囲第１４項記載の装置であつ
て、0.35μｍの前記レーザパルスのエネルギは約
35Jである装置。 １６ 特許請求の範囲第８項記載の装置であつ
て、前記レジストはPBS、COPおよびPMMAか
ら選択されたものである装置。 １７ 特許請求の範囲第９項記載の装置であつ
て、前記ターゲツトは純鉄で形成されている装
置。 １８ 特許請求の範囲第８項記載の装置であつ
て、前記Ｘ線パルスは、前記Ｘ線レジストによつ
て吸収されるエネルギが約1J／cm3である装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US50160083A | 1983-06-06 | 1983-06-06 | |
| US501600 | 1983-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607130A JPS607130A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0426207B2 true JPH0426207B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=23994230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114000A Granted JPS607130A (ja) | 1983-06-06 | 1984-06-05 | Ｘ線リソグラフイ法およびその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0127861B1 (ja) |
| JP (1) | JPS607130A (ja) |
| AT (1) | ATE67612T1 (ja) |
| CA (1) | CA1224839A (ja) |
| DE (1) | DE3485072D1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0770457B2 (ja) * | 1986-10-17 | 1995-07-31 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
| JP2000294523A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| GB1522568A (en) * | 1976-09-29 | 1978-08-23 | Xonics Inc | Process and apparatus for manufacture of very small integrated circuits using x-rays |
| US4346314A (en) * | 1980-05-01 | 1982-08-24 | The University Of Rochester | High power efficient frequency conversion of coherent radiation with nonlinear optical elements |
-
1984
- 1984-05-22 CA CA000454854A patent/CA1224839A/en not_active Expired
- 1984-05-26 AT AT84106027T patent/ATE67612T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-05-26 EP EP84106027A patent/EP0127861B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-26 DE DE8484106027T patent/DE3485072D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-05 JP JP59114000A patent/JPS607130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1224839A (en) | 1987-07-28 |
| JPS607130A (ja) | 1985-01-14 |
| EP0127861A3 (en) | 1987-02-25 |
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| DE3485072D1 (de) | 1991-10-24 |
| EP0127861B1 (en) | 1991-09-18 |
| ATE67612T1 (de) | 1991-10-15 |
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