JPS607130A - Ｘ線リソグラフイ法およびその装置 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ法およびその装置Info
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- JPS607130A JPS607130A JP59114000A JP11400084A JPS607130A JP S607130 A JPS607130 A JP S607130A JP 59114000 A JP59114000 A JP 59114000A JP 11400084 A JP11400084 A JP 11400084A JP S607130 A JPS607130 A JP S607130A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 abstract description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 241000234435 Lilium Species 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
- G03F7/2039—X-ray radiation
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｘ線リソグラフィ、詳しくは、Ｘ線源として
紫外線やレーザで発生させられるプラズマを使用したサ
ブミクロンのＸ線リングラフィに関する。
紫外線やレーザで発生させられるプラズマを使用したサ
ブミクロンのＸ線リングラフィに関する。
本発明は、特に集積回路を形成するのに使用するレジス
ト材料に高分解能のサブミクロンパターンを形成するの
に適している。また２本発明は。
ト材料に高分解能のサブミクロンパターンを形成するの
に適している。また２本発明は。
ホトリソグラフィでは形成することができない高分解能
のサブミクロンのパターンを必要とする用途を有してい
る。
のサブミクロンのパターンを必要とする用途を有してい
る。
電子ビームと金属ターゲットの相互作用によりＸ線を発
生させるＸ線リソグラフィが提案されている（１９７３
年７月３日発行の米国特許第３．７４３，８４２号参照
）。また、レーザで発生させられるプラズマを使用する
りソグラフィ用のＸ、％ｌノξルスを形成することも示
唆されている（１９８０年１月１５日発行の米国特許第
４，１８４．［１７８号参照）。１〜かしながら、Ｘ線
感応性材料（例えば。
生させるＸ線リソグラフィが提案されている（１９７３
年７月３日発行の米国特許第３．７４３，８４２号参照
）。また、レーザで発生させられるプラズマを使用する
りソグラフィ用のＸ、％ｌノξルスを形成することも示
唆されている（１９８０年１月１５日発行の米国特許第
４，１８４．［１７８号参照）。１〜かしながら、Ｘ線
感応性材料（例えば。
Ｘ線レジスト）を比較的長い時間露出することが必要で
あった。例えば、米国特許第４，１８４，０７８号に提
案されている方法は、露出と現像の後に受け入れられる
・ξターンを得るように充分に吸収されるＸ線エネルギ
を得るためには９０回のレーザ照射を使用することを必
要とする（ Ｄ、 Ｊ、 Ｎａｇｅｌ。
あった。例えば、米国特許第４，１８４，０７８号に提
案されている方法は、露出と現像の後に受け入れられる
・ξターンを得るように充分に吸収されるＸ線エネルギ
を得るためには９０回のレーザ照射を使用することを必
要とする（ Ｄ、 Ｊ、 Ｎａｇｅｌ。
ｅｔ ａｌ、、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ、 １４ 、２４ 、ｐ７８１（１９７８１参照）。
ｓ、 １４ 、２４ 、ｐ７８１（１９７８１参照）。
報告されている最も小さな露出は多重ナノセコンドレー
ザ照射である（１０ナノセコンドのパルスに続いて１ナ
ノセコンドの／ξミルスミ （Ｐ、 Ｊ、 ｆＶＩａｌ
ｌｏｚｚｉ、 ｅｔ ａｌ、、１ｎＡｄｖａｎｃｅ ｉ
ｎ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ （ＰｌｅｎｕｍＰ
ｒｅｓｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９７９ ） ）参
照）。
ザ照射である（１０ナノセコンドのパルスに続いて１ナ
ノセコンドの／ξミルスミ （Ｐ、 Ｊ、 ｆＶＩａｌ
ｌｏｚｚｉ、 ｅｔ ａｌ、、１ｎＡｄｖａｎｃｅ ｉ
ｎ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ （ＰｌｅｎｕｍＰ
ｒｅｓｓ、 Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、 １９７９ ） ）参
照）。
本発明によれば、Ｘ線パルス源として紫外線レーザで発
生させられるプラズマを使用すると高分解能のサブミク
ロンのりソグラフィを達成し得ることが判明した。慣用
のＸ線レジスト材料を露出するに充分なＸ線束を発生す
るのに約１ナノセコンド（ｎＢ）の継続時間を有する紫
外線レーザエネルギを１回照射することが必要なだけで
ある。紫外線レーザエネルギが入射するターゲットから
の微破片状の高温プラズマを阻止する遮蔽体を使用ｔ７
てＸ線束による露出は達成される。この遮蔽体はレジス
トと熱的に結合されていて、Ｘ線束によって露出される
時レジストは加熱される。遮蔽体は使用されたことはあ
るが、レジストを加熱するために使用されたことはない
（米国特許第４，１８４ハフ８号および上記Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒの文献参照）。
生させられるプラズマを使用すると高分解能のサブミク
ロンのりソグラフィを達成し得ることが判明した。慣用
のＸ線レジスト材料を露出するに充分なＸ線束を発生す
るのに約１ナノセコンド（ｎＢ）の継続時間を有する紫
外線レーザエネルギを１回照射することが必要なだけで
ある。紫外線レーザエネルギが入射するターゲットから
の微破片状の高温プラズマを阻止する遮蔽体を使用ｔ７
てＸ線束による露出は達成される。この遮蔽体はレジス
トと熱的に結合されていて、Ｘ線束によって露出される
時レジストは加熱される。遮蔽体は使用されたことはあ
るが、レジストを加熱するために使用されたことはない
（米国特許第４，１８４ハフ８号および上記Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒの文献参照）。
レジストに入射するＸ線束は、レーザで発生させられた
プラズマからのＸ線による露出に匹敵し得る露出を得る
のに従来必要であったものよりも約１桁小さい大きさの
ものである。本発明はいかなる作用の理論にも制約され
ないが、必要とされるＸ線束の減少を可能にするレジス
トへのＸ線エネルギの移行効率の増大は、レジストの露
出と同時または露出後であってパターンを形成するだめ
のレジストの現像の前におけるレジスト温度の急激な上
昇によるものであろう。
プラズマからのＸ線による露出に匹敵し得る露出を得る
のに従来必要であったものよりも約１桁小さい大きさの
ものである。本発明はいかなる作用の理論にも制約され
ないが、必要とされるＸ線束の減少を可能にするレジス
トへのＸ線エネルギの移行効率の増大は、レジストの露
出と同時または露出後であってパターンを形成するだめ
のレジストの現像の前におけるレジスト温度の急激な上
昇によるものであろう。
従って９本発明の特徴は、Ｘａエネルギによる最小の露
出により高分解能のサブミクロンのパターンを形成する
Ｘ線リングラフィ用の改良された方法および装置を提供
することにある。
出により高分解能のサブミクロンのパターンを形成する
Ｘ線リングラフィ用の改良された方法および装置を提供
することにある。
本発明の他の特徴は、従来のＸ線レジストおよびこのよ
うなレジストを露出後現像する従来の方法を使用したザ
ブミクロンの高分解能のＸ線リソグラフィ用の改良され
た方法および装置を提供することにあり、ここにおいて
発生させられるＸ線のエネルギの量は最小になっている
。
うなレジストを露出後現像する従来の方法を使用したザ
ブミクロンの高分解能のＸ線リソグラフィ用の改良され
た方法および装置を提供することにあり、ここにおいて
発生させられるＸ線のエネルギの量は最小になっている
。
本発明の更に他の特徴は、Ｘ線源としてレーザ 。
で発生させられるプラズマを使用し、リソグラフィ用の
パターンを完全に露出するのに長い時間のレーザエネル
ギや多重、ｏルスのレーザエネルギを必要としないＸ線
リソグラフィ用の改良された方法および装置を提供する
ことにある。
パターンを完全に露出するのに長い時間のレーザエネル
ギや多重、ｏルスのレーザエネルギを必要としないＸ線
リソグラフィ用の改良された方法および装置を提供する
ことにある。
本発明の上記および他の特徴、目的、利点、更に本発明
の現在の好適実施例、および本発明を実施するのに知ら
れていない最適モードは１本発明を具体化するサブミク
ロンのＸ線リソグラフィ装置の概略図である添付図面を
参照して次の記載を閲読することにより更に明白になる
であろう。
の現在の好適実施例、および本発明を実施するのに知ら
れていない最適モードは１本発明を具体化するサブミク
ロンのＸ線リソグラフィ装置の概略図である添付図面を
参照して次の記載を閲読することにより更に明白になる
であろう。
図を参照すると、Ｎｄガラスレーザを使用した周波数を
６倍にされたＮｄガラスレーザ装置が示されている。こ
のレーザは、ポッケルスセル制御装置１２によってモー
ドロックレーザとして作動させられ、Ｉｎｓ の継続時
間を有する単−パルスの赤外線レーザ光を発生する。こ
の光の波長は約１．０５ミクロン（μｍ）である。この
光はレーザからビーム状に放射され、このビームは三倍
器１４を通過し、約００６５μｍの波長を有する出カッ
ξルス光を発生する。この三倍器は、１９８２年８月２
４日にＲ，８，Ｃｒａｘｔｏｎに発行された米国特許第
４．５４６，３１４号に記載されている形式のものが適
している。このＩｎｓの紫外線パルス光は、三倍器１４
からビーム状で出力される。このビームはレンズ１６に
よって平なターゲット１８上にスポットとして焦点を形
成する。短い波長で（例えば。
６倍にされたＮｄガラスレーザ装置が示されている。こ
のレーザは、ポッケルスセル制御装置１２によってモー
ドロックレーザとして作動させられ、Ｉｎｓ の継続時
間を有する単−パルスの赤外線レーザ光を発生する。こ
の光の波長は約１．０５ミクロン（μｍ）である。この
光はレーザからビーム状に放射され、このビームは三倍
器１４を通過し、約００６５μｍの波長を有する出カッ
ξルス光を発生する。この三倍器は、１９８２年８月２
４日にＲ，８，Ｃｒａｘｔｏｎに発行された米国特許第
４．５４６，３１４号に記載されている形式のものが適
している。このＩｎｓの紫外線パルス光は、三倍器１４
からビーム状で出力される。このビームはレンズ１６に
よって平なターゲット１８上にスポットとして焦点を形
成する。短い波長で（例えば。
紫外線）光分々パワーを発生するレーザが入手可能であ
る場合には、これらを使用してもよい。光は、真空室２
Ｇの窓を透過する。この真空室は。
る場合には、これらを使用してもよい。光は、真空室２
Ｇの窓を透過する。この真空室は。
ターゲット１Ｂ、パターンを形成するマスク２２゜Ｘ線
レジストのコーティング２６を有するシリコン基板２４
．遮蔽体（ばＩＪ ＩＪウムで作られたものが適してい
る）２８を有している。真空室２ｏは約１０−” トル
の圧力まで真空にされていることが適切である。
レジストのコーティング２６を有するシリコン基板２４
．遮蔽体（ばＩＪ ＩＪウムで作られたものが適してい
る）２８を有している。真空室２ｏは約１０−” トル
の圧力まで真空にされていることが適切である。
ターゲットは適切には純鉄である。高原子番号の他の金
属を使用してもよい。また、ターケ゛ットは、ターゲッ
ト物質１例えばレーザパルスによってプラズマに変換さ
れる時のホトレジストの感度に合う強い放射を有する物
質を含むマイクロバルーンであってもよい。マイクロバ
ルーンは、レーザ融合装置におけるような軸に支持され
てもよい。
属を使用してもよい。また、ターケ゛ットは、ターゲッ
ト物質１例えばレーザパルスによってプラズマに変換さ
れる時のホトレジストの感度に合う強い放射を有する物
質を含むマイクロバルーンであってもよい。マイクロバ
ルーンは、レーザ融合装置におけるような軸に支持され
てもよい。
それから、レーザビームは複数の（２つ以ヒの）ビーム
に分割され、このビームはターゲラトラ内破し２強烈で
非常に小さなＸ線源を形成する。
に分割され、このビームはターゲラトラ内破し２強烈で
非常に小さなＸ線源を形成する。
ターゲット物質は、レーザパルスによりＸ線放出温度ま
で加熱される。小さな質険のターゲット。
で加熱される。小さな質険のターゲット。
例えば５０ナノグラムがプラズマに変換される。
吸収されたレーザエネルギの大部分がプラズマの運動エ
ネルギになる（７３％）。残りのエネルギはＸ線束に変
換される。適切には、 Ｎｄガラスレーザは９周波数を
６倍にされた後、１ナノセコンド、６５ジユール（Ｊ）
のレーザパルスヲ発生する。その時、鉄のターゲット１
Ｂによって放出された全体のＸ線エネルギは、約５．７
Ｊである。残りのエネルギは、加熱されたプラズマに変
換される。Ｘ線は、レーザパルスがレンズ１６によって
焦点が合わされたターゲット上の焦点スポットから放射
状光線として放射される。このスポットは直径が約ｉｏ
ｏμｍである。Ｘ線は遮蔽体２８゜パターン２２および
レジスト２６の方に向かって放出される。遮蔽体２Ｂ、
パターン２２およびレジスト２６の組立体は２図示のも
のよりもレーザビームの軸により接近したある角度で位
置付けられてもよい。ターゲット１Ｂの傾斜はレーザビ
ームに対して直角に近いものであってもよい。この代り
の構成はレジスト２６上に有効なＸ線束を増加し得る。
ネルギになる（７３％）。残りのエネルギはＸ線束に変
換される。適切には、 Ｎｄガラスレーザは９周波数を
６倍にされた後、１ナノセコンド、６５ジユール（Ｊ）
のレーザパルスヲ発生する。その時、鉄のターゲット１
Ｂによって放出された全体のＸ線エネルギは、約５．７
Ｊである。残りのエネルギは、加熱されたプラズマに変
換される。Ｘ線は、レーザパルスがレンズ１６によって
焦点が合わされたターゲット上の焦点スポットから放射
状光線として放射される。このスポットは直径が約ｉｏ
ｏμｍである。Ｘ線は遮蔽体２８゜パターン２２および
レジスト２６の方に向かって放出される。遮蔽体２Ｂ、
パターン２２およびレジスト２６の組立体は２図示のも
のよりもレーザビームの軸により接近したある角度で位
置付けられてもよい。ターゲット１Ｂの傾斜はレーザビ
ームに対して直角に近いものであってもよい。この代り
の構成はレジスト２６上に有効なＸ線束を増加し得る。
また、プラズマまたはターゲットの微破片は遮蔽体、パ
ターンおよびレジストからなるとの組立体の方に放出さ
れる。Ｘ線は長い破線で示さｈ−、プラズマ／ターゲッ
ト微破片は短い破線で示されている。
ターンおよびレジストからなるとの組立体の方に放出さ
れる。Ｘ線は長い破線で示さｈ−、プラズマ／ターゲッ
ト微破片は短い破線で示されている。
遮蔽体２８．マスク２２．レジスト２６および基板２４
の構成について説明する。レジストおよび基板は例えば
アルミニウムからなる脱熱器上に支持されてもよい。レ
ジストは吸収されたＸ線によって加熱されるとは考られ
ない。これは弱い露出によってレジスト温度が数度上昇
するだけだからである。レジストは、ＰＢＳ（ポリ硫化
ブチル）。
の構成について説明する。レジストおよび基板は例えば
アルミニウムからなる脱熱器上に支持されてもよい。レ
ジストは吸収されたＸ線によって加熱されるとは考られ
ない。これは弱い露出によってレジスト温度が数度上昇
するだけだからである。レジストは、ＰＢＳ（ポリ硫化
ブチル）。
ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）まだはＣ０Ｐ（、
ｔ？リグリクリシジルメタクリレートーコーエチルアク
リレート）のようないかなる通常のレジストであっても
よい。露出後、レジストは、ＣＯＰの場合には例えば１
９８０年７月２９日に発行された米国特許第４，２１５
，１９２号に記載されているような周知の方法によって
現像されてもよい。
ｔ？リグリクリシジルメタクリレートーコーエチルアク
リレート）のようないかなる通常のレジストであっても
よい。露出後、レジストは、ＣＯＰの場合には例えば１
９８０年７月２９日に発行された米国特許第４，２１５
，１９２号に記載されているような周知の方法によって
現像されてもよい。
また、ターゲットの特性および現像技術は、■７．Ｆ。
Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、 ｅｔ ａｌ、、 Ｊ、 Ｅｌｅｃ
ｔｏｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ：５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｓｅｔ、 Ｔｅｃｈｎ、、 １２１ 、１５００（１
９７４１およびＰ、 Ｄ、 Ｌｅｎｚｏ、 ｅｔ ａｌ
、。
ｔｏｃｈｅｍ、 Ｓｏｃ、 ：５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｓｅｔ、 Ｔｅｃｈｎ、、 １２１ 、１５００（１
９７４１およびＰ、 Ｄ、 Ｌｅｎｚｏ、 ｅｔ ａｌ
、。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、 ２４．２８９ ＜
１９７４）にｔ己載されている。
１９７４）にｔ己載されている。
マスクは、適切には金製の格子であり、この格子はその
端部に沿ってフレームに支持されでいる。
端部に沿ってフレームに支持されでいる。
格子線の幅および間隔は０．４５μｍであってもよい。
マスク２２は、レジスト２６の面に近接し。
適切に空間をあけて設けられており、その空聞け２５μ
ｍであることが適切である。遮蔽体２８は丑だレジスト
２６に熱的に結合されるようにレジスト２６に近接して
いる。例えば、レジストはマスク２２から５１の所にあ
る。熱いプラズマ／ターゲット微破片は遮蔽体２８によ
って阻Ｉトされ。
ｍであることが適切である。遮蔽体２８は丑だレジスト
２６に熱的に結合されるようにレジスト２６に近接して
いる。例えば、レジストはマスク２２から５１の所にあ
る。熱いプラズマ／ターゲット微破片は遮蔽体２８によ
って阻Ｉトされ。
遮蔽体を加熱する。遮蔽体はレジストに近接され。
熱的に結合されているので、レジストは加熱される。熱
結合は組立体用に使用されているフレームまたは他の支
持構造物を通して放射結合および伝導結合により行なわ
れている。フレームまたは他の支持構造物は図を簡単に
するため示されていない。レジストは、レジスト２６を
構成する重合体のカラス転移温度にほぼ等しい温度１例
えば約１００℃の温度に達し得る。レジストの加熱は。
結合は組立体用に使用されているフレームまたは他の支
持構造物を通して放射結合および伝導結合により行なわ
れている。フレームまたは他の支持構造物は図を簡単に
するため示されていない。レジストは、レジスト２６を
構成する重合体のカラス転移温度にほぼ等しい温度１例
えば約１００℃の温度に達し得る。レジストの加熱は。
Ｘ線によるレジストの露出後すぐに行なわれる。
これは、ターゲットの微破片が約１マイクロセコンド遅
延して遮蔽体２８に達するためであわ、Ｒ破片の到着は
露出の後である。Ｘ線は光の速度で進み、Ｘ線とプラズ
マの両者はターゲ゛ットの而において実質的に同時に発
生する。所望のＸ線透過率によって他の遮蔽体を使用ｌ
〜でもよい。遮蔽体２８は約１ ｋｅＶ、ｌｄ上のＸ線
を通過させる。まだ。
延して遮蔽体２８に達するためであわ、Ｒ破片の到着は
露出の後である。Ｘ線は光の速度で進み、Ｘ線とプラズ
マの両者はターゲ゛ットの而において実質的に同時に発
生する。所望のＸ線透過率によって他の遮蔽体を使用ｌ
〜でもよい。遮蔽体２８は約１ ｋｅＶ、ｌｄ上のＸ線
を通過させる。まだ。
マイラーのような他の材料はＸ線を透過し、プラズマを
阻＋）−する特性を有しているが、ベリリウムは所与の
プラズマ阻止機能に対してより多くのＸ線を透過するの
でばリリウムが好適である１、上述したように、ターゲ
ット１８に吸収される約２７％のレーザエネルギはＸ線
に変換される。
阻＋）−する特性を有しているが、ベリリウムは所与の
プラズマ阻止機能に対してより多くのＸ線を透過するの
でばリリウムが好適である１、上述したように、ターゲ
ット１８に吸収される約２７％のレーザエネルギはＸ線
に変換される。
レーザエネルギのいくらかは三倍器１４内で失なわれる
のであるが、紫外線レーザ光によってＸ線を発生する効
率は高くなっている。適切には１８μｍの厚さであるベ
リリウムの遮蔽体２８は全体のＸＩＶｌｌｉｌ！エネル
ギ（５，７Ｊｌのフィルタとして作用し、約０．７２Ｊ
がばＩＪ ＩＪウムの遮蔽体２８を透過する。ターゲ゛
ット２０から１０ｃｒＩＬ離れだ位置に設けられている
レジスト２６上に入射するＸ線エネルギ密度は約０．５
７ ｍＪ／ｃｒｌである。レジストの面で吸収される単
位体積当りの全Ｘ線エネルギは０．９Ｊ／ｍである。上
述したＴｈｏｍｐｓｏｎ、 ｅｔ ａｌ。
のであるが、紫外線レーザ光によってＸ線を発生する効
率は高くなっている。適切には１８μｍの厚さであるベ
リリウムの遮蔽体２８は全体のＸＩＶｌｌｉｌ！エネル
ギ（５，７Ｊｌのフィルタとして作用し、約０．７２Ｊ
がばＩＪ ＩＪウムの遮蔽体２８を透過する。ターゲ゛
ット２０から１０ｃｒＩＬ離れだ位置に設けられている
レジスト２６上に入射するＸ線エネルギ密度は約０．５
７ ｍＪ／ｃｒｌである。レジストの面で吸収される単
位体積当りの全Ｘ線エネルギは０．９Ｊ／ｍである。上
述したＴｈｏｍｐｓｏｎ、 ｅｔ ａｌ。
およびＬｅｎｚｏ、 ｅｔ ａｌ、の文献で報告されて
いるような従来のＸ線リソグラフィにおいてはここに記
載した例示装置において吸収される０、９Ｊ／ｉのエネ
ルギで得られる露出に等しい露出を得るためには、１４
Ｊ／７のレーザエネルギが同じレジストに吸収されなけ
ればならない。これは、完全な露出を得るために従来必
要であったものよりも１桁大きさの小さいＸ線束（エネ
ルギ）である。
いるような従来のＸ線リソグラフィにおいてはここに記
載した例示装置において吸収される０、９Ｊ／ｉのエネ
ルギで得られる露出に等しい露出を得るためには、１４
Ｊ／７のレーザエネルギが同じレジストに吸収されなけ
ればならない。これは、完全な露出を得るために従来必
要であったものよりも１桁大きさの小さいＸ線束（エネ
ルギ）である。
従って１本装置は従来提案されていたＸ線リソグラフィ
装置よりも１桁感度が大きくなっているものである。
装置よりも１桁感度が大きくなっているものである。
ここに記載した方法および装置を変形したり。
変更することは１本技術分野に専門知識を有する者にと
って疑いもなく示唆されることであろう。
って疑いもなく示唆されることであろう。
特に、露出時にまだは露出に続いてレジストを加熱する
ことは他の方法の加熱によりいかなる他のレジストに応
用されることもできるし、パターンをレジストするため
に使用されるいかなる他の放射源捷たは粒子源に関連し
て応用されることもできる。従って、上述した記載は１
例示として取られるものであって、限定の意味に取られ
るものでない。
ことは他の方法の加熱によりいかなる他のレジストに応
用されることもできるし、パターンをレジストするため
に使用されるいかなる他の放射源捷たは粒子源に関連し
て応用されることもできる。従って、上述した記載は１
例示として取られるものであって、限定の意味に取られ
るものでない。
図は本発明の一実施例によるＸ線リソグラフィ装置の概
略構成図である。 １０・・・ガラスレーザ、１２・・・制御装置、１４・
・・三倍器、１６・・・レンズ、１Ｂ・・・ターケ゛ッ
ト、２０・・・真空室、２２・・・マスク、２４・・・
基板、２６・・・レジスト、２８・・・遮蔽体。
略構成図である。 １０・・・ガラスレーザ、１２・・・制御装置、１４・
・・三倍器、１６・・・レンズ、１Ｂ・・・ターケ゛ッ
ト、２０・・・真空室、２２・・・マスク、２４・・・
基板、２６・・・レジスト、２８・・・遮蔽体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 紫外線域の波長を有し、約ｉ ｎｓを越えない継
続時間を有する単一の光・ξルスを発生し、この光パル
スをＸ線パルスに変換し、Ｘ線感応性レジストを前記Ｘ
線パルスで露出してパターンを形成する段階からなるＸ
線リソグラフィ法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 更に前記Ｘ線パルスに露出後、前記レジストの温度を上
昇させる段階を有する前記方法。 ５、特許請求の範囲第２項記載の方法であって。 前記温度を上昇させる段階が、Ｘ線透過材料からなる遮
蔽体を前記レジストへの前記Ｘ線パルスの通路に配設し
、前記レジストに熱的に結合することによって達成され
る前記方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 前記変換段階は、前記光パルスをターゲットに入射する
ように方向付けし、前記Ｘ線パルスを放射するターゲッ
ト物質のプラズマを発生するととによって達成されてい
る前記方法。 ５ 特許請求の範囲第２項記載の方法であって。 前記温度上昇段階は、前記ターゲット物質を阻止し、前
記レジストに熱的に結合して加熱される材料からなる遮
蔽体を配設する段階を有する前記方法。 ６、特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 前記発生段階は、レーザ光のビームを発生することによ
り達成され、前記変換段階は、ターゲットを前記レーザ
ビームの通路に配設し、前記Ｘ線パルスを放出するプラ
ズマを発生することによって達成させている前記方法。 ２、特許請求の範囲第６項記載の方法であって。 更に前記レーザビームは前記ターゲット上の約１００μ
ｍのスポット上に焦点が合わせられている前記方法。 ８６ 特許請求の範囲第１項記載の方法であって。 前記発生手段は、単一パルスの赤外線レーザ光を発生し
、この赤外線レーザ光パルスの波長を６倍にすることに
より達成され、前記変換手段は、前記レジストに面する
ターゲットに入射する前記６倍にされたレーザ光・モル
スを形成することにより達成されている前記方法。 ９ 特許請求の範囲第８項記載の方法であって。 前記赤外線レーザ光ノξルスは、約１．０５μｍの波長
を有し、前記６倍にされたレーザ光ノｔルスは。 約０．６５μｍの波長を有する前記方法。 １０、パターンを形成するＸ線マスクがＸ線感応性レジ
スト材料を有する基板に近接して位置付けられているレ
ーザリソグラフィ装置において、約１ ｎｓ の継続時
間を有する紫外線単一パルス光を発生するレーザと、前
記レーザパルスが入射してプラズマを発生し、前記レー
ザパルスに対応するＸ線パルスを送出して前記マスクを
通して前記レジストを露出するターゲットとを含む手段
を有する装置。 １１、特許請求の範囲第１０項記載の装置であって、更
に前記プラズマ内のターゲット物質を遮断し、これによ
り加熱され、前記Ｘ線パルスを透過する材料からなり、
前記ターゲットと前記マスクとの間に前記マスクに近接
して配設され、前記Ｘ線・ξルスによる露出時前記レジ
ストを加熱するように前記マスクに熱的に結合している
遮蔽体を有する装置。 １２、特許請求の範囲第１１項記載の装置であって、前
記遮蔽体はぺｌ） ＩＪウムである装置。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の装置であって、前
記ばリリウムのターゲットは、前記レジストから約２５
μｍの所に配役された厚さが約１８ｔｔｍのシートであ
る装置。 １４、特許請求の範囲第１０項記載の装置であって、前
記レーザ手段は、赤外線域で作動するレーザと、前記レ
ーザの出力を紫外線に変換する三倍器とを有する装置。 １５ 特許請求の範囲第１４項記載の装置であって、更
に前記三倍器からの紫外線光の焦点を前記ターゲットの
表面上に直径が１００μｍ以下のスポットとして合わせ
る手段を有する装置。 １６、特許請求の範囲第１０項記載の装置であって、前
記レーザ出力の波長は約１．０５μｍであり。 前記三倍器の出力波長は約０．６５μｍである装置。 １２、特許請求の範囲第１６項記載の装置であって、０
．３５μｍの前記レーザパルスのエネルギは約３５Ｊで
ある装置。 １８、特許請求の範囲第１０項記載の装置であって、前
記レジストはＰＢＳ、ＣＯＰおよびＰＭＭＡから選択さ
れたものである装置。 １９ 特許請求の範囲第１１項記載の装置であって、前
記ターゲットは純鉄で形成されている装置。 ２、特許請求の範囲第１０項記載の装置であって、前記
Ｘ線パルスは、前記Ｘ線レジストによって吸収されるエ
ネルギが約ＩＪ／ｉである装置。 ２１、レジストを露出するりソグラフイ法であって、前
記レジストは露出後であって現像前に加熱されることを
特徴とする方法。 ２、特許請求の範囲第２１項記載の方法であって、前記
レジストは重合体であり、ガラス転移温度以上の温度に
加熱される方法。 ２ろ、ｆｌｉ許請求の範囲第２１項記載の方法であって
、前記ビームはレーザターゲット相互作用から発生する
Ｘ線ビームであり、前記加熱は前記相互作用によって発
生するプラズマおよびターゲット微破片からのエネルギ
によって達成されている方法。 ２４、レジスト上にパターンを形成するりソグラフイ装
置であって、前記レジストを露出する手段と、前記レジ
ストを露出後であって現像前に加熱する手段とを有する
装置。 ２、特許請求の範囲第２４項記載の装置であって、前記
レジストは重合体材料であり、前記加熱手段は前記レジ
ストの温度をガラス転移温度以上に上昇させるように作
動する装置。 ２、特許請求の範囲第２４項記載の装置であって、前記
露出手段はターゲットとビームエネルギ間の相互作用に
よりＸ線およびプラズマを発生する手段を有し、前記加
熱手段は熱エネルギを前記プラズマから前記レジストに
転移する手段を有する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US50160083A | 1983-06-06 | 1983-06-06 | |
| US501600 | 1983-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607130A true JPS607130A (ja) | 1985-01-14 |
| JPH0426207B2 JPH0426207B2 (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=23994230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114000A Granted JPS607130A (ja) | 1983-06-06 | 1984-06-05 | Ｘ線リソグラフイ法およびその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0127861B1 (ja) |
| JP (1) | JPS607130A (ja) |
| AT (1) | ATE67612T1 (ja) |
| CA (1) | CA1224839A (ja) |
| DE (1) | DE3485072D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335785U (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-08 | ||
| JPS63100728A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000294523A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2302398A1 (de) * | 1973-01-18 | 1974-07-25 | Du Pont Deutschland | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung druckfaehiger aufzeichnungen auf polymeren druckplatten unter verwendung von laser-strahlung |
| GB1522568A (en) * | 1976-09-29 | 1978-08-23 | Xonics Inc | Process and apparatus for manufacture of very small integrated circuits using x-rays |
| US4346314A (en) * | 1980-05-01 | 1982-08-24 | The University Of Rochester | High power efficient frequency conversion of coherent radiation with nonlinear optical elements |
-
1984
- 1984-05-22 CA CA000454854A patent/CA1224839A/en not_active Expired
- 1984-05-26 AT AT84106027T patent/ATE67612T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-05-26 EP EP84106027A patent/EP0127861B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-05-26 DE DE8484106027T patent/DE3485072D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-06-05 JP JP59114000A patent/JPS607130A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335785U (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-08 | ||
| JPS63100728A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1224839A (en) | 1987-07-28 |
| EP0127861A3 (en) | 1987-02-25 |
| EP0127861A2 (en) | 1984-12-12 |
| JPH0426207B2 (ja) | 1992-05-06 |
| DE3485072D1 (de) | 1991-10-24 |
| EP0127861B1 (en) | 1991-09-18 |
| ATE67612T1 (de) | 1991-10-15 |
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