JPH04264306A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH04264306A JPH04264306A JP3024552A JP2455291A JPH04264306A JP H04264306 A JPH04264306 A JP H04264306A JP 3024552 A JP3024552 A JP 3024552A JP 2455291 A JP2455291 A JP 2455291A JP H04264306 A JPH04264306 A JP H04264306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric constant
- ceramic composition
- weight
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 101000643895 Homo sapiens Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 6 Proteins 0.000 claims description 2
- 102100021015 Ubiquitin carboxyl-terminal hydrolase 6 Human genes 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910014031 strontium zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011763 Li2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁器コンデンサ、特に
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を有する積層型磁
器コンデンサに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に
関するものである。
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を有する積層型磁
器コンデンサに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層コンデンサ等の積層型電子部
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ３ を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。しかしながら、これらの貴
金属は高価であるという問題があり、高容量化を図るた
めに、内部電極数を増加させた場合にはコストが著しく
高くなる。そこで安価なニッケル等の卑金属を内部電極
材料として用いることが試みられている。しかしながら
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を用いた場合には
、内部電極材料が酸化しやすいため還元雰囲気中で焼成
しなければならず、そのような雰囲気下で焼成するとセ
ラミックスが還元され絶縁性を失ってしまうという問題
があった。このような問題を解決するものとして、例え
ばＢａＴｉＯ３ にＭｇＯやＭｎＯを添加したり（特開
昭５７−７１８６６号）、さらにこの系にＣａＺｒＯ３
を添加した物（特開昭６２−１５７６０３号）が提案
されている。
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ３ を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。しかしながら、これらの貴
金属は高価であるという問題があり、高容量化を図るた
めに、内部電極数を増加させた場合にはコストが著しく
高くなる。そこで安価なニッケル等の卑金属を内部電極
材料として用いることが試みられている。しかしながら
ニッケル等の卑金属から成る内部電極を用いた場合には
、内部電極材料が酸化しやすいため還元雰囲気中で焼成
しなければならず、そのような雰囲気下で焼成するとセ
ラミックスが還元され絶縁性を失ってしまうという問題
があった。このような問題を解決するものとして、例え
ばＢａＴｉＯ３ にＭｇＯやＭｎＯを添加したり（特開
昭５７−７１８６６号）、さらにこの系にＣａＺｒＯ３
を添加した物（特開昭６２−１５７６０３号）が提案
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
行技術に示されている誘電体では、比誘電率が経時的に
低下し、初期の特性が維持できないという問題があった
。また、ＣＲ積を大きくすると誘電率の温度変化率（但
し、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で＋２５℃を基準とす
る。）が、Ｅ．Ｉ．Ａ．規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｓｔａ
ｎｄａｒｄ）の値の±１５％を外れやすくなるという問
題もあった。本発明の目的は、高い比誘電率及び小さい
誘電正接を維持しつつ、比誘電率のエージング特性に優
れＣＲ積が大きくかつ静電容量の温度変化の小さい非還
元性誘電体磁器組成物を提供することにある。
行技術に示されている誘電体では、比誘電率が経時的に
低下し、初期の特性が維持できないという問題があった
。また、ＣＲ積を大きくすると誘電率の温度変化率（但
し、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で＋２５℃を基準とす
る。）が、Ｅ．Ｉ．Ａ．規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ
ＩｎｄｕｓｔｒｙＡｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ Ｓｔａ
ｎｄａｒｄ）の値の±１５％を外れやすくなるという問
題もあった。本発明の目的は、高い比誘電率及び小さい
誘電正接を維持しつつ、比誘電率のエージング特性に優
れＣＲ積が大きくかつ静電容量の温度変化の小さい非還
元性誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。 （１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｔ）ＢａＴｉＯ３ ＋ａＣａＴ
ｉＯ３ ＋ｂ｛（１−ｘ）ＢａＺｒＯ３ ＋ｘＳｒＺｒ
Ｏ３ ｝＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３ 但し
、式中ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒまたはＹｂの
少なくとも１種を示す。また、本発明の非還元性誘電体
磁器組成物は、上記主成分１００重量部に対しＳｉＯ２
，Ｌｉ２ ＯまたはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１種か
らなる添加剤を０．１〜５．０重量部含有する。
物は、下記の組成式で表される成分を主成分として含有
する。 （１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｔ）ＢａＴｉＯ３ ＋ａＣａＴ
ｉＯ３ ＋ｂ｛（１−ｘ）ＢａＺｒＯ３ ＋ｘＳｒＺｒ
Ｏ３ ｝＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３ 但し
、式中ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒまたはＹｂの
少なくとも１種を示す。また、本発明の非還元性誘電体
磁器組成物は、上記主成分１００重量部に対しＳｉＯ２
，Ｌｉ２ ＯまたはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１種か
らなる添加剤を０．１〜５．０重量部含有する。
【０００５】
【作用】上記組成式において、ａが０．０５以下とされ
ているのはＣａＴｉＯ３ が５モル％を超えて配合され
ると、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率（以下、誘電率の温度変化率）が±１５％
を超えてしまうからである。次に、ｂが０＜ｂ≦０．０
５の間とされているのは、その範囲外では−５５℃〜＋
１２５℃の温度範囲での誘電率の温度変化率が±１５％
を超えたり、ＳｒＺｒＯ３ やＢａＺｒＯ３ の添加量
が多いと、ＣＲ積が１０００以下に低下し、絶縁抵抗が
不十分となり積層コンデンサとして使用できなくなるか
らである。また、ｃが０．００５〜０．０８の間とされ
ているのは、ＭｇＯの配合比がこの範囲外であると、Ｃ
Ｒ積が１０００以下に低下し、絶縁抵抗が不十分となる
からである。また、ｄが０．００５〜０．０２の範囲と
されているのは、ＭｎＯの配合比が０．５モル％未満で
は、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲での誘電率の温度
変化率が±１５％を超えるからであり、他方２．０モル
％を超えるとＣＲ積が低下するからである。さらに、ｔ
が０．００５〜０．０２の範囲とされているのは、Ｒｅ
２ Ｏ３ の配合比が０．５モル％より少ない場合には
−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲における誘電率の温度
変化率が±１５％を超えるからであり、２．０モル％を
超えると焼結性が低下し、１２５０℃以下の温度で焼結
し難くなるからである。本発明において、ＳｉＯ２ ，
ＬｉＯ２ またはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１種からな
る添加剤を配合しているのは焼結性を高めるためである
。もっとも、主成分１００重量部に対して添加剤の配合
比が０．１重量部未満では、１３００℃の温度でも焼結
しなくなり、また主成分１００重量部に対し添加剤が５
．０重量部を超えて添加された場合には、誘電率が大幅
に低下する。従って、主成分１００重量部に対する添加
剤の含有量は５．０重量部が上限となる。本発明では、
特にＣａＴｉＯ３ ， ＢａＺｒＯ３ ，やＳｒＺｒＯ
３ を添加することで誘電率の経時変化が少なく、かつ
上記特定の添加剤を配合することで１２５０℃以下の温
度で焼成することが可能とされており、後述の実施例か
ら明らかなように誘電率の温度変化率が小さく、十分な
大きさのＣＲ積を示す非還元性誘電体磁器組成物が得ら
れる。
ているのはＣａＴｉＯ３ が５モル％を超えて配合され
ると、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の温度
による変化率（以下、誘電率の温度変化率）が±１５％
を超えてしまうからである。次に、ｂが０＜ｂ≦０．０
５の間とされているのは、その範囲外では−５５℃〜＋
１２５℃の温度範囲での誘電率の温度変化率が±１５％
を超えたり、ＳｒＺｒＯ３ やＢａＺｒＯ３ の添加量
が多いと、ＣＲ積が１０００以下に低下し、絶縁抵抗が
不十分となり積層コンデンサとして使用できなくなるか
らである。また、ｃが０．００５〜０．０８の間とされ
ているのは、ＭｇＯの配合比がこの範囲外であると、Ｃ
Ｒ積が１０００以下に低下し、絶縁抵抗が不十分となる
からである。また、ｄが０．００５〜０．０２の範囲と
されているのは、ＭｎＯの配合比が０．５モル％未満で
は、−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲での誘電率の温度
変化率が±１５％を超えるからであり、他方２．０モル
％を超えるとＣＲ積が低下するからである。さらに、ｔ
が０．００５〜０．０２の範囲とされているのは、Ｒｅ
２ Ｏ３ の配合比が０．５モル％より少ない場合には
−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲における誘電率の温度
変化率が±１５％を超えるからであり、２．０モル％を
超えると焼結性が低下し、１２５０℃以下の温度で焼結
し難くなるからである。本発明において、ＳｉＯ２ ，
ＬｉＯ２ またはＢ２ Ｏ３ の少なくとも１種からな
る添加剤を配合しているのは焼結性を高めるためである
。もっとも、主成分１００重量部に対して添加剤の配合
比が０．１重量部未満では、１３００℃の温度でも焼結
しなくなり、また主成分１００重量部に対し添加剤が５
．０重量部を超えて添加された場合には、誘電率が大幅
に低下する。従って、主成分１００重量部に対する添加
剤の含有量は５．０重量部が上限となる。本発明では、
特にＣａＴｉＯ３ ， ＢａＺｒＯ３ ，やＳｒＺｒＯ
３ を添加することで誘電率の経時変化が少なく、かつ
上記特定の添加剤を配合することで１２５０℃以下の温
度で焼成することが可能とされており、後述の実施例か
ら明らかなように誘電率の温度変化率が小さく、十分な
大きさのＣＲ積を示す非還元性誘電体磁器組成物が得ら
れる。
【０００６】
【実施例の説明】次に本発明を実施例に基づき、詳細に
説明する。まず、表１〜４に示した出発原料を表中の割
合となるように秤量し、さらに有機バインダを添加しボ
ールミルにて２４時間湿式混合することによってスラリ
ーを作製した。このスラリーを用いてドクターブレード
法などのシート成形法によって厚み３０〜４０μｍのグ
リーンシートを作製した。また、ニッケル粉末と有機ビ
ヒクルとからなる内部電極ペーストを準備した。このペ
ーストをグリーンシート上にスクリーン印刷し、積層し
たのち熱圧着して積層体を作製した。得られた積層体を
適当な大きさに切断し、３００℃で２時間空気雰囲気中
に維持してバインダを除去した後、Ｎ２ ／Ｈ２ ／Ｈ
２ Ｏ 雰囲気中で表３〜４に示す各焼成温度で２時間
焼成した。焼成されたチップの端面に銀とパラジウムの
合金の粉末からなるペーストを塗布し、７００℃〜９０
０℃で焼き付けることによって端面電極を成形し、積層
セラミックコンデンサを得た。上記セラミックコンデン
サについて、誘電率ε，ｔａｎδ，誘電率の温度変化率
ＴＣ、絶縁抵抗ＩＲ及び静電容量のエージング率を測定
した。 測定条件は以下の通りである。 誘電率ε … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ にて行った。 ｔａｎδ … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ にて行った。 誘電率の温度変化率ＴＣ …−５５℃〜＋１２５℃の
範囲で測定。交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ ｍ ｓ にて
行った。 絶縁抵抗ＩＲ … ５０Ｖの電圧を印加し、２分経
過した後の値、またＣＲ積は、そのＩＲと静電容量とを
掛け合わせた値である。 静電容量のエージング率 … １５０℃，１時間の
熱もどし後、２４時間と２４０時間後の静電容量の変化
率測定結果を、表５，６に示す。またＣＲ積についても
表５，６に併せて示す。
説明する。まず、表１〜４に示した出発原料を表中の割
合となるように秤量し、さらに有機バインダを添加しボ
ールミルにて２４時間湿式混合することによってスラリ
ーを作製した。このスラリーを用いてドクターブレード
法などのシート成形法によって厚み３０〜４０μｍのグ
リーンシートを作製した。また、ニッケル粉末と有機ビ
ヒクルとからなる内部電極ペーストを準備した。このペ
ーストをグリーンシート上にスクリーン印刷し、積層し
たのち熱圧着して積層体を作製した。得られた積層体を
適当な大きさに切断し、３００℃で２時間空気雰囲気中
に維持してバインダを除去した後、Ｎ２ ／Ｈ２ ／Ｈ
２ Ｏ 雰囲気中で表３〜４に示す各焼成温度で２時間
焼成した。焼成されたチップの端面に銀とパラジウムの
合金の粉末からなるペーストを塗布し、７００℃〜９０
０℃で焼き付けることによって端面電極を成形し、積層
セラミックコンデンサを得た。上記セラミックコンデン
サについて、誘電率ε，ｔａｎδ，誘電率の温度変化率
ＴＣ、絶縁抵抗ＩＲ及び静電容量のエージング率を測定
した。 測定条件は以下の通りである。 誘電率ε … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ にて行った。 ｔａｎδ … ２５℃、交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ
ｍ ｓ にて行った。 誘電率の温度変化率ＴＣ …−５５℃〜＋１２５℃の
範囲で測定。交流１ｋＨｚ，１．０Ｖｒ ｍ ｓ にて
行った。 絶縁抵抗ＩＲ … ５０Ｖの電圧を印加し、２分経
過した後の値、またＣＲ積は、そのＩＲと静電容量とを
掛け合わせた値である。 静電容量のエージング率 … １５０℃，１時間の
熱もどし後、２４時間と２４０時間後の静電容量の変化
率測定結果を、表５，６に示す。またＣＲ積についても
表５，６に併せて示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】
【表３】
【００１０】
【表４】
【００１１】但し、表３及び表４における添加剤の組成
Ａ及びＢは、以下の通りである。 組成Ａ：ＳｉＯ２ …５０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…２０重
量部，ＢａＯ…１０重量部，ＣａＯ…１０重量部，Ｓｒ
Ｏ…１０重量部。 組成Ｂ：Ｂ２ Ｏ３ …２０重量部，ＢａＯ…４０重量
部，ＳｉＯ２ …３０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…１０重量部
。
Ａ及びＢは、以下の通りである。 組成Ａ：ＳｉＯ２ …５０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…２０重
量部，ＢａＯ…１０重量部，ＣａＯ…１０重量部，Ｓｒ
Ｏ…１０重量部。 組成Ｂ：Ｂ２ Ｏ３ …２０重量部，ＢａＯ…４０重量
部，ＳｉＯ２ …３０重量部，Ｌｉ２ Ｏ…１０重量部
。
【００１２】
【表５】
【００１３】
【表６】
【００１４】表５，６から明らかなように、ＣａＴｉＯ
３ の配合比を増量する（試料番号８〜１１）と、エー
ジング率が小さくなる。また、試料番号１１の焼結体で
は主成分中の配合比が本発明の範囲外であるため、誘電
率の温度変化率が大きい。試料番号１の焼結体では、Ｂ
ａＺｒＯ３ 及びＳｒＺｒＯ３ がともに添加されてな
いためエージング率が大きくなっている。また、試料番
号５〜７は、ＢａＺｒＯ３ 及びＳｒＺｒＯ３ の配合
比が範囲外であるため、誘電率の温度変化率が大きくな
ったり、ＳｒＺｒＯ３ の添加量が多い試料番号７では
ＣＲ積が９００と小さくなっている。また、試料番号１
２の焼結体では添加剤が添加されてないため、１３００
℃でも焼結が不十分であり上記各測定を行い得なかった
。試料番号１４の焼結体では、添加剤の含有量が６．０
重量％と高いため誘電率が２２００と低い。試料番号１
８，１９の焼結体では、主成分中のＭｇＯの配合比が本
発明の範囲外であるため、ＣＲ積が１０００以下と低い
。試料番号２０の焼結体では、ＭｎＯが含有されてない
ため−５５℃における誘電率の温度変化率が−１９．５
％と大きいことが分かる。また、試料番号２２の焼結体
ではＭｎＯの配合比が２．５モル％と高く、そのためＣ
Ｒ積が７００と低下している。
３ の配合比を増量する（試料番号８〜１１）と、エー
ジング率が小さくなる。また、試料番号１１の焼結体で
は主成分中の配合比が本発明の範囲外であるため、誘電
率の温度変化率が大きい。試料番号１の焼結体では、Ｂ
ａＺｒＯ３ 及びＳｒＺｒＯ３ がともに添加されてな
いためエージング率が大きくなっている。また、試料番
号５〜７は、ＢａＺｒＯ３ 及びＳｒＺｒＯ３ の配合
比が範囲外であるため、誘電率の温度変化率が大きくな
ったり、ＳｒＺｒＯ３ の添加量が多い試料番号７では
ＣＲ積が９００と小さくなっている。また、試料番号１
２の焼結体では添加剤が添加されてないため、１３００
℃でも焼結が不十分であり上記各測定を行い得なかった
。試料番号１４の焼結体では、添加剤の含有量が６．０
重量％と高いため誘電率が２２００と低い。試料番号１
８，１９の焼結体では、主成分中のＭｇＯの配合比が本
発明の範囲外であるため、ＣＲ積が１０００以下と低い
。試料番号２０の焼結体では、ＭｎＯが含有されてない
ため−５５℃における誘電率の温度変化率が−１９．５
％と大きいことが分かる。また、試料番号２２の焼結体
ではＭｎＯの配合比が２．５モル％と高く、そのためＣ
Ｒ積が７００と低下している。
【００１５】試料番号２３の焼結体では、希土類酸化物
が含まれていないため誘電率の温度変化率が、＋１２５
℃で−１６．０％とかなり大きかった。また、試料番号
２５の焼結体は、希土類酸化物の主成分中の配合比が２
．５モル％と高く１３００℃でも焼結しなかった。試料
番号２６，２７の焼結体では、希土類酸化物が範囲外で
あるため、いずれも誘電率の温度変化率が大きい。これ
らに対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の焼
結体はいずれも誘電率が比較的高く、ｔａｎδも１．８
％以下と低く、絶縁抵抗を示すＣＲ積も２０００以上と
高く、かつ−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の
温度変化率も±１５％未満でありエージング率も−２．
０％／ｄｅｃａｄｅ未満となっていることが分かる。す
なわち、本発明の範囲内の焼結体では、優れた誘電特性
を示している。上記組成のうちＭｇＯやＭｎＯ等の酸化
物はこれに限るものでなく、例えばＭｇＣＯ３ ，Ｍｎ
ＣＯ３ 等の炭酸物等を使用しても差し支えない。
が含まれていないため誘電率の温度変化率が、＋１２５
℃で−１６．０％とかなり大きかった。また、試料番号
２５の焼結体は、希土類酸化物の主成分中の配合比が２
．５モル％と高く１３００℃でも焼結しなかった。試料
番号２６，２７の焼結体では、希土類酸化物が範囲外で
あるため、いずれも誘電率の温度変化率が大きい。これ
らに対して、本発明の範囲内に入る残りの試料番号の焼
結体はいずれも誘電率が比較的高く、ｔａｎδも１．８
％以下と低く、絶縁抵抗を示すＣＲ積も２０００以上と
高く、かつ−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で誘電率の
温度変化率も±１５％未満でありエージング率も−２．
０％／ｄｅｃａｄｅ未満となっていることが分かる。す
なわち、本発明の範囲内の焼結体では、優れた誘電特性
を示している。上記組成のうちＭｇＯやＭｎＯ等の酸化
物はこれに限るものでなく、例えばＭｇＣＯ３ ，Ｍｎ
ＣＯ３ 等の炭酸物等を使用しても差し支えない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、上記特
定の組成の主成分１００重量部に対し、上記特定の添加
剤が０．１〜５．０重量部含有されているため、１２５
０〜１３００℃の温度で焼成することができ、かつ十分
な誘電特性を示す誘電体磁器を提供することが可能とな
る。従って、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Ｎ
ｉのような卑金属を内部電極材料として用いることがで
き、それによって安価な積層セラミック電子部品を提供
することが可能となる。
定の組成の主成分１００重量部に対し、上記特定の添加
剤が０．１〜５．０重量部含有されているため、１２５
０〜１３００℃の温度で焼成することができ、かつ十分
な誘電特性を示す誘電体磁器を提供することが可能とな
る。従って、本発明の誘電体磁器組成物を用いれば、Ｎ
ｉのような卑金属を内部電極材料として用いることがで
き、それによって安価な積層セラミック電子部品を提供
することが可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式が、 （１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｔ）ＢａＴｉＯ３ ＋ａＣａＴ
ｉＯ３ ＋ｂ｛（１−ｘ）ＢａＺｒＯ３ ＋ｘＳｒＺｒ
Ｏ３ ｝＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ＋ｔＲｅ２ Ｏ３
（式中、ＲｅはＹ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，ＥｒまたはＹｂ
の少なくとも１種を示す）で示される主成分１００重量
部に対して、ＳｉＯ２ ，Ｌｉ２ＯまたはＢ２ Ｏ３
の少なくとも１種類からなる添加剤を０．１〜５．０重
量部含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024552A JP2605987B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3024552A JP2605987B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264306A true JPH04264306A (ja) | 1992-09-21 |
| JP2605987B2 JP2605987B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=12141316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3024552A Expired - Lifetime JP2605987B2 (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605987B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605904A3 (en) * | 1993-01-08 | 1994-11-23 | Murata Manufacturing Co | Non-reducible dielectric ceramic composition. |
| KR100337651B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2002-05-24 | 사토 히로시 | 유전체 자기 조성물, 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP2003048774A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-21 | Kyocera Corp | 誘電体磁器及びその製法並びに積層型電子部品 |
| JP2011207696A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| CN112142465A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 西华大学 | 稀土离子改性的5g基站用滤波器陶瓷及其制备方法 |
| EP3892600A1 (en) * | 2015-07-23 | 2021-10-13 | Ferro Corporation | Cog dielectric composition for use wth nickel electrodes |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP3024552A patent/JP2605987B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0605904A3 (en) * | 1993-01-08 | 1994-11-23 | Murata Manufacturing Co | Non-reducible dielectric ceramic composition. |
| KR100337651B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2002-05-24 | 사토 히로시 | 유전체 자기 조성물, 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP2003048774A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-21 | Kyocera Corp | 誘電体磁器及びその製法並びに積層型電子部品 |
| JP2011207696A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| EP3892600A1 (en) * | 2015-07-23 | 2021-10-13 | Ferro Corporation | Cog dielectric composition for use wth nickel electrodes |
| CN112142465A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 西华大学 | 稀土离子改性的5g基站用滤波器陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605987B2 (ja) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6853536B2 (en) | Dielectric ceramic, method of producing the same, and monolithic ceramic capacitor | |
| KR100374470B1 (ko) | 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
| JP4491794B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| KR100313234B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 | |
| JPH04218207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| EP0893419B1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same | |
| KR100201201B1 (ko) | 모놀리딕 세라믹 커패시터 | |
| KR100326950B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 부품 | |
| KR19980018400A (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2003286079A (ja) | 耐還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2002187770A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| EP0605904A2 (en) | Nonreducible dielectric ceramic composition | |
| KR980009197A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP2002087879A (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JPWO2002000568A1 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| KR100673916B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 | |
| JP2958817B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3334606B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP2605987B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| CN100509696C (zh) | 电介质瓷器组合物、积层型陶瓷电容器和电子部件 | |
| JPH04264305A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3259406B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001114559A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JP3259394B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2958820B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |