JPH04264738A - 電荷転送装置 - Google Patents

電荷転送装置

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JPH04264738A
JPH04264738A JP2591591A JP2591591A JPH04264738A JP H04264738 A JPH04264738 A JP H04264738A JP 2591591 A JP2591591 A JP 2591591A JP 2591591 A JP2591591 A JP 2591591A JP H04264738 A JPH04264738 A JP H04264738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge transfer
electrodes
charge
transfer device
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2591591A
Other languages
English (en)
Inventor
Yosuke Kiyono
清野　洋介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電荷転送装置に関し、特
にＣＣＤに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電荷転送装置においては
、図４に示すように、半導体基板１の電荷転送部５上を
横断する転送電極（蓄積電極３ｉ，３ｊ，…、と障壁電
極４ｉ，４ｊ，…、の総称）が電荷転送方向６に対して
垂直な直線状の端面を有する構造となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の電荷転
送装置では、それぞれの転送電極に適当なパルス電圧を
加えた場合に誘起されるポテンシャルの段の３次元的変
化が極めて一般的な階段状のものとなる。このため電荷
の転送において、階段の端に近い部分に存在する電荷に
比較して階段の端から遠い部分，すなわちポテンシャル
の壁の近傍に存在する電荷は移動に要する距離が長いう
え、さらに階段上のポテンシャルの傾きが小さくなる部
分では電界が弱くなるため、全電荷の転送に要する時間
すなわち転送速度を速くできない問題点があった。
【０００４】また、転送電極の長さを変えて電荷の移動
距離を短かくして転送速度を速くする事も可能であるが
、この場合はポテンシャル井戸に蓄えられる電荷の量が
減少する問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板上
に絶縁膜を介して複数の転送電極を列状に配置した電荷
転送装置において、前記転送電極は電荷転送方向に対し
て部分的に後退した形状を有しているというものである
。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００７】図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す
平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図であ
る。
【０００８】シリコンなどの半導体基板１上に絶縁膜２
を介して蓄積電極３ａｉ，３ａｊ，障壁電極４ａｉ，４
ａｊか列状に配置されているが、これらの転送電極は、
電荷転送部５の上にある部分で電荷転送方向６に対して
およそ長さの３０％程度、円弧状に後退した構造をして
いる。
【０００９】図２は、電荷転送部における電荷転送時の
ポテンシャル分布の概略を示す図である。
【００１０】電荷転送部の中央部分において、隣接する
転送電極との境の部でポテンシャル変化が周辺部分に比
べて急峻になっている。フリンジング・フィード・ドリ
フトを積極的に利用することにより転送する電荷の量を
減少させることなく電荷の転送速度を１０〜２０％程度
向上することができる。
【００１１】図３は本発明の第２の実施例を示す平面図
である。電荷転送部５の上にある部分の転送電極が電荷
転送方向６に対して台形状に後退した構造をしている。 この実施例ではパターンが直線にて構成されているため
フォトマスクの作成が容易であり集積パターンに適して
いる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は電荷転送装
置の電荷転送部上を横断する転送電極が電荷転送方向に
対して部分的に後退した構造を有することによりフリン
ジング・フィールド・ドリフトを積極的に導入すること
ができるため転送する電荷の量を減少させることなく電
荷の転送速度を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図（図１（ａ
））および断面図（図１（ｂ））である。
【図２】本発明の第１の実施例における電荷転送部のポ
テンシャル・プロフィールを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す平面図である。
【図４】従来例を示す平面図（図４（ａ））および断面
図である。
【符号の説明】
１　　　　半導体基板 ２　　　　絶縁膜 ３ｉ，３ｊ，３ａｉ，３ａｊ，３ｂｉ，３ｂｊ　　　　
蓄積電極 ４ｉ，４ｊ，４ａｉ，４ａｊ，４ｂｉ，４ｂｊ　　　　
障壁電極 ５　　　　電荷転送部 ６　　　　電荷転送方向

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体基板上に絶縁膜を介して複数の
    転送電極を列状に配置した電荷転送装置において、前記
    転送電極は電荷転送方向に対して部分的に後退した形状
    を有していることを特徴とする電荷転送装置。
  2. 【請求項２】　　電荷転送部上で円弧状に後退している
    請求項１記載の電荷転送装置。
JP2591591A 1991-02-20 1991-02-20 電荷転送装置 Pending JPH04264738A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58212176A (ja) * 1982-06-02 1983-12-09 Nec Corp 電荷転送装置
JPS60257574A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Matsushita Electronics Corp 電荷転送装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58212176A (ja) * 1982-06-02 1983-12-09 Nec Corp 電荷転送装置
JPS60257574A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Matsushita Electronics Corp 電荷転送装置

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19971007