JPS60257574A - 電荷転送装置 - Google Patents

電荷転送装置

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JPS60257574A
JPS60257574A JP59113184A JP11318484A JPS60257574A JP S60257574 A JPS60257574 A JP S60257574A JP 59113184 A JP59113184 A JP 59113184A JP 11318484 A JP11318484 A JP 11318484A JP S60257574 A JPS60257574 A JP S60257574A
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JP
Japan
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transfer
electrode
transfer device
charge transfer
electrodes
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JP59113184A
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English (en)
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JPH0695536B2 (ja
Inventor
Takao Kuroda
黒田　隆男
Sakaki Horii
堀居　賢樹
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00—Charge transfer devices
    • H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
    • H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電荷転送装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点） 電荷転送装置は、電荷結合素子（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐ
ｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ　、以下ＣＣＤと略記する）を中
心として固体撮像素子、遅延素子、メモリー等幅広く利
用されている。とシわけ最近は、その利用周波数が、次
第に高くなっている。そしてまた転送効率も、高木￥の
ものが望凍れている。
以下、従来のＣＣＤの構成を図面によって説明する。
第１図（、）は、従来よシ通常用いられている埋め込み
チャンネルＣＯＤの断面図、第１図（ｂ）は、その上面
図である。ここでは、ｎチャンネルで、不純物注入によ
ってポテンシャル差を作りつけた構造で、２相駆動のも
のを例として挙げているが、以下に述べるように、極性
、駆動相の数、埋め込みチャンネルか否かには無関係で
ある。第１図において、２はＮ一層、３は更にＰ型不純
物を注入し、Ｎ一層２よシも不純物濃度の低いＮ層で、
Ｎ−２との間にはポテンシャル差が作９つけられている
。転送電極４〜９に、端子１６．１７からそれぞれ印加
されるクロック・やルス１８と１９を第２図に示す。
第３図は、第２図の時刻を二ｔ１における、第１図のＮ
一層２内の各領域１０．ｌｉ？　１２．１３，１４　。
１５の最大電位分布を示したものである。ここで、領域
１１，１３．１５が長ければ、第３図に示すように、こ
の領域の電位は平たんであり、従って、転送されるべき
電子２０は電界ではなく熱運動によって、領域１２（従
って領域１３）へ転送される。この転送が熱運動による
ため、それに要する時間が永くかかり、高速駆動では高
い転送効率が得られないという問題点があった。
（発明の目的） 本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、高い周波数でも
、高い転送効率を実現できる電荷転送装置を提供するも
のである。
（発明の構成） 上記目的を達成するため、本発明は、互いに隣接する２
つの転送電極が所要の幅のオーパーラツノ部分を有し、
かつ一方の電極が他方の電極の領域に入シ込むような突
出部を有する構成となっている。
（実施例の説明） １１　本発明の第１の実施例を第４図を用いて説明す′
［、、。つ４゜えおいア１、送、ゆ。、６，８ゆ隣接す
る転送電極５，７．９とそれぞれ所要の幅でオーバーラ
ツプする部分２１を有し、かつ電極４゜６．８が電極５
，７等の領域にそれぞれ入シ込むような三角形の突出部
分２２を有している。
このような構造をとることにより、たとえば転送電極５
のチャンネル内の電子は、そこにできる転送電極６の最
も近い領域（突出部分）に向かう電界によって速やかに
転送電極６に、従って転送電極７に転送される。その結
果、高い周波数においても高い転送効率を実現すること
ができる。
第５図は、本発明の他の実施例を示したものである。こ
こでは、転送電極６．８だけでなく、転送電極５，７．
９．にも、それぞれ隣接電極領域に入り込むような突出
部２３が設けられている。
このように全転送電極に突出部２２．２３を設けること
によって第１の実施例よりもその効果は高くなる。
以上述べた実施例は、基本的な例であるが、駆動相の数
、チャンネルの極性、埋め込みチャンネルか表面チャン
ネルか、転送電極を形成する層数等に無関係に有効であ
ることは明らかである。
また、突出部は、三角形に限らず、四角形でもまたその
他の形でも有効である。さらにｐ型基板上に設けられた
ＣＣＤのみならず、ｎ型基板上に形成されたＰ層、いわ
ゆるＰウェル上に設けられたＣＯＤについても有効であ
ることは言うまでもない。
また実際に転送電極を設けずに不純物の導入によって電
位を設定する領域を有するいわゆる仮想電位型ＣＣＤ　
（Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｐｈａｓｅ　ＣＣＤ　）　でも同様
の効果がある。
（発明の効果） 以」二のように本発明は、転送電極が隣接する転送電極
に入シ込むような突出部を有する構造にするととによっ
て、高い周波数においても高い転送効率を実現すること
ができ、その実用的効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のＣＣＤの構成図、第２図は、クロック
・ぐルスを示す図、第３図は、従来例における電位分布
を示す図、第４図は、本発明の第１の実施例の構成図、
第５図は、本発明の第２の実施例の構成図である。 ２・・・Ｎ一層、３・・Ｎ一層よシネ鈍物濃度の低いＮ
１．４．５，６，７，８．９・転送電極、１８．１９・
・・駆動クロック・やルス、２０・・・電子、２１・・
・オーバーラツプ部−２２，２３・・・突出部。 第１図 第２図 電 尻 を雪１＋　□綺ｒ、ｎ 第３図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）互いに隣接した２つの転送電極が所要の幅のオー
    バーラツプ一部を有し、かつ一方の電極が他方の電極の
    領域に入シ込むような突出部を有することを特徴とする
    電荷転送装置。
  2. （２）１つの転送電極に複数個の突出部が設けられてい
    るととを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の電
    荷転送装置。
JP59113184A 1984-06-04 1984-06-04 電荷転送装置 Expired - Lifetime JPH0695536B2 (ja)

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JPH0695536B2 JPH0695536B2 (ja) 1994-11-24

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