JPH04264740A - ワイヤボンディング装置 - Google Patents
ワイヤボンディング装置Info
- Publication number
- JPH04264740A JPH04264740A JP3025916A JP2591691A JPH04264740A JP H04264740 A JPH04264740 A JP H04264740A JP 3025916 A JP3025916 A JP 3025916A JP 2591691 A JP2591691 A JP 2591691A JP H04264740 A JPH04264740 A JP H04264740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- lead frame
- dimple
- wire bonding
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
に関し、特にディンプル加工されたリードフレームを使
用するワイヤボンディング装置のヒータブロックに関す
る。
に関し、特にディンプル加工されたリードフレームを使
用するワイヤボンディング装置のヒータブロックに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ワイヤボンディングを行う場合、
ヒータブロックは、図３，図４に示す様にボンディング
するリードフレーム１にペレット２をダイボンディング
する際に使用する各種ハードソルダ３の流れ止めに設け
られたディンプル部４を逃がすために、凹状の掘り込み
を有する構造となっている。
ヒータブロックは、図３，図４に示す様にボンディング
するリードフレーム１にペレット２をダイボンディング
する際に使用する各種ハードソルダ３の流れ止めに設け
られたディンプル部４を逃がすために、凹状の掘り込み
を有する構造となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このヒータブロック５
の凹状の掘り込み深さはリードフレーム１に施されたデ
ィンプル部４の寸法に対応すべく予め決められているが
このディンプル部４の寸法は、あるバラツキをもってい
る為、ダイボンディングされているペレット２にワイヤ
ボンディングを行う時のボンダビリティを考慮し、通常
はディンプル部４の寸法の最小値で作られている。
の凹状の掘り込み深さはリードフレーム１に施されたデ
ィンプル部４の寸法に対応すべく予め決められているが
このディンプル部４の寸法は、あるバラツキをもってい
る為、ダイボンディングされているペレット２にワイヤ
ボンディングを行う時のボンダビリティを考慮し、通常
はディンプル部４の寸法の最小値で作られている。
【０００４】この為ディンプル寸法の最大値の物が流れ
て来た場合リードフレームが薄い場合等、ワイヤボンデ
ィングする時リードフレーム１をヒータブロック５に押
えつける為のクランパ６によりリードフレーム１のディ
ンプル部４に応力が加わりリードフレーム上にダイマウ
ントされているペレット２にクラック等が発生し不具合
となる事がある。
て来た場合リードフレームが薄い場合等、ワイヤボンデ
ィングする時リードフレーム１をヒータブロック５に押
えつける為のクランパ６によりリードフレーム１のディ
ンプル部４に応力が加わりリードフレーム上にダイマウ
ントされているペレット２にクラック等が発生し不具合
となる事がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ディンプル加
工されたリードフレームを乗せるヒータブロックと、前
記リードフレームを前記ヒータブロックに押しつけて固
定するクランパとを有するワイヤボンディング装置にお
て、前記ヒータブロックは前記リードフレームのディン
プル部に対応して設けられた貫通孔を有する第１ブロッ
クと、前記貫通孔内に前記第１ブロックと絶縁されて挿
入された第２ブロックとを有しているというものである
。
工されたリードフレームを乗せるヒータブロックと、前
記リードフレームを前記ヒータブロックに押しつけて固
定するクランパとを有するワイヤボンディング装置にお
て、前記ヒータブロックは前記リードフレームのディン
プル部に対応して設けられた貫通孔を有する第１ブロッ
クと、前記貫通孔内に前記第１ブロックと絶縁されて挿
入された第２ブロックとを有しているというものである
。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【０００７】図１は、本発明の一実施例を示す平面図、
図２は図１のＹ−Ｙ線断面図である。
図２は図１のＹ−Ｙ線断面図である。
【０００８】ディンプル加工されているリードフレーム
１を使用して半導体を組立てる場合のワイヤボンダー用
のヒータブロックにおいて、リードフレームのディンプ
ル加工されている底面部が接触する第２ブロック５−２
と、ディンプル部以外のリードフレームが接触する第１
ブロック５−１が分離し、通常これらは電気的導通がな
く、しかもディンプル加工部の底面に接触する第２ブロ
ック５−２は、第１ブロック５−１に設けられた貫通孔
内をリードフレームに対し垂直方向に微動しもう一方の
第１ブロック５−１とディンプル底部を通し電気的導通
がとれるまで制御される。
１を使用して半導体を組立てる場合のワイヤボンダー用
のヒータブロックにおいて、リードフレームのディンプ
ル加工されている底面部が接触する第２ブロック５−２
と、ディンプル部以外のリードフレームが接触する第１
ブロック５−１が分離し、通常これらは電気的導通がな
く、しかもディンプル加工部の底面に接触する第２ブロ
ック５−２は、第１ブロック５−１に設けられた貫通孔
内をリードフレームに対し垂直方向に微動しもう一方の
第１ブロック５−１とディンプル底部を通し電気的導通
がとれるまで制御される。
【０００９】ディンプル部４にペレット２をハードソル
ダ３によりダイボンディングされたリードフレーム１が
ワイヤボンディングする為にボンディングステージに送
られてくるとリードフレーム１を上と下からクランパ６
とヒータブロックが動いてきてしっかりリードフレーム
１を固定する。この時、ディンプル部４の下の第２ブロ
ック５−２は、まだリードフレーム１とは接触していな
いように予め相対位置が定められているものとする。第
１ブロック５−１と第２ブロック５−２には電気的な結
線９，１０がされており通常は絶縁状態になっているが
、リードフレーム１をクランパ６とヒータブロックでし
っかり固定した後、制御部８により可動片５−２は上昇
し接触検知部７により電気的に導通を確認するとストッ
プし、これでワイヤボンディング可能な状態となる。
ダ３によりダイボンディングされたリードフレーム１が
ワイヤボンディングする為にボンディングステージに送
られてくるとリードフレーム１を上と下からクランパ６
とヒータブロックが動いてきてしっかりリードフレーム
１を固定する。この時、ディンプル部４の下の第２ブロ
ック５−２は、まだリードフレーム１とは接触していな
いように予め相対位置が定められているものとする。第
１ブロック５−１と第２ブロック５−２には電気的な結
線９，１０がされており通常は絶縁状態になっているが
、リードフレーム１をクランパ６とヒータブロックでし
っかり固定した後、制御部８により可動片５−２は上昇
し接触検知部７により電気的に導通を確認するとストッ
プし、これでワイヤボンディング可能な状態となる。
【００１０】
【発明の効果】本発明のワイヤボンディング装置は、リ
ードフレームのディンプル部に対応する貫通孔を有する
第１ブロックと、前記貫通孔内に挿入され前記第１ブロ
ックと相対的に移動可能な第２ブロックとからなるヒー
タブロックを有しているので、半導体装置のボンディン
グ時にディンプル寸法のバラツキによりディンプル部に
不要な応力を与える事もなくなり、ペレットラック等の
不具合発生もなくなる。
ードフレームのディンプル部に対応する貫通孔を有する
第１ブロックと、前記貫通孔内に挿入され前記第１ブロ
ックと相対的に移動可能な第２ブロックとからなるヒー
タブロックを有しているので、半導体装置のボンディン
グ時にディンプル寸法のバラツキによりディンプル部に
不要な応力を与える事もなくなり、ペレットラック等の
不具合発生もなくなる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１のＹ−Ｙ線断面図である。
【図３】従来例を示す平面図である。
【図４】図３のＹ−Ｙ線断面図である。
１ ディンプル加工されたリードフレーム２
ペレット ３ ハードソルダ ４ ディンプル部 ５ ヒータブロック ５−１ ヒータブロックの第１ブロック５−２
ヒータブロックの第２ブロック６ クラン
パ ７ 接続検出部 ８ 制御部 ９ 結線 １０ 結線
ペレット ３ ハードソルダ ４ ディンプル部 ５ ヒータブロック ５−１ ヒータブロックの第１ブロック５−２
ヒータブロックの第２ブロック６ クラン
パ ７ 接続検出部 ８ 制御部 ９ 結線 １０ 結線
Claims (1)
- 【請求項１】 ディンプル加工されたリードフレーム
を乗せるヒータブロックと、前記リードフレームを前記
ヒータブロックに押しつけて固定するクランパとを有す
るワイヤボンディング装置におて、前記ヒータブロック
は前記リードフレームのディンプル部に対応して設けら
れた貫通孔を有する第１ブロックと、前記貫通孔内に前
記第１ブロックと絶縁されて挿入された第２ブロックと
を有していることを特徴とするワイヤボンディング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025916A JPH04264740A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | ワイヤボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3025916A JPH04264740A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | ワイヤボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264740A true JPH04264740A (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=12179105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3025916A Pending JPH04264740A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | ワイヤボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04264740A (ja) |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3025916A patent/JPH04264740A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5559054A (en) | Method for ball bumping a semiconductor device | |
| US20050092815A1 (en) | Semiconductor device and wire bonding method | |
| US6177730B1 (en) | Semiconductor bare chip, method of manufacturing semiconductor bare chip and mounting structure of semiconductor bare chip | |
| JPH04264740A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
| JPS60120543A (ja) | 半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH0256942A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3424184B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2665061B2 (ja) | ワイヤーボンディング方法 | |
| JP2002313834A (ja) | ボンディングステージ、ワイヤボンダ及び回路基板実装体の実装方法 | |
| JPH05267385A (ja) | ワイヤーボンディング装置 | |
| JP2500555B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06333974A (ja) | 集積回路のボンディングパッド構造 | |
| JP2532304B2 (ja) | 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造 | |
| JP2943381B2 (ja) | ボンディング方法 | |
| JPH05160316A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2007012642A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP3041318B2 (ja) | 半導体装置のボンディング装置 | |
| JP2774635B2 (ja) | フィルムキャリャ及び半導体装置 | |
| JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH0590320A (ja) | ボール式ワイヤーボンデイング方法 | |
| JP2003007773A (ja) | ボンディングツールおよびボンディング方法 | |
| JP2002176125A (ja) | 半導体装置および半導体素子の実装方法、並びに半導体素子の位置合わせ方法 | |
| JPH05299569A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6376339A (ja) | 半導体チツプの実装方法 | |
| JPH0828459B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置 |