JPH0426557A - 窒化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体の製造方法Info
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- JPH0426557A JPH0426557A JP2131955A JP13195590A JPH0426557A JP H0426557 A JPH0426557 A JP H0426557A JP 2131955 A JP2131955 A JP 2131955A JP 13195590 A JP13195590 A JP 13195590A JP H0426557 A JPH0426557 A JP H0426557A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原料としてβ−窒化珪素を含有する窒化珪素
を用いてα −窒化珪素を含有する焼結体を製造する方
法に関するものである。
を用いてα −窒化珪素を含有する焼結体を製造する方
法に関するものである。
窒化珪素(812N4 )の焼結体は、強度か高く、耐
熱衝撃性、耐食性が優れるために、例えばガスタービン
部材、熱交換材料、ベアリング等に用いられつつある。
熱衝撃性、耐食性が優れるために、例えばガスタービン
部材、熱交換材料、ベアリング等に用いられつつある。
しかしなから、5jsNiは単独では焼結か困難なため
に、通常MgO,MgAzt O,、A1.03、Y2
O,等の酸化物を焼結助剤として添加し、焼結している
。これらの焼結助剤を用いた焼結は、焼結時に生ずる液
相を媒介としだ液相焼結によるものと考えられている。
に、通常MgO,MgAzt O,、A1.03、Y2
O,等の酸化物を焼結助剤として添加し、焼結している
。これらの焼結助剤を用いた焼結は、焼結時に生ずる液
相を媒介としだ液相焼結によるものと考えられている。
多くの場合、焼結後液相はガラス相として焼結体中に残
存し、高温強度、耐クリープ性なとの高温特性を低下さ
せる。
存し、高温強度、耐クリープ性なとの高温特性を低下さ
せる。
また、二〇液相の存在により、S L 2 N<結晶粒
の粒成長が起こりやすく強度を低下させる原因となる。
の粒成長が起こりやすく強度を低下させる原因となる。
このために、焼結助剤の添加量を少なくし、液相の量を
少なくすると、粒成長は多少は抑えられるが、逆に焼結
性か著しく低下する。
少なくすると、粒成長は多少は抑えられるが、逆に焼結
性か著しく低下する。
一方、S i z Naに種々の元素か固溶したもの(
一般にサイアロンと呼ばれるもの)か注目されている。
一般にサイアロンと呼ばれるもの)か注目されている。
例えば、α−8izNa構造で、Si位置にAA’が、
N位置に0が置換し、更に格子間位置に他の元素(Li
、Mg、Ca、Y等)が侵入型として固溶した、一般弐
Mエ (S i、 Ai) rt(0、N)+s(0<
X≦2、MはLi、Mg、Ca、Y等のうちの少なくと
も1種)で表されるα−3isN4 (一般にα−サイ
アロンと呼ばれる)あるいはβ−3isNa構造で、S
i位置に1が、N位置にOが固溶し、一般式Sls−z
Afm Ox N5−s (0<z≦4.2)で表さ
れるβ−3tsNs(一般にβ−サイアロンと呼ばれる
)が注目されている。
N位置に0が置換し、更に格子間位置に他の元素(Li
、Mg、Ca、Y等)が侵入型として固溶した、一般弐
Mエ (S i、 Ai) rt(0、N)+s(0<
X≦2、MはLi、Mg、Ca、Y等のうちの少なくと
も1種)で表されるα−3isN4 (一般にα−サイ
アロンと呼ばれる)あるいはβ−3isNa構造で、S
i位置に1が、N位置にOが固溶し、一般式Sls−z
Afm Ox N5−s (0<z≦4.2)で表さ
れるβ−3tsNs(一般にβ−サイアロンと呼ばれる
)が注目されている。
上記の中でもα −3j s Naが含まれてなる窒化
珪素質焼結体は、高温特性に優れ、高温構造用材料とし
て注目されている。
珪素質焼結体は、高温特性に優れ、高温構造用材料とし
て注目されている。
α −3tsN4が含まれてなる窒化珪素質焼結体を製
造する方法としては、α−3isN4の含有量の非常に
高い(95%以上)の5iaN4原料を使用し、これを
焼結している。これは、αSi*N4のα −3izN
*およびβ−3is Naあるいはβ SizNnへ
の変態を利用したものである。
造する方法としては、α−3isN4の含有量の非常に
高い(95%以上)の5iaN4原料を使用し、これを
焼結している。これは、αSi*N4のα −3izN
*およびβ−3is Naあるいはβ SizNnへ
の変態を利用したものである。
二のように原料としてα−3is Naの含有量の高い
窒化珪素原料を用いる方法では、該窒化珪素原料が高価
なためにコストか高くなってしまう。
窒化珪素原料を用いる方法では、該窒化珪素原料が高価
なためにコストか高くなってしまう。
しかも、上記原料により製造した窒化珪素質焼結体は、
生成するα−3i*Naの結晶粒が大きく、強度等が低
下してしまう。
生成するα−3i*Naの結晶粒が大きく、強度等が低
下してしまう。
〔第1発明の説明〕
本第1発明(特許請求の範囲に記載の発明)は、上記従
来技術の欠点に鑑みなされたものであり、原料としてα
−窒化珪素の含有量の高い窒化珪素原料を使用すること
なく、結晶粒の小さなα′窒化珪素を含有する窒化珪素
質焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。
来技術の欠点に鑑みなされたものであり、原料としてα
−窒化珪素の含有量の高い窒化珪素原料を使用すること
なく、結晶粒の小さなα′窒化珪素を含有する窒化珪素
質焼結体を製造する方法を提供することを目的とする。
本第1発明の窒化珪素質焼結体の製造方法は、β−窒化
珪素を含有する窒化珪素にイツトリアおよび憲化アルミ
ニウムを添加するとともにこれらを焼成することにより
α −窒化珪素を含有する焼結体を形成することを特徴
とするものである。
珪素を含有する窒化珪素にイツトリアおよび憲化アルミ
ニウムを添加するとともにこれらを焼成することにより
α −窒化珪素を含有する焼結体を形成することを特徴
とするものである。
本第1発明によれば、イツトリアおよび窒化アルミニウ
ムがβ−窒化珪素に作用して、焼成時にβ−窒化珪素が
α −窒化珪素に変態し、α窒化珪素を含有する焼結体
を形成する。しかも、生成するα −窒化珪素の結晶粒
が小さくなる。
ムがβ−窒化珪素に作用して、焼成時にβ−窒化珪素が
α −窒化珪素に変態し、α窒化珪素を含有する焼結体
を形成する。しかも、生成するα −窒化珪素の結晶粒
が小さくなる。
このため、原料として高価なα−窒化珪素を多量に含有
する窒化珪素原料を使用することがないため低コストで
1.結晶粒の小さいα′−窒化珪素を含有する焼結体を
形成することができる。
する窒化珪素原料を使用することがないため低コストで
1.結晶粒の小さいα′−窒化珪素を含有する焼結体を
形成することができる。
〔第1発明のその他の発明の説明〕
本第1発明をより具体的にしたその他の発明を説明する
。
。
本発明は、β−窒化珪素を含有する窒化珪素にイツトリ
アおよび窒化アルミニウムを添加する(第1工程)とと
もに上記原料組成物を焼成する(第2工程)。
アおよび窒化アルミニウムを添加する(第1工程)とと
もに上記原料組成物を焼成する(第2工程)。
本$1工程において、β−窒化珪素を含有する窒化珪素
(M化珪素原料)にイツトリアおよび窒化アルミニウム
を添加して原料組成物を調製する。
(M化珪素原料)にイツトリアおよび窒化アルミニウム
を添加して原料組成物を調製する。
窒化珪素(SizNn)原料としては、β−3t、Na
を含有するものである。なお、該窒化珪素原料には、β
−3t s N4以外にα−8isNa等が含まれてい
てもよい。β−5i2r’J4の含有量としては、窒化
珪素原料全体に対して5重量%以上が望ましい。5重量
%以上であると、β−3i2N4以外の5i=N、がβ
−8isNaあるいはβ−3isNaに変態し、その際
に伴う粒成長、または窒化珪素原料中に含まれるα−5
i2 Naからβ−3isN4あるいはβ−3isNa
への変態に伴う粒成長を抑制して微細な結晶粒を形成す
ることができる。また、原料中にα−3i*Naが多い
と、焼成の際にこのα−3ixN4が生成した液相中に
溶解し、β−5i=N。
を含有するものである。なお、該窒化珪素原料には、β
−3t s N4以外にα−8isNa等が含まれてい
てもよい。β−5i2r’J4の含有量としては、窒化
珪素原料全体に対して5重量%以上が望ましい。5重量
%以上であると、β−3i2N4以外の5i=N、がβ
−8isNaあるいはβ−3isNaに変態し、その際
に伴う粒成長、または窒化珪素原料中に含まれるα−5
i2 Naからβ−3isN4あるいはβ−3isNa
への変態に伴う粒成長を抑制して微細な結晶粒を形成す
ることができる。また、原料中にα−3i*Naが多い
と、焼成の際にこのα−3ixN4が生成した液相中に
溶解し、β−5i=N。
あるいはβ’ −S 1 s Naとなって再析出し、
結晶粒の粒成長が進行してしまい、粗い結晶粒で強度の
低い焼結体になる。従って、α−3isN4の含有量は
窒化珪素原料全体に対して95%以下とするのが望まし
い。
結晶粒の粒成長が進行してしまい、粗い結晶粒で強度の
低い焼結体になる。従って、α−3isN4の含有量は
窒化珪素原料全体に対して95%以下とするのが望まし
い。
β−3jsNaを含有する窒化珪素原料に添加するイツ
トリアおよび窒化アルミニウムは、焼成時に窒化珪素原
料中のβ−3i * Naをα−3i*Naに変態させ
る作用を行うものである。しかも、α −3izN4の
結晶粒を小さ(し、さらにα −31zN4以外の5i
zN4の結晶粒も小さくする。
トリアおよび窒化アルミニウムは、焼成時に窒化珪素原
料中のβ−3i * Naをα−3i*Naに変態させ
る作用を行うものである。しかも、α −3izN4の
結晶粒を小さ(し、さらにα −31zN4以外の5i
zN4の結晶粒も小さくする。
イツトリア(Y、○、)および窒化アルミニウム(Af
N)の添加量としては、窒化珪素原料、Y、0.および
AINを含めた原料組成物全体に対してY、O,か1,
0〜5,0重量%、INが2.0〜IO重量%が望まし
い。また、Y、 0、とAINとの添加量の合計は、上
記原料組成物全体に対して3〜15重量%が望ましい。
N)の添加量としては、窒化珪素原料、Y、0.および
AINを含めた原料組成物全体に対してY、O,か1,
0〜5,0重量%、INが2.0〜IO重量%が望まし
い。また、Y、 0、とAINとの添加量の合計は、上
記原料組成物全体に対して3〜15重量%が望ましい。
この範囲より添加量が少ないと焼結性が著しく低下し、
また、この範囲より添加量が多いと粒成長が著しくなり
、強度が低下してしまう。
また、この範囲より添加量が多いと粒成長が著しくなり
、強度が低下してしまう。
原料組成物は、粉末の形状で使用するのがよい。
この場合、β−8i2 Naを含有する窒化珪素原料粉
末の平均粒径は1.0μm以下の範囲、Y。
末の平均粒径は1.0μm以下の範囲、Y。
0、粉末の平均粒径も1.0μm以下の範囲、AiN粉
末の平均粒径も1.0μm以下の範囲か望ましい。
末の平均粒径も1.0μm以下の範囲か望ましい。
原料組成物には、β−5izNnを含有する窒化珪素原
料、Y、01 、およびAfN以外にYN、α −3i
s Na等の焼結助剤等が含まれていてもよい。
料、Y、01 、およびAfN以外にYN、α −3i
s Na等の焼結助剤等が含まれていてもよい。
原料組成物は、混合して使用するのがよい。混合方法と
しては、有機溶媒を用いる湿式混合法等がある。
しては、有機溶媒を用いる湿式混合法等がある。
第2工程においては、原料組成物を焼成してα−S i
t Naを含有する窒化珪素質焼結体を形成する。
t Naを含有する窒化珪素質焼結体を形成する。
焼成方法としては、常圧焼結法、ガス圧焼結法、熱間静
水圧焼結(HIP)法等を用いることができる。焼成雰
囲気としては、N、ガス、アルゴンガス等の不活性ガス
雰囲気、あるいは真空中等の非酸化性雰囲気とするのが
望ましい。焼成温度は、1650〜1900℃が望まし
い。焼成温度が1650℃より低いと十分に緻密化が進
行せず、1900℃を越えると粒成長が著しくなり、十
分な強度が得られない。
水圧焼結(HIP)法等を用いることができる。焼成雰
囲気としては、N、ガス、アルゴンガス等の不活性ガス
雰囲気、あるいは真空中等の非酸化性雰囲気とするのが
望ましい。焼成温度は、1650〜1900℃が望まし
い。焼成温度が1650℃より低いと十分に緻密化が進
行せず、1900℃を越えると粒成長が著しくなり、十
分な強度が得られない。
なお、β−3iiI’L、焼結助剤の添加量、焼成条件
を制御して、焼結体中のα −3ixN4の含有割合、
結晶粒の大きさ、および組成を制御することができる。
を制御して、焼結体中のα −3ixN4の含有割合、
結晶粒の大きさ、および組成を制御することができる。
製造する窒化珪素質焼結体は、α −3isN4の含有
量か、そのX線回折による存在比で0゜05〜0.50
、残部β−3iiNaあるいはβ−8isNa等のその
他の物質で、合計が1となるような範囲が望ましい。
量か、そのX線回折による存在比で0゜05〜0.50
、残部β−3iiNaあるいはβ−8isNa等のその
他の物質で、合計が1となるような範囲が望ましい。
また、α’−3isN4の結晶粒の大きさについては、
平均粒径が2μm以下の範囲が望ましい。
平均粒径が2μm以下の範囲が望ましい。
また、焼結体中にβ−311Naあるいはβ′S j
s Naか含まれる場合、β−3is Naあるいはβ
−3isNa 方向の平均粒径が5μm以下、短径方向が1μm以下の
範囲が望ましい。
s Naか含まれる場合、β−3is Naあるいはβ
−3isNa 方向の平均粒径が5μm以下、短径方向が1μm以下の
範囲が望ましい。
なお、窒化珪素質焼結体を成形品として製造する場合に
は、原料組成物を成形するのがよい。
は、原料組成物を成形するのがよい。
この成形法としては、金型ブレス、ラバープレス、押し
出し、スリップキャスト、射出成形等を用いることがで
きる。
出し、スリップキャスト、射出成形等を用いることがで
きる。
以下、本発明の詳細な説明する。
(実施例1)
β−3izNaを含有し、平均粒径か約0,5μm以下
の5isNa原料粉末(含有量は、β−3isN4が第
1表に示す値、全金属不純物量0゜1wt%以下、残部
α−31zNaであり、合計100wt%となる)を用
い、この5izN*原料粉末に、平均粒径が約0.5μ
m以下の高純度(99,9%)のY、0.粉末、および
平均粒径が約0.5μm以下の高純度(99,9%)の
AIN粉末をそれぞれ、重量%で94%、2.3%、3
.7%の配合割合で混合した。この混合物を金型ブレス
により成形し、その後ホットプレス法により焼成した。
の5isNa原料粉末(含有量は、β−3isN4が第
1表に示す値、全金属不純物量0゜1wt%以下、残部
α−31zNaであり、合計100wt%となる)を用
い、この5izN*原料粉末に、平均粒径が約0.5μ
m以下の高純度(99,9%)のY、0.粉末、および
平均粒径が約0.5μm以下の高純度(99,9%)の
AIN粉末をそれぞれ、重量%で94%、2.3%、3
.7%の配合割合で混合した。この混合物を金型ブレス
により成形し、その後ホットプレス法により焼成した。
なお、ホットプレスは、1800°C12時間の条件で
行った。これにより、第1表に示すような構成相、結晶
粒を有するα’ −3ixNtを含有する窒化珪素質焼
結体(試料磁1〜9)を製造した。なお、上記焼結体に
はβ′=SL2N4も含まれており、その構成相、結晶
粒も第1表に示す。
行った。これにより、第1表に示すような構成相、結晶
粒を有するα’ −3ixNtを含有する窒化珪素質焼
結体(試料磁1〜9)を製造した。なお、上記焼結体に
はβ′=SL2N4も含まれており、その構成相、結晶
粒も第1表に示す。
また、上記S 12 N4原料、Yt 01 、INの
配合割合を重量%で、91%、3.4%、5゜6%とし
た以外は、上記と同様にしてα’ −3i、N、を含有
する窒化珪素質焼結体(試料NCLIO〜17)を製造
した。製造した焼結体の構成相、結晶粒を第1表に示す
。
配合割合を重量%で、91%、3.4%、5゜6%とし
た以外は、上記と同様にしてα’ −3i、N、を含有
する窒化珪素質焼結体(試料NCLIO〜17)を製造
した。製造した焼結体の構成相、結晶粒を第1表に示す
。
また、比較のため、原料組成物として上記β−8izN
4を含有する5ijN4原料粉末に平均粒径0.5μm
のYを固溶したα’ −S i 2 N4(Y・、*
(S i、Af) It (0、N)+−)粉末を2
5wt%添加したもの(配合量は、5isN4原料75
wt%、asi*Na25%wt)を用いた以外は、上
記と同様にして窒化珪素質焼結体−(試料&Cl−C3
)を製造した。その焼結体中の構成相、結晶粒を第1表
に示す。
4を含有する5ijN4原料粉末に平均粒径0.5μm
のYを固溶したα’ −S i 2 N4(Y・、*
(S i、Af) It (0、N)+−)粉末を2
5wt%添加したもの(配合量は、5isN4原料75
wt%、asi*Na25%wt)を用いた以外は、上
記と同様にして窒化珪素質焼結体−(試料&Cl−C3
)を製造した。その焼結体中の構成相、結晶粒を第1表
に示す。
また、得られた焼結体中のα −8j3N4、β’ −
3i2 N4の存在比、結晶粒の平均粒径をX線回折に
より求め、またその4点曲げ強度をJISR1601に
準じて測定した。その結果を第1表に示す。なお、α
−3isN4の存在比の求め方は、焼結体のX線回折チ
ャートにおけるα型の強度の高い上位2個のピークの合
計とβ型の強度の高い上位2個のピークの合計を比較す
ることによって行った。表中のα −3t*Naの存在
比は、α’−3isN4とβ’−3iiNaとの存在比
の合計を1とした場合の値である。
3i2 N4の存在比、結晶粒の平均粒径をX線回折に
より求め、またその4点曲げ強度をJISR1601に
準じて測定した。その結果を第1表に示す。なお、α
−3isN4の存在比の求め方は、焼結体のX線回折チ
ャートにおけるα型の強度の高い上位2個のピークの合
計とβ型の強度の高い上位2個のピークの合計を比較す
ることによって行った。表中のα −3t*Naの存在
比は、α’−3isN4とβ’−3iiNaとの存在比
の合計を1とした場合の値である。
第1表より明らかなように、本実施例により製造した焼
結体は、比較例のものよりも結晶粒の平均粒径か小さく
、また強度も高いことが分かる。
結体は、比較例のものよりも結晶粒の平均粒径か小さく
、また強度も高いことが分かる。
(実施例2)
実施例1と同様な出発原料を用い、実施例1と同様にし
て、これを混合したものを成形し、常圧焼結法によりα
’ 5izN4を含有する窒化珪素質焼結体を製造し
た。なお、上記出発原料のβ−3tzNiの含有量は第
2表に示すようなものであり、常圧焼結は、N、中18
50°C14時間の条件で行った。また、第2表の試料
Nll8〜24は第1表の試料it〜9と同様な条件で
あり、第2表の試料魚25〜31は第1表の試料NCL
IO〜17と同様な条件である。また、第2表の試料N
chC4〜C7は第1表の試料NciC1〜C3と同様
な条件で上記と同様にして製造した。
て、これを混合したものを成形し、常圧焼結法によりα
’ 5izN4を含有する窒化珪素質焼結体を製造し
た。なお、上記出発原料のβ−3tzNiの含有量は第
2表に示すようなものであり、常圧焼結は、N、中18
50°C14時間の条件で行った。また、第2表の試料
Nll8〜24は第1表の試料it〜9と同様な条件で
あり、第2表の試料魚25〜31は第1表の試料NCL
IO〜17と同様な条件である。また、第2表の試料N
chC4〜C7は第1表の試料NciC1〜C3と同様
な条件で上記と同様にして製造した。
得られた焼結体のα’−3i3Naとβ′−8isNa
の存在比、結晶粒の平均粒径、および4点曲げ強度を実
施例1と同様にして測定した。その結果を第2表に示す
。
の存在比、結晶粒の平均粒径、および4点曲げ強度を実
施例1と同様にして測定した。その結果を第2表に示す
。
第2表より明らかなように、本実施例により製造した焼
結体は、比較例のものよりも結晶粒の平均粒径が小さく
、また強度も高いことが分かる。
結体は、比較例のものよりも結晶粒の平均粒径が小さく
、また強度も高いことが分かる。
Claims (1)
- β−窒化珪素を含有する窒化珪素にイットリアおよび
窒化アルミニウムを添加するとともにこれらを焼成する
ことによりα′−窒化珪素を含有する焼結体を形成する
ことを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2131955A JPH0426557A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2131955A JPH0426557A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426557A true JPH0426557A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15070118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2131955A Pending JPH0426557A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426557A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144969A (ja) * | 1990-10-06 | 1992-05-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | α―サイアロン質焼結体の製造方法 |
| JP2004527434A (ja) * | 2000-11-28 | 2004-09-09 | ケンナメタル インコーポレイテッド | イッテルビウムを含有するSiAlON及びその生成方法 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP2131955A patent/JPH0426557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04144969A (ja) * | 1990-10-06 | 1992-05-19 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | α―サイアロン質焼結体の製造方法 |
| JP2004527434A (ja) * | 2000-11-28 | 2004-09-09 | ケンナメタル インコーポレイテッド | イッテルビウムを含有するSiAlON及びその生成方法 |
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