JPH04266038A - Ｌｓｉチップの実装構造 - Google Patents
Ｌｓｉチップの実装構造Info
- Publication number
- JPH04266038A JPH04266038A JP3026960A JP2696091A JPH04266038A JP H04266038 A JPH04266038 A JP H04266038A JP 3026960 A JP3026960 A JP 3026960A JP 2696091 A JP2696091 A JP 2696091A JP H04266038 A JPH04266038 A JP H04266038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lsi chip
- main surface
- adhesive
- circuit board
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩチップを回路基板
に直接接続するフリップチップボンディングの実装構造
に関するものである。
に直接接続するフリップチップボンディングの実装構造
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例を説明するための要部断面
図である。ＬＳＩチップ１の一主面上には接続用電極３
が形成され、一方回路基板２の一主面上には前記接続用
電極３に対応する位置に電極４が形成されてなる。前記
ＬＳＩチップ１と回路基板２の互いの主面を対向させて
、前記接続用電極３と電極４とを電気的接続させ、同時
に少なくとも前記主面間に絶縁樹脂を配置させてＬＳＩ
チップ５を固定、封止する。
図である。ＬＳＩチップ１の一主面上には接続用電極３
が形成され、一方回路基板２の一主面上には前記接続用
電極３に対応する位置に電極４が形成されてなる。前記
ＬＳＩチップ１と回路基板２の互いの主面を対向させて
、前記接続用電極３と電極４とを電気的接続させ、同時
に少なくとも前記主面間に絶縁樹脂を配置させてＬＳＩ
チップ５を固定、封止する。
【０００３】本プロセスを更に細かく説明すると、以下
の通りである。
の通りである。
【０００４】■ウェハの状態でＬＳＩチップ１の電極３
に突起電極、又は導電性介在物６を設ける。 ■ダイ
シングによりチップ化する。 ■ＬＳＩチップ１の素
子面に接着剤５を適量滴下する。 ■ＬＳＩチップ１
と回路基板２の電極３，４同士を位置合わせし、電極３
，４が突起電極又は導電性介在物６を介して導通がとれ
るよう、ＬＳＩチップ１背面から圧力を加えながら接着
剤５を硬化させる。この接着剤５は、耐候性の効果も持
ち合わせているため、その滴下量は接着性のみならず耐
候性も考慮に入れなければならない。
に突起電極、又は導電性介在物６を設ける。 ■ダイ
シングによりチップ化する。 ■ＬＳＩチップ１の素
子面に接着剤５を適量滴下する。 ■ＬＳＩチップ１
と回路基板２の電極３，４同士を位置合わせし、電極３
，４が突起電極又は導電性介在物６を介して導通がとれ
るよう、ＬＳＩチップ１背面から圧力を加えながら接着
剤５を硬化させる。この接着剤５は、耐候性の効果も持
ち合わせているため、その滴下量は接着性のみならず耐
候性も考慮に入れなければならない。
【０００５】適量を主面上に滴下したＬＳＩチップ１を
回路基板２にボンディングする際、ＬＳＩチップ１裏面
から圧力を加えるが、これによりＬＳＩチップ１と回路
基板３の間隙に入りきらない接着剤５がＬＳＩチップ１
外周部よりはみ出し、ＬＳＩチップ１側面にまで到達し
てしまう。
回路基板２にボンディングする際、ＬＳＩチップ１裏面
から圧力を加えるが、これによりＬＳＩチップ１と回路
基板３の間隙に入りきらない接着剤５がＬＳＩチップ１
外周部よりはみ出し、ＬＳＩチップ１側面にまで到達し
てしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例によるＬＳＩチップの実装構造を用い、冷熱衝撃試
験等の信頼性試験を行うと、接着剤５のはみ出し部にお
いて、接着剤５とＬＳＩチップ１側面及び回路基板２と
の界面での剥離が生じ、この剥離がＬＳＩチップ１と回
路基板２との接着強度の低下、接続抵抗の高抵抗化を招
くという問題があった。
来例によるＬＳＩチップの実装構造を用い、冷熱衝撃試
験等の信頼性試験を行うと、接着剤５のはみ出し部にお
いて、接着剤５とＬＳＩチップ１側面及び回路基板２と
の界面での剥離が生じ、この剥離がＬＳＩチップ１と回
路基板２との接着強度の低下、接続抵抗の高抵抗化を招
くという問題があった。
【０００７】前記剥離は、接着剤５のはみ出し領域が大
きく、且つまた接着剤５自信の収縮力等の内部応力が接
着剤５とＬＳＩチップ１の側面及び回路基板２との密着
力より大きい場合、発生する。このとき、ＬＳＩチップ
１の側面は内部応力に対抗できず、回路基板２だけが接
着剤５との密着性に関与しているのが現状である。
きく、且つまた接着剤５自信の収縮力等の内部応力が接
着剤５とＬＳＩチップ１の側面及び回路基板２との密着
力より大きい場合、発生する。このとき、ＬＳＩチップ
１の側面は内部応力に対抗できず、回路基板２だけが接
着剤５との密着性に関与しているのが現状である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上述する課題を
解決するためになされたもので、一主面上に、接続用電
極が形成されたＬＳＩチップと、一主面上の前記接続用
電極に対応する位置に電極が形成された回路基板とを、
互いの主面を対向させて前記接続用電極と電極とを電気
的接続させ、少なくとも前記主面間を絶縁樹脂により封
止固定させてなり、前記ＬＳＩチップの主面と側面との
なす角が直角より大きいＬＳＩチップの実装構造を提供
するものである。
解決するためになされたもので、一主面上に、接続用電
極が形成されたＬＳＩチップと、一主面上の前記接続用
電極に対応する位置に電極が形成された回路基板とを、
互いの主面を対向させて前記接続用電極と電極とを電気
的接続させ、少なくとも前記主面間を絶縁樹脂により封
止固定させてなり、前記ＬＳＩチップの主面と側面との
なす角が直角より大きいＬＳＩチップの実装構造を提供
するものである。
【０００９】また、前記ＬＳＩチップと回路基板の主面
間の絶縁樹脂は、ＬＳＩチップの側面に達してなるもの
である。
間の絶縁樹脂は、ＬＳＩチップの側面に達してなるもの
である。
【００１０】
【作用】上述の如く、回路基板上に搭載されるＬＳＩチ
ップの主面と側面とのなす角を直角より大きくすること
により、ＬＳＩチップの主面からはみ出した封止固定用
絶縁樹脂をＬＳＩチップ外周部内におさめることが可能
となる。
ップの主面と側面とのなす角を直角より大きくすること
により、ＬＳＩチップの主面からはみ出した封止固定用
絶縁樹脂をＬＳＩチップ外周部内におさめることが可能
となる。
【００１１】このため、縮もうとする絶縁樹脂を回路基
板主面とＬＳＩチップ側面とで保持することが可能とな
り、絶縁樹脂の剥離を防ぐことが可能となる。
板主面とＬＳＩチップ側面とで保持することが可能とな
り、絶縁樹脂の剥離を防ぐことが可能となる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
詳説するが、本発明はこれに限定されるものではない。
詳説するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１３】図１乃至図４は本発明の一実施例を説明す
るための要部断面図である。先ず、図１のように、ウェ
ハ状態でＬＳＩチップ１の一主面上の電極４に突起電極
、又は導電性介在物６を従来公知の方法で（導電性介在
物については特開平２−２３６２３参照）設ける。
るための要部断面図である。先ず、図１のように、ウェ
ハ状態でＬＳＩチップ１の一主面上の電極４に突起電極
、又は導電性介在物６を従来公知の方法で（導電性介在
物については特開平２−２３６２３参照）設ける。
【００１４】次に、ウェハ裏面に従来公知のウェハはり
付け用粘着シート８を貼り付け、図２の如く先端が鋭角
をなすダイシングホィール７を用いて通常のダイサによ
りダイシングする。ここではダイシングホィール７とし
て先端の角度が６０度のものを用いる。このプロセスに
より、主面と側面とのなす角が直角より大きいＬＳＩチ
ップ１が完成する。
付け用粘着シート８を貼り付け、図２の如く先端が鋭角
をなすダイシングホィール７を用いて通常のダイサによ
りダイシングする。ここではダイシングホィール７とし
て先端の角度が６０度のものを用いる。このプロセスに
より、主面と側面とのなす角が直角より大きいＬＳＩチ
ップ１が完成する。
【００１５】次いで、図３のように、前記ＬＳＩチップ
１主面上の素子面に、塗出器９を用いて接着剤５を適量
滴下する。接着剤５の滴下されたＬＳＩチップ１主面を
回路基板２主面と対向させ、ＬＳＩチップ１主面の電極
３と回路基板２主面の電極４を位置合わせした後、電極
３，４が突起電極又は導電性介在物６を介して導通する
ようＬＳＩチップ１裏面から圧力をかけながら、接着剤
５を硬化させる。接着剤５としては熱硬化性樹脂又は光
硬化性樹脂が適している。
１主面上の素子面に、塗出器９を用いて接着剤５を適量
滴下する。接着剤５の滴下されたＬＳＩチップ１主面を
回路基板２主面と対向させ、ＬＳＩチップ１主面の電極
３と回路基板２主面の電極４を位置合わせした後、電極
３，４が突起電極又は導電性介在物６を介して導通する
ようＬＳＩチップ１裏面から圧力をかけながら、接着剤
５を硬化させる。接着剤５としては熱硬化性樹脂又は光
硬化性樹脂が適している。
【００１６】この時、ＬＳＩチップ１の側面はその主面
とのなす角が直角より大きいため、接着剤５はＬＳＩチ
ップ１の外周部よりはみ出すことなく、図４の如く、Ｌ
ＳＩチップ１の主面及び側面と回路基板２主面との間隙
に保持される。
とのなす角が直角より大きいため、接着剤５はＬＳＩチ
ップ１の外周部よりはみ出すことなく、図４の如く、Ｌ
ＳＩチップ１の主面及び側面と回路基板２主面との間隙
に保持される。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、接着剤の収縮に起因した
、接着剤とＬＳＩチップ側面及び回路基板との界面での
剥離を防ぐことが可能となるため、ＬＳＩチップと回路
基板との接着強度を向上させ、接着抵抗の高抵抗化を抑
制することが可能となって、信頼性の高いＬＳＩチップ
の実装構造を提供することが可能となる。
、接着剤とＬＳＩチップ側面及び回路基板との界面での
剥離を防ぐことが可能となるため、ＬＳＩチップと回路
基板との接着強度を向上させ、接着抵抗の高抵抗化を抑
制することが可能となって、信頼性の高いＬＳＩチップ
の実装構造を提供することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図４】本発明の一実施例を説明するための要部断面図
である。
である。
【図５】従来例を説明するための要部断面図である。
１ ＬＳＩチップ
２ 回路基板
３ 接続用電極
４ 電極
５ 接着剤
６ 導電性介在物
７ ダイシングホィール
８ 粘着シート
Claims (2)
- 【請求項１】 一主面上に接続用電極が形成されたＬ
ＳＩチップと、一主面上の前記接続用電極に対応する位
置に電極が形成された回路基板とを、互いの主面を対向
させて前記接続用電極と電極とを電気的接続させ、少な
くとも前記主面間が絶縁樹脂により封止固定されたＬＳ
Ｉチップの実装構造において、前記ＬＳＩチップの主面
と側面とのなす角が直角より大きいことを特徴とするＬ
ＳＩチップの実装構造。 - 【請求項２】 前記ＬＳＩチップと回路基板の主面間
の絶縁樹脂は、ＬＳＩチップの側面に達してなることを
特徴とするＬＳＩチップの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026960A JPH04266038A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｌｓｉチップの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3026960A JPH04266038A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｌｓｉチップの実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04266038A true JPH04266038A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12207728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3026960A Pending JPH04266038A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｌｓｉチップの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04266038A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| JP2004022870A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | フリップチップ型電子デバイス及びチップモジュール電子デバイス装置 |
| JP2013191721A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2013195076A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP3026960A patent/JPH04266038A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| JP2004022870A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Fujitsu Ltd | フリップチップ型電子デバイス及びチップモジュール電子デバイス装置 |
| JP2013191721A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2013195076A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出装置およびその製造方法 |
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