JPH04267301A - Ｎｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH04267301A JPH04267301A JP4896391A JP4896391A JPH04267301A JP H04267301 A JPH04267301 A JP H04267301A JP 4896391 A JP4896391 A JP 4896391A JP 4896391 A JP4896391 A JP 4896391A JP H04267301 A JPH04267301 A JP H04267301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- substrate
- electrode
- atmosphere
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 abstract description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- -1 composed of Co Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度センサ等に使用さ
れるＮＴＣサーミスタの製造方法に関する。
れるＮＴＣサーミスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】サーミスタは温度が変化するとその電気
抵抗が著しく変化する特性を有している。従って温度セ
ンサとして広範囲の分野に利用されている。このサーミ
スタにおいてその温度が上昇するにつれ電気抵抗が減少
する、いわゆる負の温度係数を有するＮＴＣ（Ｎｅｇａ
ｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉ
ｃｉｅｎｔ）サーミスタ（以下単にサーミスタと称する
）が知られている。
抵抗が著しく変化する特性を有している。従って温度セ
ンサとして広範囲の分野に利用されている。このサーミ
スタにおいてその温度が上昇するにつれ電気抵抗が減少
する、いわゆる負の温度係数を有するＮＴＣ（Ｎｅｇａ
ｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉ
ｃｉｅｎｔ）サーミスタ（以下単にサーミスタと称する
）が知られている。
【０００３】図７はこのようなサーミスタの従来の構造
を示すもので、１は遷移金属酸化物例えばＭｎ，Ｎｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ等を主成分とするサーミスタ基板、２、３は
この基板１の表裏面に各々焼付けによって設けられた厚
膜電極、４、５は各電極２、３に接続されたリード部材
である。
を示すもので、１は遷移金属酸化物例えばＭｎ，Ｎｉ，
Ｃｏ，Ｃｕ等を主成分とするサーミスタ基板、２、３は
この基板１の表裏面に各々焼付けによって設けられた厚
膜電極、４、５は各電極２、３に接続されたリード部材
である。
【０００４】厚膜電極２、３は予め基板１の表裏面にガ
ラスフリット等の成分が含められた耐熱性導電塗料例え
ばＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ等を含む材料が塗布された後
に、通常大気中で焼付け処理が施されることによって形
成される。またこのようにして形成された厚膜電極２、
３に対してやはり耐熱性導電塗料を介して各リード部材
４、５が接続される。続いてこれら各部材はリード部材
４、５の端部を除いてガラス等によってモールドされる
ことによりサーミスタが完成する。
ラスフリット等の成分が含められた耐熱性導電塗料例え
ばＡｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ等を含む材料が塗布された後
に、通常大気中で焼付け処理が施されることによって形
成される。またこのようにして形成された厚膜電極２、
３に対してやはり耐熱性導電塗料を介して各リード部材
４、５が接続される。続いてこれら各部材はリード部材
４、５の端部を除いてガラス等によってモールドされる
ことによりサーミスタが完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のように
厚膜電極を備えたサーミスタでは、初期電気特性のばら
つきが大きく、かつ高温使用下における抵抗変化率が大
きいという問題がある。
厚膜電極を備えたサーミスタでは、初期電気特性のばら
つきが大きく、かつ高温使用下における抵抗変化率が大
きいという問題がある。
【０００６】すなわち、厚膜電極２、３を形成するため
にガラスフリットを含んだ耐熱性導電塗料を大気中で焼
付けする際、図８に示したように各電極２または３と基
板１との間に空洞６が生じるようになるので、各電極２
、３と基板１間の接触が不完全であるために良好なオー
ミック接触によるオーミック特性が確保されなくなる結
果、初期電気特性のばらつきが大きくなる。また、サー
ミスタの製造工程において、厚膜電極２、３の形成後に
は特に熱処理を行っていないので、約１２０℃を越える
高温の使用の下では基板１の表面に存在する酸素の影響
によって、抵抗変化率が大きくなる。特に基板１の材料
としてＣｕＯを含有したサーミスタでは、約８０℃を越
える高温になると著しく抵抗変化率が大きくなってしま
うため、使用が不可能になる。
にガラスフリットを含んだ耐熱性導電塗料を大気中で焼
付けする際、図８に示したように各電極２または３と基
板１との間に空洞６が生じるようになるので、各電極２
、３と基板１間の接触が不完全であるために良好なオー
ミック接触によるオーミック特性が確保されなくなる結
果、初期電気特性のばらつきが大きくなる。また、サー
ミスタの製造工程において、厚膜電極２、３の形成後に
は特に熱処理を行っていないので、約１２０℃を越える
高温の使用の下では基板１の表面に存在する酸素の影響
によって、抵抗変化率が大きくなる。特に基板１の材料
としてＣｕＯを含有したサーミスタでは、約８０℃を越
える高温になると著しく抵抗変化率が大きくなってしま
うため、使用が不可能になる。
【０００７】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、初期電気特性のばらつき及び高温使用下に
おける抵抗変化率を少なく抑えるようにしたＮＴＣサー
ミスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
れたもので、初期電気特性のばらつき及び高温使用下に
おける抵抗変化率を少なく抑えるようにしたＮＴＣサー
ミスタの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、遷移金属酸化物を主成分とするＮＴＣサー
ミスタ基板を用意する工程と、この基板の異なる二箇所
に焼付け以外の方法で電極を形成する工程と、これら電
極が形成された基板を還元性雰囲気または中性雰囲気内
で熱処理する工程とを含むＮＴＣサーミスタの製造方法
を特徴とするものである。
に本発明は、遷移金属酸化物を主成分とするＮＴＣサー
ミスタ基板を用意する工程と、この基板の異なる二箇所
に焼付け以外の方法で電極を形成する工程と、これら電
極が形成された基板を還元性雰囲気または中性雰囲気内
で熱処理する工程とを含むＮＴＣサーミスタの製造方法
を特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、サーミスタ基板に対して焼付
け以外の方法による電極例えば蒸着法による薄膜層から
成る電極を設けるようにしたので、各電極と基板間のオ
ーミック接触が良好になるため、初期電気特性のばらつ
きは少なく抑えられる。
け以外の方法による電極例えば蒸着法による薄膜層から
成る電極を設けるようにしたので、各電極と基板間のオ
ーミック接触が良好になるため、初期電気特性のばらつ
きは少なく抑えられる。
【００１１】また、本発明によれば、電極形成後に基板
を還元性雰囲気または中性雰囲気内で熱処理するように
したので、基板の表面の酸素の影響を受けることがなく
なるため、高温使用下における抵抗変化率は少なく抑え
られる。
を還元性雰囲気または中性雰囲気内で熱処理するように
したので、基板の表面の酸素の影響を受けることがなく
なるため、高温使用下における抵抗変化率は少なく抑え
られる。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明におけるＮＴＣサーミスタの
製造方法の実施例を示すもので、以下工程順に説明する
。
製造方法の実施例を示すもので、以下工程順に説明する
。
【００１４】まずＡのように、遷移金属酸化物の主成分
となるＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等の各材料を所定の組成
比になるように秤量、配合した後に、ポットミルによっ
て湿式混合する。
となるＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等の各材料を所定の組成
比になるように秤量、配合した後に、ポットミルによっ
て湿式混合する。
【００１５】次ぎにＢのように、混合材料を脱水、乾燥
した後に８００℃乃至１０００℃で仮焼成し、さらにボ
ールミルによって湿式粉砕して材料粉末を調整する。
した後に８００℃乃至１０００℃で仮焼成し、さらにボ
ールミルによって湿式粉砕して材料粉末を調整する。
【００１６】続いてＣのように、再び材料を脱水、乾燥
した後に、バインダーとしてＰＶＡ（ポリビニールアル
コール）を加えて円板状に加圧成型する。
した後に、バインダーとしてＰＶＡ（ポリビニールアル
コール）を加えて円板状に加圧成型する。
【００１７】次ぎにＤのように、円板状成型体１１´を
約６００℃で加熱して前記ＰＶＡを除脱した後に、１０
００℃乃至１４００℃で本焼成を行う。（図３）次ぎに
Ｅのように、この円板状成型体１１´の表裏面に各々蒸
着法によってＡｇ薄膜層１２´、１３´を形成する。Ａ
ｇ薄膜層の円板状成型体の外周面に付着した部分は研磨
によって除去する。（図４）続いてＦのように、円板状
成型体を還元性雰囲気例えばＮ２ 雰囲気内で５００℃
以上で熱処理する。
約６００℃で加熱して前記ＰＶＡを除脱した後に、１０
００℃乃至１４００℃で本焼成を行う。（図３）次ぎに
Ｅのように、この円板状成型体１１´の表裏面に各々蒸
着法によってＡｇ薄膜層１２´、１３´を形成する。Ａ
ｇ薄膜層の円板状成型体の外周面に付着した部分は研磨
によって除去する。（図４）続いてＦのように、円板状
成型体を還元性雰囲気例えばＮ２ 雰囲気内で５００℃
以上で熱処理する。
【００１８】次ぎにＧのように、円板状成型体を個々の
サーミスタとなる寸法にダイシングする。これによって
、多数のサーミスタ基板１１に分割され、各基板１１の
表裏面には前記Ａｇ薄膜層から成る電極１２、１３が設
けられる。（図５）次ぎにＨのように、各電極１２、１
３に対してリード部材１４、１５を半田によって接続す
る。
サーミスタとなる寸法にダイシングする。これによって
、多数のサーミスタ基板１１に分割され、各基板１１の
表裏面には前記Ａｇ薄膜層から成る電極１２、１３が設
けられる。（図５）次ぎにＨのように、各電極１２、１
３に対してリード部材１４、１５を半田によって接続す
る。
【００１９】そして最後にＩのように、各サーミスタ基
板１１を各リード１４、１５の端部を除いてガラスによ
ってモールド（封着）することにより、図２のサーミス
タが完成する。図２において、１１は遷移金属酸化物例
えばＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等を主成分とするサーミス
タ基板、１２、１３はこの基板１１の表裏面に各々設け
られたＡｇ薄膜層から成る電極、１４、１５は各電極１
２、１３に接続されたリード部材である。これら各部材
はリード部材１４、１５の端部を除いてガラス等によっ
てモールドされる。
板１１を各リード１４、１５の端部を除いてガラスによ
ってモールド（封着）することにより、図２のサーミス
タが完成する。図２において、１１は遷移金属酸化物例
えばＭｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ等を主成分とするサーミス
タ基板、１２、１３はこの基板１１の表裏面に各々設け
られたＡｇ薄膜層から成る電極、１４、１５は各電極１
２、１３に接続されたリード部材である。これら各部材
はリード部材１４、１５の端部を除いてガラス等によっ
てモールドされる。
【００２０】図６は本実施例によって得られた図２のサ
ーミスタの部分的拡大図を示すもので、各電極１２また
は１３と基板１１との間には何等空洞は生じない。よっ
て両者間の接触は完全となり、各電極１２、１３は基板
１１に対して良好なオーミック接触を確保することがで
きる。
ーミスタの部分的拡大図を示すもので、各電極１２また
は１３と基板１１との間には何等空洞は生じない。よっ
て両者間の接触は完全となり、各電極１２、１３は基板
１１に対して良好なオーミック接触を確保することがで
きる。
【００２１】本実施例でサーミスタ基板１１の成分とし
て、Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｏを各々６６ｍｏｌ％：１６．５ｍ
ｏｌ％：１７．５ｍｏｌ％から成るものを用いて製造し
たサーミスタの特性を、従来例と比較して表１に示す。
て、Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｏを各々６６ｍｏｌ％：１６．５ｍ
ｏｌ％：１７．５ｍｏｌ％から成るものを用いて製造し
たサーミスタの特性を、従来例と比較して表１に示す。
【００２２】
【表１】
表１において、Ｃ．Ｖ．は２５℃における比抵抗のばら
つきの大きさを示し、このＣ．ＶはＣ．Ｖ＝｛（標準偏
差）／（平均値）｝×１００（％）で示される。Ｂはい
わゆるＢ定数を示している。この表１から明らかなよう
に、従来ではＲ２５のＣ．Ｖ．を１％以下に抑えること
は困難であったが、本実施例によれば０．４％に抑える
ことができた。また、Ｂ２５／８５のＣ．Ｖ．も従来の
半分の値に抑えることができた。これにより、初期電気
特性のばらつきを少なく抑えることができる。
つきの大きさを示し、このＣ．ＶはＣ．Ｖ＝｛（標準偏
差）／（平均値）｝×１００（％）で示される。Ｂはい
わゆるＢ定数を示している。この表１から明らかなよう
に、従来ではＲ２５のＣ．Ｖ．を１％以下に抑えること
は困難であったが、本実施例によれば０．４％に抑える
ことができた。また、Ｂ２５／８５のＣ．Ｖ．も従来の
半分の値に抑えることができた。これにより、初期電気
特性のばらつきを少なく抑えることができる。
【００２３】また、本実施例製造方法によれば、電極形
成後に還元性雰囲気内で熱処理を行うことにより、基板
の表面の酸素の影響を防止することができるので、高温
使用下における抵抗変化率を少なく抑えることができる
。
成後に還元性雰囲気内で熱処理を行うことにより、基板
の表面の酸素の影響を防止することができるので、高温
使用下における抵抗変化率を少なく抑えることができる
。
【００２４】次ぎに、サーミスタ基板１１の組成、熱処
理の条件を種々変更してサーミスタを製造した場合に得
られた結果を従来例と比較して表２に示す。
理の条件を種々変更してサーミスタを製造した場合に得
られた結果を従来例と比較して表２に示す。
【００２５】
【表２】
表２において、抵抗変化率は２５℃における抵抗値と、
同一試料を１２５℃で２０００時間の耐熱試験を施した
後の抵抗値とを比較して得られた変化率を示している。 この値が少ないほど優れていることを意味している。こ
の表２から明らかなように、熱処理を還元性雰囲気（Ｎ
２ 雰囲気）内で行い、かつほぼ５００℃以上の温度条
件で行った本実施例の製造方法によれば、判定欄に○印
で示したように抵抗変化率がほぼ１％以下に抑えられて
優れた効果が得られることを示している。これにより抵
抗変化率を少なく抑えることができる。
同一試料を１２５℃で２０００時間の耐熱試験を施した
後の抵抗値とを比較して得られた変化率を示している。 この値が少ないほど優れていることを意味している。こ
の表２から明らかなように、熱処理を還元性雰囲気（Ｎ
２ 雰囲気）内で行い、かつほぼ５００℃以上の温度条
件で行った本実施例の製造方法によれば、判定欄に○印
で示したように抵抗変化率がほぼ１％以下に抑えられて
優れた効果が得られることを示している。これにより抵
抗変化率を少なく抑えることができる。
【００２６】なお、この表２では１６個の試料を対象と
して、本実施例によって得られた９個の試料のみが優れ
た結果を示している。また、基板１１に設ける各電極１
２、１３は無電解メッキ法によってニッケル薄膜層を形
成した場合を示している。
して、本実施例によって得られた９個の試料のみが優れ
た結果を示している。また、基板１１に設ける各電極１
２、１３は無電解メッキ法によってニッケル薄膜層を形
成した場合を示している。
【００２７】このように基板１１に対して形成する各電
極１２、１３は、従来の厚膜電極のように材料にガラス
フリットを含まないで、薄膜層として設けられるもので
あれば、前記実施例で示したような蒸着法に限らず、メ
ッキ法あるいはスパッター法等によって形成するように
しても良い。要するに本発明では従来の厚膜電極のよう
に導電材料にガラスフリットを含まないで、基板１１に
対して良好に接触してオーミック接触を確保できる薄膜
層として設けられるものであれば特定の手段には限らな
い。
極１２、１３は、従来の厚膜電極のように材料にガラス
フリットを含まないで、薄膜層として設けられるもので
あれば、前記実施例で示したような蒸着法に限らず、メ
ッキ法あるいはスパッター法等によって形成するように
しても良い。要するに本発明では従来の厚膜電極のよう
に導電材料にガラスフリットを含まないで、基板１１に
対して良好に接触してオーミック接触を確保できる薄膜
層として設けられるものであれば特定の手段には限らな
い。
【００２８】さらに本発明によれば、熱処理雰囲気は前
記したような還元性雰囲気に限らずに、Ｈ２ やＡｒの
ような中性雰囲気を選んでも前記と同様な結果を得るこ
とができる。また、電極材料としてもＡｇやＮｉに限る
ことなく、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ等を用いることができる。
記したような還元性雰囲気に限らずに、Ｈ２ やＡｒの
ような中性雰囲気を選んでも前記と同様な結果を得るこ
とができる。また、電極材料としてもＡｇやＮｉに限る
ことなく、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ等を用いることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、焼
付け以外の方法によって電極を設けるようにしたので、
初期電気特性のばらつきを少なく抑えることができ、ま
た電極形成後に還元性雰囲気または中性雰囲気内で熱処
理を行うようにしたので、高温使用下における抵抗変化
率を少なく抑えることができる。
付け以外の方法によって電極を設けるようにしたので、
初期電気特性のばらつきを少なく抑えることができ、ま
た電極形成後に還元性雰囲気または中性雰囲気内で熱処
理を行うようにしたので、高温使用下における抵抗変化
率を少なく抑えることができる。
【図１】本発明におけるＮＴＣサーミスタの製造方法の
実施例を示す工程図である。
実施例を示す工程図である。
【図２】本発明製造方法によって得られたＮＴＣサーミ
スタを示す断面図である。
スタを示す断面図である。
【図３】本発明製造方法の途中工程における構成部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明製造方法の途中工程における構成部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】本発明製造方法の途中工程における構成部材を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明製造方法によって得られたＮＴＣサーミ
スタを示す部分拡大図である。
スタを示す部分拡大図である。
【図７】従来例のＮＴＣサーミスタを示す断面図である
。
。
【図８】従来例のＮＴＣサーミスタを示す部分拡大図で
ある。
ある。
１１ ＮＴＣサーミスタ基板
１２、１３ 電極
１４、１５ リード部材
Claims (3)
- 【請求項１】 遷移金属酸化物を主成分とするＮＴＣ
サーミスタ基板を用意する工程と、この基板の異なる二
箇所に焼付け以外の方法で電極を形成する工程と、これ
ら電極が形成された基板を還元性雰囲気または中性雰囲
気内で熱処理する工程とを含むことを特徴とするＮＴＣ
サーミスタの製造方法。 - 【請求項２】 前記熱処理する工程を５００℃以上で
実施する請求項１記載のＮＴＣサーミスタの製造方法。 - 【請求項３】 前記焼付け以外の方法は、メッキ法又
は蒸着法によるものである請求項１又は２記載のＮＴＣ
サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896391A JPH04267301A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4896391A JPH04267301A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267301A true JPH04267301A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12817936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4896391A Pending JPH04267301A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04267301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017038189A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP4896391A patent/JPH04267301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017038189A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3477055A (en) | Thermistor construction | |
| US6368734B1 (en) | NTC thermistors and NTC thermistor chips | |
| US4531110A (en) | Negative temperature coefficient thermistors | |
| CN114807859B (zh) | 一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法 | |
| JPH04267301A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| JP2005503001A (ja) | 薄膜ｎｔｃサーミスター | |
| JP6703428B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子及びその製法 | |
| JPH11135303A (ja) | 厚膜サーミスタ組成物 | |
| JPH02121303A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ素子の製造方法 | |
| JPS6396902A (ja) | サ−ミスタ用酸化物半導体素子の製造方法 | |
| KR100307462B1 (ko) | 박막 써미스터의 제조 방법 | |
| JPH02159756A (ja) | タンタル薄膜抵抗素子 | |
| JP4279400B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
| JPS5884405A (ja) | 薄膜サ−ミスタの製造方法 | |
| JPH04206603A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPS63315559A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315561A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JP2612247B2 (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造法 | |
| JPS63315552A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH07230902A (ja) | 半導体セラミック素子 | |
| KR20110075230A (ko) | 써미스터 및 그 제조 방법 | |
| JPH0354842B2 (ja) | ||
| JPH04291902A (ja) | サーミスタ焼結体、サーミスタチップおよびサーミスタ焼結体の製造方法 | |
| JPH0354843B2 (ja) | ||
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000502 |