JPH02159756A - タンタル薄膜抵抗素子 - Google Patents
タンタル薄膜抵抗素子Info
- Publication number
- JPH02159756A JPH02159756A JP63316680A JP31668088A JPH02159756A JP H02159756 A JPH02159756 A JP H02159756A JP 63316680 A JP63316680 A JP 63316680A JP 31668088 A JP31668088 A JP 31668088A JP H02159756 A JPH02159756 A JP H02159756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- tantalum
- resistor
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
- H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
- H10D84/209—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only resistors
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はタンタル薄膜抵抗素子に関し、特に抵抗値変動
が少なく高品質で信頼性があり、小型化、高パワー化に
好適なタンタル薄膜抵抗素子の構造に関する。
が少なく高品質で信頼性があり、小型化、高パワー化に
好適なタンタル薄膜抵抗素子の構造に関する。
従来、タンタル薄膜抵抗素子は、セラミックまたはガラ
ス材等の絶縁基板上に、高温高真空中で一定時間の熱処
理が施されて形成される。
ス材等の絶縁基板上に、高温高真空中で一定時間の熱処
理が施されて形成される。
しかしながら、上述した従来のタンタル薄膜抵抗素子は
、平滑度がそれ程良くないセラミックまたはガラス材等
の絶縁基板上に形成されるため、抵抗体の微細化に限界
があり、小型化は非常に困難である。また、セラミック
またはガラス材は熱伝導率が劣るので、抵抗体の消費電
力も低パワーに限られ、製品への適用範囲も挾いという
欠点がある。
、平滑度がそれ程良くないセラミックまたはガラス材等
の絶縁基板上に形成されるため、抵抗体の微細化に限界
があり、小型化は非常に困難である。また、セラミック
またはガラス材は熱伝導率が劣るので、抵抗体の消費電
力も低パワーに限られ、製品への適用範囲も挾いという
欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、タンタル薄膜抵抗
体の微細化、小型化がはかられ、且つ高パワー化にも適
する信頼性高きタンタル薄膜抵抗素子を提供することで
ある。
体の微細化、小型化がはかられ、且つ高パワー化にも適
する信頼性高きタンタル薄膜抵抗素子を提供することで
ある。
本発明によれば、タンタル薄膜抵抗素子は、シリコン下
地基板と、前記シリコン下地基板上に生成されるシリコ
ン熱酸化膜と、前記シリコン熱酸化膜上にパターン形成
されるタンタル薄膜抵抗体とを含む。
地基板と、前記シリコン下地基板上に生成されるシリコ
ン熱酸化膜と、前記シリコン熱酸化膜上にパターン形成
されるタンタル薄膜抵抗体とを含む。
本発明によれば、シリコン下地基板およびその熱酸化膜
面はきわめて平滑なので、タンタル薄膜抵抗体の微細パ
ターン化を可能とし、また、シリコン下地基板の高熱導
率はタンタル薄膜抵抗体の発熱を効率よく吸収し放散せ
しめる、ので、消費電力の高パワー化を可能ならしめる
。
面はきわめて平滑なので、タンタル薄膜抵抗体の微細パ
ターン化を可能とし、また、シリコン下地基板の高熱導
率はタンタル薄膜抵抗体の発熱を効率よく吸収し放散せ
しめる、ので、消費電力の高パワー化を可能ならしめる
。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。本発明の
構造的特徴はその形成方法を明らかにすることによって
容易に理解し得る。
構造的特徴はその形成方法を明らかにすることによって
容易に理解し得る。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明タンタル薄膜抵抗素子の
一実施例の構造を説明するための工程順序図で、抵抗体
となるべきタンタル薄膜が、従来のセラミックまたはガ
ラス基板に代えて表面に熱酸化膜を生成したシリコン基
板上にパターン形成されることを示す。すなわち、シリ
コン基板１がまず準備され、ついでこの−主面−Ｌにシ
リコン熱酸化膜２が約１ｐｍの厚さに生成される〔第１
図（ａ）〕。タタンタル膜は窒素ドープ・タンタル膜３
としてこのシリコン熱酸化膜２上に厚さ約７０ＯＡの膜
厚で形成される〔第１図（ｂ）〕。この窒素ドープ・タ
ンタル膜３の形成にはマグネトロン・スパッタ法が用い
られ、形成後基板全体は真空度１〜５×１．０−６ｔｏ
ｒｒ 、温度５９０℃の環境で２．５〜３時間の真空熱
処理が施される。ついでＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成膜４
を同じくマグネトロン・スパッタ法で形成しパターニン
グして引出端子５が、ついで下部のタンタル膜３を所定
の形状にパターニングしてタンタル薄膜抵抗体６がそれ
ぞれ形成される。このタンタル薄膜抵抗体６は温度２８
０℃の大気中で７時間の安定化熱処理を最後に受けて製
品となる。
一実施例の構造を説明するための工程順序図で、抵抗体
となるべきタンタル薄膜が、従来のセラミックまたはガ
ラス基板に代えて表面に熱酸化膜を生成したシリコン基
板上にパターン形成されることを示す。すなわち、シリ
コン基板１がまず準備され、ついでこの−主面−Ｌにシ
リコン熱酸化膜２が約１ｐｍの厚さに生成される〔第１
図（ａ）〕。タタンタル膜は窒素ドープ・タンタル膜３
としてこのシリコン熱酸化膜２上に厚さ約７０ＯＡの膜
厚で形成される〔第１図（ｂ）〕。この窒素ドープ・タ
ンタル膜３の形成にはマグネトロン・スパッタ法が用い
られ、形成後基板全体は真空度１〜５×１．０−６ｔｏ
ｒｒ 、温度５９０℃の環境で２．５〜３時間の真空熱
処理が施される。ついでＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成膜４
を同じくマグネトロン・スパッタ法で形成しパターニン
グして引出端子５が、ついで下部のタンタル膜３を所定
の形状にパターニングしてタンタル薄膜抵抗体６がそれ
ぞれ形成される。このタンタル薄膜抵抗体６は温度２８
０℃の大気中で７時間の安定化熱処理を最後に受けて製
品となる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、タンタル
薄膜抵抗体は熱酸化膜を生成したシリコン基板の平滑性
の極めて良好な面」二に形成される。従って、従来のセ
ラミ・ンクまたはガラス材基板上に形成する場合に比べ
、平滑性が向上した分だけ抵抗体パターンの鍛縮化が容
易となり、小型化を可能とする効果がある。また、シリ
コン基板の熱伝導率が高く、抵抗体の消費電力を高める
こともできるので、高パワー製品への適用も可能となる
。すなわち、広範囲に実施できる抵抗温度係数の低いタ
ンタル薄膜抵抗体が得られる効果を有する。
薄膜抵抗体は熱酸化膜を生成したシリコン基板の平滑性
の極めて良好な面」二に形成される。従って、従来のセ
ラミ・ンクまたはガラス材基板上に形成する場合に比べ
、平滑性が向上した分だけ抵抗体パターンの鍛縮化が容
易となり、小型化を可能とする効果がある。また、シリ
コン基板の熱伝導率が高く、抵抗体の消費電力を高める
こともできるので、高パワー製品への適用も可能となる
。すなわち、広範囲に実施できる抵抗温度係数の低いタ
ンタル薄膜抵抗体が得られる効果を有する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明タンタル薄膜抵抗素子の
一実施例の構造を説明するための工程順序図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン熱酸化膜、３
・・・窒素ドープ・タンタル・膜、 ４ ＝・ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成膜、 ５・・・引
出端子、６・・・タンタル薄膜抵抗体。 特許出願人 日本電気株式会社
一実施例の構造を説明するための工程順序図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン熱酸化膜、３
・・・窒素ドープ・タンタル・膜、 ４ ＝・ＮｉＣｒ／Ｐｄ／Ａｕ構成膜、 ５・・・引
出端子、６・・・タンタル薄膜抵抗体。 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- シリコン下地基板と、前記シリコン下地基板上に生成さ
れるシリコン熱酸化膜と、前記シリコン熱酸化膜上にパ
ターン形成されるタンタル薄膜抵抗体とを含むことを特
徴とするタンタル薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316680A JPH02159756A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | タンタル薄膜抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63316680A JPH02159756A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | タンタル薄膜抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159756A true JPH02159756A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18079713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63316680A Pending JPH02159756A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | タンタル薄膜抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159756A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0639294A4 (en) * | 1993-03-03 | 1995-06-14 | Micro Devices Corp California | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH INTEGRATED RC NETWORK AND SCHOTTKY DIODE. |
| KR100689586B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2007-03-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 알에프 소자의 저항 및 이를 구비한 알에프 소자의제조방법 |
| TWI401745B (zh) * | 2007-07-13 | 2013-07-11 | 日立製作所股份有限公司 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207164A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Nippon Denso Co Ltd | 薄膜抵抗体装置 |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63316680A patent/JPH02159756A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207164A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Nippon Denso Co Ltd | 薄膜抵抗体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0639294A4 (en) * | 1993-03-03 | 1995-06-14 | Micro Devices Corp California | SEMI-CONDUCTOR ARRANGEMENT WITH INTEGRATED RC NETWORK AND SCHOTTKY DIODE. |
| KR100689586B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2007-03-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 알에프 소자의 저항 및 이를 구비한 알에프 소자의제조방법 |
| TWI401745B (zh) * | 2007-07-13 | 2013-07-11 | 日立製作所股份有限公司 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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