JPH0426772A - 無電解銅めっき方法 - Google Patents
無電解銅めっき方法Info
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- JPH0426772A JPH0426772A JP13081790A JP13081790A JPH0426772A JP H0426772 A JPH0426772 A JP H0426772A JP 13081790 A JP13081790 A JP 13081790A JP 13081790 A JP13081790 A JP 13081790A JP H0426772 A JPH0426772 A JP H0426772A
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、無電解銅めっき方法に関する。
プリント配線板は、銅張り積層板に穴あけを施した後、
無電解銅めっきを行なうことで製造される。一般に無電
解銅めっきの前処理工程は、次のような工程で行なわれ
る。
無電解銅めっきを行なうことで製造される。一般に無電
解銅めっきの前処理工程は、次のような工程で行なわれ
る。
銅張り積層板に穴明は後、脱脂・洗浄工程を行ない、次
に銅表面をエツチングし、稀硫酸で洗い塩化パラジウム
・塩化スズ等を含む増刊剤に浸漬した後、密着促進剤で
基板表面に付着している金属不純物（Ｓｎ”−αスズ酸
）を取り除くと供にパラジウム化合物を金属パラジウム
に還元さゼ、無電解銅めっき液に投入して銅を析出させ
る。
に銅表面をエツチングし、稀硫酸で洗い塩化パラジウム
・塩化スズ等を含む増刊剤に浸漬した後、密着促進剤で
基板表面に付着している金属不純物（Ｓｎ”−αスズ酸
）を取り除くと供にパラジウム化合物を金属パラジウム
に還元さゼ、無電解銅めっき液に投入して銅を析出させ
る。
本発明は、ガラス質部への胴折性を向上させ、密着性１
めっき付き回り性が充分である無電解銅めっき方法を提
供しようとするものである。
めっき付き回り性が充分である無電解銅めっき方法を提
供しようとするものである。
無電解めっき前処理工程は、被めっき材として銅張り積
層板（スルーホール）又は多層板を脱脂・洗浄し、銅表
面をエツチング後、稀硫酸処理し、塩化パラジウム、塩
化スズ等を含む増感剤で浸漬後、密着促進剤に浸漬する
。ここでパラジウム化合物を金属パラジウムに還元し、
無電解銅めっきに投入し銅を析出させる。
層板（スルーホール）又は多層板を脱脂・洗浄し、銅表
面をエツチング後、稀硫酸処理し、塩化パラジウム、塩
化スズ等を含む増感剤で浸漬後、密着促進剤に浸漬する
。ここでパラジウム化合物を金属パラジウムに還元し、
無電解銅めっきに投入し銅を析出させる。
本発明者等は、これら工程の中で密着促進剤について硫
酸、有機酸、塩化第二銅を主成分とする水溶液で処理す
ることで、下地銅と析出銅の密着性の向上と、スルーボ
ール内のめっき付き回り性（バンクライト法）が良く、
更に液の長寿命により、液中の金属不純物増によるざら
つきの発生がない、無電解銅めっき方法を見出した。
酸、有機酸、塩化第二銅を主成分とする水溶液で処理す
ることで、下地銅と析出銅の密着性の向上と、スルーボ
ール内のめっき付き回り性（バンクライト法）が良く、
更に液の長寿命により、液中の金属不純物増によるざら
つきの発生がない、無電解銅めっき方法を見出した。
密着促進剤は、増感剤処理された被めっき板上の表面に
付着したＳｎ４＋（α−スズ酸）の除去することで、下
地銅と析出銅との密着性を向上させる。又、スルーホー
ル内のめっき付きまわりにも良好である。
付着したＳｎ４＋（α−スズ酸）の除去することで、下
地銅と析出銅との密着性を向上させる。又、スルーホー
ル内のめっき付きまわりにも良好である。
本発明の成分である硫酸は、上記特性でα−スズ酸の除
去効果があり、又、塩化第二銅は被めっき板の銅被を溶
解することで下地銅との密着性を向上させる効果がある
。
去効果があり、又、塩化第二銅は被めっき板の銅被を溶
解することで下地銅との密着性を向上させる効果がある
。
硫酸と有機酸の化合物の水溶液では、密着性が劣る。そ
の為に塩化第二銅を添加することで密着性の向上を見出
した。
の為に塩化第二銅を添加することで密着性の向上を見出
した。
これは下地銅表面を溶解することで、金属不純物を落と
す効果があり、金属銅の表面が露出され、下地銅と析出
銅の密着性を上げる。
す効果があり、金属銅の表面が露出され、下地銅と析出
銅の密着性を上げる。
−ｉ特性を充分満足させる為には次の成分による組成が
最も望ましい。
最も望ましい。
硫酸濃度は３０ ｍ １！ ／ １以上が望ましく、有
機酸は５モル／ｌ以下、塩化第二銅がｏ、ｏｏｏ。
機酸は５モル／ｌ以下、塩化第二銅がｏ、ｏｏｏ。
０１〜０１００００１モル／ｌの範囲が良好である。
以下本発明の詳細な結果を実施例等により説明する。
実施例１
板厚１．６ｍ、銅箔厚３５μｍのガラス・エポキシ銅張
り積層板（日立ＭＣＬ−４６７）にφ１゜０の穴をあけ
被めっき板とした。
り積層板（日立ＭＣＬ−４６７）にφ１゜０の穴をあけ
被めっき板とした。
無電解銅めっきの工程は次の通りとした。
薬液はすべて日立化成工業側社製の中から使用した。
ＣＬＣ−３０１（６０℃）→湯洗（５０℃）→水洗−過
硫酸アンモニウムー水洗−稀硫酸一水洗−ＰＤ−２０１
−Ｍ５−２０２８−水洗一供試液１−水洗−Ｃｕｓｔ−
２０１＝水洗−電解銅めっき 供試液１は次の組成のものを用いた。
硫酸アンモニウムー水洗−稀硫酸一水洗−ＰＤ−２０１
−Ｍ５−２０２８−水洗一供試液１−水洗−Ｃｕｓｔ−
２０１＝水洗−電解銅めっき 供試液１は次の組成のものを用いた。
硫酸 ３５ ｍ Ａ ／ Ｒクエン酸
１０ｇ／ｊ！ 塩化第二ｗ４ ０．０３０８／／ （２価銅）水で１
１に稀釈 実施例２ 実施例１と同じ被めっき板を用い、銅めっきを行なった
。
１０ｇ／ｊ！ 塩化第二ｗ４ ０．０３０８／／ （２価銅）水で１
１に稀釈 実施例２ 実施例１と同じ被めっき板を用い、銅めっきを行なった
。
供試液は次の組成の供試液２を用いた。
硫酸 ３５ ｍ ｌ ／ １クエン酸
３ ｇ ／ ｊ！ 塩化第二銅 ０．１０ｇ／Ａ （２価銅）水で１７
！に稀釈 比較例１ 実施例１と同じ被めっき板を用い、同じ工程で銅めっき
を行なった。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−２０２を
用いた。
３ ｇ ／ ｊ！ 塩化第二銅 ０．１０ｇ／Ａ （２価銅）水で１７
！に稀釈 比較例１ 実施例１と同じ被めっき板を用い、同じ工程で銅めっき
を行なった。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−２０２を
用いた。
比較例２
実施例Ｉと同じ被めっき板を用い、同じ工程で銅めっき
を行なった。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−３０１を
用いた。
を行なった。供試液は日立密着促進剤ＡＤＰ−３０１を
用いた。
特性評価については、下記方法で行なった。
（スルーホール内めっき付き回り性）
実施例１に記しためっき工程で、無電解銅めっきのＣｕ
５ｔ−２０１まで行なった後、被めっき板をスルーホー
ル部を図のように切断した物を顕微鏡で確認し、光の透
過度をチエツクした。ガラス部に銅の析出がない場合、
光が透ける。
５ｔ−２０１まで行なった後、被めっき板をスルーホー
ル部を図のように切断した物を顕微鏡で確認し、光の透
過度をチエツクした。ガラス部に銅の析出がない場合、
光が透ける。
（下地銅と析出銅の密着性）
実施例１に記しためっき工程においては密着性はすべて
良好となり、密着不良の発生はない。
良好となり、密着不良の発生はない。
そこで、実施例Ｉのめっき工程で過硫酸アンモニウムに
よるエツチングを行なわないことにした。
よるエツチングを行なわないことにした。
その後、電解銅めっきを行ない、端部よりカッター等で
引刺しを行ない、下地銅と析出銅との間での剥れを確認
する。密着性が悪い場合、引剥しした後に下地銅が残存
する。
引刺しを行ない、下地銅と析出銅との間での剥れを確認
する。密着性が悪い場合、引剥しした後に下地銅が残存
する。
（ざらつき）
実施例１に記した供試液にＣｕ２゛イオンを添加し、処
理することで、下地銅表面が酸化し易い条件でＣｕ５ｔ
−２０１に投入し、電気銅めっきまで行ない、表面のざ
らつきの有無を確認する。
理することで、下地銅表面が酸化し易い条件でＣｕ５ｔ
−２０１に投入し、電気銅めっきまで行ない、表面のざ
らつきの有無を確認する。
以上の結果について表１に示した。
表
（＄１） Ｏ：剥れなし
〔発明の効果〕
実施例から、過度な状況下においても、被めっき板表面
のざらつきの発生はな（、液の長寿命に連がる。
のざらつきの発生はな（、液の長寿命に連がる。
又、下地銅と析出銅との密着性及びスルーボール内めっ
き析出性も良好である。
き析出性も良好である。
比較例１はスルーボール内めっき析出性が劣っており、
更に、比較例２は過度な状況でざらつきの発生が見られ
た。
更に、比較例２は過度な状況でざらつきの発生が見られ
た。
以上の結果から、本発明の無電解銅めっき方法が優れた
特性であることが判った。
特性であることが判った。
Claims (3)
- １．被めっき物を塩化パラジウム及び塩化スズを含む増
感剤で処理した後、銅の溶解速度が毎時１ｐｐｍ／ｌ以
上の早さである水溶液の密着促進剤で処理することを特
徴とする無電解銅めっき方法。 - ２．特許請求の範囲第１項に記載の主成分は、硫酸，有
機酸，塩化第二銅を含む水溶液であることを特徴とする
無電解銅めっき方法。 - ３．特許請求の範囲第１項に記載の密着促進剤の水溶液
の濃度が硫酸０．０１モル〜５モル／ｌ，有機酸５モル
／ｌ以下，塩化第二銅０．０００００１／０．００００
１モル／ｌであることを特徴とする無電解銅めっき方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081790A JPH0426772A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 無電解銅めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13081790A JPH0426772A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 無電解銅めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426772A true JPH0426772A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15043409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13081790A Pending JPH0426772A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 無電解銅めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426772A (ja) |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP13081790A patent/JPH0426772A/ja active Pending
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