JPH04268763A - オンチップマイクロレンズの形成方法 - Google Patents
オンチップマイクロレンズの形成方法Info
- Publication number
- JPH04268763A JPH04268763A JP3050754A JP5075491A JPH04268763A JP H04268763 A JPH04268763 A JP H04268763A JP 3050754 A JP3050754 A JP 3050754A JP 5075491 A JP5075491 A JP 5075491A JP H04268763 A JPH04268763 A JP H04268763A
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- Japan
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- resist film
- material layer
- resist
- forming
- lens
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オンチップマイクロレ
ンズの形成方法、特に固体撮像素子等のチップに多数の
マイクロレンズを形成するオンチップマイクロレンズの
形成方法に関する。
ンズの形成方法、特に固体撮像素子等のチップに多数の
マイクロレンズを形成するオンチップマイクロレンズの
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子として半導体基板の表面に
レジストあるいはプラスチックからなるマイクロレンズ
を各受光素子上に形成したものが例えば特開平２−１０
３９６２号公報、特開平１−２７０３６２号公報等によ
り紹介されている。
レジストあるいはプラスチックからなるマイクロレンズ
を各受光素子上に形成したものが例えば特開平２−１０
３９６２号公報、特開平１−２７０３６２号公報等によ
り紹介されている。
【０００３】そして、マイクロレンズの形成は、従来、
固体撮像素子の表面にプラスチックからなるレンズ材料
層を形成し、該レンズ材料層上にレジスト膜を形成し、
該レジスト膜を露光、現像により各受光素子上に矩形島
状に独立して残存するようにパターニングし、熱処理に
より各矩形島状のレジスト膜をレンズ状（略凸球面状）
に熱変形させ、そしてレジスト膜及びレンズ材料層をエ
ッチバックすることによりレンズの形状をレンズ材料層
に転写するという方法で行われた。
固体撮像素子の表面にプラスチックからなるレンズ材料
層を形成し、該レンズ材料層上にレジスト膜を形成し、
該レジスト膜を露光、現像により各受光素子上に矩形島
状に独立して残存するようにパターニングし、熱処理に
より各矩形島状のレジスト膜をレンズ状（略凸球面状）
に熱変形させ、そしてレジスト膜及びレンズ材料層をエ
ッチバックすることによりレンズの形状をレンズ材料層
に転写するという方法で行われた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のマイ
クロレンズの形成方法にはマイクロレンズ間の距離が１
．５μｍもあり、そのため無効領域が広くなるという問
題があった。これは、従来、レンズの形成に解像度の低
いレジスト例えばＨＰＲ−２０４（商品名）を使用して
いたので、マイクロレンズ間の距離を小さくできなかっ
たためである。かといって解像度の良いを使用すればパ
ターニング後の熱処理によってきれいにレンズ状に熱変
形しないという問題があるのである。
クロレンズの形成方法にはマイクロレンズ間の距離が１
．５μｍもあり、そのため無効領域が広くなるという問
題があった。これは、従来、レンズの形成に解像度の低
いレジスト例えばＨＰＲ−２０４（商品名）を使用して
いたので、マイクロレンズ間の距離を小さくできなかっ
たためである。かといって解像度の良いを使用すればパ
ターニング後の熱処理によってきれいにレンズ状に熱変
形しないという問題があるのである。
【０００５】というのは、レジスト膜は熱変形性がよけ
れば解像度が悪くなり、解像度がよければ熱変形性が良
くなるという性質があるからである。即ち、レジスト膜
には熱変形性と解像度との間に二律背反の関係があるの
であり、これが無効領域を狭くすることに対する大きな
制約要因となっていたのである。
れば解像度が悪くなり、解像度がよければ熱変形性が良
くなるという性質があるからである。即ち、レジスト膜
には熱変形性と解像度との間に二律背反の関係があるの
であり、これが無効領域を狭くすることに対する大きな
制約要因となっていたのである。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、マイクロレンズの無効領域を狭くす
ることを目的とする。
されたものであり、マイクロレンズの無効領域を狭くす
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のオンチップマ
イクロレンズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層
上に熱変形性の良い第１のレジスト膜を形成し、該第１
のレジスト膜上に解像度の良い第２のレジスト膜を形成
し、該第２のレジスト膜をパターニングし、該第２のレ
ジスト膜及び第１のレジスト膜を第２のレジスト膜がな
くなるまでエッチバックし、その後、熱処理により第１
のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記
第１のレジスト膜及びレンズ材料層をエッチバックする
ことを特徴とする。請求項２のオンチップマイクロレン
ズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層上に第１の
レジスト膜を形成し、該第１のレジスト膜上に第２のレ
ジスト膜を密着性悪く形成し、該第２のレジスト膜をパ
ターニングし、その後、熱処理により第２のレジスト膜
をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第１及び第２
のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチバックするこ
とを特徴とする。
イクロレンズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層
上に熱変形性の良い第１のレジスト膜を形成し、該第１
のレジスト膜上に解像度の良い第２のレジスト膜を形成
し、該第２のレジスト膜をパターニングし、該第２のレ
ジスト膜及び第１のレジスト膜を第２のレジスト膜がな
くなるまでエッチバックし、その後、熱処理により第１
のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記
第１のレジスト膜及びレンズ材料層をエッチバックする
ことを特徴とする。請求項２のオンチップマイクロレン
ズの形成方法は、チップ表面のレンズ材料層上に第１の
レジスト膜を形成し、該第１のレジスト膜上に第２のレ
ジスト膜を密着性悪く形成し、該第２のレジスト膜をパ
ターニングし、その後、熱処理により第２のレジスト膜
をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第１及び第２
のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチバックするこ
とを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明オンチップマイクロレンズの形
成方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ
）乃至（Ｇ）は本発明の一つの実施例を工程順に示す断
面図である。 （Ａ）先ず、固体撮像素子の基板１上に図１の（Ａ）に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層（例えば
ＣＭＳ）２を塗布形成する。 （Ｂ）次に、図１の（Ｂ）に示すように上記レンズ材料
層２上に熱変形性の良い第１のレジスト膜を［例えばＨ
ＰＲ−２０４（商品名）］３を形成し、該第１のレジス
ト膜３に対して全面的露光処理を施す。即ち、パターニ
ングなしで感光させる。
成方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ
）乃至（Ｇ）は本発明の一つの実施例を工程順に示す断
面図である。 （Ａ）先ず、固体撮像素子の基板１上に図１の（Ａ）に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層（例えば
ＣＭＳ）２を塗布形成する。 （Ｂ）次に、図１の（Ｂ）に示すように上記レンズ材料
層２上に熱変形性の良い第１のレジスト膜を［例えばＨ
ＰＲ−２０４（商品名）］３を形成し、該第１のレジス
ト膜３に対して全面的露光処理を施す。即ち、パターニ
ングなしで感光させる。
【０００９】（Ｃ）次に、図１の（Ｃ）に示すように上
記熱変形性の良い第１のレジスト膜３上に解像度の良い
第２のレジスト膜［例えばＰＦＲ（商品名）］４を塗布
形成する。 （Ｄ）次に、図１の（Ｄ）に示すように上記解像度の良
い第２のレジスト膜４を露光（マスク越しの露光）及び
現像によりパターニングして各受光素子（図示しない）
に対応する位置に他から独立した上から視て矩形の島状
レジスト膜４ａ、４ａ、…を形成する。
記熱変形性の良い第１のレジスト膜３上に解像度の良い
第２のレジスト膜［例えばＰＦＲ（商品名）］４を塗布
形成する。 （Ｄ）次に、図１の（Ｄ）に示すように上記解像度の良
い第２のレジスト膜４を露光（マスク越しの露光）及び
現像によりパターニングして各受光素子（図示しない）
に対応する位置に他から独立した上から視て矩形の島状
レジスト膜４ａ、４ａ、…を形成する。
【００１０】（Ｅ）次に、レジスト膜４ａ、４ａ、…及
びレジスト膜３をレジスト膜４ａ、４ａ、…がなくなる
ところまでエッチバックする。図１の（Ｅ）はこのエッ
チバック後の状態を示す。このエッチバックにより各受
光素子に対応する位置に互いに他から独立したところの
上から視て矩形状の島状レジスト膜３ａ、３ａが形成さ
れることになり、このパターンは工程（Ｄ）における露
光、現像により形成されたレジスト膜４ａ、４ａ、…の
パターンと全く同じである。即ち、エッチバックにより
レジスト膜４ａ、４ａ、…のパターンがそのままレジス
ト膜３ａ、３ａ、…に転写されることになる。尚、この
転写がきれいに為されるようにするには第１のレジスト
膜３と第２のレジスト膜４のエッチングレートができる
だけ近いことが好ましいことはいうまでもない。
びレジスト膜３をレジスト膜４ａ、４ａ、…がなくなる
ところまでエッチバックする。図１の（Ｅ）はこのエッ
チバック後の状態を示す。このエッチバックにより各受
光素子に対応する位置に互いに他から独立したところの
上から視て矩形状の島状レジスト膜３ａ、３ａが形成さ
れることになり、このパターンは工程（Ｄ）における露
光、現像により形成されたレジスト膜４ａ、４ａ、…の
パターンと全く同じである。即ち、エッチバックにより
レジスト膜４ａ、４ａ、…のパターンがそのままレジス
ト膜３ａ、３ａ、…に転写されることになる。尚、この
転写がきれいに為されるようにするには第１のレジスト
膜３と第２のレジスト膜４のエッチングレートができる
だけ近いことが好ましいことはいうまでもない。
【００１１】（Ｆ）次に、加熱処理により各島状レジス
ト膜３ａ、３ａ、…を図１の（Ｆ）に示すようにレンズ
状に熱変形させる。該レジスト膜３ａ、３ａ，…は、も
ともと熱変形性の良い材料からなるので比較的きれいな
レンズ状に形成され、良好な集光特性を持つ。 （Ｇ）その後、エッチバックすることによりレンズ状の
レジスト膜３ａ、３ａ、…の形状を図１の（Ｇ）に示す
ようにレンズ材料層２に転写する。これによりレンズ材
料層２にマイクロレンズ２ａ、２ａ、…が形成される。
ト膜３ａ、３ａ、…を図１の（Ｆ）に示すようにレンズ
状に熱変形させる。該レジスト膜３ａ、３ａ，…は、も
ともと熱変形性の良い材料からなるので比較的きれいな
レンズ状に形成され、良好な集光特性を持つ。 （Ｇ）その後、エッチバックすることによりレンズ状の
レジスト膜３ａ、３ａ、…の形状を図１の（Ｇ）に示す
ようにレンズ材料層２に転写する。これによりレンズ材
料層２にマイクロレンズ２ａ、２ａ、…が形成される。
【００１２】このようなオンチップマイクロレンズの形
成方法によれば、マイクロレンズを形成するためのパタ
ーニングは解像度の良い第２のレジスト膜４に対する露
光、現像処理より行うので、各マイクロレンズ２ａ、２
ａ間の間隔を狭くすることができる。具体的には従来１
．５μｍ以下にできなかったマイクロレンズ間の間隔を
１．０μｍ程度に狭くすることができた。そして、マイ
クロレンズ間の間隔を狭くすることができるので無効領
域を狭くすることができ、延いては固体撮像素子の集積
度を高めることができる。また、熱変形性の良い第２の
レジスト膜に対する熱処理による熱変形によりマイクロ
レンズの形状を得るので、良好な形状のマイクロレンズ
を形成することができ、延いては集光特性を高めること
ができる。しかして、集光特性の低下を伴うことなく無
効領域を小さくすることが可能となるのである。
成方法によれば、マイクロレンズを形成するためのパタ
ーニングは解像度の良い第２のレジスト膜４に対する露
光、現像処理より行うので、各マイクロレンズ２ａ、２
ａ間の間隔を狭くすることができる。具体的には従来１
．５μｍ以下にできなかったマイクロレンズ間の間隔を
１．０μｍ程度に狭くすることができた。そして、マイ
クロレンズ間の間隔を狭くすることができるので無効領
域を狭くすることができ、延いては固体撮像素子の集積
度を高めることができる。また、熱変形性の良い第２の
レジスト膜に対する熱処理による熱変形によりマイクロ
レンズの形状を得るので、良好な形状のマイクロレンズ
を形成することができ、延いては集光特性を高めること
ができる。しかして、集光特性の低下を伴うことなく無
効領域を小さくすることが可能となるのである。
【００１３】図２（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明オンチップ
マイクロレンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す
断面図である。 （Ａ）先ず、固体撮像素子の基板１上に図２の（Ａ）に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層（例えば
ＣＭＳ）２を塗布形成する。 （Ｂ）次に、図２の（Ｂ）に示すように上記レンズ材料
層２上に第１のレジスト膜を［例えばＨＰＲ−２０４（
商品名）］３を形成し、該第１のレジスト膜３に対して
全面的に露光処理を施す。即ち、パターニングなしで感
光させる。
マイクロレンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す
断面図である。 （Ａ）先ず、固体撮像素子の基板１上に図２の（Ａ）に
示すようにプラスチックからなるレンズ材料層（例えば
ＣＭＳ）２を塗布形成する。 （Ｂ）次に、図２の（Ｂ）に示すように上記レンズ材料
層２上に第１のレジスト膜を［例えばＨＰＲ−２０４（
商品名）］３を形成し、該第１のレジスト膜３に対して
全面的に露光処理を施す。即ち、パターニングなしで感
光させる。
【００１４】（Ｃ）次に、図２の（Ｃ）に示すように、
上記第１のレジスト膜３上に例えば同じ材料からなる第
２のレジスト膜４を密着性悪く塗布形成する。第２のレ
ジスト膜４は図１の実施例の場合と異なり解像度が高い
ことはさほど必要ではなく、それよりも熱変形性の良い
ことが必要である。 （Ｄ）次に、図２の（Ｄ）に示すように上記第２のレジ
スト膜４を露光、現像によりパターニングして各受光素
子（図示しない）に対応する位置に互いに他から独立し
上から視て矩形状の島状レジスト膜４ａ、４ａ、…を形
成する。
上記第１のレジスト膜３上に例えば同じ材料からなる第
２のレジスト膜４を密着性悪く塗布形成する。第２のレ
ジスト膜４は図１の実施例の場合と異なり解像度が高い
ことはさほど必要ではなく、それよりも熱変形性の良い
ことが必要である。 （Ｄ）次に、図２の（Ｄ）に示すように上記第２のレジ
スト膜４を露光、現像によりパターニングして各受光素
子（図示しない）に対応する位置に互いに他から独立し
上から視て矩形状の島状レジスト膜４ａ、４ａ、…を形
成する。
【００１５】（Ｅ）次に、加熱処理を施すことにより各
島状レジスト膜４ａ、４ａをレンズ状に熱変形させる。 すると、図２の（Ｅ）に示すように各レジスト膜４ａ、
４ａの周縁がずれて隣り合うレジスト膜４ａ、４ａの周
縁どうしが略接するようになる。というのは、工程（Ｂ
）において２上に第２のレジスト膜３を密着性を悪く形
成したためである。従って、無効領域を略０ないし極め
て小さくすることができ、実効的な開口率を高めること
ができる。
島状レジスト膜４ａ、４ａをレンズ状に熱変形させる。 すると、図２の（Ｅ）に示すように各レジスト膜４ａ、
４ａの周縁がずれて隣り合うレジスト膜４ａ、４ａの周
縁どうしが略接するようになる。というのは、工程（Ｂ
）において２上に第２のレジスト膜３を密着性を悪く形
成したためである。従って、無効領域を略０ないし極め
て小さくすることができ、実効的な開口率を高めること
ができる。
【００１６】（Ｆ）その後、第２のレジスト膜４ａ、４
ａ、…、第１のレジスト膜２及びレンズ材料層２をエッ
チバックすることにより図２の（Ｆ）に示すように第２
のレジスト膜４ａ、４ａ、…をレンズ材料層２に転写し
てマイクロレンズ２ａ、２ａ、…を形成する。
ａ、…、第１のレジスト膜２及びレンズ材料層２をエッ
チバックすることにより図２の（Ｆ）に示すように第２
のレジスト膜４ａ、４ａ、…をレンズ材料層２に転写し
てマイクロレンズ２ａ、２ａ、…を形成する。
【００１７】本オンチップマイクロレンズの形成方法に
よれば、第１のレジスト膜３上に密着性悪く形成した第
２のレジスト膜４からなる島状レジスト膜４ａ、４ａを
熱変形させてマイクロレンズを形成するので、熱変形さ
せる際に隣接する各レジスト膜４ａ、４ａの周縁が外側
にずれて無効領域がなくなる、あるいは狭くなる。従っ
て、実効的開口率を高くすることができる。
よれば、第１のレジスト膜３上に密着性悪く形成した第
２のレジスト膜４からなる島状レジスト膜４ａ、４ａを
熱変形させてマイクロレンズを形成するので、熱変形さ
せる際に隣接する各レジスト膜４ａ、４ａの周縁が外側
にずれて無効領域がなくなる、あるいは狭くなる。従っ
て、実効的開口率を高くすることができる。
【００１８】
【発明の効果】請求項１のオンチップマイクロレンズの
形成方法は、チップ表面上にレンズ材料層を形成し、該
上記レンズ材料層上に熱変形性の良い第１のレジスト膜
を形成し、該第１のレジスト膜上に解像度の良い第２の
レジスト膜を形成し、該第２のレジスト膜に対して露光
処理及び現像処理を施すことにより該膜を各マイクロレ
ンズ形成領域毎に島状に独立して存在するようにパター
ニングし、該第２のレジスト膜及び第１のレジスト膜を
該第２のレジスト膜がなくなるまでエッチバックし、そ
の後、熱処理により上記第１のレジスト膜を熱変形によ
りマイクロレンズ状にし、しかる後上記第１のレジスト
膜及びレンズ材料層をエッチバックすることを特徴とす
るものである。従って、請求項１のオンチップマイクロ
レンズの形成方法によれば、無効領域の幅は解像度の良
い第１のレジスト膜により決定することができるので狭
くすることができる。そして、マイクロレンズの形状は
熱処理により熱変形性の良い第２のレジスト膜に熱変形
させることによりつくるので、良好な形状のマイクロレ
ンズを得ることができる。従ってマイクロレンズの形状
を良好にしつつ無効領域を小さくすることができる。請
求項２のオンチップマイクロレンズの形成方法は、チッ
プ表面上にレンズ材料層を形成し、該レンズ材料層上に
第１のレジスト膜を形成し、該第１のレジスト膜上に第
２のレジスト膜を密着性悪く形成し、該第２のレジスト
膜に対して露光処理及び現像処理を施すことにより該膜
を各マイクロレンズ形成領域毎に島状に独立して存在す
るようにパターニグし、その後、熱処理することにより
該第２のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後
第１及び第２のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチ
バックすることを特徴とするものである。従って、請求
項２のオンチップマイクロレンズの形成方法によれば、
第１のレジスト膜上に密着性悪く形成した第２のレジス
ト膜からなる島状レジスト膜を熱変形させてマイクロレ
ンズの形状をつくるので、その際に各島状レジスト膜の
周縁が外側にずれてレジスト膜間の隙間が少なくなり、
無効領域が少なくなる。依って、実効的開口率を高くす
ることができる。
形成方法は、チップ表面上にレンズ材料層を形成し、該
上記レンズ材料層上に熱変形性の良い第１のレジスト膜
を形成し、該第１のレジスト膜上に解像度の良い第２の
レジスト膜を形成し、該第２のレジスト膜に対して露光
処理及び現像処理を施すことにより該膜を各マイクロレ
ンズ形成領域毎に島状に独立して存在するようにパター
ニングし、該第２のレジスト膜及び第１のレジスト膜を
該第２のレジスト膜がなくなるまでエッチバックし、そ
の後、熱処理により上記第１のレジスト膜を熱変形によ
りマイクロレンズ状にし、しかる後上記第１のレジスト
膜及びレンズ材料層をエッチバックすることを特徴とす
るものである。従って、請求項１のオンチップマイクロ
レンズの形成方法によれば、無効領域の幅は解像度の良
い第１のレジスト膜により決定することができるので狭
くすることができる。そして、マイクロレンズの形状は
熱処理により熱変形性の良い第２のレジスト膜に熱変形
させることによりつくるので、良好な形状のマイクロレ
ンズを得ることができる。従ってマイクロレンズの形状
を良好にしつつ無効領域を小さくすることができる。請
求項２のオンチップマイクロレンズの形成方法は、チッ
プ表面上にレンズ材料層を形成し、該レンズ材料層上に
第１のレジスト膜を形成し、該第１のレジスト膜上に第
２のレジスト膜を密着性悪く形成し、該第２のレジスト
膜に対して露光処理及び現像処理を施すことにより該膜
を各マイクロレンズ形成領域毎に島状に独立して存在す
るようにパターニグし、その後、熱処理することにより
該第２のレジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後
第１及び第２のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチ
バックすることを特徴とするものである。従って、請求
項２のオンチップマイクロレンズの形成方法によれば、
第１のレジスト膜上に密着性悪く形成した第２のレジス
ト膜からなる島状レジスト膜を熱変形させてマイクロレ
ンズの形状をつくるので、その際に各島状レジスト膜の
周縁が外側にずれてレジスト膜間の隙間が少なくなり、
無効領域が少なくなる。依って、実効的開口率を高くす
ることができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｇ）は本発明オンチップマイクロ
レンズの形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図
である。
レンズの形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図
である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明オンチップマイクロ
レンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
レンズの形成方法の他の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
１ チップ
２ レンズ材料層
２ａ マイクロレンズ
３ 第１のレジスト膜
４ 第２のレジスト膜
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ表面上にレンズ材料層を形成し
、上記レンズ材料層上に熱変形性の良い第１のレジスト
膜を形成し、上記第１のレジスト膜上に解像度の良い第
２のレジスト膜を形成し、上記第２のレジスト膜に対し
て露光処理及び現像処理を施すことにより第２のレジス
ト膜を各マイクロレンズ形成領域毎に島状に独立して存
在するようにパターニングし、上記第２のレジスト膜及
び第１のレジスト膜を該第２のレジスト膜がなくなるま
でエッチバックし、その後、熱処理により上記第１のレ
ジスト膜をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第１
のレジスト膜及びレンズ材料層をエッチバックすること
を特徴とするオンチップマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項２】 チップ表面上にレンズ材料層を形成し
、上記レンズ材料層上に第１のレジスト膜を形成し、上
記第１のレジスト膜上に第２のレジスト膜を密着性悪く
形成し、上記第２のレジスト膜に対して露光処理及び現
像処理を施すことにより第２のレジスト膜を各マイクロ
レンズ形成領域毎に島状に独立して存在するようにパタ
ーニグし、その後、熱処理により上記第２のレジスト膜
をレンズ状に熱変形させ、しかる後、上記第１及び第２
のレジスト膜並びにレンズ材料層をエッチバックするこ
とを特徴とするオンチップマイクロレンズの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050754A JPH04268763A (ja) | 1991-02-23 | 1991-02-23 | オンチップマイクロレンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3050754A JPH04268763A (ja) | 1991-02-23 | 1991-02-23 | オンチップマイクロレンズの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268763A true JPH04268763A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=12867633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3050754A Pending JPH04268763A (ja) | 1991-02-23 | 1991-02-23 | オンチップマイクロレンズの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04268763A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288388B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric converter wherein the lower electrode has bends |
| WO2008114894A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Industry Foundation Of Chonnam National University | Light emitting diode with microlens |
| US8647816B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing electronic device |
-
1991
- 1991-02-23 JP JP3050754A patent/JPH04268763A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288388B1 (en) | 1997-09-26 | 2001-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric converter wherein the lower electrode has bends |
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