JPH04269724A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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- JPH04269724A JPH04269724A JP3053374A JP5337491A JPH04269724A JP H04269724 A JPH04269724 A JP H04269724A JP 3053374 A JP3053374 A JP 3053374A JP 5337491 A JP5337491 A JP 5337491A JP H04269724 A JPH04269724 A JP H04269724A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置等の電気光
学装置に関する。更に詳しくは、液晶層を挟持した一対
の基板の一方の基板上に画素電極とそれを駆動する非線
形素子とを配置した電気光学装置に関するものである。
学装置に関する。更に詳しくは、液晶層を挟持した一対
の基板の一方の基板上に画素電極とそれを駆動する非線
形素子とを配置した電気光学装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上記のような電気光学装置の一例を、非
線形素子としてメタル・インシュレータ・メタル（Ｍｅ
ｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ，以下ＭＩＭ
素子という）を用いた液晶表示装置を例にして説明する
。図１はこの種の液晶表示装置の一部の斜視図、図２は
ＭＩＭ素子を有する側の基板の一部の平面図、図３は要
部の拡大断面図である。
線形素子としてメタル・インシュレータ・メタル（Ｍｅ
ｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ，以下ＭＩＭ
素子という）を用いた液晶表示装置を例にして説明する
。図１はこの種の液晶表示装置の一部の斜視図、図２は
ＭＩＭ素子を有する側の基板の一部の平面図、図３は要
部の拡大断面図である。
【０００３】図において、１・２は液晶層３を挟持する
上下一対の基板であり、その一方の基板１にはＩＴＯ等
よりなる対向電極４が形成され、他方の基板２にはＩＴ
Ｏ等よりなる多数の画素電極５がマトリックス状に形成
されている。６はタンタル（Ｔａ）等よりなる第１の導
電体、７は酸化タンタル（ＴａＯｘ）等よりなる絶縁体
、８はクロム（Ｃｒ）等よりなる第２の導電体であり、
それら第１の導電体６と絶縁体７および第２の導電体８
とで、画素を駆動するためのＭＩＭ素子が構成されてい
る。
上下一対の基板であり、その一方の基板１にはＩＴＯ等
よりなる対向電極４が形成され、他方の基板２にはＩＴ
Ｏ等よりなる多数の画素電極５がマトリックス状に形成
されている。６はタンタル（Ｔａ）等よりなる第１の導
電体、７は酸化タンタル（ＴａＯｘ）等よりなる絶縁体
、８はクロム（Ｃｒ）等よりなる第２の導電体であり、
それら第１の導電体６と絶縁体７および第２の導電体８
とで、画素を駆動するためのＭＩＭ素子が構成されてい
る。
【０００４】特に図示例のＭＩＭ素子は、第１の導電体
６の側面だけを画素駆動用素子として利用するいわゆる
ラテラルＭＩＭの構造を用いている。このラテラルＭＩ
Ｍは、第１の導電体６の側面以外、つまりＭＩＭを構成
する部分以外の表面をバリア層として厚い絶縁体７ｂで
覆うことにより、ＭＩＭ素子を構成する第１の導電体６
の側面の薄い絶縁体７ａよりも電気抵抗を高くして素子
として働かないようにしたものである。このような構造
にすることで、素子の面積を非常に小さくすることがで
きるもので、この種の素子を用いた液晶表示装置等の電
気光学装置の高密度化、高精細化に有効な技術である。
６の側面だけを画素駆動用素子として利用するいわゆる
ラテラルＭＩＭの構造を用いている。このラテラルＭＩ
Ｍは、第１の導電体６の側面以外、つまりＭＩＭを構成
する部分以外の表面をバリア層として厚い絶縁体７ｂで
覆うことにより、ＭＩＭ素子を構成する第１の導電体６
の側面の薄い絶縁体７ａよりも電気抵抗を高くして素子
として働かないようにしたものである。このような構造
にすることで、素子の面積を非常に小さくすることがで
きるもので、この種の素子を用いた液晶表示装置等の電
気光学装置の高密度化、高精細化に有効な技術である。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】ところで、上記のよう
なＭＩＭ素子等の非線形素子を用いた電気光学装置にお
いて、素子の容量をＣＭＩＭ 、その素子で駆動される
画素の容量をＣＬＣ、印加電圧をＶとしたとき、｛ＣＬ
Ｃ／（ＣＭＩＭ ＋ＣＬＣ）｝×Ｖの電圧が素子に印加
される。従って、印加電圧に対して素子が良好に駆動す
るためには、ＣＬＣが一定であるとすると、ＣＭＩＭ
を小さくしなければならない。一般的には、ＣＬＣ／Ｃ
ＭＩＭ ≧１０ が望ましいとされていた。しかしな
がら、ＣＭＩＭ を小さくする（素子サイズを小さくす
る）と素子の抵抗が増大し、走査駆動をすると、液晶層
に印加される実効電圧が下がってしまうという問題があ
った。
なＭＩＭ素子等の非線形素子を用いた電気光学装置にお
いて、素子の容量をＣＭＩＭ 、その素子で駆動される
画素の容量をＣＬＣ、印加電圧をＶとしたとき、｛ＣＬ
Ｃ／（ＣＭＩＭ ＋ＣＬＣ）｝×Ｖの電圧が素子に印加
される。従って、印加電圧に対して素子が良好に駆動す
るためには、ＣＬＣが一定であるとすると、ＣＭＩＭ
を小さくしなければならない。一般的には、ＣＬＣ／Ｃ
ＭＩＭ ≧１０ が望ましいとされていた。しかしな
がら、ＣＭＩＭ を小さくする（素子サイズを小さくす
る）と素子の抵抗が増大し、走査駆動をすると、液晶層
に印加される実効電圧が下がってしまうという問題があ
った。
【０００６】本発明は上記の問題点に鑑みて誠意研究し
た結果、非線形素子の容量を必ずしも過度に小さくしな
くても素子を良好に駆動させて表示性能のよい電気光学
装置が得られることを見出したものである。
た結果、非線形素子の容量を必ずしも過度に小さくしな
くても素子を良好に駆動させて表示性能のよい電気光学
装置が得られることを見出したものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明による電気
光学装置は、液晶層を狭持する一対の基板の一方の基板
上に対向電極が配置され、他方の基板上には、画素電極
と、該画素電極を駆動するための非線形素子とが配置さ
れ、その非線形素子が第１の導電体と絶縁体および第２
の導電体とを有してなり、その第１の導電体と絶縁体お
よび第２の導電体の重なる部分が、電流電圧特性に非線
形性をもつ電気光学装置において、上記第１の導電体と
絶縁体および第２の導電体の重なる部分のうち画素電極
を駆動するための非線形素子となる部分の容量に対する
画素電極の容量比を変化させたとき通常の使用温度（例
えば、０℃〜５０℃程度）でコントラストが最も大きく
なるように上記の容量比を設定したことを特徴とする。
光学装置は、液晶層を狭持する一対の基板の一方の基板
上に対向電極が配置され、他方の基板上には、画素電極
と、該画素電極を駆動するための非線形素子とが配置さ
れ、その非線形素子が第１の導電体と絶縁体および第２
の導電体とを有してなり、その第１の導電体と絶縁体お
よび第２の導電体の重なる部分が、電流電圧特性に非線
形性をもつ電気光学装置において、上記第１の導電体と
絶縁体および第２の導電体の重なる部分のうち画素電極
を駆動するための非線形素子となる部分の容量に対する
画素電極の容量比を変化させたとき通常の使用温度（例
えば、０℃〜５０℃程度）でコントラストが最も大きく
なるように上記の容量比を設定したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記のように、第１の導電体と絶縁体および第
２の導電体の重なる部分のうち画素電極を駆動するため
の非線形素子となる部分の容量に対する画素電極の容量
比を変化させたとき通常の使用温度でコントラストが最
も大きくなるように容量比を設定することにより、非線
形素子の容量を過度に小さくすることなく素子を良好に
駆動させて表示性能のよい電気光学装置を得ることが可
能となる。
２の導電体の重なる部分のうち画素電極を駆動するため
の非線形素子となる部分の容量に対する画素電極の容量
比を変化させたとき通常の使用温度でコントラストが最
も大きくなるように容量比を設定することにより、非線
形素子の容量を過度に小さくすることなく素子を良好に
駆動させて表示性能のよい電気光学装置を得ることが可
能となる。
【０００９】例えば、第１の導電体と絶縁体および第２
の導電体としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロ
ムを用いる場合には、それ等の重なる部分のうち画素電
極を駆動するための非線形素子となる部分の容量に対す
る画素の容量の比を、２から８の範囲内に設定すればよ
い。
の導電体としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロ
ムを用いる場合には、それ等の重なる部分のうち画素電
極を駆動するための非線形素子となる部分の容量に対す
る画素の容量の比を、２から８の範囲内に設定すればよ
い。
【００１０】また、上記の容量比は、非線形素子に対す
る画素電極の面積比に置き換えることができる。例えば
上記と同様に第１の導電体と絶縁体および第２の導電体
としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロムを用い
る場合には、それ等の重なる部分のうち画素電極を駆動
するための非線形素子となる部分の面積に対する画素電
極の面積の比を、１０００から４０００の範囲内に設定
すればよい。
る画素電極の面積比に置き換えることができる。例えば
上記と同様に第１の導電体と絶縁体および第２の導電体
としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロムを用い
る場合には、それ等の重なる部分のうち画素電極を駆動
するための非線形素子となる部分の面積に対する画素電
極の面積の比を、１０００から４０００の範囲内に設定
すればよい。
【００１１】
【実施例】以下、本発明による電気子光学装置を、非線
形素子としてＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を例にし
て具体的に説明する。一般に、ＭＩＭ素子をはじめ非線
形な２端子素子を液晶表示装置の画素を駆動するために
用いる場合には、非線形素子に対する画素電極の容量も
しくは面積の比は重要な要素であり、それ等の比を所定
の値に設定する必要がある。
形素子としてＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を例にし
て具体的に説明する。一般に、ＭＩＭ素子をはじめ非線
形な２端子素子を液晶表示装置の画素を駆動するために
用いる場合には、非線形素子に対する画素電極の容量も
しくは面積の比は重要な要素であり、それ等の比を所定
の値に設定する必要がある。
【００１２】例えばＭＩＭ素子の容量ＣＭＩＭ に対す
る画素の容量ＣＬＣの比ＣＬＣ／ＣＭＩＭ は、前述の
ように従来一般的には、１０以上にするのが望ましいと
されていたが、実際には必ずしも１０以上にしなくとも
良好な表示が得られることが分かった。具体的には、例
えばＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶縁体および
第２の導電体としてそれぞれタンタル（Ｔａ）、酸化タ
ンタル（ＴａＯｘ）、クロム（Ｃｒ）を用い、上記酸化
タンタルの比誘電率が約２７で膜厚を６０ｎｍに設定し
た場合の容量比は、２から８の範囲内に設定するのが望
ましい。それは以下の理由による。即ち、画素の容量を
一定とし、素子の容量を大きくして容量比が２より小さ
くなるようにすると、画素の選択時には大きな書き込み
電流が流れ、充分な電位を画素電極に与えることができ
る反面、画素の非選択時にも大きな漏れ電流が生じてし
まい、画素電極の電位を充分に保持することができなく
なる。従って画素の選択時、非選択時をあわせた実効電
圧は、容量比が小さくなるほど下がってしまう。一方、
素子の容量を小さくして容量比が大きくなるようにする
と、画素の非選択時には漏れ電流が小さいので、充分に
画素電極の電位を保持することができる反面、画素の選
択時においては大きな書き込み電流を得られないので、
画素電極に充分な電位を与えることができない。従って
画素の選択時、非選択時を合わせた実効電圧は、容量比
が大きくなるほど下がってしまう。
る画素の容量ＣＬＣの比ＣＬＣ／ＣＭＩＭ は、前述の
ように従来一般的には、１０以上にするのが望ましいと
されていたが、実際には必ずしも１０以上にしなくとも
良好な表示が得られることが分かった。具体的には、例
えばＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶縁体および
第２の導電体としてそれぞれタンタル（Ｔａ）、酸化タ
ンタル（ＴａＯｘ）、クロム（Ｃｒ）を用い、上記酸化
タンタルの比誘電率が約２７で膜厚を６０ｎｍに設定し
た場合の容量比は、２から８の範囲内に設定するのが望
ましい。それは以下の理由による。即ち、画素の容量を
一定とし、素子の容量を大きくして容量比が２より小さ
くなるようにすると、画素の選択時には大きな書き込み
電流が流れ、充分な電位を画素電極に与えることができ
る反面、画素の非選択時にも大きな漏れ電流が生じてし
まい、画素電極の電位を充分に保持することができなく
なる。従って画素の選択時、非選択時をあわせた実効電
圧は、容量比が小さくなるほど下がってしまう。一方、
素子の容量を小さくして容量比が大きくなるようにする
と、画素の非選択時には漏れ電流が小さいので、充分に
画素電極の電位を保持することができる反面、画素の選
択時においては大きな書き込み電流を得られないので、
画素電極に充分な電位を与えることができない。従って
画素の選択時、非選択時を合わせた実効電圧は、容量比
が大きくなるほど下がってしまう。
【００１３】以上の理由から最適な容量比が存在し、そ
の近傍の容量比の変化に対する画素の実効電圧の変化率
が０になる容量比が存在することがわかる。その実効電
圧の変化率が０になる容量比は、具体的には前記の条件
においては約４程度であり、容量比を２から８の範囲、
より好ましくは３．５から５．５の範囲内に設定すれば
良好な表示が得られるものである。
の近傍の容量比の変化に対する画素の実効電圧の変化率
が０になる容量比が存在することがわかる。その実効電
圧の変化率が０になる容量比は、具体的には前記の条件
においては約４程度であり、容量比を２から８の範囲、
より好ましくは３．５から５．５の範囲内に設定すれば
良好な表示が得られるものである。
【００１４】図４は前記図１〜３においてＭＩＭ素子を
構成する第１の導電体と絶縁体および第２の導電体とし
てそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロムを用い、そ
の酸化タンタルの比誘電率が約２７で膜厚を６０ｎｍに
設定し、対向電極基板間に液晶層（層厚約５ミクロン）
を介在させた液晶表示装置における容量比に対するコン
トラスト（オン・オフ時の透過光量比）を示すもので、
容量比が４程度で良好なコントラストが得られることが
わかる。酸化タンタルの比誘電率や膜厚を多少変化させ
た場合も同様である。さらに図４において、曲線Ａ、Ｂ
、Ｃはそれぞれ０℃、２５℃、５０℃でのコントラスト
を示すもので、通常の使用温度０℃〜５０℃の範囲にお
いては、温度変化によってもコントラストが最大となる
容量比は大きく変動せず、容量比を前記のような条件に
設定することにより常に高コントラストの表示が得られ
ることがわかる。
構成する第１の導電体と絶縁体および第２の導電体とし
てそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロムを用い、そ
の酸化タンタルの比誘電率が約２７で膜厚を６０ｎｍに
設定し、対向電極基板間に液晶層（層厚約５ミクロン）
を介在させた液晶表示装置における容量比に対するコン
トラスト（オン・オフ時の透過光量比）を示すもので、
容量比が４程度で良好なコントラストが得られることが
わかる。酸化タンタルの比誘電率や膜厚を多少変化させ
た場合も同様である。さらに図４において、曲線Ａ、Ｂ
、Ｃはそれぞれ０℃、２５℃、５０℃でのコントラスト
を示すもので、通常の使用温度０℃〜５０℃の範囲にお
いては、温度変化によってもコントラストが最大となる
容量比は大きく変動せず、容量比を前記のような条件に
設定することにより常に高コントラストの表示が得られ
ることがわかる。
【００１５】また、上記の容量比は直接的に非線形素子
の面積に対する画素の面積、つまり画素電極の面積の比
（以下、駆動面積比という）に置き換えることができる
。即ち、例えばＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶
縁体および第２の導電体として、それぞれ前述のように
タンタル、酸化タンタル、クロムを用い、前記と同じ条
件に設定した液晶表示装置の場合には、容量比で２から
８は、駆動面積比でおよそ１０００から４０００に相当
する。従って、液晶や非線形素子の容量比を変えるとき
には、駆動面積比を１０００〜４０００の範囲内、より
好ましくは１７００〜２８００の範囲内に設定すればよ
い。
の面積に対する画素の面積、つまり画素電極の面積の比
（以下、駆動面積比という）に置き換えることができる
。即ち、例えばＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶
縁体および第２の導電体として、それぞれ前述のように
タンタル、酸化タンタル、クロムを用い、前記と同じ条
件に設定した液晶表示装置の場合には、容量比で２から
８は、駆動面積比でおよそ１０００から４０００に相当
する。従って、液晶や非線形素子の容量比を変えるとき
には、駆動面積比を１０００〜４０００の範囲内、より
好ましくは１７００〜２８００の範囲内に設定すればよ
い。
【００１６】ＭＩＭに代表される非線形素子の特性は、
ショットキー効果またはプールフレンケル効果に依存し
ており電流密度をｊとして以下のように表される。 ｊ＝ｋＶｅｘｐ（β√Ｖ）
‥‥‥（１
） β＝１／αＫＴ（ｑ３ ／πε
ｒ ε０ ｄ）１／２ ‥‥‥（２）
ｋ＝ημｑ／ｄｅｘｐ（−φ／αＫＴ）
‥‥‥（３）Ｖ： 電圧 εｒ ：絶縁体の比誘電率 ｄ： 絶縁体の膜厚 α＝１： プールフレンケル α＝２： ショットキー
ショットキー効果またはプールフレンケル効果に依存し
ており電流密度をｊとして以下のように表される。 ｊ＝ｋＶｅｘｐ（β√Ｖ）
‥‥‥（１
） β＝１／αＫＴ（ｑ３ ／πε
ｒ ε０ ｄ）１／２ ‥‥‥（２）
ｋ＝ημｑ／ｄｅｘｐ（−φ／αＫＴ）
‥‥‥（３）Ｖ： 電圧 εｒ ：絶縁体の比誘電率 ｄ： 絶縁体の膜厚 α＝１： プールフレンケル α＝２： ショットキー
【００１７】例えば、前記タンタル、酸化タンタル（膜
厚６０ｎｍ、比誘電率２７）、クロムのＭＩＭ素子の場
合には、比線形素子の急峻性を示すβは上記式（２）か
ら約４〜８が得られる。また、この場合の素子容量ＣＬ
Ｃは、 ＣＬＣ＝εｒ ε０ Ｓ／ｄ
‥‥‥（４
）Ｓ： 素子面積 となり、素子容量は素子面積で調整される。
厚６０ｎｍ、比誘電率２７）、クロムのＭＩＭ素子の場
合には、比線形素子の急峻性を示すβは上記式（２）か
ら約４〜８が得られる。また、この場合の素子容量ＣＬ
Ｃは、 ＣＬＣ＝εｒ ε０ Ｓ／ｄ
‥‥‥（４
）Ｓ： 素子面積 となり、素子容量は素子面積で調整される。
【００１８】このＭＩＭ素子を液晶光学装置に用いた場
合、画素容量ＣＬＣ、素子容量ＣＭＩＭ の容量比ＣＬ
Ｃ／ＣＭＩＭ には、前述したように表示特性（コント
ラスト、階調再現性など）にとって最適な値が存在する
。そのときの容量比は約４（駆動面積比では約２０００
）である。 ＣＬＣは素子面積Ｓに依存するため、最適容量比（容量
）となる素子面積をＳ´とした場合、上記（１）式から
書き込み時（素子印加電圧平均ＶＯＮ）の最適電流値の
平均Ｉ´は、 Ｉ´＝ｊ（ＶＯＮ）Ｓ´
‥‥‥（５）と
なる。ここで上記素子の急峻性を表すβが向上したとす
ると前記（１）式からｊが上昇するため、最適電流値の
平均Ｉ´を得るためには上記（５）式の最適素子面積Ｓ
´または素子印加平均電圧ＶＯＮを小さくしなくてはな
らないことがわかる。ところで、素子の急峻性βは、
β √（１／εｒ ｄ）
‥‥‥（
６）であるから、比線形素子の絶縁体の比誘電率εｒ
や膜厚ｄを変えることによって最適素子サイズは変動す
ることになる。
合、画素容量ＣＬＣ、素子容量ＣＭＩＭ の容量比ＣＬ
Ｃ／ＣＭＩＭ には、前述したように表示特性（コント
ラスト、階調再現性など）にとって最適な値が存在する
。そのときの容量比は約４（駆動面積比では約２０００
）である。 ＣＬＣは素子面積Ｓに依存するため、最適容量比（容量
）となる素子面積をＳ´とした場合、上記（１）式から
書き込み時（素子印加電圧平均ＶＯＮ）の最適電流値の
平均Ｉ´は、 Ｉ´＝ｊ（ＶＯＮ）Ｓ´
‥‥‥（５）と
なる。ここで上記素子の急峻性を表すβが向上したとす
ると前記（１）式からｊが上昇するため、最適電流値の
平均Ｉ´を得るためには上記（５）式の最適素子面積Ｓ
´または素子印加平均電圧ＶＯＮを小さくしなくてはな
らないことがわかる。ところで、素子の急峻性βは、
β √（１／εｒ ｄ）
‥‥‥（
６）であるから、比線形素子の絶縁体の比誘電率εｒ
や膜厚ｄを変えることによって最適素子サイズは変動す
ることになる。
【００１９】なお図示例は非線形素子としてラテラルＭ
ＩＭを例示したが、これに限られるものではない。また
実施例はＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶縁体お
よび第２の導電体として、それぞれタンタル、酸化タン
タル、クロムを用いた場合を例にして説明したが、それ
等の材質は適宜であり、材質の如何に拘らず素子に対す
る画素電極の容量比もしくは駆動面積比を変化させたと
き通常の使用温度でコントラストが最も大きくなるよう
に前記の容量比もしくは駆動面積比を設定すれば、上記
と同様の効果が得られる。さらに実施例は液晶表示装置
を例にして説明したが、他の各種液晶装置その他の電気
光学装置にも適用可能である。
ＩＭを例示したが、これに限られるものではない。また
実施例はＭＩＭ素子を構成する第１の導電体と絶縁体お
よび第２の導電体として、それぞれタンタル、酸化タン
タル、クロムを用いた場合を例にして説明したが、それ
等の材質は適宜であり、材質の如何に拘らず素子に対す
る画素電極の容量比もしくは駆動面積比を変化させたと
き通常の使用温度でコントラストが最も大きくなるよう
に前記の容量比もしくは駆動面積比を設定すれば、上記
と同様の効果が得られる。さらに実施例は液晶表示装置
を例にして説明したが、他の各種液晶装置その他の電気
光学装置にも適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、非線形素子
を用いた液晶表示装置等の電気光学装置において、非線
形素子に対する画素電極の容量比もしくは面積比を変化
させたとき通常の使用温度でコントラストが最も大きく
なるように上記の容量比もしくは面積比を設定すること
により、非線形素子の容量を過度に小さくすることなく
素子を良好に駆動させることが可能となるもので、性能
および安定性のよい電気光学装置が得られる等の効果が
ある。
を用いた液晶表示装置等の電気光学装置において、非線
形素子に対する画素電極の容量比もしくは面積比を変化
させたとき通常の使用温度でコントラストが最も大きく
なるように上記の容量比もしくは面積比を設定すること
により、非線形素子の容量を過度に小さくすることなく
素子を良好に駆動させることが可能となるもので、性能
および安定性のよい電気光学装置が得られる等の効果が
ある。
【図１】本発明による電気光学装置の一例を示す斜視図
。
。
【図２】素子基板の平面図。
【図３】素子基板の要部の拡大断面図。
【図４】容量比に対するコントラストの変化を示すグラ
フ。
フ。
１、２ 基板
３ 液晶層
４ 対向電極
５ 画素電極
６ 第１の導電体
７ 絶縁体
８ 第２の導電体
Claims (4)
- 【請求項１】 液晶層を狭持する一対の基板の一方の
基板上に対向電極が配置され、他方の基板上には、画素
電極と、該画素電極を駆動するための非線形素子とが配
置され、その非線形素子が第１の導電体と絶縁体および
第２の導電体とを有してなり、その第１の導電体と絶縁
体および第２の導電体の重なる部分が、電流電圧特性に
非線形性をもつ電気光学装置において、上記第１の導電
体と絶縁体および第２の導電体の重なる部分のうち画素
電極を駆動するための非線形素子となる部分の容量に対
する画素電極の容量比を変化させたとき通常の使用温度
でコントラストが最も大きくなるように上記の容量比を
設定したことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項２】 前記第１の導電体と絶縁体および第２
の導電体としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロ
ムを用い、それ等の重なる部分のうち画素電極を駆動す
るための非線形素子となる部分の容量に対する該非線形
素子によって駆動される画素の容量の比を、２から８の
範囲内に設定したことを特徴とする請求項１記載の電気
光学装置。 - 【請求項３】 液晶層を狭持する一対の基板の一方の
基板上に対向電極が配置され、他方の基板上には、画素
電極と、該画素電極を駆動するための非線形素子とが配
置され、その非線形素子が第１の導電体と絶縁体および
第２の導電体とを有してなり、その第１の導電体と絶縁
体および第２の導電体の重なる部分が、電流電圧特性に
非線形性をもつ電気光学装置において、上記第１の導電
体と絶縁体および第２の導電体の重なる部分のうち画素
電極を駆動するための非線形素子となる部分の面積に対
する画素電極の面積比を変化させたとき通常の使用温度
でコントラストが最も大きくなるように上記の面積比を
設定したことを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 前記第１の導電体と絶縁体および第２
の導電体としてそれぞれタンタル、酸化タンタル、クロ
ムを用い、それ等の重なる部分のうち画素電極を駆動す
るための非線形素子となる部分の面積に対する画素電極
の面積の比を、１０００から４０００の範囲内に設定し
たことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP5337491A JP3125311B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電気光学装置 |
| KR1019910018007A KR100247110B1 (ko) | 1991-02-25 | 1991-10-14 | 전기 광학 장치 |
| TW080108473A TW209277B (ja) | 1991-02-25 | 1991-10-29 | |
| EP19920100994 EP0501136A3 (en) | 1991-02-25 | 1992-01-22 | Electro-optical device |
| US08/369,608 US5661579A (en) | 1991-02-25 | 1995-01-06 | Manufacturing method for liquid crystal display having matched liquid crystal and MIM element capacitances for enhancing contrast ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5337491A JP3125311B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電気光学装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269724A true JPH04269724A (ja) | 1992-09-25 |
| JP3125311B2 JP3125311B2 (ja) | 2001-01-15 |
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ID=12941045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5337491A Expired - Fee Related JP3125311B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電気光学装置 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JP3125311B2 (ja) |
| KR (1) | KR100247110B1 (ja) |
| TW (1) | TW209277B (ja) |
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| US5936810A (en) | 1996-02-14 | 1999-08-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect head |
| US6545847B2 (en) | 1996-02-14 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive effect head |
| JP3828777B2 (ja) | 2001-10-22 | 2006-10-04 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気抵抗効果ヘッド |
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|---|---|---|---|---|
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- 1991-02-25 JP JP5337491A patent/JP3125311B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-14 KR KR1019910018007A patent/KR100247110B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-29 TW TW080108473A patent/TW209277B/zh active
-
1992
- 1992-01-22 EP EP19920100994 patent/EP0501136A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0501136A3 (en) | 1992-12-09 |
| JP3125311B2 (ja) | 2001-01-15 |
| KR920016885A (ko) | 1992-09-25 |
| EP0501136A2 (en) | 1992-09-02 |
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| KR100247110B1 (ko) | 2000-03-15 |
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