JPH04269824A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、縦型熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
ける熱拡散工程や成膜工程にて使用される熱処理装置と
して、無塵化及び省スペース化等を図ることができる縦
型熱処理装置が用いられている。このような縦型熱処理
装置にあってあは、円筒状に形成された石英からなる反
応管を囲んで設けられたヒーター及び断熱材等からなる
熱処理炉がほぼ矩形状の筐体内上部に垂直に設けられて
いる。この筐体内の熱処理炉の下部には、被処理体であ
る多数の半導体ウエハを載置したウエハボートを待機さ
せる待機空間が設けられており、このウエハボートをボ
ートエレベータのごとき昇降手段により熱処理炉内へ搬
出入し得るようになっている。そして、熱処理炉口から
排出される炉内に残留した処理ガスと高温気体を排出す
るための排気機構が設けられている。このような構成の
ため、熱処理炉をほぼ水平に設けた横型熱処理装置に比
較して、上記縦型熱処理装置は設置スペースを削減して
、省スペースを図ることができるのみならず、反応管と
非接触で熱処理炉内へウエハボートをロード及びアンロ
ードすることができることから、無塵化を図ることがで
きる。そして、上記縦型熱処理装置にあっては、更に無
塵化を図るために、塵埃除去用フィルタを介して清浄気
体を待機空間に通過させ、ここで待機している半導体ウ
エハに塵埃が付着することを防止するようになされた構
成のものもある。そして、この待機空間を通過した気体
は、装置をメンテナンスするために設けられクリーンル
ームと分離されたメンテナンスルームへ排出されていた
。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの一層
の高微細化、高集積化及び量産化の要求が日々増大して
いる今日において、上記した従来装置のように一度熱処
理装置内に取り込んだ清浄気体をメンテナンスルームへ
放出するようにした構成では、メンテナンスルームのク
リーン度を高く維持しないと、メンテナンスルームの塵
埃がわずかでも、半導体ウエハを処理、保管、移動する
クリーンルーム側に装置内を漏洩して入り込み、熱処理
装置内から排出されたパーティクルが半導体ウエハに付
着し、歩留まりを低下させるという問題があった。特に
、微細化が進み半導体パターンの最小幅寸法が１．０μ
ｍから０．５μｍへ移りつつある現状を考慮すると上記
した問題点の解決が一層望まれている。また、熱処理時
においては、種々の有害ガス、例えばフォスフィン（Ｐ
Ｈ３　）、砒素（Ａｓ）等が処理ガスとして使用されて
いるが、従来にあってはこれらのガスの使用量も比較的
少なく、装置内に残留する有害ガスも極めて少ないこと
から熱処理炉口に設けられた排気機構により十分な排気
を行うことができたので、待機空間を通過させた清浄気
体をそのままメンテナンスルームへ排出しても問題は生
じなかった。しかしながら、半導体ウエハのサイズが大
型化し、例えば５インチ、６インチから８インチサイズ
に移行するに従い、ガスの使用量も大幅に増加し、上記
排気機構だけでは十分な排気を行うことができず、クリ
ーンルームにて操作するオペレータに対する安全性も無
視し得ないものとなってきた。特に、半導体ウエハへ導
入する不純物、例えばＰやＡｓ等の注入操作は、イオン
注入装置等でも従来より行なわれていたが、トータルコ
スト、製造効率及びイオン注入後のアニールにともなう
熱拡散に起因する微細化の困難性等の観点より問題点が
あるため、このような不純物導入プロセスも近時技術発
展の著しい縦型熱処理装置により成膜処理と同時に行な
われる傾向にあり、前述したごとき問題点の解決が強く
望まれている。また、最近リンドーピングを行なう場合
に、処理ガスとして非常に腐食性の高いオキシ塩化リン
（ＰＯＣｌ３）を使用し、これを酸素ガスまたは窒素ガ
ス等のキャリアガスによって炉内へ導入して、９００℃
程度で熱処理することが行なわれている。熱処理完了時
には、不活性ガスを炉内へ導入し、これを排出する操作
を数度繰り返し行い、その後、ウエハボートを炉からア
ンロードし、処理済みの半導体ウエハの温度が２００℃
位に低下するまで装置内にてこれを待機させている。 この場合、炉内雰囲気中のＰＯＣｌ３をほぼ排除したと
はいえ、処理済みの半導体ウエハの表面からも未反応の
ＰＯＣｌ３等が放出されており、このＰＯＣｌ３が雰囲
気中に含まれる水分或いは酸素と反応して五酸化リン（
Ｐ２Ｏ５）を主とした反応生成物が発生する。この五酸
化リンを主とした反応生成物は生成状態により液状及び
固形状であり、特に、液状のものは非常に腐食性が強く
、耐腐食性の大きいステンレススチール等も容易に溶解
してしまい、装置内の各種部品及び周辺機器を腐食させ
てしまうという問題があった。そして、これを放置する
と腐食により発生した微細なさびがパーティクルとなっ
て浮遊し、半導体デバイスの歩留まり低下の原因にもな
っていた。本発明は、以上のような問題点に着目し、こ
れを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の
目的は、熱処理装置の待機空間雰囲気の清浄度を維持し
、さらにメンテナンスルームの雰囲気の清浄度を劣化さ
せることなく、クリーンルーム側の雰囲気清浄度を維持
すると共に、腐食に起因するパーティクルの発生を抑制
し、以て、被処理体の歩留まりを向上させることができ
ると共に、熱処理装置にて使用した残留有害ガスに起因
する安全性の低下を防止できる縦型熱処理装置を提供す
るにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、前面に被処理体を搬出入するための開
口部を有すと共に、開閉自在になされた筐体と、該筐体
内に設けられ、前記被処理体を熱処理するための熱処理
炉と、該熱処理炉の下方に設けられ、上記熱処理炉内と
の間で搬出入される前記被処理体を待機させるための待
機空間を有す縦型熱処理装置において、前記待機空間に
流すための清浄気体を導入するための清浄気体導入口と
、前記待機空間を通過した清浄気体を前記筐体の外へ排
出するための排気口と、前記待機空間を通過した清浄気
体を集めて前記排気口へ供給するための清浄気体排気通
路とを備え、前記排気口から排出される気体を、所定の
排気処理系へ供給するようにしたものである。

【０００５】

【作用】本発明は、以上のように構成したので、清浄気
体（空気）は、清浄気体導入口から熱処理装置内へ取り
込まれ、待機空間に待機されている被処理体としての半
導体ウエハのパーティクル排除のためにサイドフローが
施される。ここを通過した清浄気体は、一ヶ所に集めら
れて清浄気体排気通路を通って排気口から筐体外へ排出
され、その後、ダクト等を介して工場の排気処理系へと
排出される。このように、待機空間を通過した清浄気体
を上記排気処理系へ搬送することにより、パーティクル
および有害ガスを含む可能性のある気体はメンテナンス
ルームへは排出されないので、半導体ウエハの歩留まり
を向上できるのみならず、有害ガスの人体への影響を阻
止できる。また、腐食性の高いガスが装置内に滞ること
を防止できるので、歩留り低下の原因となる装置類の腐
食を阻止できる。

【０００６】

【実施例】以下に、本発明に係る縦型熱処理装置の一実
施例を添付図面に基づいて詳述する。図１、図２及び図
３に示す如く、この縦型熱処理装置１は、例えばステン
レススチール等によりほぼ矩形状に形成された筐体２を
有しており、その幅Ｗは、例えば９５０ｍｍ程度、奥行
Ｄは、例えば９００ｍｍ程度、高さＨは、例えば２８０
０ｍｍ程度に構成されている。上記筐体２内の上部には
、石英等により円筒状に形成された反応管３が設けられ
、この反応管３を囲む加熱ヒーター４及び断熱材等から
なる熱処理炉５がほぼ垂直に設けられていると共に、こ
の熱処理炉５の下端部は、装置内のほぼ中央部にてステ
ンレススチール等よりなるベースプレート６により支持
固定されている。そして、上記ベースプレート６の下部
には、熱処理炉口から排出される炉内に残留した処理ガ
スと高温気体を排出するための、例えばステンレススチ
ール等により箱状に形成されたスカベンジャ７が設けら
れると共に、このスカベンジャ７の一側面部には、天井
部８へ延在された熱排気ダクト９が接続されている。 上記スカベンジャ７及びベースプレート６のほぼ中央に
は、この下方に位置される石英等よりなるウエハボート
１０を上記熱処理炉５内へ搬出入させるための貫通孔１
１が形成されている。

【０００７】そして、上記スカベンジャ７の下方には、
上記熱処理炉５内との間で搬出入される被処理体として
の、例えば半導体ウエハ１２を待機させるための待機空
間１３が形成されている。この待機空間１３においては
、石英等からなる保温筒１４上に載置された上記ウエハ
ボート１０が設けられており、このウエハボート１０内
に所定のピッチでもって多数の上記半導体ウエハ１２が
積層されている。上記保温筒１４は、図示しない駆動手
段により回転自在になされたターンテーブル１５上に固
定されると共に、このターンテーブル１５の下部には、
上記熱処理炉５の貫通孔１１を密閉する円盤状のキャッ
プ部１６が設けられている。上記保温筒１４、ターンテ
ーブル１５、キャップ部１６等は一体的に形成されてお
り、この全体は、熱処理装置１の下部の一側に設けたボ
ートエレベータ１７の２本のアーム部１８に取り付けら
れている。このボートエレベータ１７は、上下方向に延
在され、図示しないステッピングモータ等により回転駆
動されるガイド軸１９を有しており、このガイド軸１９
を回転させてボールネジ内蔵のアーム１８を昇降させる
ことにより、上記ウエハボート１０等を一体的に昇降す
るように構成されている。一方、上記ボートエレベータ
１７の下部の後壁、すなわち熱処理装置１の正面より見
て、右下の奥の筐体後壁に、前記待機空間に流すための
清浄気体を導入するための清浄気体導入口２０が設けら
れると共に、この導入口２０には装置内へ清浄気体を強
制的に送り込むための気体供給手段、例えば送風ファン
２１が取り付けられている。この送風ファン２１の近傍
には、供給気体の流量を調整するための流量調整用ダン
パ（図示せず）が設けられている。そして、上記導入さ
れた清浄気体を筐体２の底部の他側へ送るために、装置
内の下部には、筐体底板２１より所定間隔だけ離間させ
て、例えば鉄板等よりなる底部区画壁２２が設けられて
おり、この底部区画壁２２と上記筐体底板２１との間に
送風通路２３を形成している。特に、本実施例において
は、待機空間１３を通過した清浄気体がボートエレベー
タ１７の位置する空間を経て上記送付通路２３に循環し
て流入することを防止するために底部区画壁２２をボー
トエレベータ１７の位置する筐体側壁まで延在させ、ボ
ートエレベータ１７側の空間と送風通路２３との間を遮
断することが望ましい。そして、筐体２の正面より見て
左側の底部には、送られてきた上記清浄気体を上方へ吹
き上げるための、例えば１基のファンユニット２４が取
り付けられている。そして、このファンユニット２４の
上方には、前記待機空間１３へ臨ませてパンチングメタ
ル２９が設けられると共に、このメタル２９に、例えば
ＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ　　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　　Ｐａ
ｒｔｉｃｕｌａｔｅ　　Ａｉｒ）フィルタ等よりなる塵
埃除去用フィルタ２５が設けられており、このフィルタ
２５よりほぼ水平方向に流れる清浄気体流を上記待機空
間１３に形成しうるようになっている。上記フィルタ２
５の幅は、上記ウエハボート１０の幅と同じ位に設定さ
れており、また、上記パンチングメタル２９のパンチは
、上記フィルタ２５が取り付けられる部分のみに形成さ
れている。

【０００８】一方、上記フィルタ２５の対向面には、前
記ボートエレベータ１７を覆うための、例えばステンレ
ススチール等よりなるエレベータカバー３０が設けられ
ている。このエレベータ３０には、上記ボートエレベー
タ１７の２本のアーム部１８を挿通するための２つの間
隙３２が筐体２の上下方向に沿って形成されている。そ
して、このエレベータカバー３０及びこの上方には、上
記待機空間を通過した清浄気体を集めてこれを上記天井
部８の方へ案内するための清浄気体排気通路３１が形成
されている。具体的には、図４に示す如くこの清浄気体
排気通路３１は、上記エレベータカバー３０のほぼ中央
部の待機空間１３側に、例えばステンレススチール等よ
りなる断面ほぼＵ字状の溝状部材２６を上下方向に沿っ
て取り付けることにより区画形成される排出路２７をふ
くんでいる。そして、この溝状部材には、上下方向に沿
って延在される２本の導入口２８が形成されており、上
記待機空間１３を流れた清浄気体を、この導入口２８か
ら排出路２７内に取り込むようになっており、清浄化気
体流がボートエレベータ１７の機構部へ流入することを
防止しており、清浄化気体流に例え腐食性ガス成分が含
まれても、上記機構部は腐食されることのないように構
成されている。また、排出路２７の上下端は、ステンレ
ススチール等により閉塞されており、一度取り込んだ気
体を待機空間１３側へ流出させないようになっている。 そして、この排出路２７の上部には、この排出路３７を
区画するエレベータカバー３０を貫通して、第一の清浄
気体排気ダクト３９が接続されると共に、この排気ダク
ト３９の上端は、前記ボートエレベータ１７の上方に設
けた気体収集ボックス３３に接続されている。更に、こ
のボックス３３には筐体２の天井部８に延びる清浄気体
排気ダクト３４が接続されている。そして、筐体２の後
壁の右側上部には、前記待機空間１３を通過した清浄気
体を前記筐体外へ排出するための排気口３５が設けられ
ており、この排気口３５には、上記清浄気体排気ダクト
３４が接続されている。そして、上記排気口３５の内側
には、上記清浄化気体排気ダクト３４の配管コンダクタ
ンスによる気体流通損失を補うように気体排気手段とし
ての排気ファン３６が設けられており、排気を促進する
ようになっている。そして、この排気ファン３６の近傍
には、流量調整用ダンパ（図示せず）が設けられている
。

【０００９】そして、上記排気口３５の外側には、例え
ば除害装置等を含む所定の排気処理系３７へ排気を導く
ための排気処理系ダクト３８が接続されており、排気さ
れる清浄気体をメンテナンスルームへ排出することなく
全て排気処理系３７へ供給するようになっている。一方
、図２にも示すごとく、筐体２の正面の下部には、ウエ
ハボート１０を装置内との間で出入するための、ボート
より一回り大きい開口部３９が形成されており、この開
口部３９は、エアー等にり駆動される図示しないスライ
ドドアにより開閉例えば密閉自在に構成されている。 そして、この装置内の上記開口部３９の近傍には、外部
との間でウエハボート１０を移載するための移載アーム
４０が設けられている。以上のように構成された熱処理
装置１は、複数、図示例のあっては４基並設されており
、各熱処理装置１の前には処理すべき或いは処理された
半導体ウエハを収容したウエハボートを搬送するための
ボート搬送機構４１が設けられている。このボート搬送
機構４１は、熱処理装置１の並び方向に沿って設けられ
た移送レール４２と、このレール４２上をウエハボート
を載置した状態で或いは載置しない状態で移動するボー
ト載置部４３とにより構成されている。そして、この移
送レール４２の先端には、図示されていないが、例えば
２５枚の半導体ウエハを収容したウエハキャリアを多数
収容可能なキャリアストッカや上記ウエハキャリア内の
半導体ウエハをウエハボート１０に移載するためのウエ
ハ移載機構や、このウエハ移載機構４１との間でウエハ
ボート１０の移載を水平−垂直変換を行いながら実施す
るボート移送機構等が設けられている。

【００１０】次に、以上のように構成された上記実施例
の動作について説明する。まず、図示しないキャリアス
トッカからウエハ移載機構やボート移送機構等を使用し
て複数の半導体ウエハが収容されると共に、垂直に起立
されたウエハボートを、ボート搬送機構４１のボート載
置部４３に載置し、所定の熱処理装置１の正面まで移動
する。そして、開口部３９を密閉するスライドドアを開
け、移載アーム４０を用いてボート移載部４３上のウエ
ハボート１０をボートエレベータ１７のアーム部１８上
に移載し、移載が完了したらスライドドアを閉めて装置
内を閉状態にする。一方、上記移載に先立って予め、実
施する熱処理に応じて熱処理炉内を所定の温度に設定し
ておくと共に、装置内の各所に設けた送風ファン２１、
ファンユニット２４及び排気ファン３６を駆動しておく
。従って、清浄気体導入口２０から取り入れた清浄気体
（空気）は装置内底部の送風通路２３を通り、ファンユ
ニット２４により上方へ吹き上げられた後、塵埃除去用
フィルタ２５を通過して、一側壁のほぼ全域から待機空
間１３内をほぼ水平に流れる。そして、この空間１３内
で待機している半導体ウエハ１２にサイドフローを施し
、塵埃が付着することを防止する。この時の風量乃至風
速は、乱流が発生しない、望ましくは０．２−０．３ｍ
／ｓｅｃに設定し、導入された気体が待機空間１３内で
滞留することが無いような流量とする。待機空間１３内
に乱流が生じないように、送風ファン２１、排気ファン
３６及びこれらの近傍に設けた流量調整用ダンパを適宜
調整する。この待機空間１３内を流れた清浄気体は、半
導体ウエハ１０から塵埃等を排除しつつ上記フィルタ２
９の反対側に設けた清浄気体排気通路３１の導入口２８
から排出路２７内へ流入する。この排出路２７内に流入
した気体は、その上部から排出されて第１の清浄気体排
気ダクト３９の中を上方に向けて排出され、気体収集ボ
ックス３３、第２の清浄気体排気ダクト３４を介して排
気口３５から筐体２外へ排出される。

【００１１】そして、この排気口３５の外側には、排気
処理系ダクト３８が接続されていることから、半導体ウ
エハから排除した塵埃を含む可能性のある清浄気体は、
装置周辺部のメンテナンスルームへ排出されることなく
全て工場等の排気処理系３７へ供給される。ここで上記
排気処理系３７からは、上記排気処理系ダクト３８に対
して吸引がなされており、気体の排出を促進している。 一方、待機中の半導体ウエハは、所定の準備が完了する
と、ボートエレベータ１７を上昇させてウエハボート１
０を熱処理炉５内にロードすることにより炉内に収容し
、その下端部をキャップ部１６で密閉する。そして、半
導体ウエハ１２に所定時間、所定温度、所定雰囲気、例
えばＰＯＣｌ３等の腐食性の高い処理ガスで所望の熱処
理を施す。ここで、ＰＯＣｌ３は、以下のように反応し
、五酸化リンが発生する。 ＰＯＣｌ３＋３／４Ｏ２→１／２Ｐ２Ｏ５＋３／２Ｃｌ
２この熱処理期間中も、上記流量の清浄気体を流すと共
に、スカベンジャ７を駆動し、熱処理炉口からの熱を排
出する。この熱処理が終了すると、熱処理炉５内のガス
を排出すると共に窒素ガスなどの不活性ガスを充填して
再度排出する操作を複数回繰り返し、残留有害ガスを十
分に排除する。その後、前記手順と逆の手順で処理済の
半導体ウエハを熱処理炉５からアンロードし、前記した
清浄気体のサイドフローを施しつつこのウエハの温度が
２００℃程度に降下するまで待機空間１３内で放熱させ
つつ待機させる。そして、熱処理炉口から排出される炉
内に残留した処理ガスと高温気体はスカベンジャ７によ
り吸引されて排出される。また、処理済の半導体ウエハ
１２の表面からは温度２００℃位まで処理ガス、例えば
ＰＯＣｌ３、Ｐ２Ｏ５を放出するが、この処理ガスの一
部及びウエハ１２の残留熱はスカベンジャ７により吸引
されて、熱排気ダクト９を介して筐体２外へ排出され、
有害ガスは除害装置にて処理される。そして、待機空間
内のパーティクル及び上記スカベンジャ７によっても排
出できない残留処理ガスは上記した清浄気体のサイドフ
ローによって直ちに清浄気体排気通路３１内へと排出さ
れ、そして、排気口３５から排気処理系ダクト３８を介
して排気処理系３７へ直接供給され、ここの除害装置に
て処理されることになる。このように、待機空間１３を
一度通過した清浄気体は、装置内に滞留ないし再循環す
ることなく更にはメンテナンスルームへ排出されること
もなく、別の排気処理系３７へ向けて直ちに排出され、
この別の排気処理系３７にて処理されるので、強い腐食
性を有す五酸化リン等が装置内金属類に付着する可能性
を大幅に減少させることができ、歩留り低下の起因とな
る装置類の腐食を防止することができるのみならず、メ
ンテナンスルームやクリーンルームの雰囲気の清浄度を
維持でき、半導体デバイスの歩留りを向上させることが
できる。

【００１２】そして、処理済の半導体ウエハ１２の温度
が約２００℃以下になったならば、スライドドアを開け
て、前記の手順と逆の手順でウエハボート１０をボート
搬送機構４１のボート載置部４３に移載し、搬送する。 そして、前記と同様な手順でもって未処理の半導体ウエ
ハをウエハボート１０に載置して熱処理装置１側へ搬送
し、上記操作を繰り返して同様な操作を行なう。

【００１３】このように、本実施例においては、熱処理
時、非熱処理時を問わず、待機空間１３内に清浄気体を
通過させて、通過した清浄気体をメンテナンスルームヘ
排出することなくこれを全て排気処理系３７へ直ちに供
給するようにしたので、メンテナンスルーム及びクリー
ンルームの雰囲気の清浄度を維持することができ、従っ
て、半導体ウエハにパーティクル等の塵埃が付着する確
率を確実に低下させることができ、歩留まりを向上させ
ることができる。上記実施例の結果、８インチ半導体ウ
エハにて０．２ｍｍ以上のパーティクルを３１個以内に
押さえることができた。また、放熱待機中に処理済み半
導体ウエハから発生する残留有害ガスなどの処理ガスも
、メンテナンスルームへ排出することなく排気処理系３
７で処理することとしたので、安全性を向上させること
ができ、オペレータ等の健康を損なうことがない。更に
、半導体ウエハから発生するガスが腐食性ガスであって
も、前述の如くこのガスを直ちに排除できるので、装置
内及び周辺装置の腐食を防止でき、さび等のパーティク
ルに起因する歩留まりの低下を阻止できる。尚、上記実
施例にあっては、半導体ウエハをウエハボートに積層さ
せた状態で、このウエハボート１０を熱処理装置１とボ
ート搬送機構４１との間で移載するバッチ方式について
説明したが、これに限定されず、他の密閉型の装置、例
えば複数枚の半導体ウエハを収容できるウエハカセット
を複数個装置内に取込み、この装置内でウエハカセット
とウエハボート間において半導体ウエハを自動的に移載
するするようになした装置にも適用できるのは勿論であ
る。また、上記実施例にあっては、エレベータカバー３
０の外側に溝状部材２６を設けて清浄気体排気通路３１
を形成したが、これに限らず、例えば図５に示す如くエ
レベータカバー３０の内側に断面Ｌ字状の溝状部材５０
を取り付けて清浄気体排気通路を構成するようにしても
よい。この場合には、エレベータカバー３０にスリット
状の導入口２８を形成する。

【００１４】

【発明の効果】以上要するに、本発明によれば、メンテ
ナンスルーム及びクリーンルームの雰囲気の清浄度を維
持できるので、半導体ウエハに塵埃等が付着するのを防
止することができ、半導体デバイスの歩留まりを向上さ
せることができる。また、放熱待機中の半導体ウエハか
らの残留有害ガスを確実に排除できるので、オペレータ
に対する安全性を向上させることができる。更には、腐
食に起因するパーティクルの発生を抑制することができ
るので、この点よりも半導体デバイスの歩留りを向上さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の縦型熱処理装置の一実施例を示す構成
図である。

【図２】図１に示す縦型熱処理装置の設置状態を示す配
置図である。

【図３】図１に示す縦型熱処理装置の概略縦断面図であ
る。

【図４】図３中のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。

【図５】本発明の縦型熱処理装置の清浄気体排気通路の
変形例を示す図である。

【符号の説明】

１　　縦型熱処理装置 ２　　筐体 ５　　熱処理炉 １０　　ウエハボート １２　　半導体ウエハ（被処理体） １３　　待機空間 １７　　ボートエレベータ ２０　　清浄気体導入口 ２１　　送風ファン ２３　　送風通路 ２５　　塵埃除去用フィルタ ２６　　溝状部材 ２７　　排出路 ２８　　導入口 ３１　　清浄気体排気通路 ３５　　排気口 ３７　　排気処理系 ３９　　開口部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　前面に被処理体を搬出入するための開
   口部を有すと共に、開閉自在になされた筐体と、該筐体
   内に設けられ、前記被処理体を熱処理するための熱処理
   炉と、該熱処理炉の下方に設けられ、上記熱処理炉内と
   の間で搬出入される前記被処理体を待機させるための待
   機空間を有す縦型熱処理装置において、前記待機空間に
   流すための清浄気体を導入するための清浄気体導入口と
   、前記待機空間を通過した清浄気体を前記筐体の外へ排
   出するための排気口と、前記待機空間を通過した上記清
   浄気体を集めて前記排気口へ供給するための清浄気体排
   気通路とを備え、前記排気口から排出される気体を、所
   定の排気処理系へ供給するようにしたことを特徴とする
   縦型熱処理装置。