JPH0427021B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0427021B2 JPH0427021B2 JP62242046A JP24204687A JPH0427021B2 JP H0427021 B2 JPH0427021 B2 JP H0427021B2 JP 62242046 A JP62242046 A JP 62242046A JP 24204687 A JP24204687 A JP 24204687A JP H0427021 B2 JPH0427021 B2 JP H0427021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- wiring board
- bonded
- wiring boards
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
- H10W72/07554—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
［技術分野］
本発明は、多層のプリント配線板などとして用
いられる多層積層板の製造方法に関するものであ
る。 ［背景技術］ ピングリツドアレイなど半導体パツケージの基
板を多層のプリント配線板で形成したものが従来
から提供されている。そしてこのような半導体パ
ツケージを製造するにあたつては第１０図に示す
ようにしておこなわれる。すなわち、一方の配線
基板１ａの表面に半導体チツプ４を実装するため
の凹部６を形成すると共に半導体チツプ４と接続
するためのボンデイング部７が凹部６の近傍に位
置するように凹部６を中心とする放射状に回路５
を形成し、他方の配線基板１ｂには凹部６より大
きな開口部３を表裏に貫通して設けると共に表面
に銅箔などの金属箔８が積層してある。そして第
１０図ａのように開口部３内に凹部６と回路５の
ボンデイング部７とが露出されるように位置合わ
せした状態で一方の配線基板１ａに他方の配線基
板１ｂを重ねる。このとき開口部３以外の部分に
おいて配線基板１ａと配線基板１ｂとの間にプリ
プレグで形成される接着材２を挟み込むように
し、これらを加熱加圧成形することによつて第１
０図ｂのように接着材２によつて配線基板１ａ，
１ｂを積層一体化させた多層積層板を得ることが
できる。そしてこのように作成される多層積層板
において、配線基板１ｂの金属箔８にエツチング
加工などを施して回路９を形成する。この回路９
が外層回路となると共に配線基板１ａに設けた回
路５が内層回路となる。こののちに、開口部３の
内方において凹部６に半導体チツプ４を搭載して
実装すると共に、半導体チツプ４と回路５のボン
デイング部７との間、及び回路９の開口部３に近
接する端部のボンデイング部１０との間に、金線
などのワイヤー１１をボンデイングし、半導体チ
ツプ４と回路５，９とを電気的に接続させること
によつて半導体パツケージとして仕上げるのであ
る。 しかしこのものにあつて、配線基板１ａ，１ｂ
を加熱加圧することによつて接着材２の接着樹脂
が一旦溶融したのちに硬化することで接着作用を
発揮し、配線基板１ａ，１ｂを積層接着させるこ
とができるのであるが、この際の加圧作用で接着
材２の溶融した接着樹脂の流れが大きく生じ、多
層積層板の板厚のばらつきが大きく発生したりあ
るいは反りが発生したりするおそれがある。特に
多層板を半導体パツケージの基板として用いる場
合に、このように接着材２の接着樹脂に流れが大
きく生じると、積層基板１ａ，１ｂの間からの接
着樹脂が大きくはみ出し、第１１図に示すように
接着樹脂のはみ出し部２ａが回路５のボンデイン
グ部７に作用し、ボンデイング部４が接着材２で
覆われて半導体チツプ４と回路５との間の電気的
接続の信頼性を確保できなくなるおそれがあると
いう問題があつた。。 ［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであ
り、接着材の接着樹脂の流れが大きく生じるおそ
れなく配線基板を積層することができる多層積層
板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。 ［発明の開示］ しかし本発明は、熱硬化性樹脂の接着材２を介
して配線基板１ａ，１ｂ同士を積層接着して多層
積層板を製造するためにあたつて、接着材２を少
なくとも片側の配線基板１ａ，１ｂに予め加熱接
着しておき、この接着材２を介して配線基板１
ａ，１ｂ同士を重ねて加熱加圧することによつて
配線基板１ａ，１ｂを積層接着することを特徴と
するものであり、接着材２を予め配線基板１ａ，
１ｂに加熱接着させておくことによつて接着材２
の接着樹脂の硬化の度合を進めておき、接着材２
の接着樹脂の溶融粘度を高めておいて流動性が小
さくなるようにしたものであつて、以下本発明を
実施例により詳述する。 まず本発明を一対の配線基板１ａ，１ｂの積層
で多層積層板を形成すると共にこの多層積層板を
半導体パツケージの基板に用いるようにした第１
図の実施例について説明する。配線基板１ａ，１
ｂは樹脂積層板などによつて形成されるものであ
り、一方側の配線基板１ａの表面には銅箔など金
属箔も積層してこれをエツチング加工することに
よつて回路５が設けてある。また配線基板１ａの
ほぼ中央部においてその表面に半導体チツプ４を
実装するための凹部６が形成してあり、回路５は
半導体チツプ４と接続するためのボンデイング部
７が凹部６の近傍に位置するように凹部６を中心
とした放射状のパターンで形成するようにしてあ
る。他方側の配線基板１ｂの片側表面には銅箔な
どの金属箔８が積層接着してあり、そのほぼ中央
部には凹部６よりも大きな開口部３が表裏に貫通
して設けてある。 そしてこの配線基板１ａ，１ｂを用いて多層積
層板を製造するにあたつては、まず一方の配線基
板１ｂに接着材２を予め接着させておく。接着材
２としては、ガラス織布やガラス不織布などを基
材としてこれにエポキシ樹脂やポリイミドなどの
熱硬化性樹脂を含浸させ、加熱乾燥することによ
つて熱硬化性樹脂を半硬化（Ｂステージ）させた
ボンデイング用のプリプレグを用いることができ
る。もちろんプリプレグの他に熱硬化性樹脂にガ
ラス繊維などを混入して調製した接着材２を用い
ることもできる。このようにプリプレグなどによ
つて形成される接着材２を一方の配線基板１ｂに
重ねて加熱すると共に必要に応じて加圧すること
によつて、予め一方の配線基板１ｂに接着させて
おくのである。このとき加熱の温度や時間、圧力
は、接着材２の樹脂が完全に硬化せず、流れ過ぎ
ず、接着性能を大きく損なわない範囲に設定され
る。例えば接着材２の接着樹脂がエポキシ樹脂の
場合は90〜170℃で５〜120分間程度、ポリイミド
の場合は90〜220℃で５〜120分間程度である。圧
力はそれぞれ１〜70Kg／cm2程度である。また、上
記のように配線基板１ｂに開口部３を形成するに
あたつては、配線基板１ｂに接着材２を接着させ
たのちに接着材２とともに配線基板１ｂを穿孔加
工して開口部３を設けるようにするのがよい。 このように配線基板１ｂに予め接着材２を加熱
接着したのちに、第１図ａのように開口部３内に
凹部６と回路５のボンデイング部７とが位置する
ように位置合わせした状態で配線基板１ｂを配線
基板１ａの表面に重ねる。そして次に加熱加圧成
形することによつて接着材２を介して配線基板１
ａ，１ｂを積層一体化させ、多層配線板Ａを得る
のである。この成形は接着材２の接着樹脂を完全
に硬化させるように加熱条件を設定するものであ
り、例えば接着材２の接着樹脂がエポキシ樹脂の
場合は160〜180℃で50〜120分間程度、ポリイミ
ドの場合は200〜250℃で50〜120分間程度である。
このとき、接着材２の接着樹脂は加熱作用によつ
て一旦溶融したのちに硬化するが、この接着樹脂
は予め配線基板１ｂに接着される際の加熱で硬化
の度合が進行しており、今回の成形の際に溶融さ
れてもその溶融粘度が高まつているために流動性
は低く、加圧作用で配線基板１ａ，１ｂの間から
接着樹脂が大きく流れ出すことを防止することが
でき、多層配線板Ａに板厚のばらつきが大きく生
じたり反りが発生したりすることを防止すること
ができる。特にこの多層配線板Ａを半導体パツケ
ージに用いる場合に開口部３の内方へ接着樹脂が
はみ出して流れ、接着樹脂で回路５のボンデイン
グ部７が覆われてしまうようなことを防ぐことが
できる。 このようにして得られる多層配線板Ａを半導体
パツケージに加工するにあたつては、まず配線基
板１ｂの金属箔８にエツチング加工などを施して
回路９を形成する。この回路９は開口部３を中心
とする放射状のパターンで形成されるものであ
り、この回路９が外層回路となると共に配線基板
１ａに設けた回路５は配線基板１ａ，１ｂ間に埋
入されて内層回路となる。こののちに、凹部６に
ICチツプなどの半導体チツプ４を搭載して実装
し、さらに第１図ｂに示すように半導体チツプ４
と回路５のボンデイング部７との間、及び回路９
の開口部３に近接する端部のボンデイング部１０
との間に、金線などのワイヤー１１をボンデイン
グし、半導体チツプ４と回路５，１１とを電気的
に接続させることによつて半導体パツケージとし
て形成するのである。各回路５，１１にはそれぞ
れ外部への接続端子部が接続されるが、このの接
続端子部として例えばピンを用いることによつて
半導体パツケージをピングリツドアレイとして形
成することができる。 上記第１図の実施例では接着材２を予め配線基
板１ｂに接着しておくようにしたが、第２図の実
施例のように配線基板１ａの側に接着材２を接着
しておくようにしてもよく、第３図のように配線
基板１ａ，１ｂの両方に接着材２を予め接着して
おくようにしてもよい。また第４図の実施例は、
接着材２を予め接着した配線基板１ｂの開口部３
に対応して配線基板１ａにも開口部３を形成した
もの、第５図の実施例は開口部３を形成した配線
基板１ａに接着材２を予め接着するようにしたも
の、第６図の実施例は配線基板１ａ，１ｂの両方
に予め接着材２を接着するようにしたものを示す
ものであり、さらに第７図の実施例は三枚の配線
基板１ａ，１ｂ，１ｃを用いて多層積層板Ａを形
成するようにしたものである。また上記各実施例
では配線基板１ａ，１ｂ，１ｃのちの少なくとも
一つに開口部３を設けるようにしたが、第８図や
第９図のように開口部３を設けない配線基板１
ａ，１ｂ，１ｃを用いて多層積層板Ａを作成する
ようにしてもよい。さらに多層積層板Ａにスルー
ホールを穿孔加工して設けることもできる。この
ようにスルーホールを設けるにあたつて、上記実
施例のように接着材２として基材が含有されるも
のを用いると、スルーホールの内面に基材が露出
することになり、スルーホールメツキとの接着性
が高まつてスルーホールメツキの剥離を防止する
ことができる。尚、本発明は上記半導体パツケー
ジに適用する他、チツプオンボード基板やプリン
ト配線板などにも適用することができる。 次に本発明を具体的な実施例によつて例証す
る。 実施例 １ 配線基板１ａ，１ｂとしてそれぞれガラス織布
基材エポキシ樹脂積層板を用い、また接着材２と
してガラス織布基材エポキシ樹脂のプリプレグを
用い、配線基板１ｂに接着材２を予め接着した
（第１図ａ）。接着の際の条件を第１表に示す。次
に配線基板１ａ，１ｂを重ねて加熱加圧成形する
ことによつて、接着材２を介して配線基板１ａ，
１ｂを積層一体化し、多層積層板Ａを得た（第１
図ｂ）。このときの成形条件を第１表に示す。 実施例 ２〜６ 配線基板１ａ，１ｂとして第１表に示すものを
用いると共に接着材２として第１表に示すものを
用い、あとは実施例１と同様にして第１表の条件
に従つて多層積層板Ａを得た。 比較例 １〜３ 配線基板１ａ，１ｂとして第１表に示すものを
用いると共に接着材２として第１表に示すものを
用い、接着材２を予め配線基板１ａ，１ｂに接着
しておくことなく、接着材２を配線基板１ａ，１
ｂの間に挟んだ状態で第１表の条件に従つて成形
をおこなうことによつて、多層積層板Ａを得た。 上記実施例１〜６及び比較例１〜３のものにつ
いて、接着材２の接着樹脂の流れと多層積層板Ａ
の厚みのばらつきとを測定した。厚みのばらつき
の測定は縦横300×300mmの試験片についておこな
つた。結果を第１表に示す。
いられる多層積層板の製造方法に関するものであ
る。 ［背景技術］ ピングリツドアレイなど半導体パツケージの基
板を多層のプリント配線板で形成したものが従来
から提供されている。そしてこのような半導体パ
ツケージを製造するにあたつては第１０図に示す
ようにしておこなわれる。すなわち、一方の配線
基板１ａの表面に半導体チツプ４を実装するため
の凹部６を形成すると共に半導体チツプ４と接続
するためのボンデイング部７が凹部６の近傍に位
置するように凹部６を中心とする放射状に回路５
を形成し、他方の配線基板１ｂには凹部６より大
きな開口部３を表裏に貫通して設けると共に表面
に銅箔などの金属箔８が積層してある。そして第
１０図ａのように開口部３内に凹部６と回路５の
ボンデイング部７とが露出されるように位置合わ
せした状態で一方の配線基板１ａに他方の配線基
板１ｂを重ねる。このとき開口部３以外の部分に
おいて配線基板１ａと配線基板１ｂとの間にプリ
プレグで形成される接着材２を挟み込むように
し、これらを加熱加圧成形することによつて第１
０図ｂのように接着材２によつて配線基板１ａ，
１ｂを積層一体化させた多層積層板を得ることが
できる。そしてこのように作成される多層積層板
において、配線基板１ｂの金属箔８にエツチング
加工などを施して回路９を形成する。この回路９
が外層回路となると共に配線基板１ａに設けた回
路５が内層回路となる。こののちに、開口部３の
内方において凹部６に半導体チツプ４を搭載して
実装すると共に、半導体チツプ４と回路５のボン
デイング部７との間、及び回路９の開口部３に近
接する端部のボンデイング部１０との間に、金線
などのワイヤー１１をボンデイングし、半導体チ
ツプ４と回路５，９とを電気的に接続させること
によつて半導体パツケージとして仕上げるのであ
る。 しかしこのものにあつて、配線基板１ａ，１ｂ
を加熱加圧することによつて接着材２の接着樹脂
が一旦溶融したのちに硬化することで接着作用を
発揮し、配線基板１ａ，１ｂを積層接着させるこ
とができるのであるが、この際の加圧作用で接着
材２の溶融した接着樹脂の流れが大きく生じ、多
層積層板の板厚のばらつきが大きく発生したりあ
るいは反りが発生したりするおそれがある。特に
多層板を半導体パツケージの基板として用いる場
合に、このように接着材２の接着樹脂に流れが大
きく生じると、積層基板１ａ，１ｂの間からの接
着樹脂が大きくはみ出し、第１１図に示すように
接着樹脂のはみ出し部２ａが回路５のボンデイン
グ部７に作用し、ボンデイング部４が接着材２で
覆われて半導体チツプ４と回路５との間の電気的
接続の信頼性を確保できなくなるおそれがあると
いう問題があつた。。 ［発明の目的］ 本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであ
り、接着材の接着樹脂の流れが大きく生じるおそ
れなく配線基板を積層することができる多層積層
板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。 ［発明の開示］ しかし本発明は、熱硬化性樹脂の接着材２を介
して配線基板１ａ，１ｂ同士を積層接着して多層
積層板を製造するためにあたつて、接着材２を少
なくとも片側の配線基板１ａ，１ｂに予め加熱接
着しておき、この接着材２を介して配線基板１
ａ，１ｂ同士を重ねて加熱加圧することによつて
配線基板１ａ，１ｂを積層接着することを特徴と
するものであり、接着材２を予め配線基板１ａ，
１ｂに加熱接着させておくことによつて接着材２
の接着樹脂の硬化の度合を進めておき、接着材２
の接着樹脂の溶融粘度を高めておいて流動性が小
さくなるようにしたものであつて、以下本発明を
実施例により詳述する。 まず本発明を一対の配線基板１ａ，１ｂの積層
で多層積層板を形成すると共にこの多層積層板を
半導体パツケージの基板に用いるようにした第１
図の実施例について説明する。配線基板１ａ，１
ｂは樹脂積層板などによつて形成されるものであ
り、一方側の配線基板１ａの表面には銅箔など金
属箔も積層してこれをエツチング加工することに
よつて回路５が設けてある。また配線基板１ａの
ほぼ中央部においてその表面に半導体チツプ４を
実装するための凹部６が形成してあり、回路５は
半導体チツプ４と接続するためのボンデイング部
７が凹部６の近傍に位置するように凹部６を中心
とした放射状のパターンで形成するようにしてあ
る。他方側の配線基板１ｂの片側表面には銅箔な
どの金属箔８が積層接着してあり、そのほぼ中央
部には凹部６よりも大きな開口部３が表裏に貫通
して設けてある。 そしてこの配線基板１ａ，１ｂを用いて多層積
層板を製造するにあたつては、まず一方の配線基
板１ｂに接着材２を予め接着させておく。接着材
２としては、ガラス織布やガラス不織布などを基
材としてこれにエポキシ樹脂やポリイミドなどの
熱硬化性樹脂を含浸させ、加熱乾燥することによ
つて熱硬化性樹脂を半硬化（Ｂステージ）させた
ボンデイング用のプリプレグを用いることができ
る。もちろんプリプレグの他に熱硬化性樹脂にガ
ラス繊維などを混入して調製した接着材２を用い
ることもできる。このようにプリプレグなどによ
つて形成される接着材２を一方の配線基板１ｂに
重ねて加熱すると共に必要に応じて加圧すること
によつて、予め一方の配線基板１ｂに接着させて
おくのである。このとき加熱の温度や時間、圧力
は、接着材２の樹脂が完全に硬化せず、流れ過ぎ
ず、接着性能を大きく損なわない範囲に設定され
る。例えば接着材２の接着樹脂がエポキシ樹脂の
場合は90〜170℃で５〜120分間程度、ポリイミド
の場合は90〜220℃で５〜120分間程度である。圧
力はそれぞれ１〜70Kg／cm2程度である。また、上
記のように配線基板１ｂに開口部３を形成するに
あたつては、配線基板１ｂに接着材２を接着させ
たのちに接着材２とともに配線基板１ｂを穿孔加
工して開口部３を設けるようにするのがよい。 このように配線基板１ｂに予め接着材２を加熱
接着したのちに、第１図ａのように開口部３内に
凹部６と回路５のボンデイング部７とが位置する
ように位置合わせした状態で配線基板１ｂを配線
基板１ａの表面に重ねる。そして次に加熱加圧成
形することによつて接着材２を介して配線基板１
ａ，１ｂを積層一体化させ、多層配線板Ａを得る
のである。この成形は接着材２の接着樹脂を完全
に硬化させるように加熱条件を設定するものであ
り、例えば接着材２の接着樹脂がエポキシ樹脂の
場合は160〜180℃で50〜120分間程度、ポリイミ
ドの場合は200〜250℃で50〜120分間程度である。
このとき、接着材２の接着樹脂は加熱作用によつ
て一旦溶融したのちに硬化するが、この接着樹脂
は予め配線基板１ｂに接着される際の加熱で硬化
の度合が進行しており、今回の成形の際に溶融さ
れてもその溶融粘度が高まつているために流動性
は低く、加圧作用で配線基板１ａ，１ｂの間から
接着樹脂が大きく流れ出すことを防止することが
でき、多層配線板Ａに板厚のばらつきが大きく生
じたり反りが発生したりすることを防止すること
ができる。特にこの多層配線板Ａを半導体パツケ
ージに用いる場合に開口部３の内方へ接着樹脂が
はみ出して流れ、接着樹脂で回路５のボンデイン
グ部７が覆われてしまうようなことを防ぐことが
できる。 このようにして得られる多層配線板Ａを半導体
パツケージに加工するにあたつては、まず配線基
板１ｂの金属箔８にエツチング加工などを施して
回路９を形成する。この回路９は開口部３を中心
とする放射状のパターンで形成されるものであ
り、この回路９が外層回路となると共に配線基板
１ａに設けた回路５は配線基板１ａ，１ｂ間に埋
入されて内層回路となる。こののちに、凹部６に
ICチツプなどの半導体チツプ４を搭載して実装
し、さらに第１図ｂに示すように半導体チツプ４
と回路５のボンデイング部７との間、及び回路９
の開口部３に近接する端部のボンデイング部１０
との間に、金線などのワイヤー１１をボンデイン
グし、半導体チツプ４と回路５，１１とを電気的
に接続させることによつて半導体パツケージとし
て形成するのである。各回路５，１１にはそれぞ
れ外部への接続端子部が接続されるが、このの接
続端子部として例えばピンを用いることによつて
半導体パツケージをピングリツドアレイとして形
成することができる。 上記第１図の実施例では接着材２を予め配線基
板１ｂに接着しておくようにしたが、第２図の実
施例のように配線基板１ａの側に接着材２を接着
しておくようにしてもよく、第３図のように配線
基板１ａ，１ｂの両方に接着材２を予め接着して
おくようにしてもよい。また第４図の実施例は、
接着材２を予め接着した配線基板１ｂの開口部３
に対応して配線基板１ａにも開口部３を形成した
もの、第５図の実施例は開口部３を形成した配線
基板１ａに接着材２を予め接着するようにしたも
の、第６図の実施例は配線基板１ａ，１ｂの両方
に予め接着材２を接着するようにしたものを示す
ものであり、さらに第７図の実施例は三枚の配線
基板１ａ，１ｂ，１ｃを用いて多層積層板Ａを形
成するようにしたものである。また上記各実施例
では配線基板１ａ，１ｂ，１ｃのちの少なくとも
一つに開口部３を設けるようにしたが、第８図や
第９図のように開口部３を設けない配線基板１
ａ，１ｂ，１ｃを用いて多層積層板Ａを作成する
ようにしてもよい。さらに多層積層板Ａにスルー
ホールを穿孔加工して設けることもできる。この
ようにスルーホールを設けるにあたつて、上記実
施例のように接着材２として基材が含有されるも
のを用いると、スルーホールの内面に基材が露出
することになり、スルーホールメツキとの接着性
が高まつてスルーホールメツキの剥離を防止する
ことができる。尚、本発明は上記半導体パツケー
ジに適用する他、チツプオンボード基板やプリン
ト配線板などにも適用することができる。 次に本発明を具体的な実施例によつて例証す
る。 実施例 １ 配線基板１ａ，１ｂとしてそれぞれガラス織布
基材エポキシ樹脂積層板を用い、また接着材２と
してガラス織布基材エポキシ樹脂のプリプレグを
用い、配線基板１ｂに接着材２を予め接着した
（第１図ａ）。接着の際の条件を第１表に示す。次
に配線基板１ａ，１ｂを重ねて加熱加圧成形する
ことによつて、接着材２を介して配線基板１ａ，
１ｂを積層一体化し、多層積層板Ａを得た（第１
図ｂ）。このときの成形条件を第１表に示す。 実施例 ２〜６ 配線基板１ａ，１ｂとして第１表に示すものを
用いると共に接着材２として第１表に示すものを
用い、あとは実施例１と同様にして第１表の条件
に従つて多層積層板Ａを得た。 比較例 １〜３ 配線基板１ａ，１ｂとして第１表に示すものを
用いると共に接着材２として第１表に示すものを
用い、接着材２を予め配線基板１ａ，１ｂに接着
しておくことなく、接着材２を配線基板１ａ，１
ｂの間に挟んだ状態で第１表の条件に従つて成形
をおこなうことによつて、多層積層板Ａを得た。 上記実施例１〜６及び比較例１〜３のものにつ
いて、接着材２の接着樹脂の流れと多層積層板Ａ
の厚みのばらつきとを測定した。厚みのばらつき
の測定は縦横300×300mmの試験片についておこな
つた。結果を第１表に示す。
【表】
第１表にみられるように、接着材２を予め配線
基板１ｂに接着しておくようにした各実施例のも
のでは、接着樹脂の流れが小さくなつていると共
板厚のばらつきが小さくなつて板厚精度が高まる
ことが確認される。 ［発明の効果］ 上述のように本発明にあつては、接着材を配線
基板に予め加熱接着しておき、この接着材を介し
て配線基板同士を重ねて加熱加圧することによつ
て配線基板を積層接着するようにしたので、接着
樹脂は予め配線基板に接着される際の加熱で硬化
の度合が進行しており、積層する際にこの接着樹
脂が溶融されても溶融粘度が高まつていて、接着
樹脂が大きく流れることを防止することができる
ものである。
基板１ｂに接着しておくようにした各実施例のも
のでは、接着樹脂の流れが小さくなつていると共
板厚のばらつきが小さくなつて板厚精度が高まる
ことが確認される。 ［発明の効果］ 上述のように本発明にあつては、接着材を配線
基板に予め加熱接着しておき、この接着材を介し
て配線基板同士を重ねて加熱加圧することによつ
て配線基板を積層接着するようにしたので、接着
樹脂は予め配線基板に接着される際の加熱で硬化
の度合が進行しており、積層する際にこの接着樹
脂が溶融されても溶融粘度が高まつていて、接着
樹脂が大きく流れることを防止することができる
ものである。
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の一部切欠断
面図、第２図乃至第９図はそれぞれ本発明の他の
実施例の一部の縮小断面図、第１０図ａ，ｂは従
来例の断面図、第１１図は従来例の一部の斜視図
である。 １は配線基板、２は接着材、３は開口部、４は
半導体チツプである。
面図、第２図乃至第９図はそれぞれ本発明の他の
実施例の一部の縮小断面図、第１０図ａ，ｂは従
来例の断面図、第１１図は従来例の一部の斜視図
である。 １は配線基板、２は接着材、３は開口部、４は
半導体チツプである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱硬化性樹脂の接着材を介して配線基板同士
を積層接着して多層積層板を製造するにあたつ
て、接着材を少なくとも片側の配線基板に予め加
熱接着しておき、この接着材を介して配線基板同
士を重ねて加熱加圧することによつて配線基板を
積層接着することを特徴とする多層積層板の製造
方法。 ２ 接着材はボンデイング用のプリプレグである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多
層積層板の製造方法。 ３ 積層する少なくとも一つの配線基板には貫通
する開口部が設けられており、この開口部の内方
に半導体チツプが実装されるようにした特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の多層積層板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62242046A JPS6485740A (en) | 1987-09-26 | 1987-09-26 | Manufacture of multi-layer laminate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62242046A JPS6485740A (en) | 1987-09-26 | 1987-09-26 | Manufacture of multi-layer laminate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6485740A JPS6485740A (en) | 1989-03-30 |
| JPH0427021B2 true JPH0427021B2 (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17083463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62242046A Granted JPS6485740A (en) | 1987-09-26 | 1987-09-26 | Manufacture of multi-layer laminate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6485740A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016108228B4 (de) * | 2016-05-03 | 2020-08-06 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Verschweissen von Bauteilen |
| CN106714476A (zh) * | 2017-02-15 | 2017-05-24 | 昆山大洋电路板有限公司 | 一种新型四层板盲台阶加工工艺 |
-
1987
- 1987-09-26 JP JP62242046A patent/JPS6485740A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6485740A (en) | 1989-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100522385B1 (ko) | 다층 회로 기판 어셈블리, 다층 회로 기판 어셈블리 부품및 그들의 제조 방법 | |
| KR102032171B1 (ko) | 전자 부품 내장 기판 및 그 제조 방법 | |
| US8178191B2 (en) | Multilayer wiring board and method of making the same | |
| CN101069459B (zh) | 多层印刷线路基板及其制造方法 | |
| US20080121416A1 (en) | Multilayer Printed Wiring Board And Manufacturing Method For Same | |
| JP2006523375A (ja) | 電子モジュールの製造方法及び電子モジュール | |
| JP2008522397A (ja) | 電子モジュール及びその製造方法 | |
| KR100257926B1 (ko) | 회로기판형성용다층필름 및 이를 사용한 다층회로기판 및 반도체장치용패키지 | |
| US20060166490A1 (en) | Forming buried via hole substrates | |
| CN1867225B (zh) | 多层组件及其制造方法 | |
| JP4694007B2 (ja) | 三次元実装パッケージの製造方法 | |
| JP3926064B2 (ja) | プリント配線基板及びプリント配線基板の製造方法 | |
| CN108293303B (zh) | 使用部分未固化的部件承载件本体来制造部件承载件 | |
| TWI800782B (zh) | 電路板結構及其製作方法 | |
| JP2002246745A (ja) | 三次元実装パッケージ及びその製造方法、三次元実装パッケージ製造用接着材 | |
| JP5221682B2 (ja) | プリント回路基板及びその製造方法 | |
| JPS60216573A (ja) | フレキシブル印刷配線板の製造方法 | |
| JPH0671144B2 (ja) | 多層高密度実装モジュール | |
| JP4622449B2 (ja) | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 | |
| JP2007115952A (ja) | インターポーザ基板及びその製造方法 | |
| JP4892924B2 (ja) | 多層プリント配線基板及びその製造方法 | |
| JP4899409B2 (ja) | 多層プリント配線基板及びその製造方法 | |
| US20040209044A1 (en) | Non-homogeneous multilayer circuit assemblies and method of manufacture | |
| JPH09181448A (ja) | 多層配線板の製造方法 | |
| JPH0521960A (ja) | 多層プリント配線板およびその製造方法 |