JPH0427162A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0427162A JPH0427162A JP2133527A JP13352790A JPH0427162A JP H0427162 A JPH0427162 A JP H0427162A JP 2133527 A JP2133527 A JP 2133527A JP 13352790 A JP13352790 A JP 13352790A JP H0427162 A JPH0427162 A JP H0427162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- impurity region
- gate
- solid
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ビデオ一体型カメラ等に用いられる固体撮
像装置に関するものである。
像装置に関するものである。
近年、固体撮像素子の特性向上は著しく、固体撮像素子
が利用される分野は象、速に広がっている。
が利用される分野は象、速に広がっている。
その一方で多画素化は常に望まれてきた。一般に、固体
撮像素子の画素数を増加すれば、一画素あたりの面積が
小さくなり、フォトダイオードで蓄積する電荷量（以下
「最大取扱電荷量」という。）が十分に得られないとい
う問題がある。フォトダイオードの面積を変えることな
く最大取扱電荷量を増加させる方法として、深く不純物
を打ち込む注入法によりフォトダイオードを形成するの
が有効である。
撮像素子の画素数を増加すれば、一画素あたりの面積が
小さくなり、フォトダイオードで蓄積する電荷量（以下
「最大取扱電荷量」という。）が十分に得られないとい
う問題がある。フォトダイオードの面積を変えることな
く最大取扱電荷量を増加させる方法として、深く不純物
を打ち込む注入法によりフォトダイオードを形成するの
が有効である。
第２図は従来の固体撮像装置における撮像部の断面構造
図である。第２図において、１は光電変換をするフォト
ダイオード、２はフォトダイオード１で発生した電荷を
転送するｎチャンネルＣＯＤ、３はフォトダイオード１
で発生した電荷をｎチャンネルＣＣＤ２へ転送するため
の転送ゲート、４はｐ型基板、６は酸化膜である。
図である。第２図において、１は光電変換をするフォト
ダイオード、２はフォトダイオード１で発生した電荷を
転送するｎチャンネルＣＯＤ、３はフォトダイオード１
で発生した電荷をｎチャンネルＣＣＤ２へ転送するため
の転送ゲート、４はｐ型基板、６は酸化膜である。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
撮像部への入射光が、フォトダイオード１で光電変換に
より電荷を発生させる。発生した電荷は、転送ゲート３
がオン状態のとき、フォトダイオード１からｎチャンネ
ルＣＣＤ２へ転送される。
より電荷を発生させる。発生した電荷は、転送ゲート３
がオン状態のとき、フォトダイオード１からｎチャンネ
ルＣＣＤ２へ転送される。
従来のように深く不純物を打ち込む注入法によりフォト
ダイオード１を形成することでフォトダイオード１の最
大取扱電荷量を増加することが可能となったが、フォト
ダイオード１からｎチャンネルＣＣＤ２へ電荷を転送す
るときに、フォトダイオード１が深いために転送ゲート
３をオン状態にしても、フォトダイオード１とｎチャン
ネルＣＣＤ２との間にポテンシャルのバリアが残る。こ
のために、フォトダイオード１からｎチャンネルＣＣＤ
２へ電荷の転送をスムーズに行うことができず、残像特
性が劣化する。
ダイオード１を形成することでフォトダイオード１の最
大取扱電荷量を増加することが可能となったが、フォト
ダイオード１からｎチャンネルＣＣＤ２へ電荷を転送す
るときに、フォトダイオード１が深いために転送ゲート
３をオン状態にしても、フォトダイオード１とｎチャン
ネルＣＣＤ２との間にポテンシャルのバリアが残る。こ
のために、フォトダイオード１からｎチャンネルＣＣＤ
２へ電荷の転送をスムーズに行うことができず、残像特
性が劣化する。
この発明の目的は、深く不純物を打ち込む注入法により
フォトダイオードを形成しても残像が発生しない固体撮
像装置を提供することである。
フォトダイオードを形成しても残像が発生しない固体撮
像装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の固体撮像装置は、転送ゲートの下の界面部分
にフォトダイオードの不純物領域と同じ程度の不純物濃
度である他の導電型の不純物領域を設けたことを特徴と
する。
にフォトダイオードの不純物領域と同じ程度の不純物濃
度である他の導電型の不純物領域を設けたことを特徴と
する。
この発明の構成によれば、フォトダイオードと転送チャ
ネルとの間の転送ゲートの下の界面部分にフォトダイオ
ードの不純物領域と同し程度の不純物濃度である他の導
電型の不純物領域を設けたことにより、フォトダイオー
ドで発生した電荷をＣＣＤへ転送する際に、フォトダイ
オードとＣＯＤとの間にポテンシャルのバリアが形成さ
れない。
ネルとの間の転送ゲートの下の界面部分にフォトダイオ
ードの不純物領域と同し程度の不純物濃度である他の導
電型の不純物領域を設けたことにより、フォトダイオー
ドで発生した電荷をＣＣＤへ転送する際に、フォトダイ
オードとＣＯＤとの間にポテンシャルのバリアが形成さ
れない。
このため、フォトダイオードからＣＣＤへの電荷の転送
をスムーズに行うことができる。
をスムーズに行うことができる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図はこの発明の一実施例の固体撮像装置の構成を示
すものである。第１図において、５はフォトダイオード
１のｎ型不純物領域と濃度の等しいｎ型不純物領域であ
り、その他の構成は従来例と同様である。
すものである。第１図において、５はフォトダイオード
１のｎ型不純物領域と濃度の等しいｎ型不純物領域であ
り、その他の構成は従来例と同様である。
以上のように構成された固体撮像装置について、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
撮像部への入射光が、フォトダイオード１で光電変換に
より電荷を発生させる。発生した電荷は、転送ゲート３
がオン状態のとき、フォトダイオードｌからｎ型不純物
領域５を介しｎチャンネルＣＣＤ２へ転送されることに
なる。この場合に、ｎチャンネルＣＣＤ２．転送ゲート
３およびｎ型不純物領域５がそれぞれドレイン、ゲート
およびソースとなるＭＯＳ）ランジスタを形成するので
、転送ゲート３の電圧制御により、完全な電荷転送を行
うことができ、残像は発生しない。
より電荷を発生させる。発生した電荷は、転送ゲート３
がオン状態のとき、フォトダイオードｌからｎ型不純物
領域５を介しｎチャンネルＣＣＤ２へ転送されることに
なる。この場合に、ｎチャンネルＣＣＤ２．転送ゲート
３およびｎ型不純物領域５がそれぞれドレイン、ゲート
およびソースとなるＭＯＳ）ランジスタを形成するので
、転送ゲート３の電圧制御により、完全な電荷転送を行
うことができ、残像は発生しない。
［発明の効果〕
この発明の固体撮像装置は、フォトダイオードとＣＣＤ
との間の転送ゲートの下の界面部分にフォトダイオード
の不純物領域と同し程度の不純物濃度である他の導電型
の不純物領域を設けたことにより、フォトダイオードで
発生した電荷をＣＯＤへ転送する際に、フォトダイオー
ドとＣＣＤとの間にポテンシャルのバリアが形成されな
い。このため、フォトダイオードからＣＣＤへの電荷の
転送をスムーズに行うことができ、残像は発生しない。
との間の転送ゲートの下の界面部分にフォトダイオード
の不純物領域と同し程度の不純物濃度である他の導電型
の不純物領域を設けたことにより、フォトダイオードで
発生した電荷をＣＯＤへ転送する際に、フォトダイオー
ドとＣＣＤとの間にポテンシャルのバリアが形成されな
い。このため、フォトダイオードからＣＣＤへの電荷の
転送をスムーズに行うことができ、残像は発生しない。
第１図はこの発明の一実施例の固体撮像装置の構成を示
す図、第２図は従来の固体撮像装置の構成を示す図であ
る。 １・・・フォトダイオード、２・・・ｎチャンネルＣＣ
Ｄ、３・・・転送ゲート、４・・・Ｐ型基板、５・・・
ｎ型不純物領域
す図、第２図は従来の固体撮像装置の構成を示す図であ
る。 １・・・フォトダイオード、２・・・ｎチャンネルＣＣ
Ｄ、３・・・転送ゲート、４・・・Ｐ型基板、５・・・
ｎ型不純物領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型の半導体基板の主表面に他の導電型の不純物
領域を設けたフォトダイオードと、他の導電型の領域よ
りなるＣＣＤと、前記フォトダイオードで発生した電荷
を前記ＣＣＤへ転送するための転送ゲートとを備え、 前記転送ゲートの下の界面部分に前記フォトダイオード
の不純物領域と同じ程度の不純物濃度である他の導電型
の不純物領域を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133527A JPH0427162A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133527A JPH0427162A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427162A true JPH0427162A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15106879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133527A Pending JPH0427162A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427162A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130666A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US6278145B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | PN junction diode having enhanced light-gathering efficiency |
| KR20200000313U (ko) | 2018-07-30 | 2020-02-07 | 이한형 | 사무용품 꽂이 겸용 책꽂이용 이동식 칸막이 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP2133527A patent/JPH0427162A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04130666A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-01 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US6278145B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-08-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | PN junction diode having enhanced light-gathering efficiency |
| US6429039B2 (en) | 1999-06-25 | 2002-08-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR20200000313U (ko) | 2018-07-30 | 2020-02-07 | 이한형 | 사무용품 꽂이 겸용 책꽂이용 이동식 칸막이 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6566697B1 (en) | Pinned photodiode five transistor pixel | |
| CN101916765B (zh) | 固态成像装置、其制造方法、其驱动方法和电子设备 | |
| US20120085888A1 (en) | Back-side illuminated solid-state imaging device | |
| EP0738010A3 (en) | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode | |
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| EP0809299B1 (en) | Active pixel sensor with punch-through reset and cross-talk suppression | |
| US6259124B1 (en) | Active pixel sensor with high fill factor blooming protection | |
| US7365380B2 (en) | Photoelectric conversion device, method for manufacturing the same and image pickup system | |
| JPH05137072A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP1385212B1 (en) | Autofocus- and autoexposure sensor for a camera | |
| JP4761491B2 (ja) | 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム | |
| US7338880B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| JP3624042B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0427162A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100373342B1 (ko) | 전하 역류를 억제할 수 있는 이미지 센서 | |
| JPH05235317A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3240828B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタ構造およびこれを用いた電荷転送装置 | |
| JPH06334166A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04260370A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP1453099A2 (en) | Vertical charge transfer active pixel sensor | |
| JPS61188965A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05243546A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4103485B2 (ja) | Ｃｍｏｓ型固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0318059A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2002124659A (ja) | 固体撮像装置 |