JPH04275448A - 評価パターン - Google Patents
評価パターンInfo
- Publication number
- JPH04275448A JPH04275448A JP3712191A JP3712191A JPH04275448A JP H04275448 A JPH04275448 A JP H04275448A JP 3712191 A JP3712191 A JP 3712191A JP 3712191 A JP3712191 A JP 3712191A JP H04275448 A JPH04275448 A JP H04275448A
- Authority
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- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- aluminum wiring
- step coverage
- wiring
- contact
- Prior art date
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- Granted
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体プロセスの評
価パターンに関するものである。
価パターンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高密度化，高集積化
，微細化の傾向は著しい。この状況の中で、アルミニウ
ム配線と半導体素子あるいは下層の配線との電気的接続
を得るためのコンタクトホール部においてアルミニウム
配線のステップカバレッジが悪くなり、その結果コンタ
クト抵抗が増大したり、ときにはアルミニウム配線がコ
ンタクトホール部において断線するといった問題が生じ
ている。そしてこのコンタクトホール部におけるアルミ
ニウム配線のステップカバレッジを電気的に評価するこ
とが必要とされている。
，微細化の傾向は著しい。この状況の中で、アルミニウ
ム配線と半導体素子あるいは下層の配線との電気的接続
を得るためのコンタクトホール部においてアルミニウム
配線のステップカバレッジが悪くなり、その結果コンタ
クト抵抗が増大したり、ときにはアルミニウム配線がコ
ンタクトホール部において断線するといった問題が生じ
ている。そしてこのコンタクトホール部におけるアルミ
ニウム配線のステップカバレッジを電気的に評価するこ
とが必要とされている。
【０００３】上記ステップカバレッジを評価するための
従来の半導体プロセスの評価パターンを説明する。図２
（ａ） はコンタクトホール部におけるアルミニウム配
線のステップカバレッジを評価するための従来の半導体
プロセスの評価パターンの平面図、図２（ｂ） は同断
面図である。図２（ａ） ，（ｂ） において、１はア
ルミニウム配線、２はコンタクトホール、３は拡散層、
４は層間絶縁膜、５は素子分離酸化膜、６はＳｉ基板で
ある。
従来の半導体プロセスの評価パターンを説明する。図２
（ａ） はコンタクトホール部におけるアルミニウム配
線のステップカバレッジを評価するための従来の半導体
プロセスの評価パターンの平面図、図２（ｂ） は同断
面図である。図２（ａ） ，（ｂ） において、１はア
ルミニウム配線、２はコンタクトホール、３は拡散層、
４は層間絶縁膜、５は素子分離酸化膜、６はＳｉ基板で
ある。
【０００４】この従来の半導体プロセスの評価パターン
は、アルミニウム配線１と拡散層３を接続する多数のコ
ンタクトホール２よりなるコンタクトチェーンとなって
おり、アルミニウム配線１は細かく分割されて隣合う２
つのコンタクトホール２をつなぎ、コンタクトホール２
はアルミニウム配線１によって完全に覆われている。こ
のコンタクトチェーンの両端に電圧を印加すると、電流
はアルミニウム配線１からコンタクトホール２を通って
拡散層３を流れ、再びコンタクトホール２を通ってアル
ミニウム配線１を流れる。この際に流れる電流を測定す
ることによりコンタクト抵抗が求められる。そして、求
めたコンタクト抵抗によりアルミニウム配線１のステッ
プカバレッジの評価ができる。
は、アルミニウム配線１と拡散層３を接続する多数のコ
ンタクトホール２よりなるコンタクトチェーンとなって
おり、アルミニウム配線１は細かく分割されて隣合う２
つのコンタクトホール２をつなぎ、コンタクトホール２
はアルミニウム配線１によって完全に覆われている。こ
のコンタクトチェーンの両端に電圧を印加すると、電流
はアルミニウム配線１からコンタクトホール２を通って
拡散層３を流れ、再びコンタクトホール２を通ってアル
ミニウム配線１を流れる。この際に流れる電流を測定す
ることによりコンタクト抵抗が求められる。そして、求
めたコンタクト抵抗によりアルミニウム配線１のステッ
プカバレッジの評価ができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成によれば、コンタクトホール２の形状が歪んだ円
形や楕円形となった場合に、アルミニウム配線１のステ
ップカバレッジがコンタクトホール２内部における位置
によって一様でないために、アルミニウム配線１のステ
ップカバレッジとコンタクトホール２のサイズとの間の
定量的な評価が困難であった。
の構成によれば、コンタクトホール２の形状が歪んだ円
形や楕円形となった場合に、アルミニウム配線１のステ
ップカバレッジがコンタクトホール２内部における位置
によって一様でないために、アルミニウム配線１のステ
ップカバレッジとコンタクトホール２のサイズとの間の
定量的な評価が困難であった。
【０００６】また、アルミニウム配線１のステップカバ
レッジがコンタクトホール２内部における位置によって
一様でない場合に、コンタクト抵抗はアルミニウム配線
１のステップカバレッジが良い部分で決まるため、ステ
ップカバレッジが悪い部分の評価が不可能であった。特
に、コンタクトホール２内部において部分的に断線が起
こっているときに電気的な測定ではこの断線を発見する
ことができず、ステップカバレッジの評価のために常に
ウエハを割ってコンタクトホール２の断面を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しなければならなかった。
レッジがコンタクトホール２内部における位置によって
一様でない場合に、コンタクト抵抗はアルミニウム配線
１のステップカバレッジが良い部分で決まるため、ステ
ップカバレッジが悪い部分の評価が不可能であった。特
に、コンタクトホール２内部において部分的に断線が起
こっているときに電気的な測定ではこの断線を発見する
ことができず、ステップカバレッジの評価のために常に
ウエハを割ってコンタクトホール２の断面を走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察しなければならなかった。
【０００７】さらに、コンタクトホール２の下の拡散層
３の抵抗もコンタクト抵抗の値に含まれるため、拡散層
３の抵抗の変化とともに求めるコンタクト抵抗の値も変
化してしまうことになる。このように、アルミニウム配
線１のステップカバレッジに関する抵抗のみを分離して
測定することができず、アルミニウム配線１のステップ
カバレッジの評価を正確に行うことができなかった。
３の抵抗もコンタクト抵抗の値に含まれるため、拡散層
３の抵抗の変化とともに求めるコンタクト抵抗の値も変
化してしまうことになる。このように、アルミニウム配
線１のステップカバレッジに関する抵抗のみを分離して
測定することができず、アルミニウム配線１のステップ
カバレッジの評価を正確に行うことができなかった。
【０００８】この発明の目的は、コンタクトホール部に
おける配線のステップカバレッジを電気的測定のみによ
り定量的かつ正確に評価することができる半導体プロセ
スの評価パターンを提供することである。
おける配線のステップカバレッジを電気的測定のみによ
り定量的かつ正確に評価することができる半導体プロセ
スの評価パターンを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体プロセ
スの評価パターンは、半導体基板と、この半導体基板上
に形成した絶縁膜と、この絶縁膜を開口した複数のコン
タクトホールと、この複数のコンタクトホールと接続し
た単一の配線とを備えている。複数のコンタクトホール
は長辺と短辺を有し、配線は複数のコンタクトホールの
長辺よりも幅が狭くその長辺方向と直交するように複数
のコンタクトホールと接続している。
スの評価パターンは、半導体基板と、この半導体基板上
に形成した絶縁膜と、この絶縁膜を開口した複数のコン
タクトホールと、この複数のコンタクトホールと接続し
た単一の配線とを備えている。複数のコンタクトホール
は長辺と短辺を有し、配線は複数のコンタクトホールの
長辺よりも幅が狭くその長辺方向と直交するように複数
のコンタクトホールと接続している。
【００１０】
【作用】この発明の構成によれば、長辺と短辺を有する
複数のコンタクトホールを、その長辺よりも幅の短い単
一の配線で複数のコンタクトホールと長辺方向と直交す
るように接続したことにより、配線のステップカバレッ
ジはコンタクトホール内で一様となり、部分的にステッ
プカバレッジが悪くなったり、断線したりすることがな
い。また、配線に電圧を印加すると、電流は配線のみを
流れるため、正確な配線のステップカバレッジの評価を
行うことができる。さらに、コンタクトホールの短辺の
幅と配線のステップカバレッジとの間で定量的な評価を
行うことができる。
複数のコンタクトホールを、その長辺よりも幅の短い単
一の配線で複数のコンタクトホールと長辺方向と直交す
るように接続したことにより、配線のステップカバレッ
ジはコンタクトホール内で一様となり、部分的にステッ
プカバレッジが悪くなったり、断線したりすることがな
い。また、配線に電圧を印加すると、電流は配線のみを
流れるため、正確な配線のステップカバレッジの評価を
行うことができる。さらに、コンタクトホールの短辺の
幅と配線のステップカバレッジとの間で定量的な評価を
行うことができる。
【００１１】
【実施例】この発明の一実施例を図面を参照しながら説
明する。図１（ａ） はコンタクトホール部におけるア
ルミニウム配線のステップカバレッジを評価するための
この発明の一実施例の半導体プロセスの評価パターンの
平面図、図１（ｂ） は同断面図である。図１（ａ）
，（ｂ） において、１はアルミニウム配線、２はコン
タクトホール、３は拡散層、４は層間絶縁膜、５は素子
分離酸化膜、６はＳｉ基板である。
明する。図１（ａ） はコンタクトホール部におけるア
ルミニウム配線のステップカバレッジを評価するための
この発明の一実施例の半導体プロセスの評価パターンの
平面図、図１（ｂ） は同断面図である。図１（ａ）
，（ｂ） において、１はアルミニウム配線、２はコン
タクトホール、３は拡散層、４は層間絶縁膜、５は素子
分離酸化膜、６はＳｉ基板である。
【００１２】この半導体プロセスの評価パターンは、短
辺と長辺を有するコンタクトホール２をもち、コンタク
トホール２の長辺がアルミニウム配線１の幅よりも十分
広く、連続したアルミニウム配線１がコンタクトホール
２の中央を横切っているため、アルミニウム配線１がコ
ンタクトホール２を覆う部分は幅が一様なくぼみとなっ
ている。
辺と長辺を有するコンタクトホール２をもち、コンタク
トホール２の長辺がアルミニウム配線１の幅よりも十分
広く、連続したアルミニウム配線１がコンタクトホール
２の中央を横切っているため、アルミニウム配線１がコ
ンタクトホール２を覆う部分は幅が一様なくぼみとなっ
ている。
【００１３】このようにこの実施例では、アルミニウム
配線１のステップカバレッジはコンタクトホール２内で
一様となり、部分的にステップカバレッジが悪くなった
り、断線したりすることがない。また、アルミニウム配
線１に電圧を印加すると、電流はアルミニウム配線１の
みを流れるため、求める抵抗値はアルミニウム配線１の
ステップカバレッジに関する抵抗のみによって決定され
、正確なアルミニウム配線１のステップカバレッジの評
価を行うことができる。
配線１のステップカバレッジはコンタクトホール２内で
一様となり、部分的にステップカバレッジが悪くなった
り、断線したりすることがない。また、アルミニウム配
線１に電圧を印加すると、電流はアルミニウム配線１の
みを流れるため、求める抵抗値はアルミニウム配線１の
ステップカバレッジに関する抵抗のみによって決定され
、正確なアルミニウム配線１のステップカバレッジの評
価を行うことができる。
【００１４】さらに、アルミニウム配線１に電圧を印加
した際に流れる電流値から抵抗値を求め、コンタクトホ
ール２の短辺の幅とアルミニウム配線１のステップカバ
レッジとの間で定量的な評価を行うことができる。
した際に流れる電流値から抵抗値を求め、コンタクトホ
ール２の短辺の幅とアルミニウム配線１のステップカバ
レッジとの間で定量的な評価を行うことができる。
【００１５】
【発明の効果】この発明の半導体プロセスの評価パター
ンは、長辺と短辺を有する複数のコンタクトホールを、
その長辺よりも幅の短い単一の配線で複数のコンタクト
ホールと長辺方向と直交するように接続したことにより
、配線のステップカバレッジはコンタクトホール内で一
様となり、部分的にステップカバレッジが悪くなったり
、断線したりすることがない。また、配線に電圧を印加
すると、電流は配線のみを流れるため、正確な配線のス
テップカバレッジの評価を行うことができる。さらに、
コンタクトホールの短辺の幅と配線のステップカバレッ
ジとの間で定量的な評価を行うことが可能となり、これ
により半導体素子の開発期間の短縮や製造歩留りを向上
することができる。
ンは、長辺と短辺を有する複数のコンタクトホールを、
その長辺よりも幅の短い単一の配線で複数のコンタクト
ホールと長辺方向と直交するように接続したことにより
、配線のステップカバレッジはコンタクトホール内で一
様となり、部分的にステップカバレッジが悪くなったり
、断線したりすることがない。また、配線に電圧を印加
すると、電流は配線のみを流れるため、正確な配線のス
テップカバレッジの評価を行うことができる。さらに、
コンタクトホールの短辺の幅と配線のステップカバレッ
ジとの間で定量的な評価を行うことが可能となり、これ
により半導体素子の開発期間の短縮や製造歩留りを向上
することができる。
【図１】（ａ） はこの発明の一実施例の半導体プロセ
スの評価パターンの平面図、（ｂ） は同断面図である
。
スの評価パターンの平面図、（ｂ） は同断面図である
。
【図２】（ａ） は従来の半導体プロセスの評価パター
ンの平面図、（ｂ） は同断面図である。
ンの平面図、（ｂ） は同断面図である。
１ アルミニウム配線
２ コンタクトホール
４ 層間絶縁膜
６ Ｓｉ基板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板と、この半導体基板上に形
成した絶縁膜と、この絶縁膜を開口した長辺と短辺を有
する複数のコンタクトホールと、この複数のコンタクト
ホールと前記複数のコンタクトホールの長辺方向と直交
するように接続した前記複数のコンタクトホールの長辺
よりも幅の狭い単一の配線とを備えた半導体プロセスの
評価パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3712191A JP2965723B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 評価パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3712191A JP2965723B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 評価パターン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275448A true JPH04275448A (ja) | 1992-10-01 |
| JP2965723B2 JP2965723B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=12488772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3712191A Expired - Fee Related JP2965723B2 (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 評価パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2965723B2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3712191A patent/JP2965723B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2965723B2 (ja) | 1999-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |