JPH04276071A - 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード - Google Patents

陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード

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JPH04276071A
JPH04276071A JP3344252A JP34425291A JPH04276071A JP H04276071 A JPH04276071 A JP H04276071A JP 3344252 A JP3344252 A JP 3344252A JP 34425291 A JP34425291 A JP 34425291A JP H04276071 A JPH04276071 A JP H04276071A
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カソード基板と、この
上に配置された、少なくとも１つの平らな、例えば円環
状のスパッタ面を有する空胴ターゲットと、スパッタ面
にほぼ平行な磁力線を発生するようにターゲットの両側
に互いに逆の極性を持つ磁極面を有するマグネット装置
とを備えていて、スパッタ面が少なくとも２つの、閉じ
た、同心的な突出部によって包囲されている陰極スパッ
タリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード
に関する。
【０００２】
【従来の技術】陰極スパッタリング装置で基板を被覆す
るためのスパッタリングカソードは知られており（ＤＥ
−ＯＳ３５２７６２６、ＵＳ−ＰＳ４４８６２８７）、
これらは主にカソード基体とこの上に配置された空胴タ
ーゲットとターゲットを取巻いたマグネット装置とを備
えており、かつその構成形に基いてＺＰＴ−空胴マグネ
トロン（ＺＰＴ＝Ｚｗｉｓｃｈｅｎ−Ｐｏｌ−Ｔａｒｇ
ｅｔ）としても呼ばれている。かかる空胴マグネトロン
で普通使用される空胴ターゲットは閉じた、同心的な突
出部を有しており、ターゲットの突出部の、スパッタ面
に続く壁面は従来２パッタ面に垂直にスパッタ方向に設
けられている。
【０００３】この構成形により２つの逆の現象が生じ、
これらはこれまで互いに一致させることができない、す
なわち一方ではできる限り高いスパッタ速度を達成する
ためにスパッタ面に平行な磁力線の経過が望ましい。他
方で磁力線はほぼ垂直の方向にターゲットの１つの突出
部の、スパッタ面に続く壁面から他の突出部の他の反対
側の壁面へほぼ垂直の方向に再び入る。これらの壁面は
磁力線によってほぼ垂直の方向に貫通されるので、これ
らはスパッタリングにもはや使用されない。反対にスパ
ッタリング処理の間スパッタ面から分離した材料はこれ
らの壁面上に沈着し、かつ不都合にもこれらの面に不所
望な皮膜を形成する。金属のターゲット材料によるスパ
ッタリング処理により十分な膜厚が調節された後生成し
た皮膜の上記のターゲット領域内への剥落が起り、これ
は被覆すべき基板の使用不可および否応なくスパッタリ
ング装置全体の故障に導く。
【０００４】スパッタリングカソードの反応性操作では
誘導性の材料でのターゲット縁の不所望な被覆が起り、
これはアーク、したがってスパッタリング処理の切断を
もたらす。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】本発明の課題は、ター
ゲット材料によるターゲット突出部壁面の被覆を回避し
、かつ空胴マグネトロンの利点を得ること、すなわちプ
ラズマの良好な側方の静電的な包囲およびターゲット材
料の良好な利用を達成することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の手段は、ターゲットの突出部の、スパッタ
面に続く壁面がスパッタ面の垂直線に対して角度αを成
しており、この傾斜角が有利には３０〜７０°であるこ
とである。
【０００７】
【発明の効果】陰極スパッタリング装置で基板を被覆す
るためのスパッタカソードのための本発明による空胴タ
ーゲットは従来使用された空胴ターゲットのすべての利
点を有していて、しかも金属による操作でも反応性の操
作でもターゲット材料でのターゲット突出部の壁面の不
都合な被覆を回避する。
【０００８】
【実施例】図１にカソード基体１が示されている。カソ
ード基体は強磁性の材料から製作されており、かつ同時
に以下で詳述されるマグネット機構のためのヨークを成
している。カソード基体１は環状の冷却通路２を備えた
ほぼ円板状の本体から成っている。カソード基体１の上
面３には環状の支持面３ａ，３ｂが設けられており、支
持面はスリーブ４とリング５のセンタリングを行なう。 これら２つの部材は軟磁性材料から製作されている。両
部材４，５にはマグネット装置の永久磁石６ａ，６ｂが
続いている。内側の環状磁石６ａと外側の環状磁石６ｂ
であり、これらはこの装置の中心軸線Ａ−Ａに対して半
径方向に磁化され、しかも両磁石６ａ，６ｂの極性方向
（矢印を見よ）が内側の軸線Ａ−Ａに向くように磁化さ
れる。磁石６ａ，６ｂは外側ないしは内側の円筒面にそ
れぞれ磁極面を有し、磁極面６ｃ，６ｄは対向して配置
されている。
【０００９】両支持面３ａ，３ｂ間の、カソード基体１
の上面３上には環状の絶縁体７が配置されており、絶縁
体は空胴ターゲット８の支持に用いられる。この空胴タ
ーゲット８は形成すべき皮膜（この皮膜は図示されてい
ない基板上へ沈着せしめられる）のための出発材料であ
る。ターゲット８はほぼ環状の基体を有し、基体は断面
図でみて平らなスパッタ面８ａを有している。スパッタ
面は両側を２つの閉じた同心的な突出部８ｂ，８ｃによ
って制限されており、突出部はスパッタ方向に延びてお
り、ターゲット８の他の部分と同一の材料から成ってい
る。突出部８ｂ，８ｃは互いに向合った壁面８ｄ，８ｅ
を有しており、壁面はスパッタ面８ａの平面に対してあ
る傾斜角で斜めに延びている。
【００１０】スパッタリングの際にターゲット８内へ入
る熱量を排出し得るようにするためには、ターゲット８
の上面３とは反対の側に同心的に延びる冷却通路９ａ，
９ｂが配置されており、冷却通路はリング板１０ａ，１
０ｂによって閉じられている。
【００１１】突出部８ｂ，８ｃの両側の磁極面６ｃ，６
ｄは、磁力線１１，１１′…がほぼ垂直の方向に磁極面
６ｂから出、かつスパッタ面８ａを横断して対向した、
他方の磁石６ａの他方の磁極面６ｃ内へほぼ垂直の方向
に再び入る程度にスパッタ面８ａの平面よりも上方にス
パッタリング方向に突出している。
【００１２】磁石装置６はシールド１２によって包囲さ
れており、シールドは円板状の中央部分１２ａと環状の
周辺部分１２ｂとを有している。中央部分１２ａはスペ
ーサリング１３を介してスリーブ４上に置かれており、
かつねじ１４を介してカソード基体１と導電的に接続さ
れている。周辺部分１２ｂはもう１つのスペーサリング
１５を介してカソード基体１と導電的に接続されている
。シールド１２の互いに対向している２つの線１２ｃ，
１２ｄはスパッタリング方向を向いた、突出部８ｂ，８
ｃの端面も覆っている。
【００１３】常用の空胴ターゲット１６（図２）の突出
部１６ｂ，１６ｃは、その壁面１６ｄ，１６ｅがスパッ
タ面１６ａに垂直の方向に延びるように構成されている
。これにより壁面１６ｄ，１６ｅ上にはスパッタリング
されたターゲット材料から成る皮膜１６ｆ，１６ｇが生
じる。ターゲット材料はここに沈着し、その表面は不規
則な、裂け目の多い形状を取る。両壁面１６ｄ，１６ｅ
間のスパッタ面１６ａ内には槽状のスパッタみぞ１７（
点線）が形成され、スパッタみぞは下側の制限線１７ａ
（当初のスパッタ面１６ａにほぼ平行）を有し、かつ更
に壁面１６ｄ，１６ｅに対して角度α（傾斜角）を成し
て延びた２つの側方の制限線１７ｂ，１７ｃを有してい
る。本発明によるターゲット８（図３）は、突出部８ｂ
，８ｃの壁面８ｄ，８ｅがスパッタ面８ａに対して垂直
ではなくて、角度αを有して生じるスパッタみぞ１８の
側方の制限線１８ｂ，１８ｃの延長線上に延びている点
で図２に示されたターゲット１６とは異なっている。 傾斜角αは有利にスパッタ面８ａの垂直線に対して３０
〜７０°である。スパッタみぞ１８の下側の制限線１８
ａは当初のスパッタ面８ａにほぼ平行に延びている。
【図面の簡単な説明】
【図１】陰極スパッタリングのための本発明による空胴
ターゲットを備えた円形カソードの主要部分の１実施例
の半部の軸線を含む断面図である。
【図２】常常の構成の円環状空胴ターゲットの拡大断面
図である。
【図３】図１による本発明による空胴ターゲットの拡大
断面図である。
【符号の説明】
１　　　　カソード基体 ２，９ａ，９ｂ　　　　冷却通路 ３　　　　上面 ３ａ，３ｂ　　　　支持面 ４　　　　スリーブ ５　　　　リング ６　　　　マグネット装置 ６ａ，６ｂ　　　　環状磁石 ６ｃ，６ｄ　　　　磁極面 ７　　　　絶縁体 ８，１６　　　　空胴ターゲット ８ａ，１６ａ　　　　スパッタ面 ８ｂ，８ｃ，１６ｂ，１６ｃ　　　　突出部８ｄ，８ｅ
，１６ｄ，１６ｅ　　　　壁面１０ａ，１０ｂ　　　　
リング板 １１，１１′…　　　　磁力線 １２　　　　シールド １２ａ　　　　中央部 １２ｂ　　　　周辺部 １２ｃ，１２ｄ　　　　縁 １３，１５　　　　スペーサリング １４　　　　ねじ １６ｆ，１６ｇ　　　　皮膜 １７，１８　　　　スパッタみぞ １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ　　
　　制限線

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　カソード基板（１）と、この上に配置
    された、少なくとも１つの平らな、例えば円環状のスパ
    ッタ面（１６ａ）を有する空胴ターゲット（１６）と、
    スパッタ面（１６ａ）にほぼ平行な磁力線（１１，１１
    ′，…）を発生するようにターゲット（１６）の両側に
    互いに逆の極性を持つ磁極面（６ｃ，６ｄ）を有するマ
    グネット装置（６）とを備えていて、スパッタ面（１６
    ａ）が少なくとも２つの、閉じた同心的な突出部（１６
    ｂ，１６ｃ）によって包囲されている陰極スパッタリン
    グ装置で基板を被覆するためのスパッタカソードにおい
    て、ターゲット（８）の突出部（８ｂ，８ｃ）の、スパ
    ッタ面（８ａ）に続く壁面（８ｄ，８ｅ）がスパッタ面
    （８ａ）の垂直線（Ｌ）に対して角度（α）を成してお
    り、この角度（α）が有利には３０〜７０°であること
    を特徴とする、陰極スパッタリング装置で基板を被覆す
    るためのスパッタカソード。
  2. 【請求項２】　　突出部（８ｂ，８ｃ）の壁面（８ｄ，
    ８ｅ）の傾斜がほぼスパッタみぞ（１８）の傾斜部（１
    ８ｂ，１８ｃ）の延長上に、しかもスパッタリング方向
    上にある、請求項１記載のスパッタカソード。
  3. 【請求項３】　　突出部（８ｂ，８ｃ）がスパッタ面（
    ８ａ）と同一の材料から製作されている、請求項１また
    は２記載のスパッタカソード。
  4. 【請求項４】　　突出部（８ｂ，８ｃ）がスパッタ面（
    ８ａ）の材料とは異なる材料から製作されている、請求
    項１または２記載のスパッタカソード。
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