JPH04276752A - 光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法 - Google Patents
光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法Info
- Publication number
- JPH04276752A JPH04276752A JP3037657A JP3765791A JPH04276752A JP H04276752 A JPH04276752 A JP H04276752A JP 3037657 A JP3037657 A JP 3037657A JP 3765791 A JP3765791 A JP 3765791A JP H04276752 A JPH04276752 A JP H04276752A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- phase shifter
- negative resist
- defect
- pattern
- Prior art date
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- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学マスクの製造法に
関するものであり、さらに詳しく述べるならば、解像度
向上を目的とする位相シフト露光法に用いられる光学マ
スクの製造方法に関するものである。近年のＬＳＩの高
速化及び高集積化に伴い微細リソグラフィ技術が要求さ
れている。かかる要請に添う露光技術として位相シフト
露光技術がある。位相シフト露光法では図５に示すよう
に、マスク基板に付着されたＣｒ遮光膜６の間隙一部に
光の位相を１８０°ずらす位相シフタ部１０を作り、２
５、２６のように位相が１８０°ずれた光を合成して合
成波２７とすると、通常の同位相の光を合成する場合と
比較すると光の干渉により２７′の部分がシャープにな
る。従って、この方法で露光を行うと被感光物上での強
度２８は２８′の部分で急峻に立ち上がるので微細パタ
ーンが作られる。位相シフト露光法はこのように微細パ
ターンを作るための優れた原理に基づいているが、これ
を実際に微細なリソグラフィを可能にする技術として確
立する必要がある。
関するものであり、さらに詳しく述べるならば、解像度
向上を目的とする位相シフト露光法に用いられる光学マ
スクの製造方法に関するものである。近年のＬＳＩの高
速化及び高集積化に伴い微細リソグラフィ技術が要求さ
れている。かかる要請に添う露光技術として位相シフト
露光技術がある。位相シフト露光法では図５に示すよう
に、マスク基板に付着されたＣｒ遮光膜６の間隙一部に
光の位相を１８０°ずらす位相シフタ部１０を作り、２
５、２６のように位相が１８０°ずれた光を合成して合
成波２７とすると、通常の同位相の光を合成する場合と
比較すると光の干渉により２７′の部分がシャープにな
る。従って、この方法で露光を行うと被感光物上での強
度２８は２８′の部分で急峻に立ち上がるので微細パタ
ーンが作られる。位相シフト露光法はこのように微細パ
ターンを作るための優れた原理に基づいているが、これ
を実際に微細なリソグラフィを可能にする技術として確
立する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】位相シフト露光法においては、図６の（
ｃ）に示すようにクロムパターン５から突出したシフタ
パターン部４ａにより位相を反転させる方法がある。 このシフタパターンを作るための従来の位相シフトマス
クの製造方法においては、図６の（ａ）に示すように、
マスク基板１１にクロム膜２及びシフタ膜３を被着し、
同図の（ｂ）に示すようにシフタ膜３をエッチングして
シフタパターン４を作り、次に同図の（ｃ）に示すよう
にシフタパターン４をマスクとしてクロム膜２の露出部
をエッチングし、更にシフタパターン４の裏までサイド
エッチングしてクロムパターン５を形成する。
ｃ）に示すようにクロムパターン５から突出したシフタ
パターン部４ａにより位相を反転させる方法がある。 このシフタパターンを作るための従来の位相シフトマス
クの製造方法においては、図６の（ａ）に示すように、
マスク基板１１にクロム膜２及びシフタ膜３を被着し、
同図の（ｂ）に示すようにシフタ膜３をエッチングして
シフタパターン４を作り、次に同図の（ｃ）に示すよう
にシフタパターン４をマスクとしてクロム膜２の露出部
をエッチングし、更にシフタパターン４の裏までサイド
エッチングしてクロムパターン５を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
ク製造法では、例えば図６の（ｃ）の段階でシフタパタ
ーン４やクロムパターン５が欠けるなどの欠陥が発生し
、あるいは（ａ）の段階でこれらのパターン４、５に存
在していた欠陥が（ｃ）の段階で発見された場合に、マ
スクの欠陥修正は非常に困難である。また欠陥があった
位相シフタ部４、５のみの再プロセスで作り直すことも
不可能であった。したがって欠陥の発生があったときは
一つのマスク基板に作った多数のパターン４．５の全部
について全体図について図６の（ａ）〜（ｃ）のマスク
製造プロセスを繰り返して行う必要があった。
ク製造法では、例えば図６の（ｃ）の段階でシフタパタ
ーン４やクロムパターン５が欠けるなどの欠陥が発生し
、あるいは（ａ）の段階でこれらのパターン４、５に存
在していた欠陥が（ｃ）の段階で発見された場合に、マ
スクの欠陥修正は非常に困難である。また欠陥があった
位相シフタ部４、５のみの再プロセスで作り直すことも
不可能であった。したがって欠陥の発生があったときは
一つのマスク基板に作った多数のパターン４．５の全部
について全体図について図６の（ａ）〜（ｃ）のマスク
製造プロセスを繰り返して行う必要があった。
【０００４】従って、本発明は位相シフタ部のみに欠陥
の発生したマスクの修正を可能にして所望のパターンを
作ることができるようにし、また遮光材形成までのマス
ク作製プロセスを繰り返し行う必要をなくすことを目的
とする。
の発生したマスクの修正を可能にして所望のパターンを
作ることができるようにし、また遮光材形成までのマス
ク作製プロセスを繰り返し行う必要をなくすことを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光学マスク
の製造方法は、マスク基板上に選択的に遮光材のパター
ンを形成し、さらに一種類以上の透過膜をマスク基板上
に全面堆積し、前記透過膜上にネガ型レジストを塗布し
、マスク基板の裏面より露光して前記ネガレジストを感
光させ、現像し、その後残存するネガレジストをマスク
として前記透過膜のエッチングを行い、位相シフタ部を
形成することを特徴とする。
の製造方法は、マスク基板上に選択的に遮光材のパター
ンを形成し、さらに一種類以上の透過膜をマスク基板上
に全面堆積し、前記透過膜上にネガ型レジストを塗布し
、マスク基板の裏面より露光して前記ネガレジストを感
光させ、現像し、その後残存するネガレジストをマスク
として前記透過膜のエッチングを行い、位相シフタ部を
形成することを特徴とする。
【０００６】また、本発明に係る光学マスクの欠陥修正
方法は、上記方法により形成された複数の位相シフタ部
につき欠陥の検出を行い、欠陥が発見された場合には、
マスク基板上に欠陥を有する位相シフタ部を選択的に露
出するようにマスク層を形成し、該マスク層をマスクと
して欠陥がある位相シフタ部を除去し、次いで、全面に
新たな透過膜を形成したのちリフトオフ法により除去さ
れた位相シフタ部を含む領域に新たな透過膜を形成し、
引き続き上記方法のネガ型レジスト塗布工程を再度行う
ことを特徴とする。
方法は、上記方法により形成された複数の位相シフタ部
につき欠陥の検出を行い、欠陥が発見された場合には、
マスク基板上に欠陥を有する位相シフタ部を選択的に露
出するようにマスク層を形成し、該マスク層をマスクと
して欠陥がある位相シフタ部を除去し、次いで、全面に
新たな透過膜を形成したのちリフトオフ法により除去さ
れた位相シフタ部を含む領域に新たな透過膜を形成し、
引き続き上記方法のネガ型レジスト塗布工程を再度行う
ことを特徴とする。
【０００７】図１は本発明の原理説明図である。まず本
発明の方法ではＣｒなどの遮光材６によるマスクパター
ン形成する。このときのマスクパターンは通常のＣＶＤ
、スパッタなどの方法による成膜後、通常のレジストな
どを使用しエッチング方法により作られる。もしこの段
階でマスクパターンに欠けなどの欠陥が発見されると、
その部分にＣｒを選択的に蒸着することにより容易に欠
陥を修正することができる。続いて、無機質透明膜７の
膜厚を露光光の位相差でπ（１８０°）だけ発生する膜
厚で堆積する（図１の（ａ）参照）。その後表面にネガ
型レジスト８を塗布し（図１の（ｂ）参照）、背面露光
し現像すると遮光材６のマスクパターンがない所にレジ
ストパターン９が残る（図１の（ｂ）参照）。そして、
レジストパターン９をマスクとして無機質透明膜７をエ
ッチングにより選択的に除去して位相シフタ部１０を完
成する（図１の（ｄ））。この方法ではシフタ部１０に
欠陥が検出された場合、そのものについてのみ図１（ａ
）〜（ｄ）に示される方法によりシフタ部１０を形成す
る捕修方法を行うことができる。また、シフタ部１０の
全体を作り直すのではなく、欠け等の欠陥部分にＣｒを
盛ることによってもパタンの修正をすることができる。
発明の方法ではＣｒなどの遮光材６によるマスクパター
ン形成する。このときのマスクパターンは通常のＣＶＤ
、スパッタなどの方法による成膜後、通常のレジストな
どを使用しエッチング方法により作られる。もしこの段
階でマスクパターンに欠けなどの欠陥が発見されると、
その部分にＣｒを選択的に蒸着することにより容易に欠
陥を修正することができる。続いて、無機質透明膜７の
膜厚を露光光の位相差でπ（１８０°）だけ発生する膜
厚で堆積する（図１の（ａ）参照）。その後表面にネガ
型レジスト８を塗布し（図１の（ｂ）参照）、背面露光
し現像すると遮光材６のマスクパターンがない所にレジ
ストパターン９が残る（図１の（ｂ）参照）。そして、
レジストパターン９をマスクとして無機質透明膜７をエ
ッチングにより選択的に除去して位相シフタ部１０を完
成する（図１の（ｄ））。この方法ではシフタ部１０に
欠陥が検出された場合、そのものについてのみ図１（ａ
）〜（ｄ）に示される方法によりシフタ部１０を形成す
る捕修方法を行うことができる。また、シフタ部１０の
全体を作り直すのではなく、欠け等の欠陥部分にＣｒを
盛ることによってもパタンの修正をすることができる。
【０００８】位相シフタ部の修正法の一例を図２に示す
。同図中１０は欠陥部１０ａを有した位相シフトパター
ン、１１は必要において用いられるエッチング停止層で
ある。位相シフタ部１０に欠陥１０ａ（図２の（ａ）参
照）が発生した場合、その欠陥修正の方法として、ポジ
型レジスト１２を塗布し、欠陥１０ａがある位相シフタ
１０を含む領域を選択的に背面露光し（図２の（ａ）参
照）、露光されずに残ったレジストからなるマスク１２
ａ（図２の（ｂ）参照）を用いて特定の位相シフタ部１
０を選択的に除去し、上記のマスク１２ａを除去するこ
とによるリフトオフによって無機透明膜７を選択的に堆
積し、次にネガレジスト９を被着し、図１の（ｂ）、（
ｃ）、（ｄ）と同様に背面露光、レジストパターン形成
、無機透明膜７のエッチングを行うことができる。なお
、１１は必要において用いれられるエッチング停止層で
ある。図３には図１の（ｄ）の光学マスクを透過した光
の振幅を実線で示す。点線は位相シフタ部１０がない場
合の光の振幅を示す。
。同図中１０は欠陥部１０ａを有した位相シフトパター
ン、１１は必要において用いられるエッチング停止層で
ある。位相シフタ部１０に欠陥１０ａ（図２の（ａ）参
照）が発生した場合、その欠陥修正の方法として、ポジ
型レジスト１２を塗布し、欠陥１０ａがある位相シフタ
１０を含む領域を選択的に背面露光し（図２の（ａ）参
照）、露光されずに残ったレジストからなるマスク１２
ａ（図２の（ｂ）参照）を用いて特定の位相シフタ部１
０を選択的に除去し、上記のマスク１２ａを除去するこ
とによるリフトオフによって無機透明膜７を選択的に堆
積し、次にネガレジスト９を被着し、図１の（ｂ）、（
ｃ）、（ｄ）と同様に背面露光、レジストパターン形成
、無機透明膜７のエッチングを行うことができる。なお
、１１は必要において用いれられるエッチング停止層で
ある。図３には図１の（ｄ）の光学マスクを透過した光
の振幅を実線で示す。点線は位相シフタ部１０がない場
合の光の振幅を示す。
【０００９】
【作用】請求項１に係る発明によると、遮光膜６のパタ
ーンは位相シフタ部（図１参照）を形成する前に完成し
ている。したがって遮光膜６をサイドエッチングにより
形成する必要がなくなり、また位相シフタ部１０に欠陥
がある場合はそれのみを修正することができる。又、本
発明によるとネガ型レジスト８を使用しているために背
面露光の際に遮光膜６とレジストのマスクとの位置合わ
せが不必要になる。位相シフタ部に欠陥があった場合請
求項１の方法を繰り返すと容易に欠陥の修正が可能にな
る（請求項２）。
ーンは位相シフタ部（図１参照）を形成する前に完成し
ている。したがって遮光膜６をサイドエッチングにより
形成する必要がなくなり、また位相シフタ部１０に欠陥
がある場合はそれのみを修正することができる。又、本
発明によるとネガ型レジスト８を使用しているために背
面露光の際に遮光膜６とレジストのマスクとの位置合わ
せが不必要になる。位相シフタ部に欠陥があった場合請
求項１の方法を繰り返すと容易に欠陥の修正が可能にな
る（請求項２）。
【００１０】
【実施例】図４は、本発明の一実施例構成図である。石
英ガラス基板２０上に、Ｃｒまたは酸化クロム等でマス
クパターン２１を通常通り形成する。その後エッチング
停止層２２としてＳｉＮを〜５００Å堆積し、その上に
シフタ材としてＳｉＯ２ （２３）を４７００Å（λ／
２（ｎ−１），λ（Ｇ線）：４３５８Å，ｎ：１．４６
）の厚さ（図４の（ａ）参照）に堆積する。そしてネガ
型レジスト（図示せず）を塗布し、背面露光する。その
後、ＳｉＯ２ （２３）のみをエッチングで除去し、ネ
ガ型レジストを剥離して、図４の（ｂ）に示す光学マス
クを完成する。図中、ｍは縮小投影率であり、ｍ＝５と
し、Ｇ線露光をすることによりマスクパターン２１の窓
の寸法が１．１μｍ、位相シフタ部１０の寸法が０．７
μｍ、位相シフタ部１０とマスクパターン２１の間隔が
０．２μｍの光学マスクが作られる。
英ガラス基板２０上に、Ｃｒまたは酸化クロム等でマス
クパターン２１を通常通り形成する。その後エッチング
停止層２２としてＳｉＮを〜５００Å堆積し、その上に
シフタ材としてＳｉＯ２ （２３）を４７００Å（λ／
２（ｎ−１），λ（Ｇ線）：４３５８Å，ｎ：１．４６
）の厚さ（図４の（ａ）参照）に堆積する。そしてネガ
型レジスト（図示せず）を塗布し、背面露光する。その
後、ＳｉＯ２ （２３）のみをエッチングで除去し、ネ
ガ型レジストを剥離して、図４の（ｂ）に示す光学マス
クを完成する。図中、ｍは縮小投影率であり、ｍ＝５と
し、Ｇ線露光をすることによりマスクパターン２１の窓
の寸法が１．１μｍ、位相シフタ部１０の寸法が０．７
μｍ、位相シフタ部１０とマスクパターン２１の間隔が
０．２μｍの光学マスクが作られる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は位相シフタ部
の欠陥修正可能な位相シフトマスクの製造方法であるた
め、無欠陥なマスクを製造できる。また本発明の方法は
遮光材のサイドエッチを行わないので、そのパターンを
高精度に作ることができる。
の欠陥修正可能な位相シフトマスクの製造方法であるた
め、無欠陥なマスクを製造できる。また本発明の方法は
遮光材のサイドエッチを行わないので、そのパターンを
高精度に作ることができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】欠陥修正方法の説明図である。
【図３】図１の光学マスクを透過する光の振幅を示す図
である。
である。
【図４】実施例の説明図である。
【図５】位相シフト露光法の説明図である。
【図６】従来の光学マスク製造法の説明図である。
１ マスク基板
６ Ｃｒ遮光膜
７ 透明膜
８ ネガ型レジスト
９ レジストパターン
１０ 位相シフタ部
Claims (2)
- 【請求項１】 マスク基板上に選択的に開口部を有す
る遮光材のパターンを形成し、さらに一種類以上の透過
膜をマスク基板上に全面堆積し、前記透過膜上にネガ型
レジストを塗布し、マスク基板の裏面より露光して前記
ネガレジストを感光させ、現像し、その後該開口部に対
応して残存するネガレジストをマスクとして前記透過膜
のエッチングを行い、位相シフタ部を形成することを特
徴とする光学マスクの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法により形成された複数
の位相シフタ部につき欠陥の検出を行い、欠陥が発見さ
れた場合には、マスク基板上に欠陥を有する位相シフタ
部を選択的に露出するようにマスク層を形成し、該マス
ク層をマスクとして欠陥がある位相シフタ部を除去し、
次いで、全面に新たな透過膜を形成したのちリフトオフ
法により除去された位相シフタ部を含む領域に新たな透
過膜を形成し、引き続き請求項１のネガ型レジスト塗布
工程を再度行うことを特徴とする光学マスクの欠陥修正
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037657A JPH04276752A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037657A JPH04276752A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276752A true JPH04276752A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12503715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3037657A Withdrawn JPH04276752A (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 光学マスクの製造方法及びその欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04276752A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4447264A1 (de) * | 1993-12-31 | 1995-07-06 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske |
| KR20110048396A (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 하프톤 마스크의 리페어방법 |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3037657A patent/JPH04276752A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4447264A1 (de) * | 1993-12-31 | 1995-07-06 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske |
| DE4447264B4 (de) * | 1993-12-31 | 2005-09-01 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske |
| KR20110048396A (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 하프톤 마스크의 리페어방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |