JPH04278718A - 低電力プッシュプル・ドライバ回路 - Google Patents
低電力プッシュプル・ドライバ回路Info
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- JPH04278718A JPH04278718A JP3271255A JP27125591A JPH04278718A JP H04278718 A JPH04278718 A JP H04278718A JP 3271255 A JP3271255 A JP 3271255A JP 27125591 A JP27125591 A JP 27125591A JP H04278718 A JPH04278718 A JP H04278718A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/001—Arrangements for reducing power consumption in bipolar transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0422—Anti-saturation measures
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、論理回路からの出力電
気信号を、該論理回路を有するチップ上の他の回路に結
合するためのドライバ回路に関する。前記ドライバ回路
は、大きな配線容量を持つ電気導体の環境を通して論理
信号をドライブする充分な能力を有する。また本発明は
、とくに、チップの冷却能力を越えずに、半導体チップ
上に回路をさらに密に配置できるように、平均電力損失
を最小化するためのプッシュプル・ドライバに関するも
のである。
気信号を、該論理回路を有するチップ上の他の回路に結
合するためのドライバ回路に関する。前記ドライバ回路
は、大きな配線容量を持つ電気導体の環境を通して論理
信号をドライブする充分な能力を有する。また本発明は
、とくに、チップの冷却能力を越えずに、半導体チップ
上に回路をさらに密に配置できるように、平均電力損失
を最小化するためのプッシュプル・ドライバに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】論理回路の大きな配列を用いるコンピュ
ータ・システムや他のシステムの構成において、半導体
チップの上に密配列に回路を構成するのが利点が多いこ
とがわかっている。密配列は一つのチップにより多くの
機能が存することを可能にし、データ処理や制御システ
ムを含むシステムやコンピュータの設計を容易にする。 また、部品の密配列は、チップの回路の中を伝わる信号
の伝播時間を少なくし、システムの動作を速める。
ータ・システムや他のシステムの構成において、半導体
チップの上に密配列に回路を構成するのが利点が多いこ
とがわかっている。密配列は一つのチップにより多くの
機能が存することを可能にし、データ処理や制御システ
ムを含むシステムやコンピュータの設計を容易にする。 また、部品の密配列は、チップの回路の中を伝わる信号
の伝播時間を少なくし、システムの動作を速める。
【0003】チップ上のさまざまな回路を相互に接続す
る電気的導体は、チップ上の論理回路の出力端子に静電
容量を与える。回路の中で信号を速く伝えるためには、
回路間配線によって生ずる容量を充電するのに充分なほ
ど前記論理回路の電力出力をブーストするためにドライ
バ回路を該論理回路の出力端子において使用するのが常
である。回路間配線に大量の電流を加えることで、前記
ドライバ回路は、回路間配線の容量効果を克服すること
ができ、回路間の信号の速い伝達を可能にする。
る電気的導体は、チップ上の論理回路の出力端子に静電
容量を与える。回路の中で信号を速く伝えるためには、
回路間配線によって生ずる容量を充電するのに充分なほ
ど前記論理回路の電力出力をブーストするためにドライ
バ回路を該論理回路の出力端子において使用するのが常
である。回路間配線に大量の電流を加えることで、前記
ドライバ回路は、回路間配線の容量効果を克服すること
ができ、回路間の信号の速い伝達を可能にする。
【0004】コンピュータ・チップ上に用いられる回路
形態の例として、カスコード電流スイッチは、論理回路
の通常の形態であり、エミッタ・フォロワはドライバ回
路の通常の形態である。典型的には、エミッタ・フォロ
ワは、カスコード回路と共に働いて、該カスコード回路
の出力信号を、チップ上の他の回路に与える。エミッタ
・フォロワ回路は、例として、バイポーラ・トランジス
タと、該バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子に接
続された抵抗器を含む。論理信号の一部の間、前記トラ
ンジスタは、前記抵抗器を通して、該抵抗器の両端に電
圧降下を生み出すために電流をドライブする伝導モード
に置かれる。電圧降下は、他の回路に加えられる出力信
号を表す。これは、ときにプルアップ電圧と称され、比
較的速く発生する。さらなる論理信号の一部の間、前記
トランジスタは電流と前記抵抗器の両端の電圧がゼロに
まで下がるのを可能にするように、非伝導の状態に置か
れる。これはプルダウン電圧と称される。しかし、前記
出力信号のプルダウン電圧段の間、前記電圧降下は、前
記配線容量と該配線容量を放電する前記抵抗器の抵抗値
に基づいた速さで発生する。このように、前記プルダウ
ン電圧は、前記抵抗が容量の速い放電のために充分に小
さくないかぎり、比較的ゆっくり発生する。
形態の例として、カスコード電流スイッチは、論理回路
の通常の形態であり、エミッタ・フォロワはドライバ回
路の通常の形態である。典型的には、エミッタ・フォロ
ワは、カスコード回路と共に働いて、該カスコード回路
の出力信号を、チップ上の他の回路に与える。エミッタ
・フォロワ回路は、例として、バイポーラ・トランジス
タと、該バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子に接
続された抵抗器を含む。論理信号の一部の間、前記トラ
ンジスタは、前記抵抗器を通して、該抵抗器の両端に電
圧降下を生み出すために電流をドライブする伝導モード
に置かれる。電圧降下は、他の回路に加えられる出力信
号を表す。これは、ときにプルアップ電圧と称され、比
較的速く発生する。さらなる論理信号の一部の間、前記
トランジスタは電流と前記抵抗器の両端の電圧がゼロに
まで下がるのを可能にするように、非伝導の状態に置か
れる。これはプルダウン電圧と称される。しかし、前記
出力信号のプルダウン電圧段の間、前記電圧降下は、前
記配線容量と該配線容量を放電する前記抵抗器の抵抗値
に基づいた速さで発生する。このように、前記プルダウ
ン電圧は、前記抵抗が容量の速い放電のために充分に小
さくないかぎり、比較的ゆっくり発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】小さなエミッタ抵抗の
使用には問題が一つ生じる。小さな抵抗値は大量の電流
を取り出し、その結果、大量の電力の損失が生じるから
である。大量の電力の損失の結果、前記エミッタ・フォ
ロワ・ドライバ回路の使用は、回路チップの動作におい
て非効率的になり、チップの温度を安全な作動温度に維
持する冷却器の負担が増えることになる。とくに、前記
エミッタ・フォロワ回路の大きな電力消費は、チップ動
作時における過度な温度上昇のゆえに、一つのチップの
上に構成される回路の密度を制限することに注目すべき
である。この問題に対する一つの解決方法は、参考とし
て引用される、Danskyに付与された米国特許第4
、605、870号に開示されたプッシュプル・ドライ
バの使用である。本発明は、その特許で開示された回路
の改良である。
使用には問題が一つ生じる。小さな抵抗値は大量の電流
を取り出し、その結果、大量の電力の損失が生じるから
である。大量の電力の損失の結果、前記エミッタ・フォ
ロワ・ドライバ回路の使用は、回路チップの動作におい
て非効率的になり、チップの温度を安全な作動温度に維
持する冷却器の負担が増えることになる。とくに、前記
エミッタ・フォロワ回路の大きな電力消費は、チップ動
作時における過度な温度上昇のゆえに、一つのチップの
上に構成される回路の密度を制限することに注目すべき
である。この問題に対する一つの解決方法は、参考とし
て引用される、Danskyに付与された米国特許第4
、605、870号に開示されたプッシュプル・ドライ
バの使用である。本発明は、その特許で開示された回路
の改良である。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の問題は、カスコー
ド電流スイッチ論理回路の出力端子に与えられるような
、相補的な二つの入力信号に作用するプッシュプル・ド
ライバ回路によって、解決され、他の利点も得られるの
である。このドライバ回路は、カスコード回路の第一の
出力端子に接続されたベース端子と、通常のエミッタ・
フォロワ回路の構成におけるエミッタ抵抗器の代役とな
る第二のバイポーラ・トランジスタに接続されるエミッ
タ端子を有する第一のバイポーラ・トランジスタを有す
る。電流をパスするための前記第一のトランジスタの活
動化の間、これはプルアップ段であるが、前記第二のト
ランジスタは負荷を通った前記第一のトランジスタから
の電流が与える電圧降下を発現させる静止状態にある。 前記第一のトランジスタにおける電流を止めるための前
記第一のトランジスタの非活動化の間、前記第二のトラ
ンジスタの両端の電圧降下は減少する。これはプルダウ
ン段である。前記第二のトランジスタのコレクタ端子に
おける電圧は、ドライバ回路の出力信号として役立つ。
ド電流スイッチ論理回路の出力端子に与えられるような
、相補的な二つの入力信号に作用するプッシュプル・ド
ライバ回路によって、解決され、他の利点も得られるの
である。このドライバ回路は、カスコード回路の第一の
出力端子に接続されたベース端子と、通常のエミッタ・
フォロワ回路の構成におけるエミッタ抵抗器の代役とな
る第二のバイポーラ・トランジスタに接続されるエミッ
タ端子を有する第一のバイポーラ・トランジスタを有す
る。電流をパスするための前記第一のトランジスタの活
動化の間、これはプルアップ段であるが、前記第二のト
ランジスタは負荷を通った前記第一のトランジスタから
の電流が与える電圧降下を発現させる静止状態にある。 前記第一のトランジスタにおける電流を止めるための前
記第一のトランジスタの非活動化の間、前記第二のトラ
ンジスタの両端の電圧降下は減少する。これはプルダウ
ン段である。前記第二のトランジスタのコレクタ端子に
おける電圧は、ドライバ回路の出力信号として役立つ。
【0007】本発明の特徴によると、前記プルダウン段
の間、前記第二のトランジスタは、第二のトランジスタ
の両端の電圧降下の速い減少のために電流を瞬間的に通
すために活動化される。前記プルダウン段の間の、前記
第二のトランジスタにおける電流は、ドライバ回路の出
力端子に接続された配線が生ずる容量を急速に放電する
のに十分な電力を供給する。その配線は典型的には、半
導体回路チップの回路間配線である。このように、本発
明のドライバ回路は、プルアップ段およびプルダウン段
の間、出力電圧の状態における速い遷移をもたらすので
ある。
の間、前記第二のトランジスタは、第二のトランジスタ
の両端の電圧降下の速い減少のために電流を瞬間的に通
すために活動化される。前記プルダウン段の間の、前記
第二のトランジスタにおける電流は、ドライバ回路の出
力端子に接続された配線が生ずる容量を急速に放電する
のに十分な電力を供給する。その配線は典型的には、半
導体回路チップの回路間配線である。このように、本発
明のドライバ回路は、プルアップ段およびプルダウン段
の間、出力電圧の状態における速い遷移をもたらすので
ある。
【0008】本発明の特徴は、前記ドライバ回路の二つ
の出力論理状態、すなわち低電圧状態および高電圧状態
が、前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジ
スタにおける最小の静止電流のみによって維持できるよ
うにすることである。前記第一のトランジスタにおける
高電圧は、プルアップ段の発端における論理信号のリー
ディング・エッジ区間の際にのみ発生する。前記第二の
トランジスタにおける高電流は、プルダウン段の発端に
おける論理信号のリーディング・エッジ区間の際にのみ
発生する。その結果、エミッタ・フォロワに比較して、
前記ドライバ回路が損失する電力が著しく減少する。
の出力論理状態、すなわち低電圧状態および高電圧状態
が、前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジ
スタにおける最小の静止電流のみによって維持できるよ
うにすることである。前記第一のトランジスタにおける
高電圧は、プルアップ段の発端における論理信号のリー
ディング・エッジ区間の際にのみ発生する。前記第二の
トランジスタにおける高電流は、プルダウン段の発端に
おける論理信号のリーディング・エッジ区間の際にのみ
発生する。その結果、エミッタ・フォロワに比較して、
前記ドライバ回路が損失する電力が著しく減少する。
【0009】本発明のさらなる特徴によると、前記第二
のトランジスタによる速い応答を確保するために、前記
第二のトランジスタを飽和状態に置くことを避けること
が重要である。これは、ドライバ回路に、前記第二のト
ランジスタを活動化する活動化回路を構成するための、
第三のトランジスタ、第四のトランジスタ、第五のトラ
ンジスタ、及び3つの抵抗器の組合わせを付与すること
で達成できる。活動化回路は、前記カスコード回路の第
二の出力端子によって駆動され、前記カスコード回路の
前記第二の出力端子からの信号のリーディング・エッジ
に応答して、前記第二のトランジスタにおける電流を瞬
間的に活動化する。第三のトランジスタは、前記信号の
リーディング・エッジ区間の際にのみ、前記カスコード
回路の第二の出力端子からの信号を結合するために、前
記トランジスタのベース−コレクタ接合の容量を強調す
るようにバイアスをかけられる。それ以外の時には、前
記第三のトランジスタは、前記第二のトランジスタへの
信号の伝送に関しては本質的に休止状態とみなせる。前
記第二のトランジスタは、該第二のトランジスタが活動
化されたとき、二つの抵抗器によって形成されるベース
電流供給によって静止電流状態に維持される。前記第二
のトランジスタが非活動化されると、三つの前記抵抗器
および前記第三のトランジスタによって構成する電流ミ
ラーによって、前記第二のトランジスタにおいて、小さ
な静止電流が維持される。この準備状態によって、次の
プルダウン信号における速いターンオンを確保できるの
である。
のトランジスタによる速い応答を確保するために、前記
第二のトランジスタを飽和状態に置くことを避けること
が重要である。これは、ドライバ回路に、前記第二のト
ランジスタを活動化する活動化回路を構成するための、
第三のトランジスタ、第四のトランジスタ、第五のトラ
ンジスタ、及び3つの抵抗器の組合わせを付与すること
で達成できる。活動化回路は、前記カスコード回路の第
二の出力端子によって駆動され、前記カスコード回路の
前記第二の出力端子からの信号のリーディング・エッジ
に応答して、前記第二のトランジスタにおける電流を瞬
間的に活動化する。第三のトランジスタは、前記信号の
リーディング・エッジ区間の際にのみ、前記カスコード
回路の第二の出力端子からの信号を結合するために、前
記トランジスタのベース−コレクタ接合の容量を強調す
るようにバイアスをかけられる。それ以外の時には、前
記第三のトランジスタは、前記第二のトランジスタへの
信号の伝送に関しては本質的に休止状態とみなせる。前
記第二のトランジスタは、該第二のトランジスタが活動
化されたとき、二つの抵抗器によって形成されるベース
電流供給によって静止電流状態に維持される。前記第二
のトランジスタが非活動化されると、三つの前記抵抗器
および前記第三のトランジスタによって構成する電流ミ
ラーによって、前記第二のトランジスタにおいて、小さ
な静止電流が維持される。この準備状態によって、次の
プルダウン信号における速いターンオンを確保できるの
である。
【0010】前記第四のトランジスタは、前記第三のト
ランジスタの容量を介した前記ベース端子への信号の伝
達の間、前記第二のトランジスタへの過剰なベースドラ
イブの進展を防止するために、前記第二のトランジスタ
のベース−コレクタ端子の間に、前記第二のトランジス
タにおける電流とは反対方向に、接続される。前記第四
のトランジスタは、前記電流フィードの二つの抵抗器に
よってバイアスをかけられる。前記第五のトランジスタ
および三番目の抵抗器は、エミッタ・フォロワの方式で
、前記カスコード回路の前記第二の出力端子の信号を結
合するように、前記第三のトランジスタに接続される。 前記第五のトランジスタは、前記プルダウン段の発端に
おいて、前記第二のトランジスタを活動化するために、
前記第三のトランジスタの容量を介して、比較的高い電
力を供給するように動作するのである。
ランジスタの容量を介した前記ベース端子への信号の伝
達の間、前記第二のトランジスタへの過剰なベースドラ
イブの進展を防止するために、前記第二のトランジスタ
のベース−コレクタ端子の間に、前記第二のトランジス
タにおける電流とは反対方向に、接続される。前記第四
のトランジスタは、前記電流フィードの二つの抵抗器に
よってバイアスをかけられる。前記第五のトランジスタ
および三番目の抵抗器は、エミッタ・フォロワの方式で
、前記カスコード回路の前記第二の出力端子の信号を結
合するように、前記第三のトランジスタに接続される。 前記第五のトランジスタは、前記プルダウン段の発端に
おいて、前記第二のトランジスタを活動化するために、
前記第三のトランジスタの容量を介して、比較的高い電
力を供給するように動作するのである。
【0011】
【実施例】図1は、半導体回路チップの構成に用いられ
る電気的伝導材料および半導体材料で作られた層12(
図では簡略のため2つの層のみ示した)からなる回路チ
ップ10の一部分を示したものである。例として、チッ
プ10がコンピュータの一部と仮定すると、チップ10
は、ドライバ回路16を論理回路18に接続する電気的
に伝導性のある金属片、あるいはリード線20を介して
複数の論理回路18に広げるため、ドライバ回路16を
介して出力信号を出すカスコード電流スイッチ回路14
などの、論理回路の相互接続を含んでいる。層12にお
けるリード線20と金属材料の間の容量を含む論理回路
18及びリード線20は、ドライバ回路16が駆動する
負荷22を構成する。負荷22の容量部は、ドライバ回
路16から論理回路18への論理信号の速い伝送を可能
にするため、カスコード回路14が出力する論理信号の
正負の遷移の間、負荷22の容量部に充電するように前
記ドライバからの十分な電力を必要とする。
る電気的伝導材料および半導体材料で作られた層12(
図では簡略のため2つの層のみ示した)からなる回路チ
ップ10の一部分を示したものである。例として、チッ
プ10がコンピュータの一部と仮定すると、チップ10
は、ドライバ回路16を論理回路18に接続する電気的
に伝導性のある金属片、あるいはリード線20を介して
複数の論理回路18に広げるため、ドライバ回路16を
介して出力信号を出すカスコード電流スイッチ回路14
などの、論理回路の相互接続を含んでいる。層12にお
けるリード線20と金属材料の間の容量を含む論理回路
18及びリード線20は、ドライバ回路16が駆動する
負荷22を構成する。負荷22の容量部は、ドライバ回
路16から論理回路18への論理信号の速い伝送を可能
にするため、カスコード回路14が出力する論理信号の
正負の遷移の間、負荷22の容量部に充電するように前
記ドライバからの十分な電力を必要とする。
【0012】本発明によれば、ドライバ回路16は、該
ドライバ回路16における平均電力損失を減らす一方、
カスコード回路14から負荷22への論理信号の速い伝
送を実現する。ドライバ回路16は、線24および26
を介して、カスコード回路14が供給する1対の相補的
入力論理信号によって、動作し、該1対の相補的入力論
理信号は、ドライバ回路16が論理信号における正負の
遷移のどちらにおいても、負荷22をドライブするため
のプッシュプル機能に電流を送ることを可能にする。こ
れについては、さらに図2で詳細に説明する。
ドライバ回路16における平均電力損失を減らす一方、
カスコード回路14から負荷22への論理信号の速い伝
送を実現する。ドライバ回路16は、線24および26
を介して、カスコード回路14が供給する1対の相補的
入力論理信号によって、動作し、該1対の相補的入力論
理信号は、ドライバ回路16が論理信号における正負の
遷移のどちらにおいても、負荷22をドライブするため
のプッシュプル機能に電流を送ることを可能にする。こ
れについては、さらに図2で詳細に説明する。
【0013】図2は、カスコード回路14の、ドライバ
回路16を介した負荷22への接続を示し、カスコード
回路14およびドライバ回路16の構成の詳細も示して
いる。カスコード回路14は、ドライバ回路16の作動
に適した1対の相補的出力信号を供給する論理回路の例
として示した。カスコード回路14は、抵抗器32によ
って接地34に接続するエミッタ端子30を持つパイボ
ーラ・トランジスタ28が供給する共通の電流源から広
がる複数の分岐を持った樹状に構成されている。よく知
られたバイアス電圧回路36は、カスコード回路14に
電流をドライブするために前記トランジスタを活動化す
るように該トランジスタ28のベース端子38にDCバ
イアスをかける。トランジスタ28のコレクタ端子40
は、カスコード回路14の二つの分岐に接続し、該二つ
の分岐は、バイポーラ・トランジスタ42および44に
よって表される。トランジスタ42の分岐は、左分岐と
右分岐に別れる。左分岐は、バイポーラ・トランジスタ
46および48、抵抗器50および52から構成される
。右分岐はバイボーラ・トランジスタ54および56、
抵抗器58および60から構成される。トランジスタ4
4を有する分岐のさらなる構成については、トランジス
タ42を有する分岐と同じ形態を持ち、点線46によっ
て例示的に示す。二つの入力端子62および64は、ト
ランジスタ42によって表されるカスコード回路14の
分岐に供給され、入力端子62は、トランジスタ42の
ベース端子に接続され、入力端子64は、トランジスタ
46のベース端子に接続される。
回路16を介した負荷22への接続を示し、カスコード
回路14およびドライバ回路16の構成の詳細も示して
いる。カスコード回路14は、ドライバ回路16の作動
に適した1対の相補的出力信号を供給する論理回路の例
として示した。カスコード回路14は、抵抗器32によ
って接地34に接続するエミッタ端子30を持つパイボ
ーラ・トランジスタ28が供給する共通の電流源から広
がる複数の分岐を持った樹状に構成されている。よく知
られたバイアス電圧回路36は、カスコード回路14に
電流をドライブするために前記トランジスタを活動化す
るように該トランジスタ28のベース端子38にDCバ
イアスをかける。トランジスタ28のコレクタ端子40
は、カスコード回路14の二つの分岐に接続し、該二つ
の分岐は、バイポーラ・トランジスタ42および44に
よって表される。トランジスタ42の分岐は、左分岐と
右分岐に別れる。左分岐は、バイポーラ・トランジスタ
46および48、抵抗器50および52から構成される
。右分岐はバイボーラ・トランジスタ54および56、
抵抗器58および60から構成される。トランジスタ4
4を有する分岐のさらなる構成については、トランジス
タ42を有する分岐と同じ形態を持ち、点線46によっ
て例示的に示す。二つの入力端子62および64は、ト
ランジスタ42によって表されるカスコード回路14の
分岐に供給され、入力端子62は、トランジスタ42の
ベース端子に接続され、入力端子64は、トランジスタ
46のベース端子に接続される。
【0014】動作時においては、トランジスタ28、4
2、44、46、54、48、56はNPN型である。 抵抗器50および52は、正電圧Vccのソース68と
、トランジスタ48のエミッタ端子とトランジスタ46
のコレクタ端子の間にある分岐点70との間に直列に接
続する。抵抗器50および52は、カスコード回路14
のその分岐の伝導の間、トランジスタ48における前記
静止動作電流を確立するため、トランジスタ48にベー
ス電流を送るように、トランジスタ48のベース端子に
接続される抵抗器50および52の分岐点を有する分圧
バイアス回路を構成する。同様に、抵抗器58および6
0は、ソース68と、トランジスタ56のエミッタ端子
とトランジスタ54のコレクタ端子の間にある分岐点7
2との間に直列に接続する。抵抗器58および60は、
カスコード回路14のその分岐の伝導の間、トランジス
タ56における前記静止動作電流を確立するためトラン
ジスタ56にベース電流を送るように、トランジスタ5
6のベース端子に接続される抵抗器58および60の分
岐点を有する分圧バイアス回路を構成する。
2、44、46、54、48、56はNPN型である。 抵抗器50および52は、正電圧Vccのソース68と
、トランジスタ48のエミッタ端子とトランジスタ46
のコレクタ端子の間にある分岐点70との間に直列に接
続する。抵抗器50および52は、カスコード回路14
のその分岐の伝導の間、トランジスタ48における前記
静止動作電流を確立するため、トランジスタ48にベー
ス電流を送るように、トランジスタ48のベース端子に
接続される抵抗器50および52の分岐点を有する分圧
バイアス回路を構成する。同様に、抵抗器58および6
0は、ソース68と、トランジスタ56のエミッタ端子
とトランジスタ54のコレクタ端子の間にある分岐点7
2との間に直列に接続する。抵抗器58および60は、
カスコード回路14のその分岐の伝導の間、トランジス
タ56における前記静止動作電流を確立するためトラン
ジスタ56にベース電流を送るように、トランジスタ5
6のベース端子に接続される抵抗器58および60の分
岐点を有する分圧バイアス回路を構成する。
【0015】カスコード回路14を通して電流を通すた
めのトランジスタ28の活動化と同時に、前記電流は、
それぞれの分岐のゲート信号即ち論理信号の存在するか
否かに基づいて、トランジスタ42の分岐、あるいはト
ランジスタ44の分岐のどちらかを通る。入力端子62
に加えられる電圧が高く、トランジスタ44のベース端
子に、バイアス回路(図示せず)からの電圧の名目値が
供給されると仮定すると、トランジスタ28からのすべ
ての電流はトランジスタ42に流れる。さらに、入力端
子64に加えられる電圧が低く、トランジスタ54のベ
ース端子に、バイアス回路(図示せず)からの電圧の名
目値が供給されると仮定すると、トランジスタ28から
のすべての電流はトランジスタ54およびトランジスタ
56に流れる。カスコード回路14の出力線24と26
はそれぞれ分岐点70と72に接続する。論理0信号を
あらわす端子64における低電圧は、線24で高電圧を
、線26で低電圧を生み出す。論理1信号をあらわす端
子64における高電圧は線24で低電圧を、線26で高
電圧を生み出す。
めのトランジスタ28の活動化と同時に、前記電流は、
それぞれの分岐のゲート信号即ち論理信号の存在するか
否かに基づいて、トランジスタ42の分岐、あるいはト
ランジスタ44の分岐のどちらかを通る。入力端子62
に加えられる電圧が高く、トランジスタ44のベース端
子に、バイアス回路(図示せず)からの電圧の名目値が
供給されると仮定すると、トランジスタ28からのすべ
ての電流はトランジスタ42に流れる。さらに、入力端
子64に加えられる電圧が低く、トランジスタ54のベ
ース端子に、バイアス回路(図示せず)からの電圧の名
目値が供給されると仮定すると、トランジスタ28から
のすべての電流はトランジスタ54およびトランジスタ
56に流れる。カスコード回路14の出力線24と26
はそれぞれ分岐点70と72に接続する。論理0信号を
あらわす端子64における低電圧は、線24で高電圧を
、線26で低電圧を生み出す。論理1信号をあらわす端
子64における高電圧は線24で低電圧を、線26で高
電圧を生み出す。
【0016】本発明によると、ドライバ回路16の望ま
しい実施例は、五つのNPNバイポーラ・トランジスタ
74、76、78、80、82と、三つの抵抗器84、
86、88から構成される。カスコード回路14の出力
信号を受け取るために、トランジスタ74のベース端子
は、線24に接続し、トランジスタ82のベース端子は
線26に接続する。トランジスタ74および76は、ソ
ース68と正の電圧Vtの第二ソース66の間に直列に
接続し、トランジスタ74のエミッタ端子は、分岐点9
0を介して、トランジスタ76のコレクタ端子に接続す
る。ソース66における電圧Vtはソース68における
電圧Vccよりも小さい。トランジスタ74のコレクタ
端子は、ソース68と接続し、トランジスタ76のエミ
ッタ端子はソース66と接続する。分岐点90はドライ
バ回路16の出力端子として働き、負荷22と接続する
。トランジスタ76はトランジスタ74の負荷として機
能する。分岐点90と接地34の間の電圧降下は、ドラ
イバ回路16の出力電圧として役立つ。
しい実施例は、五つのNPNバイポーラ・トランジスタ
74、76、78、80、82と、三つの抵抗器84、
86、88から構成される。カスコード回路14の出力
信号を受け取るために、トランジスタ74のベース端子
は、線24に接続し、トランジスタ82のベース端子は
線26に接続する。トランジスタ74および76は、ソ
ース68と正の電圧Vtの第二ソース66の間に直列に
接続し、トランジスタ74のエミッタ端子は、分岐点9
0を介して、トランジスタ76のコレクタ端子に接続す
る。ソース66における電圧Vtはソース68における
電圧Vccよりも小さい。トランジスタ74のコレクタ
端子は、ソース68と接続し、トランジスタ76のエミ
ッタ端子はソース66と接続する。分岐点90はドライ
バ回路16の出力端子として働き、負荷22と接続する
。トランジスタ76はトランジスタ74の負荷として機
能する。分岐点90と接地34の間の電圧降下は、ドラ
イバ回路16の出力電圧として役立つ。
【0017】トランジスタ82および抵抗器88は、ソ
ース68とソース66の間に直列に接続し、前記トラン
ジスタのコレクタ端子はソース68に接続し、抵抗器8
8はトランジスタ82のエミッタ端子とソース66の間
を接続する。トランジスタ78は、分岐点92において
、トランジスタ82と76の間に接続し、トランジスタ
78のコレクタ端子は、分岐点92において、トランジ
スタ82のエミッタ端子と接続する。トランジスタ78
のエミッタ端子とベース端子は、分岐点94において、
トランジスタ76のベース端子と接続する。トランジス
タ80は、トランジスタ76のベース端子とコレクタ端
子の間に接続し、トランジスタ80のコレクタ端子は、
分岐点94において、トランジスタ76のベース端子と
接続し、トランジスタ80のエミッタ端子は、分岐点9
0において、トランジスタ76のコレクタ端子と接続す
る。トランジスタ74のベース端子に高電圧を加えるこ
とによって、電流を誘起するために、トランジスタ74
を活動化すると同時に、トランジスタ82は、線24と
26上の論理信号の相補的関係のために、そのベース端
子に対して低電圧を加えられることによって、そこにお
ける電流を止めるように非活動化される。トランジスタ
82の活動化は、抵抗器88に電流を生み出し、抵抗器
88の両端で比較的高い電圧降下が生じる。トランジス
タ82の非活動化は、トランジスタ82における電流を
止め、抵抗器88の両端に比較的低い電圧を生ずる。
ース68とソース66の間に直列に接続し、前記トラン
ジスタのコレクタ端子はソース68に接続し、抵抗器8
8はトランジスタ82のエミッタ端子とソース66の間
を接続する。トランジスタ78は、分岐点92において
、トランジスタ82と76の間に接続し、トランジスタ
78のコレクタ端子は、分岐点92において、トランジ
スタ82のエミッタ端子と接続する。トランジスタ78
のエミッタ端子とベース端子は、分岐点94において、
トランジスタ76のベース端子と接続する。トランジス
タ80は、トランジスタ76のベース端子とコレクタ端
子の間に接続し、トランジスタ80のコレクタ端子は、
分岐点94において、トランジスタ76のベース端子と
接続し、トランジスタ80のエミッタ端子は、分岐点9
0において、トランジスタ76のコレクタ端子と接続す
る。トランジスタ74のベース端子に高電圧を加えるこ
とによって、電流を誘起するために、トランジスタ74
を活動化すると同時に、トランジスタ82は、線24と
26上の論理信号の相補的関係のために、そのベース端
子に対して低電圧を加えられることによって、そこにお
ける電流を止めるように非活動化される。トランジスタ
82の活動化は、抵抗器88に電流を生み出し、抵抗器
88の両端で比較的高い電圧降下が生じる。トランジス
タ82の非活動化は、トランジスタ82における電流を
止め、抵抗器88の両端に比較的低い電圧を生ずる。
【0018】抵抗器84および86は、ソース68およ
び、トランジスタ78のエミッタ端子とトランジスタ7
6のベース端子の間にある分岐点94との間に直列に接
続する。これはソース68とソース66の間に3つの抵
抗器84、86、88と、トランジスタ78による直列
回路を作る。この直列回路は、トランジスタ82の非活
動状態の間、トランジスタ78に逆方向のバイアスをか
け、抵抗器84と86の間の分岐点96において、ベー
ス電流をトランジスタ80のベース端子に加えるための
バイアス電圧を供給する。トランジスタ82の非活動状
態の間、分岐点96における電圧は、トランジスタ80
における順方向電流を妨げるように、トランジスタ80
に逆方向のバイアスをかける。トランジスタ82が活動
化状態の間、分岐点90において低下する電圧は、トラ
ンジスタ80に順方向の電流を誘起するために、トラン
ジスタ80に順方向のバイアスをかける。トランジスタ
78の逆方向のバイアスは、トランジスタ78のベース
−コレクタ接合の両端に、順方向のバイアスの際の容量
に比べて、比較的高い容量を誘起する。トランジスタ7
8の逆方向のバイアスによって誘起される前記容量は、
疑似的に容量98によって表される。
び、トランジスタ78のエミッタ端子とトランジスタ7
6のベース端子の間にある分岐点94との間に直列に接
続する。これはソース68とソース66の間に3つの抵
抗器84、86、88と、トランジスタ78による直列
回路を作る。この直列回路は、トランジスタ82の非活
動状態の間、トランジスタ78に逆方向のバイアスをか
け、抵抗器84と86の間の分岐点96において、ベー
ス電流をトランジスタ80のベース端子に加えるための
バイアス電圧を供給する。トランジスタ82の非活動状
態の間、分岐点96における電圧は、トランジスタ80
における順方向電流を妨げるように、トランジスタ80
に逆方向のバイアスをかける。トランジスタ82が活動
化状態の間、分岐点90において低下する電圧は、トラ
ンジスタ80に順方向の電流を誘起するために、トラン
ジスタ80に順方向のバイアスをかける。トランジスタ
78の逆方向のバイアスは、トランジスタ78のベース
−コレクタ接合の両端に、順方向のバイアスの際の容量
に比べて、比較的高い容量を誘起する。トランジスタ7
8の逆方向のバイアスによって誘起される前記容量は、
疑似的に容量98によって表される。
【0019】図3および図4に関して、動作時に、三つ
のグラフA、B、Cはそれぞれ入力ポート64、線24
、線26の波形を示す。図3および図4のグラフの準備
において、2ピコファラドの負荷容量を仮定する。図2
の回路における位置と波形が照応するように、図2の参
照番号をそれぞれのグラフの波形に添付する。図3のグ
ラフAの波形において時間T1における負の遷移が生じ
た時に、グラフBの波形には正の遷移があり、グラフC
の波形には負の遷移がある。必要なら、線24あるいは
線26の波形における正の遷移を前記波形のパルスのリ
ーディング・エッジとみなし、前記波形の負の遷移をト
レーリング・エッジとみなすことができる。これらの遷
移のすぐ後の、時間T2において、以下のような電圧状
態を観察できる。トランジスタ82は、消勢し、分岐点
92は、トランジスタ76の非活動化によって、低電圧
(グラフE)を示す。分岐点92における電圧の指数関
数的減衰が、分岐点92に接続する素子群に関わる浮遊
容量から発生し、電圧の減衰は、トランジスタ82にお
ける電流の停止の際に発生する。分岐点96(グラフG
)および分岐点90(グラフD)は、トランジスタ80
の非活動化のために、ほとんど同じ電圧を示す。トラン
ジスタ74は、プルアップ段であるトランジスタ76を
通る電流を高めるために活動化されており、分岐点90
(グラフD)における高電圧によって明示されるように
、トランジスタ74の両端では電圧降下は減少し、トラ
ンジスタ76の両端では電圧降下は増加する。分岐点9
2および94の間の電圧差は、容量98の両端における
電圧降下であることがわかる。
のグラフA、B、Cはそれぞれ入力ポート64、線24
、線26の波形を示す。図3および図4のグラフの準備
において、2ピコファラドの負荷容量を仮定する。図2
の回路における位置と波形が照応するように、図2の参
照番号をそれぞれのグラフの波形に添付する。図3のグ
ラフAの波形において時間T1における負の遷移が生じ
た時に、グラフBの波形には正の遷移があり、グラフC
の波形には負の遷移がある。必要なら、線24あるいは
線26の波形における正の遷移を前記波形のパルスのリ
ーディング・エッジとみなし、前記波形の負の遷移をト
レーリング・エッジとみなすことができる。これらの遷
移のすぐ後の、時間T2において、以下のような電圧状
態を観察できる。トランジスタ82は、消勢し、分岐点
92は、トランジスタ76の非活動化によって、低電圧
(グラフE)を示す。分岐点92における電圧の指数関
数的減衰が、分岐点92に接続する素子群に関わる浮遊
容量から発生し、電圧の減衰は、トランジスタ82にお
ける電流の停止の際に発生する。分岐点96(グラフG
)および分岐点90(グラフD)は、トランジスタ80
の非活動化のために、ほとんど同じ電圧を示す。トラン
ジスタ74は、プルアップ段であるトランジスタ76を
通る電流を高めるために活動化されており、分岐点90
(グラフD)における高電圧によって明示されるように
、トランジスタ74の両端では電圧降下は減少し、トラ
ンジスタ76の両端では電圧降下は増加する。分岐点9
2および94の間の電圧差は、容量98の両端における
電圧降下であることがわかる。
【0020】サイクルのこの位置において、抵抗器84
、86、88およびトラジスタ78は、トランジスタ7
6における電流を制御する電流ミラーを形成する。トラ
ンジスタ76のベース−エミッタ電圧は、トランジスタ
78のベース−コレクタ電圧に、抵抗器88の両端にお
けるごくわずかな電圧降下を足したものに等しいことが
図2からわかる。電流ミラーにおける電流は、設計によ
って、電力を無駄にせずに、前記76を活動化するのに
十分な限界の電流を維持するように制御される。この特
徴は、次のプルダウン信号で、トランジスタ76を非常
に速くターンオンするという利点を有する。
、86、88およびトラジスタ78は、トランジスタ7
6における電流を制御する電流ミラーを形成する。トラ
ンジスタ76のベース−エミッタ電圧は、トランジスタ
78のベース−コレクタ電圧に、抵抗器88の両端にお
けるごくわずかな電圧降下を足したものに等しいことが
図2からわかる。電流ミラーにおける電流は、設計によ
って、電力を無駄にせずに、前記76を活動化するのに
十分な限界の電流を維持するように制御される。この特
徴は、次のプルダウン信号で、トランジスタ76を非常
に速くターンオンするという利点を有する。
【0021】図4の時間T3において、線24および2
6における電圧の遷移は、トランジスタ74を非活動状
態にし、トランジスタ82を活動化する。これはトラン
ジスタ74の両端の電圧降下を増加させ、トランジスタ
82の両端の電圧降下を減少させる。分岐点92におけ
る電圧の急な増加は、容量98によって、トランジスタ
76のベース端子に伝えられ、結果として、ベース電流
のサージが起こり、それは分岐点90および負荷22に
おいて、電圧を急速にプルダウンするためにトランジス
タ76を活動化する。これはプルダウン段である。容量
98が供給するベース電流は、短いサージの性質を持ち
、このサージは容量98が放電する間だけ持続する。 しかしながら、本発明の特徴によると、前記電流サージ
の持続は、負荷22における電圧をプルダウンするのに
十分であり、入力端子64から負荷22への信号の速い
伝送を可能にするために、負荷22の容量素子から電流
を引き出すのに十分トランジスタをパワー付勢する。
6における電圧の遷移は、トランジスタ74を非活動状
態にし、トランジスタ82を活動化する。これはトラン
ジスタ74の両端の電圧降下を増加させ、トランジスタ
82の両端の電圧降下を減少させる。分岐点92におけ
る電圧の急な増加は、容量98によって、トランジスタ
76のベース端子に伝えられ、結果として、ベース電流
のサージが起こり、それは分岐点90および負荷22に
おいて、電圧を急速にプルダウンするためにトランジス
タ76を活動化する。これはプルダウン段である。容量
98が供給するベース電流は、短いサージの性質を持ち
、このサージは容量98が放電する間だけ持続する。 しかしながら、本発明の特徴によると、前記電流サージ
の持続は、負荷22における電圧をプルダウンするのに
十分であり、入力端子64から負荷22への信号の速い
伝送を可能にするために、負荷22の容量素子から電流
を引き出すのに十分トランジスタをパワー付勢する。
【0022】線24および線26上の電圧の継続的な遷
移のあいだ、トランジスタ76の速い応答を確保するた
めに、トランジスタ76に対してベース電流サージを加
えることによる深い飽和に達することを防止することが
大切である。本発明の一つの特徴によると、容量98に
よるベース電流サージの間、分岐点90において降下す
る電圧は、トランジスタ80が、分岐点94から分岐点
90への過剰な電流を伝導するように活動化し、それに
よって、トランジスタ76の飽和を防止する。飽和防止
の特徴は以下のように働く。時間T3の後、トランジス
タ76が活動化され、分岐点90における電圧を下げる
。その電圧が分岐点96における電圧よりも十分に下が
ったとき、トランジスタ80のベース−エミッタ接合は
、順方向のバイアスになり、トランジスタ80は伝導し
はじめる。トランジスタ76が飽和するのを防止するた
めに、そのベース−コレクタ電圧は、十分に順方向にバ
イアスをかけてターンオンしてはならない。
移のあいだ、トランジスタ76の速い応答を確保するた
めに、トランジスタ76に対してベース電流サージを加
えることによる深い飽和に達することを防止することが
大切である。本発明の一つの特徴によると、容量98に
よるベース電流サージの間、分岐点90において降下す
る電圧は、トランジスタ80が、分岐点94から分岐点
90への過剰な電流を伝導するように活動化し、それに
よって、トランジスタ76の飽和を防止する。飽和防止
の特徴は以下のように働く。時間T3の後、トランジス
タ76が活動化され、分岐点90における電圧を下げる
。その電圧が分岐点96における電圧よりも十分に下が
ったとき、トランジスタ80のベース−エミッタ接合は
、順方向のバイアスになり、トランジスタ80は伝導し
はじめる。トランジスタ76が飽和するのを防止するた
めに、そのベース−コレクタ電圧は、十分に順方向にバ
イアスをかけてターンオンしてはならない。
【0023】分岐点90における電圧が低いとき、トラ
ンジスタ76のベース−コレクタ間の電圧は、トランジ
スタ80のベース−エミッタ接合の順方向の電圧から、
抵抗器86の両端における電圧降下を引いたものに等し
いことが図4からわかる。このように、抵抗器86に対
して適切な抵抗値を選択することによってトランジスタ
76の飽和を防止できる。分岐点90での電圧のさらな
る低下は、トランジスタ80をさらに強くターンオンし
、それによって、分岐点94におけるトランジスタ76
からのベース・ドライブ電流の一部をを除去し、分岐点
90における電圧をその平衡値にまで回復する点におい
て、飽和防止クランプは自己制限的である。
ンジスタ76のベース−コレクタ間の電圧は、トランジ
スタ80のベース−エミッタ接合の順方向の電圧から、
抵抗器86の両端における電圧降下を引いたものに等し
いことが図4からわかる。このように、抵抗器86に対
して適切な抵抗値を選択することによってトランジスタ
76の飽和を防止できる。分岐点90での電圧のさらな
る低下は、トランジスタ80をさらに強くターンオンし
、それによって、分岐点94におけるトランジスタ76
からのベース・ドライブ電流の一部をを除去し、分岐点
90における電圧をその平衡値にまで回復する点におい
て、飽和防止クランプは自己制限的である。
【0024】こうして、本発明は、プルダウン・トラン
ジスタ76の飽和を防止する一方で、プッシュプル動作
を利用することで、論理信号を負荷に伝達するという目
的を果たすことができる。さらに、プルダウン・トラン
ジスタ76は、ドライバー回路16における電力の損失
を最小にするために、入力端子64における入力論理信
号の完全なサイクルの間、本質的に休止状態にあり、ト
ランジスタ76は、入力論理信号のサイクルごとに1回
発生するサージである、容量98の瞬間的な電流サージ
のときにのみ、高い電流と高い電力で能動状態になる。 また、その静止状態の間のプルダウン・トランジスタ7
6による比較的高いインピーダンスのために、プルアッ
プ・トランジスタ74の、平均電流と電力の損失は比較
的小さく、トランジスタ74で、高電力が発生するのは
、分岐点90における出力波形のプルアップ部のリーデ
ィング・エッジにおいてのみである。
ジスタ76の飽和を防止する一方で、プッシュプル動作
を利用することで、論理信号を負荷に伝達するという目
的を果たすことができる。さらに、プルダウン・トラン
ジスタ76は、ドライバー回路16における電力の損失
を最小にするために、入力端子64における入力論理信
号の完全なサイクルの間、本質的に休止状態にあり、ト
ランジスタ76は、入力論理信号のサイクルごとに1回
発生するサージである、容量98の瞬間的な電流サージ
のときにのみ、高い電流と高い電力で能動状態になる。 また、その静止状態の間のプルダウン・トランジスタ7
6による比較的高いインピーダンスのために、プルアッ
プ・トランジスタ74の、平均電流と電力の損失は比較
的小さく、トランジスタ74で、高電力が発生するのは
、分岐点90における出力波形のプルアップ部のリーデ
ィング・エッジにおいてのみである。
【0025】本発明の上記実施例は例示的なものにすぎ
ず、本発明の修正例は当業者にとっては明白に理解でき
るであろう。したがって、本明細書に記載した好ましい
実施例は例示的なものであり限定的なものではない。発
明の範囲は添付の特許請求の範囲によって示されており
、それによってのみ限定されるとみなすべきである。
ず、本発明の修正例は当業者にとっては明白に理解でき
るであろう。したがって、本明細書に記載した好ましい
実施例は例示的なものであり限定的なものではない。発
明の範囲は添付の特許請求の範囲によって示されており
、それによってのみ限定されるとみなすべきである。
【図1】 図1は、本発明のドライバ回路をはじめと
した回路を有する回路チップの一部を例示的に示した様
式図である。
した回路を有する回路チップの一部を例示的に示した様
式図である。
【図2】 図2は、本発明に基づいて構成したプッシ
ュプル・ドライバ回路に接続したカスコード回路の電気
的構成図である。
ュプル・ドライバ回路に接続したカスコード回路の電気
的構成図である。
【図3】 図3は、図2のドライバ回路内の様々な位
置における電圧のコンピュータ・シミュレーション図で
あって、パルス信号のプルアップ遷移を示す。
置における電圧のコンピュータ・シミュレーション図で
あって、パルス信号のプルアップ遷移を示す。
【図4】 図4は、図2のドライバ回路内の様々な位
置における電圧のコンピュータ・シミュレーション図で
あって、パルス信号のプルダウン遷移を示す。
置における電圧のコンピュータ・シミュレーション図で
あって、パルス信号のプルダウン遷移を示す。
Claims (16)
- 【請求項1】 ドライバ回路に与えられる一対の相補
論理信号の第一の論理信号および第二の論理信号に応答
するドライバ回路であって、第一のトランジスタと第二
のトランジスタを設け、該第二のトランジスタは、静止
状態において第一のトランジスタのための負荷として働
き、第一のトランジスタがエミッタ・フォロワとして動
作することを可能にするため第一のトランジスタのエミ
ッタ端子に接続され、コレクタ端子における電圧が前記
ドライバ回路の出力電圧として働き、前記第一の論理信
号のリーディング・エッジによるプルアップモードにお
いて、活動化される前記第一のトランジスタの活動化の
間、前記第二のトランジスタを静止状態におくバイアス
手段と、前記第二の論理信号のリーディング・エッジの
発生におけるプルダウンモードで、電流を取り出すよう
に前記第二のトランジスタを活動化する活動化手段と、
前記活動化手段の動作時に、前記第二のトランジスタの
非飽和状態を維持するために前記第二の論理信号に応答
する飽和防止手段とを、有することを特徴とするドライ
バ回路。 - 【請求項2】 請求項1に記載のドライバ回路であっ
て、前記活動化手段が、前記第二の論理信号のリーディ
ング・エッジの発生の前に電荷を蓄積するための、前記
バイアス手段に接続される容量性の手段であって、蓄積
される電荷が、前記第二のトランジスタを活動化するた
めに働くことを特徴するドライバ回路。 - 【請求項3】 請求項2に記載のドライバ回路であっ
て、前記容量性の手段が前記第二のトランジスタのベー
ス端子に接続され、前記飽和防止手段が、前記容量性の
手段から前記第二のトランジスタへの過剰な電流をバイ
パスするための、前記第二のトランジスタのベース端子
とコレクタ端子との間に接続されたバイパス・トランジ
スタからなることを、特徴とするドライバ回路。 - 【請求項4】 請求項2に記載のドライバ回路であっ
て、前記容量性の手段が前記第二トランジスタのベース
端子に接続され、前記飽和防止手段が、前記容量性の手
段から前記第二のトランジスタへの過剰な電流をバイパ
スするための、前記第二のトランジスタのベース端子と
コレクタ端子との間に接続されたバイパス・トランジス
タからなることを、特徴とするドライバ回路。 - 【請求項5】 請求項4に記載のドライバ回路であっ
て、前記容量性の手段が更に、自分のベース−コレクタ
接合の両端における容量を増加させるため、前記バイア
ス手段によって逆方向のバイアスをかけられる結合トラ
ンジスタと、前記第二の論理信号を受けるための入力ト
ランジスタと、前記第二の論理信号のため入力増幅器を
形成するため、前記入力トランジスタと直列に接続され
た抵抗器とを設け、前記第二のトランジスタの前記ベー
ス端子と、前記入力トランジスタと前記抵抗器との接続
点との間に前記結合トランジスタが接続されるドライバ
回路。 - 【請求項6】 請求項5に記載のドライバ回路であっ
て、前記バイアス手段が前記バイパス・トランジスタを
前記活動化手段の動作時まで非活動状態に維持し、前記
結合トランジスタの容量が、前記パイバストランジスタ
を、前記第二のトランジスタの活動化に際して伝導状態
に置くドライバ回路。 - 【請求項7】 請求項5に記載のドライバ回路であっ
て、前記活動化手段の動作の前に、前記バイアス手段は
前記第二のトランジスタを前記静止状態に保持し、前記
結合トランジスタは非活動状態の間、前記第二のトラン
ジスタの静止電流を制御するために電流ミラーを形成す
るドライバ回路。 - 【請求項8】 請求項6に記載のドライバ回路であっ
て、前記第二のトランジスタが飽和に近づくにつれて、
前記バイパス・トランジスタは前記第二のトランジスタ
のベース端子とコレクタ端子の間の伝導状態を増加し、
前記バイパス・トランジスタが飽和を防止するために負
のフィードバックパスとして働くドライバ回路。 - 【請求項9】 ドライバ回路に与える一対の相補論理
信号の第一の論理信号と第二の論理信号に応答してドラ
イバ回路を作動する方法であって、第一のトランジスタ
および第二のトランジスタに前記ドライバ回路を提供し
、静止状態にある前記第二のトランジスタを第一のトラ
ンジスタの負荷として用い、前記第二のトランジスタを
、前記第一のトランジスタのエミッタ・フォロワとして
の動作を可能にするため前記第一のトランジスタのエミ
ッタ端子に接続し、前記第二のトランジスタの両端での
電圧降下を、前記ドライバ回路の出力電圧として機能さ
せ、前記第一の論理信号のリーディング・エッジによっ
て、前記第一のトランジスタをプルアップ・モードに活
動化し、前記第一のトランジスタの活動化の間、前記第
二のトランジスタにバイアスをかけて静止状態にし、前
記第二の論理信号のリーディング・エッジの発生に際し
て、プルダウン・モードにおいて電流を取り出すため、
前記第二のトランジスタを活動化し、前記第二のトラン
ジスタの前記活動化の間、前記第二のトランジスタの非
飽和状態を維持することから成る方法。 - 【請求項10】 請求項9に記載の方法であって、前
記活動化のステップが、前記第二のトランジスタを活動
化するため、容量に充分なエネルギを充電し、該充電が
第二の論理信号のリーディング・エッジの発生に先立つ
ステップを含む方法。 - 【請求項11】 請求項10に記載の方法であって、
前記充電ステップが、トランジスタに逆方向のバイアス
をかけることで、前記容量を形成するステップを含む方
法。 - 【請求項12】 請求項10に記載の方法であって、
前記維持ステップが、前記活動化状態への急速な遷移の
準備において、前記第二のトランジスタの非活動化され
た電流を制御するための電流ミラーを形成するステップ
を含む方法。 - 【請求項13】 請求項10に記載の方法であって、
前記活動化ステップが、前記容量から前記第二のトラン
ジスタのベース端子に電流を加えることを含み、前記維
持ステップが、パイバス・トランジスタ手段によって、
前記第二のトランジスタを通る、前記容量の過剰電流を
パイバスするステップを含む方法。 - 【請求項14】 請求項11に記載の方法であって、
前記活動化ステップが、前記容量から前記第二のトラン
ジスタのベース端子に電流を加えることを含み、前記維
持ステップが、パイバス・トランジスタ手段によって、
前記第二のトランジスタを通る、前記容量の過剰電流を
パイバスするステップを含む方法。 - 【請求項15】 請求項14に記載の方法であって、
前記維持ステップが、前記容量から前記第二のトランジ
スタのベース端子へ電流を加えるステップによって前記
出力電圧の降下と同時に発生する前記バイパスの前に、
その伝導を抑制するために、前記パイバス・トランジス
タに逆方向のバイアスをかけるステップを含む方法。 - 【請求項16】 請求項14に記載の方法であって、
前記維持ステップが、前記第二のトランジスタが飽和に
近づくにつれて、前記バイパス・トランジスタ電流を増
加するステップを含み、それによって、負のフィードバ
ックパスを形成し、前記第二のトランジスタの飽和を抑
制することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/654,152 US5121001A (en) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Low power push-pull driver |
| US654152 | 1991-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278718A true JPH04278718A (ja) | 1992-10-05 |
| JPH0783253B2 JPH0783253B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=24623647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271255A Expired - Lifetime JPH0783253B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-10-18 | 低電力プッシュプル・ドライバ回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5121001A (ja) |
| EP (1) | EP0502805A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0783253B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US8957702B2 (en) * | 2011-08-01 | 2015-02-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Signalling circuit, processing device and safety critical system |
| US9584104B2 (en) | 2014-03-15 | 2017-02-28 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device and method of operating a semiconductor device |
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|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-02-12 US US07/654,152 patent/US5121001A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-18 JP JP3271255A patent/JPH0783253B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-11 EP EP19920480015 patent/EP0502805A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01254020A (ja) * | 1988-04-02 | 1989-10-11 | Hitachi Ltd | 論理回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5121001A (en) | 1992-06-09 |
| EP0502805A3 (en) | 1992-12-02 |
| JPH0783253B2 (ja) | 1995-09-06 |
| EP0502805A2 (en) | 1992-09-09 |
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