JPH0783253B2 - 低電力プッシュプル・ドライバ回路 - Google Patents
低電力プッシュプル・ドライバ回路Info
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- JPH0783253B2 JPH0783253B2 JP3271255A JP27125591A JPH0783253B2 JP H0783253 B2 JPH0783253 B2 JP H0783253B2 JP 3271255 A JP3271255 A JP 3271255A JP 27125591 A JP27125591 A JP 27125591A JP H0783253 B2 JPH0783253 B2 JP H0783253B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/001—Arrangements for reducing power consumption in bipolar transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0422—Anti-saturation measures
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/013—Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、論理回路からの出力電
気信号を、該論理回路を有するチップ上の他の回路に結
合するためのドライバ回路に関する。前記ドライバ回路
は、大きな配線容量を持つ電気導体の環境を通して論理
信号をドライブする充分な能力を有する。また本発明
は、とくに、チップの冷却能力を越えずに、半導体チッ
プ上に回路をさらに密に配置できるように、平均電力消
費を最小化するためのプッシュプル・ドライバ回路に関
するものである。
気信号を、該論理回路を有するチップ上の他の回路に結
合するためのドライバ回路に関する。前記ドライバ回路
は、大きな配線容量を持つ電気導体の環境を通して論理
信号をドライブする充分な能力を有する。また本発明
は、とくに、チップの冷却能力を越えずに、半導体チッ
プ上に回路をさらに密に配置できるように、平均電力消
費を最小化するためのプッシュプル・ドライバ回路に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】論理回路の大きな配列を用いるコンピュ
ータ・システムや他のシステムの構成において、半導体
チップの上に密配列に回路を構成するのが利点が多いこ
とがわかっている。密配列は一つのチップにより多くの
機能が存することを可能にし、データ処理や制御システ
ムを含むシステムやコンピュータの設計を容易にする。
また、部品の密配列は、チップの回路の中を伝わる信号
の伝播時間を少なくし、システムの動作を速める。
ータ・システムや他のシステムの構成において、半導体
チップの上に密配列に回路を構成するのが利点が多いこ
とがわかっている。密配列は一つのチップにより多くの
機能が存することを可能にし、データ処理や制御システ
ムを含むシステムやコンピュータの設計を容易にする。
また、部品の密配列は、チップの回路の中を伝わる信号
の伝播時間を少なくし、システムの動作を速める。
【0003】チップ上のさまざまな回路を相互に接続す
る電気的導体は、チップ上の論理回路の出力端子に静電
容量を与える。回路の中で信号を速く伝えるためには、
回路間配線によって生ずる容量を充電するのに充分なほ
ど前記論理回路の電力出力をブーストするためにドライ
バ回路を該論理回路の出力端子において使用するのが常
である。回路間配線に大量の電流を加えることで、前記
ドライバ回路は、回路間配線の容量効果を克服すること
ができ、回路間の信号の速い伝達を可能にする。
る電気的導体は、チップ上の論理回路の出力端子に静電
容量を与える。回路の中で信号を速く伝えるためには、
回路間配線によって生ずる容量を充電するのに充分なほ
ど前記論理回路の電力出力をブーストするためにドライ
バ回路を該論理回路の出力端子において使用するのが常
である。回路間配線に大量の電流を加えることで、前記
ドライバ回路は、回路間配線の容量効果を克服すること
ができ、回路間の信号の速い伝達を可能にする。
【0004】コンピュータ・チップ上に用いられる回路
形態の例として、カスコード電流スイッチは、論理回路
の通常の形態であり、エミッタ・フォロワはドライバ回
路の通常の形態である。典型的には、エミッタ・フォロ
ワは、カスコード回路と共に働いて、該カスコード回路
の出力信号を、チップ上の他の回路に与える。エミッタ
・フォロワ回路は、例として、バイポーラ・トランジス
タと、該バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子に接
続された抵抗を含む。論理信号の一部の間、前記トラン
ジスタは、前記抵抗を通して、該抵抗の両端に電圧降下
を生み出すために電流をドライブする導通モードに置か
れる。電圧降下は、他の回路に加えられる出力信号を表
す。これは、ときにプルアップ電圧と称され、比較的速
く発生する。さらなる論理信号の一部の間、前記トラン
ジスタは電流と前記抵抗の両端の電圧がゼロにまで下が
るのを可能にするように、非導通の状態に置かれる。こ
れはプルダウン電圧と称される。しかし、前記出力信号
のプルダウン電圧段の間、前記電圧降下は、前記配線容
量と該配線容量を放電する前記抵抗の抵抗値に基づいた
速さで発生する。このように、前記プルダウン電圧は、
前記抵抗が容量の速い放電のために充分に小さくないか
ぎり、比較的ゆっくり発生する。
形態の例として、カスコード電流スイッチは、論理回路
の通常の形態であり、エミッタ・フォロワはドライバ回
路の通常の形態である。典型的には、エミッタ・フォロ
ワは、カスコード回路と共に働いて、該カスコード回路
の出力信号を、チップ上の他の回路に与える。エミッタ
・フォロワ回路は、例として、バイポーラ・トランジス
タと、該バイポーラ・トランジスタのエミッタ端子に接
続された抵抗を含む。論理信号の一部の間、前記トラン
ジスタは、前記抵抗を通して、該抵抗の両端に電圧降下
を生み出すために電流をドライブする導通モードに置か
れる。電圧降下は、他の回路に加えられる出力信号を表
す。これは、ときにプルアップ電圧と称され、比較的速
く発生する。さらなる論理信号の一部の間、前記トラン
ジスタは電流と前記抵抗の両端の電圧がゼロにまで下が
るのを可能にするように、非導通の状態に置かれる。こ
れはプルダウン電圧と称される。しかし、前記出力信号
のプルダウン電圧段の間、前記電圧降下は、前記配線容
量と該配線容量を放電する前記抵抗の抵抗値に基づいた
速さで発生する。このように、前記プルダウン電圧は、
前記抵抗が容量の速い放電のために充分に小さくないか
ぎり、比較的ゆっくり発生する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】小さなエミッタ抵抗の
使用には問題が一つ生じる。小さな抵抗値は大量の電流
を取り出し、その結果、大量の電力の消費が生じるから
である。大量の電力の消費の結果、前記エミッタ・フォ
ロワ・ドライバ回路の使用は、回路チップの動作におい
て非効率的になり、チップの温度を安全な作動温度に維
持する冷却器の負担が増えることになる。とくに、前記
エミッタ・フォロワ回路の大きな電力消費は、チップ動
作時における過度な温度上昇のゆえに、一つのチップの
上に構成される回路の密度を制限することに注目すべき
である。この問題に対する一つの解決方法は、参考とし
て引用される、Danskyに付与された米国特許第4、60
5、870号に開示されたプッシュプル・ドライバの使
用である。本発明は、その特許で開示された回路の改良
である。
使用には問題が一つ生じる。小さな抵抗値は大量の電流
を取り出し、その結果、大量の電力の消費が生じるから
である。大量の電力の消費の結果、前記エミッタ・フォ
ロワ・ドライバ回路の使用は、回路チップの動作におい
て非効率的になり、チップの温度を安全な作動温度に維
持する冷却器の負担が増えることになる。とくに、前記
エミッタ・フォロワ回路の大きな電力消費は、チップ動
作時における過度な温度上昇のゆえに、一つのチップの
上に構成される回路の密度を制限することに注目すべき
である。この問題に対する一つの解決方法は、参考とし
て引用される、Danskyに付与された米国特許第4、60
5、870号に開示されたプッシュプル・ドライバの使
用である。本発明は、その特許で開示された回路の改良
である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明にしたがう低電力
プッシュプル・ドライバ回路は、 (イ)互いに相補的な第1出力信号及び第2出力信号を
第1出力端子(70)及び第2出力端子(72)にそれ
ぞれ生じる論理回路(14)と、 (ロ)第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上
記第1出力端子(70)に接続されたベースを有する第
1トランジスタ(74)と、 (ハ)該第1トランジスタ(74)のエミッタに接続さ
れたコレクタ、及び上記第1電源よりも低い電圧の第2
電源(66)に接続されたエミッタを有する第2トラン
ジスタ(76)と、 (ニ)上記第1トランジスタ(74)のエミッタ及び上
記第2トランジスタ(76)のコレクタの間の第1接続
点(90)に接続された負荷回路(22)と、 (ホ)上記第2トランジスタ(76)のベースに接続さ
れたエミッタ、該エミッタに接続されたベース、及び第
1抵抗(88)を介して上記第2電源に接続されたコレ
クタを有する第3トランジスタ(78)と、 (ヘ)上記第1接続点(90)に接続されたエミッタ、
並びに上記第2トランジスタ(76)のベース及び上記
第3トランジスタ(78)のエミッタの間の第2接続点
(94)に接続されたコレクタを有する第4トランジス
タ(80)と、 (ト)上記第1電源(68)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間に接続された第2抵抗(84)
と、 (チ)上記第2抵抗(84)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間の第3接続点(96)と上記第2
接続点(94)との間に接続された第3抵抗(86)
と、 (リ)上記第2出力端子(72)に接続されたベース、
上記第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上記
第3トランジスタ(78)のコレクタに接続されたエミ
ッタを有する第5トランジスタ(82)とを有し、 (ヌ)上記第2抵抗(84)、上記第3抵抗(86)、
上記第3トランジスタ(78)及び上記第1抵抗(8
8)が、上記第1電源(68)及び上記第2電源(6
6)の間の直列回路を形成し、上記第5トランジスタ
(82)の非導通時に、上記直列回路の上記第2接続点
(94)の電圧が、上記第2トランジスタ(76)を導
通させるベース電圧の直前の限界の電圧にされていると
共に、上記直列回路の上記第3接続点(96)の電圧
が、上記第4トランジスタ(80)を非導通にする電圧
にされていることを特徴とする。そして、上記論理回路
(14)は、入力信号に応答して、上記第1出力端子及
び上記第2出力端子に上記相補的な第1出力信号及び第
2出力信号を発生するカスコード回路である。そして、
上記第4トランジスタ(80)は、上記第5トランジス
タが非導通の時、上記第3接続点の電圧により非導通に
維持され、そして上記第1トランジスタ(74)が導通
して上記第1接続点(90)の電圧が降下したときに導
通される。
プッシュプル・ドライバ回路は、 (イ)互いに相補的な第1出力信号及び第2出力信号を
第1出力端子(70)及び第2出力端子(72)にそれ
ぞれ生じる論理回路(14)と、 (ロ)第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上
記第1出力端子(70)に接続されたベースを有する第
1トランジスタ(74)と、 (ハ)該第1トランジスタ(74)のエミッタに接続さ
れたコレクタ、及び上記第1電源よりも低い電圧の第2
電源(66)に接続されたエミッタを有する第2トラン
ジスタ(76)と、 (ニ)上記第1トランジスタ(74)のエミッタ及び上
記第2トランジスタ(76)のコレクタの間の第1接続
点(90)に接続された負荷回路(22)と、 (ホ)上記第2トランジスタ(76)のベースに接続さ
れたエミッタ、該エミッタに接続されたベース、及び第
1抵抗(88)を介して上記第2電源に接続されたコレ
クタを有する第3トランジスタ(78)と、 (ヘ)上記第1接続点(90)に接続されたエミッタ、
並びに上記第2トランジスタ(76)のベース及び上記
第3トランジスタ(78)のエミッタの間の第2接続点
(94)に接続されたコレクタを有する第4トランジス
タ(80)と、 (ト)上記第1電源(68)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間に接続された第2抵抗(84)
と、 (チ)上記第2抵抗(84)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間の第3接続点(96)と上記第2
接続点(94)との間に接続された第3抵抗(86)
と、 (リ)上記第2出力端子(72)に接続されたベース、
上記第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上記
第3トランジスタ(78)のコレクタに接続されたエミ
ッタを有する第5トランジスタ(82)とを有し、 (ヌ)上記第2抵抗(84)、上記第3抵抗(86)、
上記第3トランジスタ(78)及び上記第1抵抗(8
8)が、上記第1電源(68)及び上記第2電源(6
6)の間の直列回路を形成し、上記第5トランジスタ
(82)の非導通時に、上記直列回路の上記第2接続点
(94)の電圧が、上記第2トランジスタ(76)を導
通させるベース電圧の直前の限界の電圧にされていると
共に、上記直列回路の上記第3接続点(96)の電圧
が、上記第4トランジスタ(80)を非導通にする電圧
にされていることを特徴とする。そして、上記論理回路
(14)は、入力信号に応答して、上記第1出力端子及
び上記第2出力端子に上記相補的な第1出力信号及び第
2出力信号を発生するカスコード回路である。そして、
上記第4トランジスタ(80)は、上記第5トランジス
タが非導通の時、上記第3接続点の電圧により非導通に
維持され、そして上記第1トランジスタ(74)が導通
して上記第1接続点(90)の電圧が降下したときに導
通される。
【0007】本発明の特徴によると、前記プル・ダウン
期間の間、前記第二のトランジスタは、第二のトランジ
スタの両端の電圧降下の速い減少のために電流を瞬間的
に通すために附勢される。前記プル・ダウン期間の間
の、前記第二のトランジスタにおける電流は、ドライバ
回路の出力端子に接続された配線が生ずる容量を急速に
放電するのに十分な電力を供給する。その配線は典型的
には、半導体回路チップの回路間配線である。このよう
に、本発明のドライバ回路は、プル・アップ期間および
プル・ダウン期間の間、出力電圧の状態における速い遷
移をもたらすのである。
期間の間、前記第二のトランジスタは、第二のトランジ
スタの両端の電圧降下の速い減少のために電流を瞬間的
に通すために附勢される。前記プル・ダウン期間の間
の、前記第二のトランジスタにおける電流は、ドライバ
回路の出力端子に接続された配線が生ずる容量を急速に
放電するのに十分な電力を供給する。その配線は典型的
には、半導体回路チップの回路間配線である。このよう
に、本発明のドライバ回路は、プル・アップ期間および
プル・ダウン期間の間、出力電圧の状態における速い遷
移をもたらすのである。
【0008】本発明の特徴は、前記ドライバ回路の二つ
の出力論理状態、すなわち低電圧状態および高電圧状態
が、前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジ
スタにおける最小の静止電流のみによって維持できるよ
うにすることである。前記第一のトランジスタにおける
高電圧は、プル・アップ期間の発端における論理信号の
リーディング・エッジ区間の際にのみ発生する。前記第
二のトランジスタにおける高電流は、プル・ダウン期間
の発端における論理信号のリーディング・エッジ区間の
際にのみ発生する。その結果、エミッタ・フォロワに比
較して、前記ドライバ回路が消費する電力が著しく減少
する。
の出力論理状態、すなわち低電圧状態および高電圧状態
が、前記第一のトランジスタおよび前記第二のトランジ
スタにおける最小の静止電流のみによって維持できるよ
うにすることである。前記第一のトランジスタにおける
高電圧は、プル・アップ期間の発端における論理信号の
リーディング・エッジ区間の際にのみ発生する。前記第
二のトランジスタにおける高電流は、プル・ダウン期間
の発端における論理信号のリーディング・エッジ区間の
際にのみ発生する。その結果、エミッタ・フォロワに比
較して、前記ドライバ回路が消費する電力が著しく減少
する。
【0009】本発明のさらなる特徴によると、前記第二
のトランジスタによる速い応答を確保するために、前記
第二のトランジスタを飽和状態に置くことを避けること
が重要である。これは、ドライバ回路に、前記第二のト
ランジスタを附勢する附勢回路を構成するための、第三
のトランジスタ、第四のトランジスタ、第五のトランジ
スタ、及び3つの抵抗の組合わせを付与することで達成
できる。附勢回路は、前記カスコード回路の第二の出力
端子によって駆動され、前記カスコード回路の前記第二
の出力端子からの信号のリーディング・エッジに応答し
て、前記第二のトランジスタにおける電流を瞬間的に流
す。第三のトランジスタは、前記信号のリーディング・
エッジ区間の間のみ、前記カスコード回路の第二の出力
端子からの信号を結合するために、前記トランジスタの
ベース−コレクタ接合がコンデンサとして働くようにバ
イアスをかけられる。それ以外の時には、前記第三のト
ランジスタは、前記第二のトランジスタへの信号の伝送
に関しては本質的に休止状態とみなせる。前記第二のト
ランジスタは、該第二のトランジスタが附勢されたと
き、二つの抵抗によって形成されるベース電流供給によ
って静止電流状態に維持される。前記第二のトランジス
タが滅勢されると、三つの前記抵抗および前記第三のト
ランジスタによって構成する電流ミラーによって、前記
第二のトランジスタにおいて、小さな静止電流が維持さ
れる。この準備状態によって、次のプルダウン信号にお
ける速いターンオンを確保できるのである。
のトランジスタによる速い応答を確保するために、前記
第二のトランジスタを飽和状態に置くことを避けること
が重要である。これは、ドライバ回路に、前記第二のト
ランジスタを附勢する附勢回路を構成するための、第三
のトランジスタ、第四のトランジスタ、第五のトランジ
スタ、及び3つの抵抗の組合わせを付与することで達成
できる。附勢回路は、前記カスコード回路の第二の出力
端子によって駆動され、前記カスコード回路の前記第二
の出力端子からの信号のリーディング・エッジに応答し
て、前記第二のトランジスタにおける電流を瞬間的に流
す。第三のトランジスタは、前記信号のリーディング・
エッジ区間の間のみ、前記カスコード回路の第二の出力
端子からの信号を結合するために、前記トランジスタの
ベース−コレクタ接合がコンデンサとして働くようにバ
イアスをかけられる。それ以外の時には、前記第三のト
ランジスタは、前記第二のトランジスタへの信号の伝送
に関しては本質的に休止状態とみなせる。前記第二のト
ランジスタは、該第二のトランジスタが附勢されたと
き、二つの抵抗によって形成されるベース電流供給によ
って静止電流状態に維持される。前記第二のトランジス
タが滅勢されると、三つの前記抵抗および前記第三のト
ランジスタによって構成する電流ミラーによって、前記
第二のトランジスタにおいて、小さな静止電流が維持さ
れる。この準備状態によって、次のプルダウン信号にお
ける速いターンオンを確保できるのである。
【0010】前記第四のトランジスタは、前記第三のト
ランジスタの容量を介した前記ベース端子への信号の伝
達の間、前記第二のトランジスタへの過剰なベースドラ
イブの進展を防止するために、前記第二のトランジスタ
のベース−コレクタ端子の間に、前記第二のトランジス
タにおける電流とは反対方向に、接続される。前記第四
のトランジスタは、前記電流通路の二つの抵抗によって
バイアスをかけられる。前記第五のトランジスタおよび
第1の抵抗は、エミッタ・フォロワの方式で、前記カス
コード回路の前記第二の出力端子の信号を結合するよう
に、前記第三のトランジスタに接続される。前記第五の
トランジスタは、前記プル・ダウン期間の発端におい
て、前記第二のトランジスタを附勢するために、前記第
三のトランジスタの容量を介して、比較的高い電力を供
給するように動作するのである。
ランジスタの容量を介した前記ベース端子への信号の伝
達の間、前記第二のトランジスタへの過剰なベースドラ
イブの進展を防止するために、前記第二のトランジスタ
のベース−コレクタ端子の間に、前記第二のトランジス
タにおける電流とは反対方向に、接続される。前記第四
のトランジスタは、前記電流通路の二つの抵抗によって
バイアスをかけられる。前記第五のトランジスタおよび
第1の抵抗は、エミッタ・フォロワの方式で、前記カス
コード回路の前記第二の出力端子の信号を結合するよう
に、前記第三のトランジスタに接続される。前記第五の
トランジスタは、前記プル・ダウン期間の発端におい
て、前記第二のトランジスタを附勢するために、前記第
三のトランジスタの容量を介して、比較的高い電力を供
給するように動作するのである。
【0011】
【実施例】図1は、半導体回路チップの構成に用いられ
る電気的伝導材料および半導体材料で作られた層12
(図では簡略のため2つの層のみ示した)からなる回路
チップ10の一部分を示したものである。例として、チ
ップ10がコンピュータの一部と仮定すると、チップ1
0は、ドライバ回路16を介して複数の論理回路18へ
出力信号をファン・アウトするカスコード電流スイッチ
回路14などの論理回路の相互接続を含み、そしてドラ
イバ回路16と論理回路18は、導電性の金属片、ある
いはリード線20を介して接続されている。リード線2
0と層12の金属材料の間の容量を含む論理回路18及
びリード線20は、ドライバ回路16が駆動する負荷2
2を構成する。負荷22の容量部は、ドライバ回路16
から論理回路18への論理信号の速い伝送を可能にする
ため、カスコード回路14が出力する論理信号の正負の
遷移の間、負荷22の容量部に充電するように前記ドラ
イバからの十分な電力を必要とする。
る電気的伝導材料および半導体材料で作られた層12
(図では簡略のため2つの層のみ示した)からなる回路
チップ10の一部分を示したものである。例として、チ
ップ10がコンピュータの一部と仮定すると、チップ1
0は、ドライバ回路16を介して複数の論理回路18へ
出力信号をファン・アウトするカスコード電流スイッチ
回路14などの論理回路の相互接続を含み、そしてドラ
イバ回路16と論理回路18は、導電性の金属片、ある
いはリード線20を介して接続されている。リード線2
0と層12の金属材料の間の容量を含む論理回路18及
びリード線20は、ドライバ回路16が駆動する負荷2
2を構成する。負荷22の容量部は、ドライバ回路16
から論理回路18への論理信号の速い伝送を可能にする
ため、カスコード回路14が出力する論理信号の正負の
遷移の間、負荷22の容量部に充電するように前記ドラ
イバからの十分な電力を必要とする。
【0012】本発明によれば、ドライバ回路16は、該
ドライバ回路16における平均電力消費を減らしなが
ら、カスコード回路14から負荷22への論理信号の速
い伝送を実現する。ドライバ回路16は、線24および
26を介して、カスコード回路14が供給する1対の相
補的入力論理信号によって、動作し、該1対の相補的入
力論理信号は、論理信号における正負の両遷移の間、負
荷22を電流で駆動するプッシュプル機能をドライバ回
路16に生じさせる。これについては、さらに図2で詳
細に説明する。
ドライバ回路16における平均電力消費を減らしなが
ら、カスコード回路14から負荷22への論理信号の速
い伝送を実現する。ドライバ回路16は、線24および
26を介して、カスコード回路14が供給する1対の相
補的入力論理信号によって、動作し、該1対の相補的入
力論理信号は、論理信号における正負の両遷移の間、負
荷22を電流で駆動するプッシュプル機能をドライバ回
路16に生じさせる。これについては、さらに図2で詳
細に説明する。
【0013】図2は、カスコード回路14の、ドライバ
回路16を介した負荷22への接続を示し、カスコード
回路14およびドライバ回路16の構成の詳細も示して
いる。カスコード回路14は、ドライバ回路16の動作
に適した1対の相補的出力信号を供給する論理回路の例
として示した。カスコード回路14は、抵抗32を介し
て大地電位34に接続するエミッタ端子30を持つパイ
ボーラ・トランジスタ28が形成する共通の電流源にフ
ァン・インする複数の分岐を持ったツリー状に構成され
ている。よく知られたバイアス電圧回路36は、カスコ
ード回路14に電流をドライブするためにトランジスタ
28を附勢するように該トランジスタ28のベース端子
38にDCバイアスを与える。トランジスタ28のコレ
クタ端子40は、カスコード回路14の二つの分岐に接
続し、該二つの分岐は、バイポーラ・トランジスタ42
および44によって表される。トランジスタ42の分岐
は、左分岐と右分岐に分かれる。左分岐は、バイポーラ
・トランジスタ46および48、抵抗50および52か
ら構成される。右分岐はバイボーラ・トランジスタ54
および56、抵抗58および60から構成される。トラ
ンジスタ44を有する分岐のさらなる構成については、
トランジスタ42を有する分岐と同じ構成を有し、そし
て点線46によって例示的に示す。二つの入力端子62
および64は、トランジスタ42によって表されるカス
コード回路14の分岐に設けられ、そして、入力端子6
2は、トランジスタ42のベース端子に接続され、入力
端子64は、トランジスタ46のベース端子に接続され
る。
回路16を介した負荷22への接続を示し、カスコード
回路14およびドライバ回路16の構成の詳細も示して
いる。カスコード回路14は、ドライバ回路16の動作
に適した1対の相補的出力信号を供給する論理回路の例
として示した。カスコード回路14は、抵抗32を介し
て大地電位34に接続するエミッタ端子30を持つパイ
ボーラ・トランジスタ28が形成する共通の電流源にフ
ァン・インする複数の分岐を持ったツリー状に構成され
ている。よく知られたバイアス電圧回路36は、カスコ
ード回路14に電流をドライブするためにトランジスタ
28を附勢するように該トランジスタ28のベース端子
38にDCバイアスを与える。トランジスタ28のコレ
クタ端子40は、カスコード回路14の二つの分岐に接
続し、該二つの分岐は、バイポーラ・トランジスタ42
および44によって表される。トランジスタ42の分岐
は、左分岐と右分岐に分かれる。左分岐は、バイポーラ
・トランジスタ46および48、抵抗50および52か
ら構成される。右分岐はバイボーラ・トランジスタ54
および56、抵抗58および60から構成される。トラ
ンジスタ44を有する分岐のさらなる構成については、
トランジスタ42を有する分岐と同じ構成を有し、そし
て点線46によって例示的に示す。二つの入力端子62
および64は、トランジスタ42によって表されるカス
コード回路14の分岐に設けられ、そして、入力端子6
2は、トランジスタ42のベース端子に接続され、入力
端子64は、トランジスタ46のベース端子に接続され
る。
【0014】動作時においては、トランジスタ28、4
2、44、46、54、48、56はNPN型である。
抵抗50および52は、正電圧Vccの電源68と、ト
ランジスタ48のエミッタ端子及びトランジスタ46の
コレクタ端子の間にある接続点70との間に直列に接続
する。抵抗50および52は、分圧バイアス回路を形成
し、そして抵抗50及び52の接続点は、カスコード回
路14のこの分岐の導通の間、トランジスタ48に静止
動作電流を確立するため、トランジスタ48にベース電
流を送るように、このトランジスタ48のベース端子に
接続される。同様に、抵抗58および60は、電源68
と、トランジスタ56のエミッタ端子及びトランジスタ
54のコレクタ端子の間の接続点72との間に直列に接
続される。抵抗58および60は、分圧バイアス回路を
形成し、そして抵抗58及び60の接続点はカスコード
回路14のこの分岐の導通の間、トランジスタ56に静
止動作電流を確立するためトランジスタ56にベース電
流を送るように、このトランジスタ56のベース端子に
接続される。
2、44、46、54、48、56はNPN型である。
抵抗50および52は、正電圧Vccの電源68と、ト
ランジスタ48のエミッタ端子及びトランジスタ46の
コレクタ端子の間にある接続点70との間に直列に接続
する。抵抗50および52は、分圧バイアス回路を形成
し、そして抵抗50及び52の接続点は、カスコード回
路14のこの分岐の導通の間、トランジスタ48に静止
動作電流を確立するため、トランジスタ48にベース電
流を送るように、このトランジスタ48のベース端子に
接続される。同様に、抵抗58および60は、電源68
と、トランジスタ56のエミッタ端子及びトランジスタ
54のコレクタ端子の間の接続点72との間に直列に接
続される。抵抗58および60は、分圧バイアス回路を
形成し、そして抵抗58及び60の接続点はカスコード
回路14のこの分岐の導通の間、トランジスタ56に静
止動作電流を確立するためトランジスタ56にベース電
流を送るように、このトランジスタ56のベース端子に
接続される。
【0015】カスコード回路14に電流を流すためにト
ランジスタ28が附勢されると、この電流は、それぞれ
の分岐へのゲート信号即ち論理信号が存在するか否かに
依存して、トランジスタ42の分岐、あるいはトランジ
スタ44の分岐のどちらかを流れる。入力端子62に加
えられる電圧が高く、トランジスタ44のベース端子に
バイアス回路(図示せず)からの公称電圧値が印加され
ると仮定すると、トランジスタ28からの全電流はトラ
ンジスタ42を通って流れる。さらに、入力端子64に
印加された電圧が低く、トランジスタ54のベース端子
に、バイアス回路(図示せず)からの公称電圧値が印加
されると仮定すると、トランジスタ28からの全電流は
トランジスタ54およびトランジスタ56に流れる。カ
スコード回路14の出力線24と26はそれぞれ接続点
70と72に接続する。論理0信号をあらわす端子64
における低電圧は、線24に高電圧を生じ、そして線2
6に低電圧を生じる。論理1信号をあらわす端子64に
おける高電圧は線24に低電圧を生じ、そして線26に
高電圧を生じる。
ランジスタ28が附勢されると、この電流は、それぞれ
の分岐へのゲート信号即ち論理信号が存在するか否かに
依存して、トランジスタ42の分岐、あるいはトランジ
スタ44の分岐のどちらかを流れる。入力端子62に加
えられる電圧が高く、トランジスタ44のベース端子に
バイアス回路(図示せず)からの公称電圧値が印加され
ると仮定すると、トランジスタ28からの全電流はトラ
ンジスタ42を通って流れる。さらに、入力端子64に
印加された電圧が低く、トランジスタ54のベース端子
に、バイアス回路(図示せず)からの公称電圧値が印加
されると仮定すると、トランジスタ28からの全電流は
トランジスタ54およびトランジスタ56に流れる。カ
スコード回路14の出力線24と26はそれぞれ接続点
70と72に接続する。論理0信号をあらわす端子64
における低電圧は、線24に高電圧を生じ、そして線2
6に低電圧を生じる。論理1信号をあらわす端子64に
おける高電圧は線24に低電圧を生じ、そして線26に
高電圧を生じる。
【0016】本発明によると、ドライバ回路16の望ま
しい実施例は、五つのNPNバイポーラ・トランジスタ
74、76、78、80及び82、並びに三つの抵抗8
4、86及び88から構成される。カスコード回路14
の出力信号を受け取るために、トランジスタ74のベー
ス端子は線24に接続し、そしてトランジスタ82のベ
ース端子は線26に接続する。トランジスタ74および
76は、電源68と正の電圧Vtの第二電源66の間に
直列に接続し、トランジスタ74のエミッタ端子は、接
続点90を介して、トランジスタ76のコレクタ端子に
接続する。電源66の電圧Vtは電源68における電圧
Vccよりも小さい。トランジスタ74のコレクタ端子
は、電源68に接続し、トランジスタ76のエミッタ端
子は電源66に接続する。接続点90はドライバ回路1
6の出力端子として働き、負荷22と接続する。トラン
ジスタ76はトランジスタ74の負荷として機能する。
接続点90と大地電位34の間の電圧降下は、ドライバ
回路16の出力電圧として働く。
しい実施例は、五つのNPNバイポーラ・トランジスタ
74、76、78、80及び82、並びに三つの抵抗8
4、86及び88から構成される。カスコード回路14
の出力信号を受け取るために、トランジスタ74のベー
ス端子は線24に接続し、そしてトランジスタ82のベ
ース端子は線26に接続する。トランジスタ74および
76は、電源68と正の電圧Vtの第二電源66の間に
直列に接続し、トランジスタ74のエミッタ端子は、接
続点90を介して、トランジスタ76のコレクタ端子に
接続する。電源66の電圧Vtは電源68における電圧
Vccよりも小さい。トランジスタ74のコレクタ端子
は、電源68に接続し、トランジスタ76のエミッタ端
子は電源66に接続する。接続点90はドライバ回路1
6の出力端子として働き、負荷22と接続する。トラン
ジスタ76はトランジスタ74の負荷として機能する。
接続点90と大地電位34の間の電圧降下は、ドライバ
回路16の出力電圧として働く。
【0017】トランジスタ82および抵抗88は、電源
68と電源66の間に直列に接続し、トランジスタ82
のコレクタ端子は電源68に接続し、抵抗88はトラン
ジスタ82のエミッタ端子と電源66の間に接続する。
トランジスタ78のコレクタ端子は、接続点92におい
てトランジスタ82のエミッタ端子と接続する。トラン
ジスタ78のエミッタ端子とベース端子は、接続点94
においてトランジスタ76のベース端子と接続する。ト
ランジスタ80は、トランジスタ76のベース端子とコ
レクタ端子の間に接続し、そしてトランジスタ80のコ
レクタ端子は、接続点94において、トランジスタ76
のベース端子と接続し、そしてトランジスタ80のエミ
ッタ端子は、接続点90において、トランジスタ76の
コレクタ端子と接続する。トランジスタ74のベース端
子に高電圧が印加されるて、このトランジスタ74に電
流が流れると、トランジスタ82には、線24と26上
の論理信号の相補的関係のために、これのベース端子に
低電圧を印加されることによって、このトランジスタ8
2は滅勢されて電流を流さなくなる。トランジスタ82
が附勢されると、抵抗88を通して電流を流し、この抵
抗88の両端に比較的高い電圧降下が生じる。トランジ
スタ82が滅勢されると、このトランジスタ82に電流
が流れなくなり、抵抗88の両端に比較的低い電圧を生
ずる。
68と電源66の間に直列に接続し、トランジスタ82
のコレクタ端子は電源68に接続し、抵抗88はトラン
ジスタ82のエミッタ端子と電源66の間に接続する。
トランジスタ78のコレクタ端子は、接続点92におい
てトランジスタ82のエミッタ端子と接続する。トラン
ジスタ78のエミッタ端子とベース端子は、接続点94
においてトランジスタ76のベース端子と接続する。ト
ランジスタ80は、トランジスタ76のベース端子とコ
レクタ端子の間に接続し、そしてトランジスタ80のコ
レクタ端子は、接続点94において、トランジスタ76
のベース端子と接続し、そしてトランジスタ80のエミ
ッタ端子は、接続点90において、トランジスタ76の
コレクタ端子と接続する。トランジスタ74のベース端
子に高電圧が印加されるて、このトランジスタ74に電
流が流れると、トランジスタ82には、線24と26上
の論理信号の相補的関係のために、これのベース端子に
低電圧を印加されることによって、このトランジスタ8
2は滅勢されて電流を流さなくなる。トランジスタ82
が附勢されると、抵抗88を通して電流を流し、この抵
抗88の両端に比較的高い電圧降下が生じる。トランジ
スタ82が滅勢されると、このトランジスタ82に電流
が流れなくなり、抵抗88の両端に比較的低い電圧を生
ずる。
【0018】抵抗84および86は、トランジスタ78
のエミッタ端子及びトランジスタ76のベース端子の間
の接続点94と電源68との間に直列に接続する。これ
は電源68と電源66の間に3つの抵抗84、86及び
88と、トランジスタ78の直列回路を形成する。この
直列回路は、トランジスタ82の滅勢即ち非導通状態の
間、トランジスタ78を逆バイアスし、抵抗84と86
の間の接続点96に、トランジスタ80のベース端子に
ベース電流を印加するためのバイアス電圧を与える。ト
ランジスタ82の滅勢状態の間、接続点96の電圧は、
トランジスタ80の順方向電流を妨げるように、このト
ランジスタ80に逆方向のバイアスする。トランジスタ
82が導通即ち附勢状態の間、接続点90における降下
電圧は、トランジスタ80に順方向の電流を流すため
に、このトランジスタ80を順方向にバイアスする。ト
ランジスタ78が逆バイアスされると、このトランジス
タ78のベース−コレクタ接合の両端に、順方向バイア
スの間の容量に比べて、比較的高い容量を生じる。トラ
ンジスタ78の逆方向のバイアスによって誘起される前
記容量は、疑似的にキャパシタ98によって表される。
のエミッタ端子及びトランジスタ76のベース端子の間
の接続点94と電源68との間に直列に接続する。これ
は電源68と電源66の間に3つの抵抗84、86及び
88と、トランジスタ78の直列回路を形成する。この
直列回路は、トランジスタ82の滅勢即ち非導通状態の
間、トランジスタ78を逆バイアスし、抵抗84と86
の間の接続点96に、トランジスタ80のベース端子に
ベース電流を印加するためのバイアス電圧を与える。ト
ランジスタ82の滅勢状態の間、接続点96の電圧は、
トランジスタ80の順方向電流を妨げるように、このト
ランジスタ80に逆方向のバイアスする。トランジスタ
82が導通即ち附勢状態の間、接続点90における降下
電圧は、トランジスタ80に順方向の電流を流すため
に、このトランジスタ80を順方向にバイアスする。ト
ランジスタ78が逆バイアスされると、このトランジス
タ78のベース−コレクタ接合の両端に、順方向バイア
スの間の容量に比べて、比較的高い容量を生じる。トラ
ンジスタ78の逆方向のバイアスによって誘起される前
記容量は、疑似的にキャパシタ98によって表される。
【0019】図3および図4に関して、動作時に、三つ
の波形A、B、Cはそれぞれ入力端子64、線24及び
線26の波形を示す。図3および図4の波形において、
2ピコファラドの負荷容量を仮定する。図2の回路の各
素子と図3及び図4の波形が対応するように、図2の参
照番号をそれぞれの波形につけてある。図3の波形Aに
おいて時刻T1で負の遷移が生じた時に、波形Bは正に
遷移し、そして波形Cは負に遷移する。必要なら、線2
4あるいは線26の波形における正の遷移をこの波形の
パルスのリーディング・エッジとみなし、波形の負の遷
移をトレーリング・エッジとみなすことができる。これ
らの遷移のすぐ後の、時刻T2において、以下のような
電圧状態が観察される。トランジスタ82は滅勢され、
そして接続点92は、低電圧(波形E)を示し、トラン
ジスタ76は滅勢されている。接続点92における電圧
の指数関数的減衰は、接続点92に接続している素子群
に関わる浮遊容量から生じ、そして電圧の減衰は、トラ
ンジスタ82における電流の終了時に生じる。接続点9
6(波形G)および接続点90(波形D)は、トランジ
スタ80が滅勢されているとほぼ同じ電圧を示す。トラ
ンジスタ74はが附勢されていて、トランジスタ76に
電流を流しそしてこのプル・アップ期間は、接続点90
(波形D)における高電圧によって明示されるように、
トランジスタ74の両端では電圧降下は減少し、トラン
ジスタ76の両端では電圧降下は増加する。接続点92
および94の間の電圧差は、キャパシタ98の両端にお
ける電圧降下であることがわかる。
の波形A、B、Cはそれぞれ入力端子64、線24及び
線26の波形を示す。図3および図4の波形において、
2ピコファラドの負荷容量を仮定する。図2の回路の各
素子と図3及び図4の波形が対応するように、図2の参
照番号をそれぞれの波形につけてある。図3の波形Aに
おいて時刻T1で負の遷移が生じた時に、波形Bは正に
遷移し、そして波形Cは負に遷移する。必要なら、線2
4あるいは線26の波形における正の遷移をこの波形の
パルスのリーディング・エッジとみなし、波形の負の遷
移をトレーリング・エッジとみなすことができる。これ
らの遷移のすぐ後の、時刻T2において、以下のような
電圧状態が観察される。トランジスタ82は滅勢され、
そして接続点92は、低電圧(波形E)を示し、トラン
ジスタ76は滅勢されている。接続点92における電圧
の指数関数的減衰は、接続点92に接続している素子群
に関わる浮遊容量から生じ、そして電圧の減衰は、トラ
ンジスタ82における電流の終了時に生じる。接続点9
6(波形G)および接続点90(波形D)は、トランジ
スタ80が滅勢されているとほぼ同じ電圧を示す。トラ
ンジスタ74はが附勢されていて、トランジスタ76に
電流を流しそしてこのプル・アップ期間は、接続点90
(波形D)における高電圧によって明示されるように、
トランジスタ74の両端では電圧降下は減少し、トラン
ジスタ76の両端では電圧降下は増加する。接続点92
および94の間の電圧差は、キャパシタ98の両端にお
ける電圧降下であることがわかる。
【0020】サイクルのこの時点において、抵抗84、
86、88およびトラジスタ78は、トランジスタ76
における電流を制御する電流ミラーを形成する。図2か
ら、トランジスタ76のベース−エミッタ電圧は、トラ
ンジスタ78のベース−コレクタ電圧に、抵抗88の両
端におけるごくわずかな電圧降下を加えたものに等しい
ことがわかる。電流ミラーにおける電流は、電力を消費
せずにトランジスタ76をオン状態の直前の限界の状態
に保つに十分な電流をこのトランジスタ76に維持する
ように制御される。この特徴は、次のプルダウン信号
で、トランジスタ76を非常に速くターンオンするとい
う利点を有する。
86、88およびトラジスタ78は、トランジスタ76
における電流を制御する電流ミラーを形成する。図2か
ら、トランジスタ76のベース−エミッタ電圧は、トラ
ンジスタ78のベース−コレクタ電圧に、抵抗88の両
端におけるごくわずかな電圧降下を加えたものに等しい
ことがわかる。電流ミラーにおける電流は、電力を消費
せずにトランジスタ76をオン状態の直前の限界の状態
に保つに十分な電流をこのトランジスタ76に維持する
ように制御される。この特徴は、次のプルダウン信号
で、トランジスタ76を非常に速くターンオンするとい
う利点を有する。
【0021】図4の時刻T3において、線24および2
6における電圧の遷移は、トランジスタ74を滅勢状態
にし、そしてトランジスタ82を附勢する。これはトラ
ンジスタ74の両端の電圧降下を増加させ、トランジス
タ82の両端の電圧降下を減少させる。接続点92にお
ける電圧の急激な増加は、キャパシタ98によって、ト
ランジスタ76のベース端子に伝えられ、結果として、
ベース電流のサージを生じ、そしてこれがトランジスタ
76を附勢して接続点90および負荷22の電圧を急速
にプルダウンする。これはプル・ダウン期間である。キ
ャパシタ98が供給するベース電流は、短いサージの性
質を有し、このサージはキャパシタ98が放電する間だ
け持続する。しかしながら、本発明の特徴によると、前
記電流サージの期間は、負荷22の電圧をプルダウンす
るのに十分であり、そして入力端子64から負荷22へ
の信号の速い伝送を可能にするために、負荷22の容量
素子から電流を引き出すのに十分なだけトランジスタを
付勢する。
6における電圧の遷移は、トランジスタ74を滅勢状態
にし、そしてトランジスタ82を附勢する。これはトラ
ンジスタ74の両端の電圧降下を増加させ、トランジス
タ82の両端の電圧降下を減少させる。接続点92にお
ける電圧の急激な増加は、キャパシタ98によって、ト
ランジスタ76のベース端子に伝えられ、結果として、
ベース電流のサージを生じ、そしてこれがトランジスタ
76を附勢して接続点90および負荷22の電圧を急速
にプルダウンする。これはプル・ダウン期間である。キ
ャパシタ98が供給するベース電流は、短いサージの性
質を有し、このサージはキャパシタ98が放電する間だ
け持続する。しかしながら、本発明の特徴によると、前
記電流サージの期間は、負荷22の電圧をプルダウンす
るのに十分であり、そして入力端子64から負荷22へ
の信号の速い伝送を可能にするために、負荷22の容量
素子から電流を引き出すのに十分なだけトランジスタを
付勢する。
【0022】線24および線26上の電圧の反復的な遷
移のあいだ、トランジスタ76の敏速な応答を確保する
ために、トランジスタ76に対するベース電流サージの
印加にこのトランジスタが深い飽和に達することを防止
することが大切である。本発明の一つの特徴によると、
キャパシタ98によるベース電流サージの間、接続点9
0の降下電圧は、トランジスタ80を附勢して、接続点
94から接続点90へ過剰な電流を流し、これによっ
て、トランジスタ76の飽和を防止する。飽和防止の動
作は以下のようにして行われる。時刻T3の後、トラン
ジスタ76が附勢され、接続点90の電圧を下げる。こ
の電圧が接続点96の電圧よりも十分に下がったとき、
トランジスタ80のベース−エミッタ接合は、順方向に
バイアスされ、そしてトランジスタ80は導通しはじめ
る。トランジスタ76が飽和するのを防止するために、
これのベース−コレクタ電圧は、十分に順方向にバイア
スされてターンオンしてはならない。
移のあいだ、トランジスタ76の敏速な応答を確保する
ために、トランジスタ76に対するベース電流サージの
印加にこのトランジスタが深い飽和に達することを防止
することが大切である。本発明の一つの特徴によると、
キャパシタ98によるベース電流サージの間、接続点9
0の降下電圧は、トランジスタ80を附勢して、接続点
94から接続点90へ過剰な電流を流し、これによっ
て、トランジスタ76の飽和を防止する。飽和防止の動
作は以下のようにして行われる。時刻T3の後、トラン
ジスタ76が附勢され、接続点90の電圧を下げる。こ
の電圧が接続点96の電圧よりも十分に下がったとき、
トランジスタ80のベース−エミッタ接合は、順方向に
バイアスされ、そしてトランジスタ80は導通しはじめ
る。トランジスタ76が飽和するのを防止するために、
これのベース−コレクタ電圧は、十分に順方向にバイア
スされてターンオンしてはならない。
【0023】図4において、接続点90における電圧が
低いとき、トランジスタ76のベース−コレクタ間の電
圧は、トランジスタ80のベース−エミッタ接合の順方
向の電圧から、抵抗86の両端における電圧降下を引い
たものに等しいことが分かる。かくして、抵抗86の抵
抗値を適切な値に選択することによってトランジスタ7
6の飽和を防止できる。接続点90での電圧がさらに低
下すると、トランジスタ80がさらに強くターンオン
し、これによって、接続点94におけるトランジスタ7
6からのベース・ドライブ電流の一部をを除去し、接続
点90の電圧をその平衡値にまで回復する点において、
飽和防止クランプは自己制限的である。
低いとき、トランジスタ76のベース−コレクタ間の電
圧は、トランジスタ80のベース−エミッタ接合の順方
向の電圧から、抵抗86の両端における電圧降下を引い
たものに等しいことが分かる。かくして、抵抗86の抵
抗値を適切な値に選択することによってトランジスタ7
6の飽和を防止できる。接続点90での電圧がさらに低
下すると、トランジスタ80がさらに強くターンオン
し、これによって、接続点94におけるトランジスタ7
6からのベース・ドライブ電流の一部をを除去し、接続
点90の電圧をその平衡値にまで回復する点において、
飽和防止クランプは自己制限的である。
【0024】こうして、本発明は、プルダウン・トラン
ジスタ76の飽和を防止する一方で、プッシュプル動作
を利用することで、論理信号を負荷に伝達するという目
的を果たすことができる。さらに、プルダウン・トラン
ジスタ76は、ドライバー回路16における電力の消費
を最小にするために、入力端子64における入力論理信
号の完全なサイクルの間、実質的に休止状態にあり、ト
ランジスタ76は、入力論理信号のサイクルごとに1回
発生するサージである、キャパシタ98の瞬間的な電流
サージのときにのみ、高い電流と高い電力で能動状態に
なる。また、その静止状態の間のプルダウン・トランジ
スタ76による比較的高いインピーダンスのために、プ
ルアップ・トランジスタ74の、平均電流と電力消費は
比較的小さく、トランジスタ74で、高電力が発生する
のは、接続点90における出力波形のプルアップ部のリ
ーディング・エッジにおいてのみである。
ジスタ76の飽和を防止する一方で、プッシュプル動作
を利用することで、論理信号を負荷に伝達するという目
的を果たすことができる。さらに、プルダウン・トラン
ジスタ76は、ドライバー回路16における電力の消費
を最小にするために、入力端子64における入力論理信
号の完全なサイクルの間、実質的に休止状態にあり、ト
ランジスタ76は、入力論理信号のサイクルごとに1回
発生するサージである、キャパシタ98の瞬間的な電流
サージのときにのみ、高い電流と高い電力で能動状態に
なる。また、その静止状態の間のプルダウン・トランジ
スタ76による比較的高いインピーダンスのために、プ
ルアップ・トランジスタ74の、平均電流と電力消費は
比較的小さく、トランジスタ74で、高電力が発生する
のは、接続点90における出力波形のプルアップ部のリ
ーディング・エッジにおいてのみである。
【図1】 図1は、本発明のドライバ回路をはじめとし
た回路を有する回路チップの一部を例示的に示した様式
図である。
た回路を有する回路チップの一部を例示的に示した様式
図である。
【図2】 図2は、本発明に基づいて構成したプッシュ
プル・ドライバ回路に接続したカスコード回路の電気的
構成図である。
プル・ドライバ回路に接続したカスコード回路の電気的
構成図である。
【図3】 図3は、図2のドライバ回路内の様々な位置
における電圧のコンピュータ・シミュレーション図であ
って、パルス信号のプルアップ遷移を示す。
における電圧のコンピュータ・シミュレーション図であ
って、パルス信号のプルアップ遷移を示す。
【図4】 図4は、図2のドライバ回路内の様々な位置
における電圧のコンピュータ・シミュレーション図であ
って、パルス信号のプルダウン遷移を示す。
における電圧のコンピュータ・シミュレーション図であ
って、パルス信号のプルダウン遷移を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アラン・レスリー・マルグラヴ、ジュニア ー アメリカ合衆国12590、ニューヨーク州 ワッピンガーズ・フォールズ、チェルシ ー・リッジ・ドライブ 20エイ (56)参考文献 特開 平1−254020(JP,A) IBM TECHNICAL DISC LOSURE BULLETIN VO L.33 NO.4 SEP.1990 P. 343−344 IBM TECHNICAL DISC LOSURE BULLETIN VO L.24 NO.11A APR.1982 P. 5609−5612 IBM TECHNICAL DISC LOSURE BULLETIN VO L.33 NO.10B MAR.1991 P. 128−130
Claims (3)
- 【請求項1】(イ)互いに相補的な第1出力信号及び第
2出力信号を第1出力端子(70)及び第2出力端子
(72)にそれぞれ生じる論理回路(14)と、 (ロ)第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上
記第1出力端子(70)に接続されたベースを有する第
1トランジスタ(74)と、 (ハ)該第1トランジスタ(74)のエミッタに接続さ
れたコレクタ、及び上記第1電源よりも低い電圧の第2
電源(66)に接続されたエミッタを有する第2トラン
ジスタ(76)と、 (ニ)上記第1トランジスタ(74)のエミッタ及び上
記第2トランジスタ(76)のコレクタの間の第1接続
点(90)に接続された負荷回路(22)と、 (ホ)上記第2トランジスタ(76)のベースに接続さ
れたエミッタ、該エミッタに接続されたベース、及び第
1抵抗(88)を介して上記第2電源に接続されたコレ
クタを有する第3トランジスタ(78)と、 (ヘ)上記第1接続点(90)に接続されたエミッタ、
並びに上記第2トランジスタ(76)のベース及び上記
第3トランジスタ(78)のエミッタの間の第2接続点
(94)に接続されたコレクタを有する第4トランジス
タ(80)と、 (ト)上記第1電源(68)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間に接続された第2抵抗(84)
と、 (チ)上記第2抵抗(84)及び上記第4トランジスタ
(80)のベースの間の第3接続点(96)と上記第2
接続点(94)との間に接続された第3抵抗(86)
と、 (リ)上記第2出力端子(72)に接続されたベース、
上記第1電源(68)に接続されたコレクタ、及び上記
第3トランジスタ(78)のコレクタに接続されたエミ
ッタを有する第5トランジスタ(82)とを有し、 (ヌ)上記第2抵抗(84)、上記第3抵抗(86)、
上記第3トランジスタ(78)及び上記第1抵抗(8
8)が、上記第1電源(68)及び上記第2電源(6
6)の間の直列回路を形成し、上記第5トランジスタ
(82)の非導通時に、上記直列回路の上記第2接続点
(94)の電圧が、上記第2トランジスタ(76)を導
通させるベース電圧の直前の限界の電圧にされていると
共に、上記直列回路の上記第3接続点(96)の電圧
が、上記第4トランジスタ(80)を非導通にする電圧
にされていることを特徴とする低電力プッシュプル・ド
ライバ回路。 - 【請求項2】上記論理回路(14)は、入力信号に応答
して、上記第1出力端子及び上記第2出力端子に上記相
補的な第1出力信号及び第2出力信号を発生するカスコ
ード回路であることを特徴とする請求項1記載の低電力
プッシュプル・ドライバ回路。 - 【請求項3】上記第4トランジスタ(80)は、上記第
5トランジスタが非導通の時、上記第3接続点の電圧に
より非導通に維持され、そして上記第1トランジスタ
(74)が導通して上記第1接続点(90)の電圧が降
下したときに導通されることを特徴とする請求項1記載
の低電力プッシュプル・ドライバ回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/654,152 US5121001A (en) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | Low power push-pull driver |
| US654152 | 1991-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04278718A JPH04278718A (ja) | 1992-10-05 |
| JPH0783253B2 true JPH0783253B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=24623647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271255A Expired - Lifetime JPH0783253B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-10-18 | 低電力プッシュプル・ドライバ回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5121001A (ja) |
| EP (1) | EP0502805A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0783253B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148056A (en) * | 1991-03-27 | 1992-09-15 | Mos Electronics Corp. | Output buffer circuit |
| DE19616443A1 (de) * | 1996-04-25 | 1997-10-30 | Cafer Borucu | Gegentakt-Endstufe für analoge und digitale Schaltungen |
| US8957702B2 (en) * | 2011-08-01 | 2015-02-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Signalling circuit, processing device and safety critical system |
| US9584104B2 (en) | 2014-03-15 | 2017-02-28 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor device and method of operating a semiconductor device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4605870A (en) * | 1983-03-25 | 1986-08-12 | Ibm Corporation | High speed low power current controlled gate circuit |
| US4680480A (en) * | 1984-08-31 | 1987-07-14 | Storage Technology Corporation | Output driver circuit for LSI and VLSI ECL chips with an active pulldown |
| JPS61218143A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| US4678940A (en) * | 1986-01-08 | 1987-07-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | TTL compatible merged bipolar/CMOS output buffer circuits |
| US4668879A (en) * | 1986-02-10 | 1987-05-26 | International Business Machines Corporation | Dotted "or" function for current controlled gates |
| US4766399A (en) * | 1987-08-03 | 1988-08-23 | International Business Machines Corporation | Oscillator circuit |
| US4835420A (en) * | 1987-11-17 | 1989-05-30 | Applied Micro Circuits Corporation | Method and apparatus for signal level conversion with clamped capacitive bootstrap |
| JP2729379B2 (ja) * | 1988-04-02 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 論理回路 |
| US4874970A (en) * | 1988-05-11 | 1989-10-17 | Applied Micro Circuits Corporation | ECL output with Darlington or common collector-common emitter drive |
| FR2641143A1 (en) * | 1988-12-27 | 1990-06-29 | Thomson Composants Militaires | Output buffer amplifier in bipolar technology |
-
1991
- 1991-02-12 US US07/654,152 patent/US5121001A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-18 JP JP3271255A patent/JPH0783253B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-11 EP EP19920480015 patent/EP0502805A3/en not_active Withdrawn
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| IBMTECHNICALDISCLOSUREBULLETINVOL.24NO.11AAPR.1982P.5609−5612 |
| IBMTECHNICALDISCLOSUREBULLETINVOL.33NO.10BMAR.1991P.128−130 |
| IBMTECHNICALDISCLOSUREBULLETINVOL.33NO.4SEP.1990P.343−344 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04278718A (ja) | 1992-10-05 |
| EP0502805A3 (en) | 1992-12-02 |
| US5121001A (en) | 1992-06-09 |
| EP0502805A2 (en) | 1992-09-09 |
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