JPH04279085A - 厚膜回路基板の製造方法 - Google Patents

厚膜回路基板の製造方法

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Publication number
JPH04279085A
JPH04279085A JP6537191A JP6537191A JPH04279085A JP H04279085 A JPH04279085 A JP H04279085A JP 6537191 A JP6537191 A JP 6537191A JP 6537191 A JP6537191 A JP 6537191A JP H04279085 A JPH04279085 A JP H04279085A
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JP
Japan
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wiring
insulator layer
paste
conductor
thick film
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Withdrawn
Application number
JP6537191A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Hashimoto
毅 橋本
Yoshiyuki Nishihara
芳幸 西原
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04279085A publication Critical patent/JPH04279085A/ja
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜回路基板の製造方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、厚膜回路基板はアルミナ基板等の
絶縁基板上に、銀パラジウム、銅、金等の導体金属粉を
含む導体ペーストを使用して、スクリーン印刷によって
回路配線を形成し、これを焼結することによって製造し
ていた。導体ペーストにはスクリーン印刷に適した粘度
、流動性を付与するため導体金属粉の他に樹脂および溶
剤が含有されている。
【0003】しかしアルミナ基板等の表面に直接導体ペ
ーストを印刷した場合には、アルミナ基板の表面に緻密
なセラミックス層が形成されており、導体ペースト中の
溶剤成分の浸透吸収性が悪いため、印刷後、導体ペース
ト中の溶剤分が揮発乾燥して配線形状が確定するまでの
間に、導体ペーストが流動して配線幅が広がる傾向があ
るため微細な間隔で配線を形成することが困難であった
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の欠点を解消することにあり、微
細な間隔で配線を形成することが可能な厚膜回路基板の
製造方法を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題を
解決すべくなされたものであり、焼成後のセラミックス
基板上にガラスフリットを主成分とする絶縁体層を形成
し、その上に所定のパターンに導体ペーストを形成して
、該絶縁体層および導体配線を一括で焼成することを特
徴とする厚膜回路基板の製造方法を提供するものである
【0006】以下、本発明の詳細について説明する。ま
ず、本発明にかかる絶縁体ペーストについて説明する。 該絶縁体ペーストには、固形分として導体ペーストに使
用される導体金属とほぼ同温度で焼結可能な特性を有す
るガラスフリットが含まれている。また、フィラーとし
てはアルミナ粉および若干量の添加剤が含有されており
、ビヒクル成分としてエチルセルロース等の樹脂とα−
テレピネオール等の溶剤が含有されている。
【0007】該絶縁体ペーストの固形成分は、ガラスフ
リット45〜70重量部、フィラー25〜50重量部、
酸化剤0.5〜8重量部が適当である。酸化剤は絶縁ペ
ーストに含有されている有機物を分解するために必要で
あり、酸化セリウム(CeO2), TiO2, Ba
O2, SnO2, CaO2, V2O5 が使用で
き、この中でCeO2が望ましい。
【0008】本発明にかかる絶縁体ペーストは、スクリ
ーン印刷等によってアルミナ基板等のセラミックス絶縁
基板表面に形成され、その後乾燥して該絶縁ペースト中
の溶剤成分等を揮発させ絶縁体層となる。絶縁体層の厚
さは5μmから50μmの間が適当であり、その中でも
10〜30μmが特に好ましい。
【0009】なお、セラミックス絶縁基板はアルミナ9
0wt%以上含有のアルミナ基板が望ましい。強度的に
優れているからである。本発明の製造方法で作成した厚
膜回路基板は、厚膜焼成炉を使用して絶縁体層と導体を
同時に焼成する。
【0010】本発明の製造方法によって多層基板を製造
することも可能であり、その場合には絶縁体層と導体を
1層分ずつ同時焼成後、多層化する方法と多層化された
印刷層を一括で同時焼成する方法の2つの方法がある。
【0011】
【作用】本発明では、絶縁体層上に導体ペーストを形成
するので、絶縁体層はミクロ的には、相当量の空隙を含
んだガラス粉と樹脂との混合層である。従って、導体ペ
ースト中の溶剤分の浸透吸収性が良好であり、微細な配
線を鮮明に形成することが可能である。
【0012】
【実施例】900℃で焼結するガラスフリット57重量
部、アルミナ粉40重量部、酸化セリウム(CeO2)
 3重量部を固形分として含有し、更にビヒクルとして
エチルセルロース、α−テレピネオールを含有する絶縁
体ペーストを作成し、これを厚さ0.635 mm,大
きさ4インチ角のアルミナ基板表面にスクリーン印刷法
で印刷した。 印刷後、絶縁ペースト中の溶剤成分を揮発させるため8
0℃で10分間乾燥し、絶縁体層を形成した。該絶縁体
層の厚さは20μmであった。
【0013】その後、絶縁体層の上にスクリーン印刷法
で銀・パラジウム導体ペーストを印刷し、乾燥させた。 導体ペーストの粘度は15万cpsであった。導体配線
は配線幅100μm,配線間隔100μmであるが、導
体配線幅の印刷後の広がりは無く、微細な配線がショー
ト等の問題無く形成することができた。その後、この基
板を厚膜焼成炉を使用してピーク温度900℃で絶縁体
層と導体とを同時焼成して完成した厚膜回路基板を10
0枚製作したが、断線・短絡等の不良は1枚もなかった
【0014】[比較例]実施例と同様の銀−パラジウム
導体ペーストをアルミナ基板の表面に直線印刷し、焼成
して実施例と同仕様の厚膜印刷基板を100枚作った。 この場合、印刷直後に導体ペーストが流動して、配線幅
が広がってしまい配線幅100μm、配線間隔100μ
mの印刷は不可能であった。これを焼成した場合には配
線間の短絡が多発してしまい、不良率100%であった
【0015】
【発明の効果】本発明では、形成後の導体ペーストが広
がることがないので、配線間隔100μm程度までの厚
膜印刷基板を製造することが可能となり、電子回路の集
積化に大きく寄与することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】焼成後のセラミックス基板上にガラスフリ
    ットを主成分とする絶縁体層を形成し、その上に所定の
    パターンに導体ペーストを形成して、該絶縁体層および
    導体配線を一括で焼成することを特徴とする厚膜回路基
    板の製造方法。
JP6537191A 1991-03-07 1991-03-07 厚膜回路基板の製造方法 Withdrawn JPH04279085A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4875151B2 (ja) * 2006-05-15 2012-02-15 コーニング インコーポレイテッド 焼結されたガラスおよびガラスセラミック構造および製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4875151B2 (ja) * 2006-05-15 2012-02-15 コーニング インコーポレイテッド 焼結されたガラスおよびガラスセラミック構造および製造方法

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