JPH0427958B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明はレーザー記録材料に関するものであ
る。 (従来技術) 従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録
材料に照射して照射部分の融解、変形、蒸発等に
より光学的な変化を生ぜしめて記録を行なう方法
は知られている。このような記録方法に用いる記
録材料としては基板に低融点の金属、例えばSb、
Te、Zn、Pb、Cd、Bi、Sn、Se、In、Ga等の薄
膜層を形成してなる記録材料が用いられている。
しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は
記録感度、記録により形成されるピツト形状、保
存安定性、及び毒性をすべて満足しうるものでは
ない。例えばTeを用いる場合、記録感度、ピツ
ト形状についてはほゞ満足なものが得られるが、
保存安定性及び毒性に問題があり、又、Snを用
いる場合、毒性が低い利点はあるものの他の諸特
性が劣るものしか得られない。 本発明者は上記の従来の記録材料が有している
欠点を解消するため種々の金属、合金について検
討を行なつたところ、錫と銅を共存させることに
より、上記従来技術における欠点が解消すること
を見い出して本発明に到達したものである。 (発明の構成) 本発明のレーザー記録材料は、少くとも表面が
耐熱性である基材の表面に、1〜40原子数%の銅
を含む錫−銅合金からなる薄膜層を積層してある
ことを特徴とするものである。 第1図は本発明の一実施例のレーザー記録材料
の構造を示す模式的な断面図である。第1図中1
で示すレーザー記録材料は基材2の表面に、1〜
40原子数%の銅を含む錫−銅合金からなる金属薄
膜層3を設けてある。 上記において基材2としては耐熱性のある合成
樹脂のフイルム、シートもしくは板を用いる。耐
熱性のある合成樹脂としてはポリイミド、ポリフ
エニレンサルフアイド、ポリエーテルイミド、ポ
リエーテルサルホン、ポリテトラフロロエチレ
ン、ポリクロルトリフルオルエチレン、ポリアミ
ドイミド、ポリアリルサルホン、ポリフエニレン
オキサイド、6,6−ナイロン、ポリエーテルケ
トン、ポリサルホン等を挙げることができる。 基材2としては上記したように全体が耐熱性の
ある合成樹脂からなるものを用いてもよいが、こ
れら耐熱性のある合成樹脂を別の基体に塗布する
などして複合したものを用いてもよく、要するに
表面が耐熱性であればよい。 上記において、耐熱性のある合成樹脂と複合す
る別の基体としてポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、セルロースアセテー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等
のアクリル、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート等のプラスチツクフイルム、銅やアル
ミニウム等の金属板、ガラス、セラミツクス等、
あるいは紙・前記プラスチツクフイルムと前記の
金属板、ガラス、セラミツクスの積層体が使用で
きる。 基材として上記したように少くとも表面が耐熱
性であるものを使用すると、記録によつて形成さ
れるピツトの周囲が溶融して盛り上がる等の欠点
が生じにくい。 特に基材として少くとも表面がポリサルホン樹
脂からなるものを用いると、ポリサルホン樹脂は
熱変形温度が175℃と高く、このためレーザー光
を用いた記録の際に与えられる熱のためピツトの
周囲が盛り上がるのを防止できる。又、ポリサル
ホン樹脂は下記式 のような構造をとつているので、構造中のCH3基
の作用により樹脂表面の表面張力が小さいので、
ポリサルホン樹脂の照射を受けた錫−銅合金から
なる薄膜層は排除されやすく、このため少ないエ
ネルギーで記録することができる。 なお、基材全体を耐熱性のある合成樹脂で構成
しても、別の基体の表面に耐熱性のある合成樹脂
の層を設けてもよいが、後者の場合、層を設けた
効果を出すためには層の厚みを1〜10μm程度と
するとよい。 次に上記した金属薄膜層3について説明する
と、該金属薄膜層は1〜40原子数パーセントの銅
を含む錫−銅合金からなるものである。この好ま
しい範囲について説明すると銅の含有量が1原子
数パーセントより少ないときはひび割れが発生す
る等のピツト形状の不良があり、記録に要するエ
ネルギーしきい値も好ましい範囲に比して約1.5
倍程度と高く、又、40原子数パーセントを越える
ときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエネ
ルギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以
上となる上、形成されたピツト形状はその周辺が
不均一な拡がりを伴ない、好ましくないものであ
る。なお、銅単独のものでは記録エネルギーを好
ましい範囲の4倍程度に上げても記録は達成され
ない。上記において銅の含有量を5〜20原子数パ
ーセントとすると、更に一層好ましい。 以上のように成分からなる金属薄膜層3の厚み
は100〜5000Å、好ましくは200〜800Åである。
金属薄膜層3の厚みが100Å以下では再生光の反
射率が小さく、光学的読み取りが困難であり、
5000Åを越えると記録感度が低下して好ましくな
い。 錫−銅合金からなる金属薄膜層を設けたレーザ
ー記録材料の感度及び記録時に形成されるピツト
の形状が、錫単独若しくは銅単独の金属薄膜層を
設けたレーザー記録材料の感度及びピツト形状に
くらべて良好である理由は必ずしも明らかではな
いが、錫−銅合金の共晶点は錫及び銅のそれぞれ
の融点よりも低く、又、銅の液体状態における表
面張力が、錫の566×10-3N/mにくらべて135×
10-3N/mと低く、かつ、この表面張力の値は金
属の中でも比較的小さいことから、レーザービー
ムの照射を受けた錫−銅合金からなる金属薄膜層
は溶融しやすく、かつ、溶融時に流動しやすいた
めに、照射部分の錫−銅合金が容易に排除される
ためと考えられる。 上記金属薄膜層3を基材2の表面に設ける方法
について次に述べると、公知の蒸着、スパツタリ
ング、イオンプレーテイング、若しくはプラズマ
蒸着等の方法を利用し得る。一例として蒸着によ
つて金属薄膜層を形成する方法について述べる
と、例えば錫と銅を別個のアルミナ製るつぼに入
れて蒸着装置内にセツトし、加熱の程度を制御す
ることにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸
着の割合を制御する等の二元蒸着法により蒸着す
るか、又は所定の組成の合金を予め作成してお
き、スパツタリングによつて行なう等の方法が例
示できる。 本発明のレーザー記録材料は基本的には以上の
構成から成るが、更に、表面保護層として、本発
明のレーザー記録材料の錫−銅合金薄膜上にSiO
やMsFなどを蒸着するか、又はアクリル樹脂、
ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、ポリビニルブチラール樹脂などのビニル系
樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリル系紫外線
硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを塗布
することにより設けてもよい。或いは又、プライ
マー層としてアクリル樹脂を基材表面に設けても
よい。更に、反射防止膜としてInなどの金属や金
属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。 以上の本発明のレーザー記録材料は記録感度が
高く、ピツト形状も満足し得るものであり、保存
安定性、毒性に関してもすぐれている。 次に本発明をより具体的に示すための実施例を
掲げる。 実施例 1 厚み50μmのポリサルホンフイルム(住友ベー
クライト製、スミライトFS1200)を準備し、フ
レオンで洗浄した。次に真空蒸着装置を用い、真
空度10-6Torrの条件で錫粉末と銅紛末を別々の
アルミナるつぼに入れて同時に加熱し、二元蒸着
法により各るつぼの加熱温度を制御し、銅の含有
率が10原子数パーセントとなるよう蒸着を行な
い、膜厚が400Åになるようにして前記の基板の
表面に金属薄膜層を形成した。 次に以上のようにして作成した記録材料の金属
薄膜層に波長6328ÅのHe−NeレーザーをNA(開
口数)=0.45のレンズで集光し、金属薄膜層表面
でのレーザー光の強度が5mwになるよう、又、
照射時間10msecの条件で照射したところ、直径
2μmのピツトが形成されていることが顕微鏡観察
によつて確かめられた。 比較例 1 基材として厚み50μmのポリエチレンテレフタ
レートフイルム(東レ製、ルミラーT60)を用い
た以外は実施例と同様にした。 比較例 2 錫−銅合金のかわりに錫を単独で用い、その他
は実施例1と同様にした。 以上の実施例および比較例で得られた記録材料
を用いて記録を行ない、記録エネルギー、及びピ
ツト形状を比較した結果を次表に示す。 次表において記録エネルギーとは2μmのピツト
径を形成するのに要するレーザー出力を意味す
る。 【表】
る。 (従来技術) 従来、レーザービーム等の記録用ビームを記録
材料に照射して照射部分の融解、変形、蒸発等に
より光学的な変化を生ぜしめて記録を行なう方法
は知られている。このような記録方法に用いる記
録材料としては基板に低融点の金属、例えばSb、
Te、Zn、Pb、Cd、Bi、Sn、Se、In、Ga等の薄
膜層を形成してなる記録材料が用いられている。
しかしながら、これら従来のレーザー記録材料は
記録感度、記録により形成されるピツト形状、保
存安定性、及び毒性をすべて満足しうるものでは
ない。例えばTeを用いる場合、記録感度、ピツ
ト形状についてはほゞ満足なものが得られるが、
保存安定性及び毒性に問題があり、又、Snを用
いる場合、毒性が低い利点はあるものの他の諸特
性が劣るものしか得られない。 本発明者は上記の従来の記録材料が有している
欠点を解消するため種々の金属、合金について検
討を行なつたところ、錫と銅を共存させることに
より、上記従来技術における欠点が解消すること
を見い出して本発明に到達したものである。 (発明の構成) 本発明のレーザー記録材料は、少くとも表面が
耐熱性である基材の表面に、1〜40原子数%の銅
を含む錫−銅合金からなる薄膜層を積層してある
ことを特徴とするものである。 第1図は本発明の一実施例のレーザー記録材料
の構造を示す模式的な断面図である。第1図中1
で示すレーザー記録材料は基材2の表面に、1〜
40原子数%の銅を含む錫−銅合金からなる金属薄
膜層3を設けてある。 上記において基材2としては耐熱性のある合成
樹脂のフイルム、シートもしくは板を用いる。耐
熱性のある合成樹脂としてはポリイミド、ポリフ
エニレンサルフアイド、ポリエーテルイミド、ポ
リエーテルサルホン、ポリテトラフロロエチレ
ン、ポリクロルトリフルオルエチレン、ポリアミ
ドイミド、ポリアリルサルホン、ポリフエニレン
オキサイド、6,6−ナイロン、ポリエーテルケ
トン、ポリサルホン等を挙げることができる。 基材2としては上記したように全体が耐熱性の
ある合成樹脂からなるものを用いてもよいが、こ
れら耐熱性のある合成樹脂を別の基体に塗布する
などして複合したものを用いてもよく、要するに
表面が耐熱性であればよい。 上記において、耐熱性のある合成樹脂と複合す
る別の基体としてポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、セルロースアセテー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等
のアクリル、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート等のプラスチツクフイルム、銅やアル
ミニウム等の金属板、ガラス、セラミツクス等、
あるいは紙・前記プラスチツクフイルムと前記の
金属板、ガラス、セラミツクスの積層体が使用で
きる。 基材として上記したように少くとも表面が耐熱
性であるものを使用すると、記録によつて形成さ
れるピツトの周囲が溶融して盛り上がる等の欠点
が生じにくい。 特に基材として少くとも表面がポリサルホン樹
脂からなるものを用いると、ポリサルホン樹脂は
熱変形温度が175℃と高く、このためレーザー光
を用いた記録の際に与えられる熱のためピツトの
周囲が盛り上がるのを防止できる。又、ポリサル
ホン樹脂は下記式 のような構造をとつているので、構造中のCH3基
の作用により樹脂表面の表面張力が小さいので、
ポリサルホン樹脂の照射を受けた錫−銅合金から
なる薄膜層は排除されやすく、このため少ないエ
ネルギーで記録することができる。 なお、基材全体を耐熱性のある合成樹脂で構成
しても、別の基体の表面に耐熱性のある合成樹脂
の層を設けてもよいが、後者の場合、層を設けた
効果を出すためには層の厚みを1〜10μm程度と
するとよい。 次に上記した金属薄膜層3について説明する
と、該金属薄膜層は1〜40原子数パーセントの銅
を含む錫−銅合金からなるものである。この好ま
しい範囲について説明すると銅の含有量が1原子
数パーセントより少ないときはひび割れが発生す
る等のピツト形状の不良があり、記録に要するエ
ネルギーしきい値も好ましい範囲に比して約1.5
倍程度と高く、又、40原子数パーセントを越える
ときは記録感度が低下し、即ち記録に要するエネ
ルギーしきい値が、好ましい範囲に比して2倍以
上となる上、形成されたピツト形状はその周辺が
不均一な拡がりを伴ない、好ましくないものであ
る。なお、銅単独のものでは記録エネルギーを好
ましい範囲の4倍程度に上げても記録は達成され
ない。上記において銅の含有量を5〜20原子数パ
ーセントとすると、更に一層好ましい。 以上のように成分からなる金属薄膜層3の厚み
は100〜5000Å、好ましくは200〜800Åである。
金属薄膜層3の厚みが100Å以下では再生光の反
射率が小さく、光学的読み取りが困難であり、
5000Åを越えると記録感度が低下して好ましくな
い。 錫−銅合金からなる金属薄膜層を設けたレーザ
ー記録材料の感度及び記録時に形成されるピツト
の形状が、錫単独若しくは銅単独の金属薄膜層を
設けたレーザー記録材料の感度及びピツト形状に
くらべて良好である理由は必ずしも明らかではな
いが、錫−銅合金の共晶点は錫及び銅のそれぞれ
の融点よりも低く、又、銅の液体状態における表
面張力が、錫の566×10-3N/mにくらべて135×
10-3N/mと低く、かつ、この表面張力の値は金
属の中でも比較的小さいことから、レーザービー
ムの照射を受けた錫−銅合金からなる金属薄膜層
は溶融しやすく、かつ、溶融時に流動しやすいた
めに、照射部分の錫−銅合金が容易に排除される
ためと考えられる。 上記金属薄膜層3を基材2の表面に設ける方法
について次に述べると、公知の蒸着、スパツタリ
ング、イオンプレーテイング、若しくはプラズマ
蒸着等の方法を利用し得る。一例として蒸着によ
つて金属薄膜層を形成する方法について述べる
と、例えば錫と銅を別個のアルミナ製るつぼに入
れて蒸着装置内にセツトし、加熱の程度を制御す
ることにより、両者の金属の蒸着の割合を制御す
るか、或いは蒸着の時間を制御することにより蒸
着の割合を制御する等の二元蒸着法により蒸着す
るか、又は所定の組成の合金を予め作成してお
き、スパツタリングによつて行なう等の方法が例
示できる。 本発明のレーザー記録材料は基本的には以上の
構成から成るが、更に、表面保護層として、本発
明のレーザー記録材料の錫−銅合金薄膜上にSiO
やMsFなどを蒸着するか、又はアクリル樹脂、
ポリエチレン樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、ポリビニルブチラール樹脂などのビニル系
樹脂、塩化ゴムなどのゴム類、アクリル系紫外線
硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂などを塗布
することにより設けてもよい。或いは又、プライ
マー層としてアクリル樹脂を基材表面に設けても
よい。更に、反射防止膜としてInなどの金属や金
属酸化物等を錫−銅合金薄膜層上に設けるなどし
てもよい。 以上の本発明のレーザー記録材料は記録感度が
高く、ピツト形状も満足し得るものであり、保存
安定性、毒性に関してもすぐれている。 次に本発明をより具体的に示すための実施例を
掲げる。 実施例 1 厚み50μmのポリサルホンフイルム(住友ベー
クライト製、スミライトFS1200)を準備し、フ
レオンで洗浄した。次に真空蒸着装置を用い、真
空度10-6Torrの条件で錫粉末と銅紛末を別々の
アルミナるつぼに入れて同時に加熱し、二元蒸着
法により各るつぼの加熱温度を制御し、銅の含有
率が10原子数パーセントとなるよう蒸着を行な
い、膜厚が400Åになるようにして前記の基板の
表面に金属薄膜層を形成した。 次に以上のようにして作成した記録材料の金属
薄膜層に波長6328ÅのHe−NeレーザーをNA(開
口数)=0.45のレンズで集光し、金属薄膜層表面
でのレーザー光の強度が5mwになるよう、又、
照射時間10msecの条件で照射したところ、直径
2μmのピツトが形成されていることが顕微鏡観察
によつて確かめられた。 比較例 1 基材として厚み50μmのポリエチレンテレフタ
レートフイルム(東レ製、ルミラーT60)を用い
た以外は実施例と同様にした。 比較例 2 錫−銅合金のかわりに錫を単独で用い、その他
は実施例1と同様にした。 以上の実施例および比較例で得られた記録材料
を用いて記録を行ない、記録エネルギー、及びピ
ツト形状を比較した結果を次表に示す。 次表において記録エネルギーとは2μmのピツト
径を形成するのに要するレーザー出力を意味す
る。 【表】
第1図は本発明のレーザー記録材料の構造を示
す模式的な断面図である。 1……レーザー記録材料、2……基材、3……
金属薄膜層。
す模式的な断面図である。 1……レーザー記録材料、2……基材、3……
金属薄膜層。
Claims (1)
- 1 少くとも表面が耐熱性である基材の表面に、
1〜40原子数%の銅を含む錫−銅合金からなる薄
膜層を積層してあることを特徴とするレーザー記
録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168053A JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168053A JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059550A JPS6059550A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0427958B2 true JPH0427958B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=15860953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168053A Granted JPS6059550A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | レ−ザ−記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059550A (ja) |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58168053A patent/JPS6059550A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6059550A (ja) | 1985-04-05 |
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