JPH0428012A - 磁気ディスク及びその製造方法並びに磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、薄膜磁気ディスクの表面性状に係り。

特に薄膜磁気ディスクの磁気ヘッド浮上特性や、ＣＳＳ
　（コンタクト・スタート・ストップ）特性、磁気ヘッ
ド粘着などの耐摺動特性に対して好適な表面性状の磁気
ディスク及びその製造方法並びに磁気ディスク装置に関
する。

［従来の技術］ 従来、スパッタリング、めっき、イオンブレーティング
などの薄膜形成技術を用いて、磁性薄膜を形成して成る
磁気ディスク用基板としては、例えば特開昭５９−８２
６２６号公報に記載のようにアルミニウム合金基板表面
に、磁性薄膜の下地膜として数十ミクロン厚さのＮｉ−
Ｐめっき膜を施して、これを研削、ラップピング、さら
に種々の粒度の砥粒を用いてポリシング加工し、表面粗
さを０．００６〜０．０１０μ■Ｒａの範囲に仕上げた
ものが使用されてきた。この基板に、磁性膜、保護膜お
よび潤滑膜を形成し、磁気ディスクを作成している。

この磁気ディスクの基板の表面粗さが０．００６μｍＲ
ａ以下の場合には、磁気ヘッド（以下、単にヘッドとも
略称）のコンタクト・スタート・ストップ動作において
、ヘッドと磁気ディスク（以下、単にディスクとも略称
）との微小隙間に存在する潤滑剤あるいは吸着水分の表
面張力によりヘッド粘着力や摩擦係数が増大し、磁気ヘ
ッドの支持系、あるいは磁気ディスク表面の損傷を生じ
るおそれがある。

また、表面粗さが、０．０１０μｍＲａ以上の場合には
、電気特性において信号エラーが急激に増え、また。

磁気ヘッドの浮上隙間０．１５μ墓で、ヘッドとの接触
数が増加する。以上のことから、基板の表面粗さは、通
常０．００６〜０．０１０μｍＲａの範囲とすることに
より、磁気ディスクと磁気ヘッドとの摩擦係数及び磁気
ヘッドの粘着力を小さくすることができ、かつ信号エラ
ーとなる欠陥が少なく、磁気ヘッド浮上安定性を損なう
ディスク表面突起を少なくすることができるとなってい
た。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら上記従来技術は、磁気ディスク装置でのＣ
８Ｓ回数に伴う磁気ヘッドおよび磁気ディスク表面のミ
クロ的な変化を明確に把握することについて不十分であ
り、ＣＳＳ特性に及ぼすヘッドおよびディスクの表面性
状について配慮がされておらず、耐摺動特性に対する最
適な表面性状を設定することに問題があった。

したがって、本発明の目的は、かかる従来の問題点を解
消することにあり、その第１の目的は、ヘッド浮上特性
、ＣＳＳ特性、ヘッド粘着特性等のヘッド摺動特性を改
善した磁気ディスクを、第２の目的は、その製造方法を
、そして第３の目的は、かかる磁気ディスクを組み込ん
だ磁気ディスク装置を、それぞれ提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために１本発明者等は、実際のヘッ
ド、ディスクの摺動面を観察、測定し、さらに摺動面の
断面形状、断面観察から摺動状態を種々、検討した。そ
の結果から、最適な摺動面を形成する知見を得た０本発
明はかくして得られた知見に基づいて成されたもので、
以下その技術背景と目的達成手段につき順次説明する。

この摺動面を観察するために、ＣＳＳ試験を数千回繰り
返し、ＣＳＳ試験前後の表面状態を比較した０表面状態
の観察・測定法として、表面粗さ計タリステップにより
ヘッド摺動力向に対して直角方向に断面形状を測定し、
さらに数ミクロン（μｍ）ずつヘッド摺動方向に測定点
を移動させ、再び直角方向に断面形状を測定し、本発明
者等が先に提案した特願平１−１０５９２１に記載のご
とく、３次元負荷曲線を求めた。この負荷曲線から切断
深さ１０ｎｍにおける負荷比率（この負荷比率をＢＲＩ
Ｏと呼ぶことにする）ＢＲＩＯを求め、Ｃ８Ｓ試験前後
での比較を行った。また、ごく表面状態の変化を観察す
るため、電界放射形走査電子顕微鏡を用い、さらにディ
スクの表面に関しては、ディスクの断面試料を作成し、
極表面層の断面観察を行い、摺動による変化を調べた。

今回、上記の観察、測定結果から、Ｃ８Ｓ特性が良好な
ディスクの表面性状は、ヘッド摺動によるヘッドスライ
ダ面と接触しているディスク表面が、ヘッドスライダの
摺動幅内（例えば４００μｍ）に数ケ所から数１０ケ所
の範囲であり、接触している領域すなわち負荷比率ＢＲ
ＩＯは０．０１％〜１０％であることがわかった。また
、ヘッド浮上特性から、表面凹凸における突部高さ（こ
こでは、中心線からピークまでの高さをＲＰと呼ぶ）Ｒ
ｐは５〜５０ｎ＠、好ましくは２０〜３０ｎ■であった
。負荷比率が０．０１％より低いと、ヘッド摺動により
、ディスク表面上のヘッドスライダ−との接触部の摺動
摩耗がはげしく、ディスク表層部である潤滑剤、保護膜
の損傷が著しくなり、磁性媒体にダメージを与える結果
となる。また、逆に負荷比率が１０％より高いと、ヘッ
ドスライダ部との接触面積が大きくなり、摩擦係数が増
大することによって、ヘッド摺動での摩擦抵抗力が大き
くなり、ヘッドをヘッドアームに支持するジンバルの損
傷やディスク回転不能、さらにはヘッドクラッシュの事
故を生じる場合がある。

以上のように、突部高さを５〜５０ｎｍ、好ましくは２
０ｎ鳳〜３０ｎｍとそろえ、かつ、負荷比率ＢＲＩＯを
０．０１〜１０％とする表面を生産性良く形成する一例
を以下に示す。

磁気ディスクの表面構造は、第１図に示すように、ＡΩ
合金基板１上に下地膜としてＮｉ−、Ｐめつき２を施し
、めっき面を研磨後、テクスチャ加工と呼ぶ微細溝を形
成し、その表面中間層として例えばクロム膜３．磁性膜
４、保護膜５及び潤滑膜６で形成されている。ここで、
クロム膜３は、厚さが数１０１００ｎ例えば、　１００
〜３００ｎｍ）であり、下地のＮｉ−Ｐめっき面に微小
な突部が存在すると、第２図に示すようにその突部の傾
面にしたがって突部を加速する状態で成長して、特異点
１１を形成していることがわかった。例えば、Ｎｉ−Ｐ
めつき面２の高さＲｐが２０ｎ醜の突部上におけるクロ
ム膜３（スパッタリングにて成膜）の表面では、突部高
さは約３０ｒｖ＋〜４０ｎ■の特異点１１となることが
わかった。

したがって、Ｎｉ−Ｐめっき２の表面には上記のクロム
膜３の特異点１１の成長となる核を形成する必要がある
ことが判った。この核の形成法としては、砥粒を用いた
引っかき作用、切削バイト等の切削作用、微細粒子の衝
突作用、またイオンビームや電子ビームを用いたエネル
ギービームによるスパッタリング（ドライエツチング）
作用等によって形成する方法がある。

以上の知見に基づいてなされた本発明の目的達成手段に
ついて、以下に具体的に説明する。

上記本発明の第１の目的は。

（１）、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層
、磁性膜及び保護膜を順次積層して成る磁気ディスクの
表面に、高さ５〜５０　ｎｕ（好ましくは１０〜３０ｎ
膳）、幅０．１〜１０．を有し、周方向に断続して配列
された突起が磁気ヘッドのスライダー摺動幅内に複数個
存在するように設けられて成る磁気ディスクにより、ま
た、 （２）、上記磁気ヘッドのスライダー摺動面と接する上
記磁気ディスク接触面の面積を、前記磁気ヘッドのスラ
イダー摺動面に対して、０．０１〜１０％とした上記（
１）記載の磁気ディスクにより、達成される。

上記本発明の第２の目的は。

（３）、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜を形成す
る工程と、前記非磁性下地膜を表面加工する工程であっ
て１次工程で前記非磁性下地膜上に形成する中間層に高
さ５〜５０　ｎ■（好ましくは１０〜３０ｎｍ）、幅０
．１〜１０μｍを有し、周方向に断続して配列された突
起を設けるための核を形成する前記非磁性下地膜の表面
加工工程と、前記非磁性下地膜上に形成する中間層の形
成工程と、前記中間層上に磁性膜を形成する工程と、前
記磁性膜上に保護膜を形成する工程とを含み、磁気ディ
スクの表面に、高さ５〜５０ｎｍ（好ましくは１０〜３
０ｒｖ＋）、幅０．１〜１０μｍを有し、周方向に断続
して配列された突起が磁気ヘッドのスライダー摺動幅内
に複数個存在するように設けて成る磁気ディスクの製造
方法により、また、 （４）、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層
、磁性膜及び保護膜を順次積層する工程と。

前記保護膜の表面加工工程とを含み、前記保護膜の表面
加工工程が前記保護膜上に高さ５〜５０ｎｍ（好ましく
は１０〜３０ｎｍ）、帽０．１〜１０μｍを有し、前記
ディスクの局方向に断続して配列された突起を形成する
表面加工工程から成る磁気ディスクの製造方法により、
また、 （５）、上記非磁性下地膜の表面加工工程が、砥粒を用
いた研磨加工、バイトによる切削加工、もしくはエネル
ギービームによるドライエツチング加工による上記（３
）記載の磁気ディスクの製造方法により、そしてまた、 （６）、上記保護膜の表面加工工程が、砥粒を用いた研
磨加工、バイトによる切削加工、もしくはエネルギービ
ームによるドライエツチング加工による上記（４）記載
の磁気ディスクの製造方法により、それぞれ達成される
。

上記本発明の第３の目的は、 （７）０回動可能な同軸上に所定間隔をおいて複数枚の
磁気ディスクが固定され、且つ前記各磁気ディスク上に
スライダーに保持された磁気ヘッドが前記磁気ディスク
の半径方向に往復移動可能なヘッドアームを介して載置
され、前記磁気ディスクの一定の回転速度により前記ス
ライダーが磁気ディスク面上を摺動して所定間隔浮上し
て駆動する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッド
のスライダー摺動面と接する前記磁気ディスク接触面の
面積を、前記磁気ヘッドのスライダー摺動面に対して、
０．０１〜１０％として成る磁気ディスク装置により、
また、 （８）、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層
、磁性膜及び保護膜を順次積層して成る磁気ディスクの
表面に、高さ５〜５０　ｎ■（好まし、くけ１０〜３０
ｎ諷）１幅０．１〜１０．を有し、周方向に断続して配
列された突起が上記スライダーの摺動幅内に複数個存在
するように設けられて成る上記（７）記載の磁気ディス
ク装置により、また、 （９）、上記非磁性ディスク基板がアルミニウム合金円
板、非磁性下地膜がＮｉ−Ｐめっき膜、中間層がクロム
のスパッタ膜から成る上記（７）もしくは（８）記載の
磁気ディスク装置により、そしてまた。

（１０）、上記保護膜上に潤滑膜を積層して成る上記（
８）もしくは（９）記載の磁気ディスク装置により、そ
れぞれ達成される。

［作用］ 研磨仕上げした表面粗さ０．００２μ１ｉＲａ以下の例
えばＮｉ−Ｐめっき態合金基板９の両面を、第３図に示
すように、不織布で構成されたクロステープ７を押圧治
具８に支持されたコンタクトローラで基板面に押圧し、
クロステープ７と基板面との間に。

砥粒として例えばダイヤモンドスラリー液を供給口１０
から基板面に供給しながら、基板９を回転させる、基板
９の両面には、第４図にその表面粗さを示すように、微
細な凹凸が形成され、この基板面に、中間層として例え
ばクロムのスノ（ツタ膜３を厚さ２００〜３００ｎ醜形
成させると第２図しこ示したように高さが５〜５０ｎｍ
（好ましくは２０〜３０ｎｍ）の特異点１１が形成され
る。

このクロムのスパッタ膜３上に、磁性膜４、保護膜５、
潤滑膜６を順次形成すると、特異点１１の突起はその後
の積層膜の表面に反映保持されて所定の表面性状を備え
た磁気ディスクが作成される。

これによってこの磁気ディスクの表面上を、Ｃ８Ｓによ
り磁気ヘッドが摺動すると、磁気ヘッドのスライダ面は
第５ｙＡに示すよう番こ、特異点１１の形状が反映され
てディスク表面に形成された突起上を主として摺動する
ので、ヘッドとディスクとの接触点が少なく、ヘッド粘
着力が小さく、またＣ８Ｓ回数を増しても、ヘッド接線
力の増大＋１わずかである。また、特異点１１によるデ
ィスク表面の突起の高さは、５〜５０ｎｍ　（好ましく
番ま２０〜３０ｎ鵬）と安定しているので、ヘッド浮上
特性も良好である。

なお、上記のように中間層３に特異点１１を形成してそ
の後の積層膜上にこの形状を反映させる代わりに、前項
の（４）で述べたように積層膜の外層である保護膜５の
表面に同様の表面加工を施しても同様の表面性状が実現
できる。

［実施例］ 以下１図面にしたがい本発明の一実施例を説明する。

実施例１゜ 第１図は、磁気ディスクの断面構造を模式的に示した構
成図、第２図は、基板状への積層膜の形成にしたがって
中間層３の特異点１１の形状がその後の積層膜に反映さ
れる様子を示した磁気ディスクの要部断面構造図である
。

本発明の磁気ディスクは、アルミニウム合金円板からな
る基板１に、Ｎｉ−Ｐめつき膜２を下地膜として形成し
、その上にクロム中間膜３、Ｃｏ−Ｎｉ系磁性膜４．カ
ーボン保護膜５をスパッタリングにより順次形成し、最
後に潤滑剤６を塗布した多層構造を形成している。

Ｎｉ−Ｐめっき膜２の表面は、予め両面研磨によって表
面粗さ０．００２μｍＲａ以内に鏡面仕上げし、第３図
に示す表面加工方法、すなわち、不織布でできたクロス
テープ７を加圧治具８で押圧し、円板９とクロステープ
７との間に砥粒径の揃った（この例では３μ謙）ダイヤ
モンドスラリーを供給口１０から供給しながら１円板９
を回転させ、クロステープ７を円板９の半径方向に往復
摺動させることによって円板の円周方向に微細な凹凸を
形成する。

この例では表面粗さが０．００９μｍＲａとなった。こ
の表面加工は、この後の中間層３に突起（特異点１１）
を設けるための核形成として必要な工程であり、加工面
の微細な凸部が核となる。

かくして得られたＮｉ−Ｐめっき膜２上に、中間層とし
て厚さ２００〜４００ｎｉ＋のクロム膜３をスパッタリ
ングにより形成し、第２図に示すように、クロム膜３に
高さ１０〜３Ｏｎ朧の特異点１１を形成する。これらの
特異点１１は、幅０．１〜ｌＯμ醜、円板９の周方向に
長さ１００〜２００μ票の稜線状のもので、円板９の半
径方向に対して、１００μ朧の単位長さ当たり数ケ所存
在した。

また１円板９の半径方向に、磁気ヘッドのスライダーＩ
ＩＩ（この例では４００μｍ）に相当する距離の断面形
状を測定し、かつ円周方向に磁気ヘッドのスライダー長
さ約４■鵬に相当する距離の表面、すなわち４００μ墓
×４重層の面積における３次元的な負荷曲線において、
頂部から切断面の深さ１０ｎ＋ｓＬこおける負荷比率は
０．０１〜１０％の範囲であった。

このクロムスパッタ膜３の表面に、さらにスノくツタリ
ングによりＣｏ−Ｎｉ系の磁性膜を厚さ約５０ｎｍ形成
し、さらに保護膜５としてカーボン膜を厚さ約５０ｎ−
形成した。この表面にフッ素系の潤滑膜６を塗布し、磁
気ディスクを形成した。

この磁気ディスクを用いて、Ｍｎ−Ｚｎ系の磁気ヘッド
で浮上隙間（Ｈｆ＋ｙ）＝０．２μ＋ｗにてｃｓｓ試験
を行った。その結果は第６図に示すように、Ｃ８Ｓ回数
に対して、ヘッド接線力はほとんど増大せず。

Ｃ８Ｓ後のディスク表面を電界放射型走査電子顕微鏡に
て観察した結果、ヘッドのスライダー１２面は、第５図
に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき基板に形成したクロムス
パッタ膜３の特異点１１により反映された表面微細凸部
によって支持され、接触摺動していることがわかった。

したがって、ヘッドスライダ−１２面とディスク面とは
、高さｌＯ〜３０ｎｍの微小な丘陵で接触しているので
、潤滑剤や吸着水分の表面張力による粘着力は小さく、
コンタクトスタート時でのヘッド支持用ジンバルや、デ
ィスク表面へのダメージがほとんどない。また、微細凸
部の高さがｌＯ〜３０ｎｍと均一であるので、ヘッド浮
上隙間（ＨｆＩｙ）＝０．２μｍに対して、浮上障害に
なることも無い。なお、第６図のヘッド接線力の測定は
、周知の方法、つまりＣ８Ｓ試験においてヘッドスライ
ダ−１２がディスク面を摺動するときにヘッドを支持す
るヘッドアームに現れる歪を計測して求めたものである
。したがって、ヘッド接線力が大きくなるということは
、それだけヘッドスライダ−１２の摺動抵抗が大きいこ
とを意味する。

〈比較例〉 比較例１として、Ｎｉ−Ｐめっき基板９の鏡面に対して
実施例１と同様のダイヤモンドスラリーによる表面加工
の後、さらに細かい粒径１μ腫のダイヤモンドスラリー
（実施例１の１／３の粒径）により表面粗さ０．００２
μｍＲａに表面加工した。この円板９上に上記実施例１
と同様の方法で多層成膜を形成した磁気ディスクについ
て、Ｃ８Ｓ試験を行った。その結果を実施例１と同様に
第６図に示したが、この比較例のヘッド接線力は、Ｃ８
Ｓ回数とともに、急に増大し、ヘッド支持系が損傷した
り、また円板が回転しなくなる状態が生じた。この円板
は、前述と同様に観察した結果、クロムスパッタ膜３に
特異点が少なく、かつ非常に小さかった。

また、３次元的負荷比率も高く、１０％を超えていた。

また、比較例２として、ダイヤモンドスラリーの砥粒径
を実施例１の２倍の６μ園と大きくした場合には、Ｎｉ
−Ｐめっき面での表面凹凸が厳しく、この形状がその後
に形成する多層成膜面にも反映されてヘッド浮上特性を
劣化させ、また、スクラッチ部等の影響により信号エラ
ーとなる欠陥が多数生じた。この磁気ディスク表面では
、３次元的負荷比率が低く、０．０１％未満であった。

なお、この例ではクロムスパッタ膜３に特異点１１が現
れなかった。

実施例２゜ この例は、実施例１と同様に両面が鏡面仕上げ加工され
たＮｉ−Ｐめっき基板９に、クロムスパッタ膜３に特異
点１１を形成するための核を設ける表面加工方法として
、実施例１の砥粒の代わりにバイトを用いて加工したも
のである。

つまり、第７図に示すように、先端刃先が鋭利なダイヤ
モンドバイト１３によって微細な凹凸からなる突起１４
を形成した。核となるこの突起１４は。

基板の周方向に断続した長さを有し、高さ５〜１０ｎｕ
の凸部丘陵を基板半径方向に５０〜１００μＩのピッチ
で形成された。

この加工表面に実施例１と同様、中間層としてクロムの
スパッタ膜３を３００ｎ■厚さ形成した結果、高さ１０
〜３０ｎｍの特異点１１が生じ、磁性膜４、保護膜５、
潤滑膜６を形成し、磁気ディスクを作成し、同様の試験
を行った結果、実施例１と同様に良好な結果が得られた
。

実施例３゜ この例は、Ｎｉ−Ｐめっき膜２の表面加工寸法として、
実施例２のダイヤモンドバイトによる加工の代わりにエ
ネルギービームを用いた加工方法によって、クロムのス
パッタ膜３の特異点１１形成のための核となる微小な凸
部１４を形成したものである。

エネルギービームとしては、アルゴンイオンの収束ビー
ムを用い、これを被加工面に照射し周知のスパッタリン
グ技術によりエツチング加工した。

第８図は、この様子を示したもので、高さ１０ｎ＠。

凸部丘陵の幅０．２μ鳳、基板９の周方向に長さ１００
〜２００μ−の断続した核となる突起１４を半径方向に
ピッチ５０〜１００μｍで形成した。

この後、中間層３としてクロムをスパッタ成膜した結果
、実施例１，２と同様に微細凸部から成る特異点１１が
形成でき、これを用いて前記いずれの実施例とも同様の
方法で磁気ディスクを製造した。かくして得られた磁気
ディスクも、実施例１゜２と同様にヘッド粘着やＣ８Ｓ
特性に対し良好な結果を得ることができた。

実施例４゜ この例は、本発明の第２の目的を達成する手段として（
４）に述べた内容の実施例を示すものである。

Ｎｉ−Ｐめっき基板９は鏡面とし、周知の方法でクロム
中間層３．磁性膜４．保護膜５を順次スパッタリングに
より形成しておき、保護膜５の表面に限り前述の実施例
１〜３における核形成のためにＮｉ−Ｐめっき膜２の表
面に微細凹凸の形成加工を行った方法と同一の表面加工
方法を施し、保護膜５上に特異点１１に相当する突起１
４を直接形成した。

つまり、砥粒やダイヤモンドバイト、あるいはエネルギ
ービーム加工法によって、保護膜５の表面に直接微細凸
部を形成し、ヘッドスライダ−面に対する３次元的負荷
比率が、切断深さ１０ｎｍの面において０．０１〜１０
％となるようにした磁気ディスクを作成した。この磁気
ディスクに対して、ヘッド粘着、Ｃ８Ｓ特性を調べたと
ころ、前述の実施例と同様に良好な結果を示し、ヘッド
浮上特性も良好であった。さらに、電気特性での信号エ
ラーの要因となる基板上の欠陥が大幅に低減するので。

電気特性が非常に改善され、高性能、高信頼性の磁気デ
ィスク装置が得られた。

実施例５゜ 第９図は、上記実施例１〜４により製造された磁気ディ
スク８０を用いて磁気ディスク装置８５を構成した一部
断面斜視図を示したものである。

複数枚の磁気ディスク８０が所定間隔で同一回転軸に装
着固定されており、それぞれのディスクの両面に情報の
記録、読み出しを行う磁気ヘッド８１が設置されている
。

第１０図は、上記第９図のディスク装置におけるディス
ク８０とヘッド８１との関係を模式的に示した説明図で
、ヘッド８１はへラドアーム８４の先端に固定され（具
体的には、図を省略したがジンバルを介して固定）、デ
ィスクが静止状態もしくは回転初期状態にあるときはジ
ンバルの弾性力によりディスク面上に押圧され、接触も
しくは摺動状態であるが、ディスクが高速回転状態にな
るとヘッド８１は、ディスク８０との空気流の効果で例
えば、０．２μｍといったサブミクロンの浮上量で浮上
した状態となる。

第１１図は、磁気ヘッドが搭載されているヘッドスライ
ダ−１２の一例を示したもので、スライダー１２の摺動
面８２の寸法は、幅Ｗが０．４ｍ、長さＱが４ｍであり
、このヘッドスライダ−の長さρ方向がディスクの円周
方向と同一になるように設置されている。

以上の装置構成から成る磁気ディスク装置８５は、磁気
ディスク８０面上でのヘッドスライダ−１２の摺動特性
及び磁気ヘッド８１の浮上特性が改善され、信頼性の高
い駆動特性を実現することができた。

［発明の効果］ 本発明によれば、上述の通り磁気ディスクの表面性状が
均一で微細な凸部を有して最適化されている。この最適
化された微細凸部でヘッドスライダ−摺動面を支持し、
これによって磁気ディスク表面に塗布された潤滑剤や吸
着水分の表面張力によるヘッド粘着力は小さくなり、ま
たＣ８Ｓ回数によるヘッド接線力の増大もほとんど無く
、ヘッド摺動信頼性が大幅に向上する効果がある。

また、微細凸部の高さは５〜５０止、好ましくは２０〜
３０ｎｍと均一であるので、ヘッド浮上性も良好であり
、スクラッチ等の欠陥も少なく信号エラーも大巾に改善
され、優れた磁気ディスク装置を実現することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す磁気ディスクの断面構
造図、第２図は同じく磁気ディスクの断面詳細図、第３
図は本発明の一実施例となる下地膜のＮｉ−Ｐめっき膜
を表面加工する際に使用した表面加工装置の一例を示し
た概略図、第４図は基板加工面の断面形状を表面粗さ計
タリステップを用いて測定した断面曲線図、第５図は磁
気ディスク面と磁気ヘッドスライダ−面との接触状態を
示した断面図、第６図はＣ８Ｓ試験における本発明と比
較例とのヘッド接線力の変化を示す特性図、第７図は本
発明の他の実施例となる下地膜のＮｉ−Ｐめっき膜をバ
イトで表面加工する際の断面図、第８図は本発明のさら
に異なる実施例となる下地膜のＮｉ−Ｐめっき膜をエネ
ルギービームで表面加工する際の断面図、第９図は本発
明の磁気ディスク装置の一部断面斜視図、第１０図は磁
気ディスク装置におけるディスクとヘッドとの関係を示
す模式図、そして第１１図はヘッドスライダ−の外観図
である。 〈符号の説明〉 １・・・基鈑（アルミニウム合金円板）、２・・・Ｎｉ
−Ｐめっき膜、 ３・・・中間層（クロム膜）、 ４・・・磁性膜、 ５・・・保護膜、 ６・・・潤滑膜、 ７・・・クロステープ、 ８・・・押圧治具、 ９・・・円板、 １０・・・砥粒（ダイヤモンドスラリー）供給口、１１
・・・特異点、 １２・・・ヘッドスライダ− １３・・・バイト、 １４・・・突起。 ８０・・・磁気ディスク、 ８１・・・ヘッド、 ８２・・・スライダー摺動面。 ８４・・・ヘッドアーム、 ８５・・・磁気ディスク装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層、磁
   性膜及び保護膜を順次積層して成る磁気ディスクの表面
   に、高さ５〜５０ｎｍ、幅０．１〜１０μｍを有し、周
   方向に断続して配列された突起が磁気ヘッドのスライダ
   ー摺動幅内に複数個存在するように設けられて成る磁気
   ディスク。 ２、上記磁気ヘッドのスライダー摺動面と接する上記磁
   気ディスク接触面の面積を、前記磁気ヘッドのスライダ
   ー摺動面に対して、０．０１〜１０％として成る請求項
   １記載の磁気ディスク。 ３、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜を形成する工
   程と、前記非磁性下地膜を表面加工する工程であって、
   次工程で前記非磁性下地膜上に形成する中間層に高さ５
   〜５０ｎｍ、幅０．１〜１０μｍを有し、周方向に断続
   して配列された突起を設けるための核を形成する前記非
   磁性下地膜の表面加工工程と、前記非磁性下地膜上に形
   成する中間層の形成工程と、前記中間層上に磁性膜を形
   成する工程と、前記磁性膜上に保護膜を形成する工程と
   を含み、磁気ディスクの表面に、高さ５〜５０ｎｍ、幅
   ０．１〜１０μｍを有し、周方向に断続して配列された
   突起が磁気ヘッドのスライダー摺動幅内に複数個存在す
   るように設けて成る磁気ディスクの製造方法。 ４、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層、磁
   性膜及び保護膜を順次積層する工程と、前記保護膜の表
   面加工工程とを含み、前記保護膜の表面加工工程が前記
   保護膜上に高さ５〜５０ｎｍ、幅０．１〜１０μｍを有
   し、前記ディスクの周方向に断続して配列された突起を
   形成する表面加工工程から成る磁気ディスクの製造方法
   。 ５、上記非磁性下地膜の表面加工工程が、砥粒を用いた
   研磨加工、バイトによる切削加工、もしくはエネルギー
   ビームによるドライエッチング加工による請求項３記載
   の磁気ディスクの製造方法。 ６、上記保護膜の表面加工工程が、砥粒を用いた研磨加
   工、バイトによる切削加工、もしくはエネルギービーム
   によるドライエッチング加工による請求項４記載の磁気
   ディスクの製造方法。 ７、回動可能な同軸上に所定間隔をおいて複数枚の磁気
   ディスクが固定され、且つ前記各磁気ディスク上にスラ
   イダーに保持された磁気ヘッドが前記磁気ディスクの半
   径方向に往復移動可能なヘッドアームを介して載置され
   、前記磁気ディスクの一定の回転速度により前記スライ
   ダーが磁気ディスク面上を摺動して所定間隔浮上して駆
   動する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドのス
   ライダー摺動面と接する前記磁気ディスク接触面の面積
   を、前記磁気ヘッドのスライダー摺動面に対して、０．
   ０１〜１０％として成る磁気ディスク装置。 ８、非磁性ディスク基板上に非磁性下地膜、中間層、磁
   性膜及び保護膜を順次積層して成る磁気ディスクの表面
   に、高さ５〜５０ｎｍ、幅０．１〜１０μｍを有し、周
   方向に断続して配列された突起が上記スライダーの摺動
   幅内に複数個存在するように設けられて成る請求項７記
   載の磁気ディスク装置。 ９、上記非磁性ディスク基板がアルミニウム合金円板、
   非磁性下地膜がＮｉ−Ｐめっき膜、中間層がクロムのス
   パッタ膜から成る請求項７もしくは８記載の磁気ディス
   ク装置。 １０、上記保護膜上に潤滑膜を積層して成る請求項８も
   しくは９記載の磁気ディスク装置。