JPH04283417A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体およびその製造方法

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JPH04283417A
JPH04283417A JP3047876A JP4787691A JPH04283417A JP H04283417 A JPH04283417 A JP H04283417A JP 3047876 A JP3047876 A JP 3047876A JP 4787691 A JP4787691 A JP 4787691A JP H04283417 A JPH04283417 A JP H04283417A
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JP
Japan
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diamond
film
magnetic recording
carbon film
alkyl group
Prior art date
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Pending
Application number
JP3047876A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikio Murai
幹夫 村居
Takashi Suzuki
貴志 鈴木
Kiyoshi Takahashi
高橋 喜代司
Masaru Odagiri
小田桐 勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3047876A priority Critical patent/JPH04283417A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜を磁気記
録層とする磁気記録媒体およびその製造方法に関し、特
にデジタルビデオテープレコーダや高精細度ビデオテー
プレコーダに最適な磁気テープに関する。
【0002】
【従来の技術】強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気
記録媒体においては、様々な方法により耐食性、スチル
耐久性、走行耐久性を向上する試みが続けられてきた。 たとえば、強磁性金属薄膜上にカルボン酸系やリン酸系
の潤滑剤を設ける方法、さらに強磁性金属薄膜上に非磁
性金属の保護膜を設ける方法、またはシリカのような酸
化物の保護膜を設ける方法がある。
【0003】さらに最近では、特開昭61ー14252
5号公報、特開昭61ー208622号公報に開示され
ているようにカーボン系の保護膜を設けたり、特開昭6
2ー219314号公報、特開昭61ー210518号
公報に開示されているようにダイヤモンド状炭素膜を保
護膜として用いている。また、特開平2ー137116
号公報に開示されているようにダイヤモンド状炭素膜と
プラズマ重合膜を保護膜として用いる例もある。強磁性
薄膜の保護膜としてダイヤモンド状炭素膜を用いると、
スチル耐久性、走行耐久性、が著しく向上するが、ダイ
ヤモンド状炭素膜が不活性なために潤滑剤の配向が悪く
、撥水性が低いため、高温高湿環境で走行性が悪くなり
ジッターが発生しやすくなる欠点があった。そこで、ダ
イヤモンド状炭素膜とプラズマ重合膜を保護膜として、
撥水性はプラズマ重合膜にもたせることも考えられたが
、これも潤滑剤が重合膜と反応していないので潤滑剤の
大部分がバックコート側に移動し、潤滑剤不足による耐
久性の低下が避けられなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体のスチル耐久性、走行耐久性を著しく向上する
ダイヤモンド状炭素膜を用いても、高温高湿環境での走
行性悪化にもとづくジッターが発生せず、目づまりも少
ない薄膜型磁気記録媒体を提供することを目的としてい
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、ダイヤモンド状炭素膜と反応しやすい潤滑剤として
、ヒドラジノ骨格を持ち、かつ走行性に寄与する炭素数
6以上の長鎖アルキル基を持 った構造として、ダイヤ
モンド状炭素膜上から簡単に移動しない構成とする。
【0006】さらに、長鎖アルキル基を含んだヒドラジ
ノ化合物とダイヤモンド状炭素膜との反応性を高く保つ
ために、媒体を真空中からだすことなくダイヤモンド状
炭素膜形成後すぐに潤滑剤層として、長鎖アルキル基を
含んだヒドラジノ化合物を有機蒸着法で形成する。
【0007】
【作用】ヒドラジノ基、−NHNH2基がダイヤモンド
状炭素膜表面と強く反応し、いつまでも表面に残るため
耐久性がある。また、炭素数6以上の長鎖アルキル基の
効果で走行性も良くなり、ジッタ−も発生しにくくなる
。さらに、長期使用による目詰まりの発生もほとんどな
い。
【0008】本発明の利点は、高温高湿環境での走行不
良によるジッターの発生もなく、長期間使用による品質
の劣化がないことにある。
【0009】製造法的特徴は1つの真空槽中で保護膜関
連の2工程を一度に行うことにあり、ダイヤモンド状炭
素膜上に大気中の水や酸素が付着するのを防ぎながら潤
滑剤層を設けて、潤滑剤の反応性を高めている。
【0010】
【実施例】(図1)は金属薄膜型磁気テープの断面略図
であり、この構成について説明する。
【0011】1はダイヤモンド状炭素膜と反応性の高い
潤滑剤層であり、分子中に炭素数6以上の長鎖アルキル
基とヒドラジノ基を有する。その例としては、C12H
25COC6H4NHNH2や  C8F17(CH2
)2COC6H4NHNH2、CH3(CH2)6−N
HNH2がある。
【0012】2はダイヤモンド状炭素膜で、膜のビッカ
ース硬度が約3000と高く、磁気テープのダメージを
潤滑剤と共に防いでいる。厚みは100Åから200Å
が信頼性と出力とのバランス上最適である。
【0013】3は強磁性金属薄膜であり、材料的にはC
o−Ni−O,Co−O,Co−Cr等が使用可能であ
る。その厚みは500Åから3000Åが一般的である
【0014】4は非磁性基板であり、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、
ポリイミド等のフイルムやアルミ基板、ガラス基板等が
可能である。基板の磁性面側の表面は100Åから30
0Åの突起形成処理が施されているものが信頼性と出力
を両立するうえで最適である。
【0015】5はバックコート層で、材料的にはポリウ
レタン、ニトロセルロース、ポリエステルとカーボン、
炭酸カルシュウム等を含んでいる。厚みは5000Åで
ある。  (図2)は本発明の磁気記録媒体の製造装置
の1例である。
【0016】6は真空槽であり10ー4Torrから1
0ー3Torrに管理されている。これは11の排気口
からホンプで排気して管理する。
【0017】7はダイヤモンド状炭素膜を製造する放電
管であり、交流と直流が電極に印加される。ガスは炭化
水素とアルゴン等の不活性ガスを使用する。
【0018】8は潤滑剤層を形成する有機蒸着用のノズ
ルであり、この中の抵抗加熱器9の中へ潤滑剤を入れて
蒸発させる。
【0019】10は金属薄膜型磁気テープのバックコー
ト層が沿って走行する冷却用のキャンである。
【0020】以下製造条件も含めて詳しく説明する。5
00mm幅のポリエチレンテレフタレート表面に、ST
M分析で高さが300Å、直径が2000Åの突起が1
mm2あたり105から109個形成された非磁性基板
4上へ、斜方真空蒸着法により酸素を導入しながら、C
o(80)−Ni(20)からなる強磁性金属薄膜3を
1800Åの厚みで形成する。その後リバースロールコ
ータによりポリウレタン、ニトロセルロース、カーボン
ブラックより構成された固形分30%のメチルエチルケ
トン/トルエン/アノン溶液を乾燥後のバックコート5
の厚みが5000Åになるように塗布する。
【0021】この強磁性金属薄膜3上にアルゴンガスと
ヘキサンガスを1:4の比で混合し、トータルガス圧を
0.3Torrに保って、周波数20KHz電圧150
0Vの交流と1000Vの直流を放電管7内の電極に重
畳印加し、プラズマCVD法によりダイヤモンド状炭素
膜2を150Åの厚みで形成する。
【0022】次に各種ヒドラジノ化合物を溶媒に溶かし
てコ−タで塗布し、乾燥後の潤滑剤厚みを30Åとした
。使用した炭素数6以上のアルキル基を持ったヒドラジ
ノ化合物のアルキル基の例としては、CH3CH2,C
H3(CH2)5,C12H25,C14H29COC
6H4,CH3C6H3C10H21,C6F13(C
H2)2,C8F17(CH2)2,CF3(CH2)
2を用い、これらをそれぞれ順番にサンプル1からサン
プル8とした。また、比較例としてダイヤモンド状炭素
膜上に含フッソカルボン酸、C8F17(CH2)2C
OOHを30Å設けたものを(比較例1)とし、含フッ
ソカルボン酸エステル、C8F17(CH2)2COO
(CH2)8CH3を30Å設けたものを(比較例2)
とした。
【0023】これらサンプル1から8と(比較例1)お
よび(比較例2)をスリッターで8mm幅に裁断し磁気
テープを作成した。試作した磁気テープサンプル1から
8と(比較例1)および(比較例2)を用いて、まず4
0℃−80%環境下で動摩擦係数を測定した。測定は摩
擦係数測定機を用い、ポスト材質はSUS420J2,
直径4mm、表面粗さ0.2s,荷重30gf,テープ
速度0.5mm/sの条件でおこなった。その結果を各
サンプルについて(表1)に示した。また、この動摩擦
係数と関係があると考えられる40℃−80%環境のV
TRデッキでのジッターレベルも(表1)に示した。
【0024】さらに、これらのサンプル1から8と(比
較例1)および(比較例2)を120分テ−プとしてカ
セットに組み込み、8mmVTRで200パス再生テス
トを行ない、目づまり特性を調べた。目づまりは、10
0時間あたりの目づまり時間(秒)で表示した。その結
果も(表1)に示した。
【0025】
【表1】
【0026】また、サンプル6、7と(比較例1)およ
び(比較例2)を可溶性溶媒で十分に洗浄後、ESCA
分析により残存フッソ量を測定し、ダイヤモンド状炭素
膜と潤滑剤との反応性の強さを調べた。その結果を(図
3)に示した。
【0027】このように、分子内に炭素数6以上のアル
キル基とヒドラジノ基をもつタイプの潤滑剤は、カルボ
ン酸やカルボン酸 エステルよりもダイヤモンド状炭素
膜表面と強く反応していることがわかった。その結果、
(表1)のサンプル2、3、4、5、6、7のようにア
ルキル基の長さが炭素数6以上であると、摩擦係数も低
く、かつジッタ−も良好であった。また、目づまりもア
ルキル基の炭素数が6以上になると発生しにくくなって
いた。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明はダイヤモンド状炭
素膜上にこのダイヤモンド状炭素膜表面と反応しやすい
炭素数6以上のアルキルあるいはフッソを含んだアルキ
ル基を持ったヒドラジノ化合物−NHNH2を潤滑剤と
して設けることにより 、磁気テープの走行性とVTR
でのジッター特性を改善し、さらに再生中での目づまり
特性を改善する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例である金属薄膜型磁気テープの
断面略図である。
【図2】本発明の実施例である保護膜形成装置の略図で
ある。
【図3】ダイヤモンド状炭素膜表面へのアルキル置換ヒ
ドラジノ化合物の反応性の強さを示す図である。
【符号の説明】
1  潤滑剤層 2  ダイヤモンド状炭素膜 3  強磁性金属薄膜 4  ポリエチレンテレフタレート 5  バックコート 6  真空槽 7  ダイヤモンド状炭素膜用放電管 8  有機蒸着用ノズル 9  抵抗加熱器 10  キャン 11  排気口

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  非磁性基板上に強磁性金属薄膜とダイ
    ヤモンド状炭素膜と潤滑剤層とを設けた磁気記録媒体で
    あって、前記潤滑剤層が分子内にアルキル基とヒドラジ
    ノ基を有することを特徴とする磁気記録媒体 。
  2. 【請求項2】  アルキル基が炭素数6以上の基である
    ことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】  アルキル基中にフッソ原子を含むこと
    を特徴とする請求項2記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】  ダイヤモンド状炭素膜をプラズマCV
    D法で、潤滑剤層を有機蒸着法で連続的に形成すること
    を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
JP3047876A 1991-03-13 1991-03-13 磁気記録媒体およびその製造方法 Pending JPH04283417A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0595564A3 (en) * 1992-10-29 1994-06-15 Tdk Corp Magnetic recording medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01199315A (ja) * 1987-10-27 1989-08-10 Seiko Epson Corp 磁気記憶体

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