JPH04287143A - データ記憶装置 - Google Patents
データ記憶装置Info
- Publication number
- JPH04287143A JPH04287143A JP3077029A JP7702991A JPH04287143A JP H04287143 A JPH04287143 A JP H04287143A JP 3077029 A JP3077029 A JP 3077029A JP 7702991 A JP7702991 A JP 7702991A JP H04287143 A JPH04287143 A JP H04287143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- volatile memory
- cpu
- write
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、データ記憶装置に関し
、特に不揮発性メモリにデータを記憶する装置に関する
ものである。
、特に不揮発性メモリにデータを記憶する装置に関する
ものである。
【0002】多重伝送装置等は装置内の電源立ち上げ時
などの種々のシステムパラメータとしてのデータを記憶
しておく必要があり、これらのデ−タは装置の電源が切
れている状態でも保存する必要がある。
などの種々のシステムパラメータとしてのデータを記憶
しておく必要があり、これらのデ−タは装置の電源が切
れている状態でも保存する必要がある。
【0003】電源断時等においてもデータを保存するた
めの不揮発性メモリとしては一般的にEEPROM(E
lectrically Erasable and
Programmable Read Only Me
mory)が用いられるが、一般にEEPROMは電気
的書込の回数に比例して劣化が起こる。これは、EEP
ROMを構成する二酸化シリコンの絶縁層の中に欠陥が
存在し、“1”から“0”、“1”から“0”とデ−タ
の書込が行われる回数に比例して二酸化シリコンの絶縁
層に電子の注入が進行し、書込回数が例えば1万回程度
になるとキャリアの移動度が低下して最終的には常時電
流が流れる状態になり、デ−タ的には常に“0”になっ
てしまうからである。
めの不揮発性メモリとしては一般的にEEPROM(E
lectrically Erasable and
Programmable Read Only Me
mory)が用いられるが、一般にEEPROMは電気
的書込の回数に比例して劣化が起こる。これは、EEP
ROMを構成する二酸化シリコンの絶縁層の中に欠陥が
存在し、“1”から“0”、“1”から“0”とデ−タ
の書込が行われる回数に比例して二酸化シリコンの絶縁
層に電子の注入が進行し、書込回数が例えば1万回程度
になるとキャリアの移動度が低下して最終的には常時電
流が流れる状態になり、デ−タ的には常に“0”になっ
てしまうからである。
【0004】従って、データを保管するに当たっては、
このようなEEPROMの書込回数を常に監視しながら
行う必要がある。
このようなEEPROMの書込回数を常に監視しながら
行う必要がある。
【0005】
【従来の技術】図3(a) は、EEPROMを用いた
従来のデータ記憶装置を示したもので、1つのEEPR
OM1とCPU3とで構成され、その動作は同図(b)
に示すように、CPU3はまず、EEPROM1への
書込要求が発生すると(同ステップS1)、EEPRO
M1に設けた書込回数領域から現在の書込回数(最初の
書込の時点では“0”)を読み出し(同S2)、これが
制限回数未満であるか否かを判定する(同S3)。
従来のデータ記憶装置を示したもので、1つのEEPR
OM1とCPU3とで構成され、その動作は同図(b)
に示すように、CPU3はまず、EEPROM1への
書込要求が発生すると(同ステップS1)、EEPRO
M1に設けた書込回数領域から現在の書込回数(最初の
書込の時点では“0”)を読み出し(同S2)、これが
制限回数未満であるか否かを判定する(同S3)。
【0006】この判定の結果、制限回数未満であると判
定されたときには、EEPROM1のデータ領域へデー
タを書き込むと共に上記に読み出した書込回数を“1”
だけインクリメントした書込回数を書込回数領域に書き
込む(同S4)。
定されたときには、EEPROM1のデータ領域へデー
タを書き込むと共に上記に読み出した書込回数を“1”
だけインクリメントした書込回数を書込回数領域に書き
込む(同S4)。
【0007】一方、ステップS3での判定の結果、制限
回数を越えていると判定されたときには、CPU3に接
続されている外部装置へ『書込制限回数オーバーアラー
ム』を通報する(同S50)。これにより、この通報を
聞いたオペレータはEEPROM1が寿命になったと判
断してEEPROM1を交換するなどの処置を行うこと
となる。
回数を越えていると判定されたときには、CPU3に接
続されている外部装置へ『書込制限回数オーバーアラー
ム』を通報する(同S50)。これにより、この通報を
聞いたオペレータはEEPROM1が寿命になったと判
断してEEPROM1を交換するなどの処置を行うこと
となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のデー
タ記憶装置においては、不揮発性メモリとしてのEEP
ROMがその制限回数に達して寿命になったと判定され
たときには、新しいEEPROMと交換されるため、こ
の交換時においては新しいEEPROMにはデータが何
も書かれておらず最新のデータが失われてしまい、不揮
発性メモリというEEPROM本来の使用目的を達成で
きなくなるという問題点があった。
タ記憶装置においては、不揮発性メモリとしてのEEP
ROMがその制限回数に達して寿命になったと判定され
たときには、新しいEEPROMと交換されるため、こ
の交換時においては新しいEEPROMにはデータが何
も書かれておらず最新のデータが失われてしまい、不揮
発性メモリというEEPROM本来の使用目的を達成で
きなくなるという問題点があった。
【0009】従って、本発明は、不揮発性メモリの書込
回数が制限回数に達した場合でも最新のデータを保持で
きるデータ記憶装置を実現することを目的とする。
回数が制限回数に達した場合でも最新のデータを保持で
きるデータ記憶装置を実現することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】図1は、上記の目的を達
成するための本発明に係るデータ記憶装置の原理説明図
で、同図(a) は回路構成を、(b) は処理シーケ
ンスを示しており、1は通常時にシステムパラメータと
してのデータを記憶しておくための第1の不揮発性メモ
リでありデータ領域4とデータ書込回数領域5とを有し
ている。 また、2は第1の不揮発性メモリ1に対するバックアッ
プ用の第2の不揮発性メモリであり、データ領域6と必
要に応じて用いられるアラーム用領域7とを有している
。3はこれらの不揮発性メモリ1及び2にデータ書込等
の制御を行うと共に必要に応じてアラーム信号を発生す
るためのCPUである。
成するための本発明に係るデータ記憶装置の原理説明図
で、同図(a) は回路構成を、(b) は処理シーケ
ンスを示しており、1は通常時にシステムパラメータと
してのデータを記憶しておくための第1の不揮発性メモ
リでありデータ領域4とデータ書込回数領域5とを有し
ている。 また、2は第1の不揮発性メモリ1に対するバックアッ
プ用の第2の不揮発性メモリであり、データ領域6と必
要に応じて用いられるアラーム用領域7とを有している
。3はこれらの不揮発性メモリ1及び2にデータ書込等
の制御を行うと共に必要に応じてアラーム信号を発生す
るためのCPUである。
【0011】
【作用】本発明の動作を図1(b) により説明すると
、通常は、従来の場合と同様に記憶すべきデータ(シス
テムパラメータ)及び書込回数を第1の不揮発性メモリ
1におけるそれぞれの領域4及び5に書き込む(同図ス
テップS1〜S4)。
、通常は、従来の場合と同様に記憶すべきデータ(シス
テムパラメータ)及び書込回数を第1の不揮発性メモリ
1におけるそれぞれの領域4及び5に書き込む(同図ス
テップS1〜S4)。
【0012】そして、不揮発性メモリ1の書込回数領域
5から読み出した書込回数が制限回数に達したことを検
出した場合(同S3)には、第2の不揮発性メモリ2に
データ(システムパラメータ)を書き込む(同S5)と
共にアラーム信号を発生して外部のオペレータに第1の
不揮発性メモリ1の交換が必要であることを通報する。
5から読み出した書込回数が制限回数に達したことを検
出した場合(同S3)には、第2の不揮発性メモリ2に
データ(システムパラメータ)を書き込む(同S5)と
共にアラーム信号を発生して外部のオペレータに第1の
不揮発性メモリ1の交換が必要であることを通報する。
【0013】これにより、最新のデータは不揮発性メモ
リ1に代わって不揮発性メモリ2に保持されることとな
る。
リ1に代わって不揮発性メモリ2に保持されることとな
る。
【0014】また、本発明では、第2の不揮発性メモリ
2にデータを書き込むと同時に、『制限回数オーバーア
ラーム』を不揮発性メモリ2のアラーム用領域7に記憶
することができる。これにより、CPU3は電源立ち上
げ時等において不揮発性メモリ2におけるアラーム用領
域7の『制限回数オーバーアラーム』を参照していずれ
の不揮発性メモリから、データ(システムパラメータ)
を読みだすべきか、そして書込ができるかを判定するこ
とができる。尚、この『制限回数オーバーアラーム』は
第1の不揮発性メモリ1が交換されたことをCPU3が
知った時点でリセットされるものである。
2にデータを書き込むと同時に、『制限回数オーバーア
ラーム』を不揮発性メモリ2のアラーム用領域7に記憶
することができる。これにより、CPU3は電源立ち上
げ時等において不揮発性メモリ2におけるアラーム用領
域7の『制限回数オーバーアラーム』を参照していずれ
の不揮発性メモリから、データ(システムパラメータ)
を読みだすべきか、そして書込ができるかを判定するこ
とができる。尚、この『制限回数オーバーアラーム』は
第1の不揮発性メモリ1が交換されたことをCPU3が
知った時点でリセットされるものである。
【0015】
【実施例】図2は、図1(a) に示した本発明に係る
データ記憶装置の処理動作の一実施例を示したフローチ
ャートであり、以下、図2(a) を参照して説明する
。尚、本発明では第1及び第2の不揮発性メモリとして
共にEEPROM1,2を用いている。
データ記憶装置の処理動作の一実施例を示したフローチ
ャートであり、以下、図2(a) を参照して説明する
。尚、本発明では第1及び第2の不揮発性メモリとして
共にEEPROM1,2を用いている。
【0016】まず、装置の初期立ち上げ時には、EEP
ROM1又は2のどちらに本来のデータ(システムパラ
メータ)が記憶されているかわからないため、まずEE
PROM2内のアラーム用領域7を読み出す(同図ステ
ップT1)。
ROM1又は2のどちらに本来のデータ(システムパラ
メータ)が記憶されているかわからないため、まずEE
PROM2内のアラーム用領域7を読み出す(同図ステ
ップT1)。
【0017】このとき、『制限回数オーバーアラーム』
が立っていない場合には、EEPROM1は寿命期間内
に在るのでEEPROM1のデータ領域4からデータを
読み出してCPU3に接続された各種の装置(図示せず
)内にそのパラメータを設定する(同T2)。
が立っていない場合には、EEPROM1は寿命期間内
に在るのでEEPROM1のデータ領域4からデータを
読み出してCPU3に接続された各種の装置(図示せず
)内にそのパラメータを設定する(同T2)。
【0018】ステップT1において、『制限回数オーバ
ーアラーム』が立っていた場合には、EEPROM1は
寿命により書込できないと判断して今度はEEPROM
2のデータ領域6からデータを読み出し、そのパラメー
タを同様に各装置内に設定する(同T3)。
ーアラーム』が立っていた場合には、EEPROM1は
寿命により書込できないと判断して今度はEEPROM
2のデータ領域6からデータを読み出し、そのパラメー
タを同様に各装置内に設定する(同T3)。
【0019】但し、このときには、EEPROM1が交
換されている可能性があるので、EEPROM1内の書
込回数領域5を読み出し(同T4)、それが制限回数に
一致しているか否かを判定し(同T5)、その結果、一
致していたときには、EEPROM1がまだ新しいもの
と交換されていないと判断して、特に処理は行わずに通
常の運用ステップS1に進むが、書込回数が制限回数と
一致していなかったときには、EEPROM1が新しい
ものに交換されたと判断して、先にEEPROM2から
読み出したデータと『書込回数=1』という内容をEE
PROM1のデータ領域4と書込回数領域5とにそれぞ
れ書き込むと共に、EEPROM2のアラーム用領域7
内の『制限回数オーバーアラーム』をリセットして(同
T6)、通常の運用ステップS1へ進む。。
換されている可能性があるので、EEPROM1内の書
込回数領域5を読み出し(同T4)、それが制限回数に
一致しているか否かを判定し(同T5)、その結果、一
致していたときには、EEPROM1がまだ新しいもの
と交換されていないと判断して、特に処理は行わずに通
常の運用ステップS1に進むが、書込回数が制限回数と
一致していなかったときには、EEPROM1が新しい
ものに交換されたと判断して、先にEEPROM2から
読み出したデータと『書込回数=1』という内容をEE
PROM1のデータ領域4と書込回数領域5とにそれぞ
れ書き込むと共に、EEPROM2のアラーム用領域7
内の『制限回数オーバーアラーム』をリセットして(同
T6)、通常の運用ステップS1へ進む。。
【0020】ステップS1に進んで運用動作に移ると、
EEPROM1又は2への書込要求が発生した場合、ま
ずEEPROM1内の書込回数領域5を読み出し(同S
1)、それが制限回数未満であれば(同S3)、データ
(システムパラメータ)と『書込回数+1』をそれぞれ
EEPROM1のデータ領域4と書込回数領域5とに書
込む(同S4)。
EEPROM1又は2への書込要求が発生した場合、ま
ずEEPROM1内の書込回数領域5を読み出し(同S
1)、それが制限回数未満であれば(同S3)、データ
(システムパラメータ)と『書込回数+1』をそれぞれ
EEPROM1のデータ領域4と書込回数領域5とに書
込む(同S4)。
【0021】一方、ステップS3において制限回数と一
致していれば、EEPROM1の代わりにEEPROM
2にデータ(システムパラメータ)をデータ領域6に書
き込んでアラーム信号を外部装置に通報すると共に、『
制限回数オーバーアラーム』のフラグをアラーム用領域
7に立てる(同S5)。
致していれば、EEPROM1の代わりにEEPROM
2にデータ(システムパラメータ)をデータ領域6に書
き込んでアラーム信号を外部装置に通報すると共に、『
制限回数オーバーアラーム』のフラグをアラーム用領域
7に立てる(同S5)。
【0022】そして、オペレータは、このアラーム信号
を聞いて電源を断にした後、EEPROM1を交換して
装置を立上げる。この後は、上記のステップT1に進む
ことになる。
を聞いて電源を断にした後、EEPROM1を交換して
装置を立上げる。この後は、上記のステップT1に進む
ことになる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るデー
タ記憶装置によれば、2つの不揮発性メモリを設け、一
方をデータ記憶用として、CPUからの書込が制限回数
に達した時、他方の不揮発性メモリにデータをバックア
ップさせてアラーム信号を発生するように構成し、更に
は該データ記憶用の不揮発性メモリが交換されれば元に
戻すようにも構成したので、最新のデータを喪失するこ
となくバックアップでき、更にデータ記憶用の不揮発性
メモリを適宜交換すれば常に最新のデータがいずれかの
不揮発性メモリに保持できる形となる。
タ記憶装置によれば、2つの不揮発性メモリを設け、一
方をデータ記憶用として、CPUからの書込が制限回数
に達した時、他方の不揮発性メモリにデータをバックア
ップさせてアラーム信号を発生するように構成し、更に
は該データ記憶用の不揮発性メモリが交換されれば元に
戻すようにも構成したので、最新のデータを喪失するこ
となくバックアップでき、更にデータ記憶用の不揮発性
メモリを適宜交換すれば常に最新のデータがいずれかの
不揮発性メモリに保持できる形となる。
【図1】本発明に係るデータ記憶装置の原理説明図であ
る。
る。
【図2】本発明に係るデータ記憶装置の処理動作の一実
施例を示したフローチャート図である。
施例を示したフローチャート図である。
【図3】従来例の原理説明図である。
1 データ記憶用の第1の不揮発性メモリ(EEPR
OM) 2 バックアップ用の第2の不揮発性メモリ(EEP
ROM) 3 CPU 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
OM) 2 バックアップ用の第2の不揮発性メモリ(EEP
ROM) 3 CPU 図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項1】 2つの不揮発性メモリ(1,2) と
CPU(3) とで構成され、第1の不揮発性メモリ(
1) には該CPU(3) によって書き込まれるデー
タ用領域(4) とデータ書込回数用領域(5) を設
けると共に、第2の不揮発性メモリ(2) には該CP
U(3) によって書き込まれるデータ用領域(6)
を設けておき、該CPU(3) が、該第1の不揮発性
メモリ(1) への書込時にその書込回数を読み出し該
書込回数が制限回数に達したときに該第2の不揮発性メ
モリ(2)へデータを書き込むと共にアラーム信号を発
生することを特徴としたデータ記憶装置。 - 【請求項2】 該第2の不揮発性メモリ(2) には
該CPU(3) によって書き込まれ該第1の不揮発性
メモリ(1) が交換されたときにリセットされる書込
制限回数オーバアラーム用の領域(7) を更に設けて
おき、該CPU(3) が、該アラーム信号を発生する
ときに該アラーム用領域(7) に書込制限回数オーバ
ーアラームを書き込んでおくことを特徴とした請求項1
に記載のデータ記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077029A JPH04287143A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | データ記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077029A JPH04287143A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | データ記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287143A true JPH04287143A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=13622324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077029A Withdrawn JPH04287143A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | データ記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287143A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10320296A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | 記憶装置 |
| WO2001040951A1 (en) * | 1999-12-01 | 2001-06-07 | Fujitsu Limited | Recording medium control method, data managing device and recording medium |
| JP2011248510A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子制御装置 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP3077029A patent/JPH04287143A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10320296A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Nec Corp | 記憶装置 |
| WO2001040951A1 (en) * | 1999-12-01 | 2001-06-07 | Fujitsu Limited | Recording medium control method, data managing device and recording medium |
| US6722572B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-04-20 | Fujitsu Limited | Recording medium control method, data management apparatus, and recording medium |
| JP2011248510A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子制御装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06290092A (ja) | 記憶装置へのファイル格納装置 | |
| US20110087824A1 (en) | Flash memory accessing apparatus and method thereof | |
| US20020010891A1 (en) | Redundant memory access system | |
| JPH04287143A (ja) | データ記憶装置 | |
| JPS6226119B2 (ja) | ||
| JP2007087118A (ja) | 制御装置および携帯端末 | |
| JPH06250866A (ja) | メモリ制御装置 | |
| JP2001350596A (ja) | 記憶装置 | |
| US20010042228A1 (en) | Memory access system | |
| JP2004078847A (ja) | メモリ切替手段を備えた機器 | |
| JP2005135260A (ja) | 製品機能設定方法及び製品機能設定システム | |
| JPH05265881A (ja) | 不揮発性メモリの書込保護回路と書込保護方法 | |
| JP2005128613A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH10228787A (ja) | 入出力モジュール | |
| JPH11120085A (ja) | 制御システム | |
| JPH01112600A (ja) | 記憶素子の寿命判定装置 | |
| US20190277920A1 (en) | Voltage drop detection system | |
| JP2755495B2 (ja) | 不揮発メモリのアクセス装置 | |
| JPH0645987A (ja) | 携帯用情報機器 | |
| JPH0573404A (ja) | シングルチツプマイクロコンピユータ | |
| JP2002268956A (ja) | データ記録装置及びこれを用いたファクシミリ装置 | |
| JPH03216048A (ja) | 冗長系自動立上げ方式 | |
| JP2007148905A (ja) | 制御装置および携帯端末 | |
| JPH01144315A (ja) | 停電検知方式 | |
| JPH08221334A (ja) | 装置アドレス設定装置及び設定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |