JPH04287312A - 気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法 - Google Patents

気相エピタキシャル成長装置および気相エピタキシャル成長方法

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JPH04287312A
JPH04287312A JP3052339A JP5233991A JPH04287312A JP H04287312 A JPH04287312 A JP H04287312A JP 3052339 A JP3052339 A JP 3052339A JP 5233991 A JP5233991 A JP 5233991A JP H04287312 A JPH04287312 A JP H04287312A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体結晶、特に
水銀テルルとカドミウムテルルの混晶の化合物半導体結
晶の水銀・カドミウム・テルルの気相エピタキシャル成
長装置、および気相エピタキシャル成長方法に関する。
【０００２】水銀・カドミウム・テルル（Ｈｇ１−ｘ　
Ｃｄｘ　Ｔｅ）の化合物半導体結晶はエネルギーバンド
ギャップが小で赤外線検知素子形成材料として用いられ
ており、このＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶は、その組
成（ｘ値）が変動すると赤外線を検知する応答波長が異
なるため、基板上に形成したＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ
のエピタキシャル結晶の全領域の範囲でこのｘ値が均一
な値を有することが望まれる。
【０００３】このＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶は、水
銀テルル（ＨｇＴｅ）とカドミウムテルル（ＣｄＴｅ）
の混晶であるので、基板の全領域上でＨｇＴｅ結晶とＣ
ｄＴｅ結晶が均一な状態で形成されることが望まれる。
【０００４】
【従来の技術】このような化合物半導体結晶の気相成長
は、図５に示すように、水銀を収容する水銀蒸発器１、
ジメチルカドミウムを収容するジメチルカドミウム蒸発
器３、ジイソプロピルテルルを収容するジイソプロピル
テルル蒸発器２内にキャリアガスとしての水素ガスを導
入し、この水素ガスに担持された水銀、ジメチルカドミ
ウム、ジイソプロピルテルルのガスを反応管４の基板設
置台５上に載置されたガリウム砒素基板のようなエピタ
キシャル成長用基板６上に導入し、この基板設置台５を
加熱することで、その上のエピタキシャル成長用基板６
を加熱し、反応管４内に導入された上記水銀、ジメチル
カドミウム、ジイソプロピルテルルのガスを熱分解して
その成分を基板上に被着する有機金属気相成長方法（Ｍ
ｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　；ＭＯＣＶＤ方法）が用
いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
混晶の化合物半導体結晶の気相成長では、例えばＨｇＴ
ｅの生成エネルギーがＣｄＴｅの生成エネルギーよりも
大で、上記した水銀、ジメチルカドミウム、ジイソプロ
ピルテルルのガスを混合して同時に反応管内に導入した
場合、上記混合ガスが基板上に到達する以前の加熱領域
内ではＨｇＴｅの分子が形成され、更に混合ガスの流れ
る下流側の基板上の近傍でＣｄＴｅ分子が形成されるた
め、基板上においてはＨｇＴｅとＣｄＴｅの分子が所定
の割合で混合された混晶が形成され難く、そのため、基
板上の全領域にわたってｘ値が均一なＨｇ１−ｘ　Ｃｄ
ｘ　Ｔｅの結晶が得られ難い問題がある。
【０００６】このような化合物半導体結晶の気相成長装
置として、特開昭６３−３１８７３３　号に於いて、図
６（ａ）に示すように、エピタキシャル成長用基板６の
上に貫通孔７を設けたグラファイト製の予備加熱板８Ａ
を設け、この予備加熱板８Ａを用いて反応管４内に導入
されるエピタキシャル成長用ガスを予め予備加熱して反
応速度を高めた装置が開示されているが、この場合に於
いては予備加熱板８Ａおよび予備加熱板に到達する迄に
分解し易いエピタキシャル成長用ガスと分解し難いエピ
タキシャル成長用ガスが混合された状態で導入されるた
めに、基板上に到達する以前に分解し易いエピタキシャ
ル成長用ガスより分解された分子と、分解し難いエピタ
キシャル成長用ガスより分解された分子が形成されるこ
とになり好ましくない。
【０００７】また本出願人は以前に特開平１−２０１９
２６号に於いて、図６（ｂ）に示すように、基板設置台
５に対向して加熱部材９を設け、この加熱部材を用いて
ガス導入管１０−１，１０−２，１０−３より導入され
たエピタキシャル成長用ガスの内、分解し難いガスを分
解してエピタキシャル成長することを提案したが、この
場合も前記したのと同様に基板に到達する以前に分解し
易いエピタキシャル成長用ガスと分解し難いエピタキシ
ャル成長用ガスが混合された状態で加熱領域内に導入さ
れるために、基板上に到達する以前に分解し易いエピタ
キシャル成長用ガスより分解された分子と、分解し難い
エピタキシャル成長用ガスより分解された分子が形成さ
れることになり好ましくない。
【０００８】本発明は上記した問題点を解決し、生成速
度の遅いＨｇＴｅが形成されるエピタキシャル成長用ガ
スと、生成速度の速いＣｄＴｅが形成されるエピタキシ
ャル成長用ガスとが区別されて基板上に到達するように
すると共に、ＨｇＴｅが生成される下部領域に予備加熱
部を設置して生成速度を高め、このＨｇＴｅの分子が基
板に到達した時点で生成速度の速いＣｄＴｅ分子を構成
するＣｄ原子が上記ＨｇＴｅ分子内を拡散してエピタキ
シャル成長用基板の直上で結合するようにして、基板上
に均一な組成のＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅのエピタキシ
ャル結晶を形成するようにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の気相エピタキシ
ャル成長装置は、互いに生成速度の異なる結晶同士が結
合して混晶のエピタキシャル結晶を形成する装置に於い
て、反応管内に設けられ、エピタキシャル成長用基板を
載置する基板設置台と、該基板設置台に隣接してエピタ
キシャル成長用ガスを予熱するため、そのガス流入側に
設けた予備加熱部と、前記反応管の入口より該反応管内
に水平方向に延び、予備加熱部と基板設置台の境界近傍
迄到達するように設けた第１の仕切り板と、前記反応管
の入口より該反応管内に水平方向に延び、予備加熱部の
表面近傍に到達する第２の仕切り板と、前記第１の仕切
り板と反応管の内壁で形成され、前記反応管のガス入口
側に設けた第１のガス導入部に連通する上部領域と、前
記第１の仕切り板と第２の仕切り板とで形成され、前記
反応管のガス入口側に設けた第２のガス導入部に連通し
、生成速度の遅い結晶を構成する成分が形成される下部
領域と、前記予備加熱部のガス流入側の位置で前記下部
領域内に合流する第３のガス導入部を設けたことを特徴
とする。
【００１０】また前記下部領域に合流する第３のガス導
入部を通過するガスが水銀ガスで、第２のガス導入部を
通過するガスが周期律表第六族元素を含むエピタキシャ
ル成長用ガスで、第１のガス導入部を通過するガスが周
期律表第二族元素を含むエピタキシャル成長用ガスであ
ることを特徴とする。
【００１１】また第１、第２および第３のガス導入部が
複数本のノズルで構成され、これ等の各ノズルごとにエ
ピタキシャル成長用ガスの濃度、および流量が独立に制
御できるようにしたことを特徴とする。
【００１２】また第３のガス導入部に連なる蒸発器が加
熱用のヒータを備えた水銀泡立て部と、該水銀泡立て部
に連通管で連通し、室温雰囲気に設置された水銀収容部
とで構成され、前記水銀収容部の水銀を上下に移動させ
る手段を備えたことを特徴とする。
【００１３】更に水銀蒸発器の水銀収容部に冷却手段を
設け、水銀収容部の水銀を上下に移動させる手段を作動
させて、水銀泡立て部の水銀を反応管内に導入すること
で、水銀を含む化合物半導体結晶とカドミウムをむ化合
物半導体結晶とを交互に積層して超格子構造のエピタキ
シャル結晶が形成可能と成るようにする。
【００１４】更にエピタキシャル成長用基板上に三元以
上の混晶を気相成長させる方法に於いて、エピタキシャ
ル成長用ガスの一部を反応管内で混合した後、該基板に
隣接した予備加熱部上を通過させ、その後、他のエピタ
キシャル成長用ガスを混合して前記エピタキシャル成長
用基板上にエピタキシャル成長層を成長することを特徴
とする。
【００１５】
【作用】図１　に示すようにエピタキシャル成長用基板
６のガスの移動方向よりみて、ガスの流入側に隣接して
予備加熱部８を設け、最下部の第３のガス導入部１３よ
り導入された水銀ガスと、その上の第２のガス導入部１
２より導入されたジイソプロピルテルルガスを反応させ
て生成速度の遅いＨｇＴｅの分子をまず形成する。
【００１６】そして最上部の第１のガス導入部１１より
ジメチルカドミウムガスを流して、基板の直上の近傍で
上記ＨｇＴｅの分子とジメチルカドミウムガスより分解
されたＣｄ分子が反応するようにしてＨｇ１−ｘ　Ｃｄ
ｘ　Ｔｅの結晶が形成される。
【００１７】このことを図４を用いて説明する。図４の
曲線２１は前記した水銀、ジメチルカドミウム、ジイソ
プロピルテルルガスを混合して同時に反応管内に導入し
た場合の、ガスの移動方向に於けるＣｄＴｅの生成量を
示す。 また図４の曲線２２は前記した水銀、ジメチルカドミウ
ム、ジイソプロピルテルルガスのエピタキシャル成長用
ガスを混合して同時に反応管内に導入した場合の、ガス
の移動方向に於けるＨｇＴｅの生成量を示す。
【００１８】この図より反応管が２００　℃となるＢの
加熱領域に上記エピタキシャル成長用ガスが導入される
と、先ずＣｄＴｅの生成が起こるが、ＨｇＴｅは生成に
必要なエネルギーがＣｄＴｅより高く、ＣｄＴｅの生成
より遅れてＨｇＴｅの生成が始まる。そこで水銀ガスと
ジイソプロピルテルルガスを本発明の予備加熱部で予備
加熱することで、矢印Ｃに示すように、ＣｄＴｅの生成
曲線２１とＨｇＴｅの生成曲線２２とをエピタキシャル
成長用基板の直上に設定できる。
【００１９】更に上記Ｈｇガスおよびジイソプロピルテ
ルルガスのガス導入管を複数本の内径の細いノズルで構
成し、このノズルの各々に別個にエピタキシャル成長用
ガスの濃度や、流量を制御して流すと、反応管内に於け
るエピタキシャル成長用ガスの流速が、反応管の中央と
内壁に沿った部分で差が無くなり、更に正確な組成の制
御が可能となる。
【００２０】またこのようにジメチルカドミウムガスよ
り分解されたＣｄ分子をＨｇガスとジイソプロピルテル
ルガスの混合ガスが反応して形成れたＨｇＴｅの分子内
に拡散させることで、Ｃｄ分子を形成するジメチルカド
ミウムのガス流量、ガスの濃度（　分圧）を制御するこ
とで、基板上でのＣｄ、Ｔｅ、Ｈｇの分子の濃度比が精
度良く制御できるようになる。
【００２１】また図３に示すように第３のガス導入部１
３に接続する水銀蒸発器の構造を、水銀収容部２３と水
銀泡立て部２４に区別し、これ等を連通管２５で接続し
、水銀泡立て部２４をヒータ２６で加熱し、水銀収容部
を室温、或いは室温以下に冷却し、エピタキシャル成長
時にＨｇを供給する際に、水銀収容部２３のポンプを押
し下げると、水銀が細管の連通管２５を通過する間にＨ
ｇの温度が所定の設定温度の２５０　℃に到達し、キャ
リアガスによって反応管内に導入される。
【００２２】また上記ガスを反応管内に導入しない場合
には、ポンプを押し上げてＨｇを総て水銀収容部２３内
に戻すと、この水銀収容部内は室温に保たれているため
、水銀の蒸気は殆ど発生しない。そのため、高温に加熱
されると合金を形成しやすために製造が困難な水銀の開
閉バルブが不要となる。
【００２３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳
細に説明する。図１　に示すように、本発明の気相エピ
タキシャル成長装置は、反応管４　内に８０ｍｍ×８０
ｍｍ程度で、厚さが約５ｍｍ　程度のカーボンよりなる
予備加熱板よりなる予備加熱部８を、エピタキシャル成
長用ガスのガス流入側に、エピタキシャル成長用基板６
を載置する基板設置台５に隣接して設ける。この予備加
熱部８は石英棒を箱型に形成した架台３５等を用いて設
置する。
【００２４】そして前記反応管４のガス入口側より予備
加熱部８と基板設置台５との境界近傍迄到達するように
、前記予備加熱部８上の反応管内を水平方向に仕切る第
１の仕切り板３１を設け、該第１の仕切り板３１で仕切
られた上部領域３２と下部領域３３は反応管４　のガス
入口側に設けた第１のガス導入部１１、および第２のガ
ス導入部１２に連通するように設け、前記予備加熱部８
のガス流入側の端部近傍の位置で前記第１の仕切り板３
１で仕切られた下部領域３３内に第３のガス導入部１３
を合流させるようにする。
【００２５】また下部領域３３の底部には、反応管４の
ガス入口側より前記予備加熱部８の表面に到達するよう
な第２の仕切り板３４を石英棒３８等を用いて設ける。 また基板設置台５のガスの流出側に反応管４を横方向に
仕切る第３の仕切り板３６を石英棒３８を箱型に組み立
てた架台３５を用いて設置する。
【００２６】この第３の仕切り板３６はエピタキシャル
成長用基板６上でガスが層流状態で流れるようにするの
を保つために設ける。そして前記第３のガス導入部１３
を通過するガスが水銀ガスで、第２のガス導入管１２を
通過するガスが周期律表第六族元素のテルルを含むジイ
ソプロピルテルルガスのエピタキシャル成長用ガスで、
第１のガス導入管１１を通過するガスが周期律表第二族
元素のカドミウムを含むジメチルカドミウムガスのエピ
タキシャル成長用ガスとする。
【００２７】このガス導入部１１，１２，１３は一本の
ガス導入管で形成しても良く、或いは図２に示すように
ガス導入部１１，１２，１３の各々を、石英部材３７で
形成し、この石英部材３７に細い内径のノズル１１−１
，１１−２　…、１２−１，１２−２　…、１３−１，
１３−２…を複数本、埋設して形成しても良い。そして
このノズル１１−１，１１−２　…のそれぞれには、ジ
メチルカドミウム蒸発器３が、ノズル１２−１，１２−
２　…のそれぞれにはジイソプロピルテルルの蒸発器２
が、ノズル１３−１，１３−２　…のそれぞれには水銀
の蒸発器１が各々別個に接続された構造とする。
【００２８】このようにガス導入部１１，１２，１３を
複数のノズル１１−１，１１−２　…、１２−１，１２
−２　…、１３−１，１３−２　…で構成し、これら各
ノズル１１−１，１１−２　…、１２−１，１２−２　
…、１３−１，１３−２　…内に流入されるエピタキシ
ャル成長用ガスの濃度、および流量を各ノズル毎に独立
に制御できるようにする。このようにすると、一本のガ
ス導入管であると、反応管の内壁に近づく程ガスの流速
が小となり、反応管の中央ではガスの流速が最も大とな
って反応管内で速度分布が形成される欠点が除去できる
。
【００２９】また図３に示すように、第３のガス導入部
１３に連なる水銀蒸発器はヒータ２６を備え、水素のキ
ャリアガス導入部３９からの水素ガスにより水銀を泡立
てする水銀泡立て部２４と、該水銀泡立て部２４に連通
管２５で連通し、室温、或いは室温以下の雰囲気に設置
された水銀収容部２３とで構成され、該水銀収容部２３
の水銀を上下に移動させるポンプ２７を備えている。こ
のポンプ２７の周囲には弗素ゴム製のＯリング２８が設
置され、水銀収容部２３の内部を気密状態に保っている
。
【００３０】また上記水銀収容部２３に、図示しないが
冷却装置を取りつけ、ポンプ２７を上下に移動させて水
銀泡立て部２４の水銀を反応管器内に導入、或いは導入
停止することで、エピタキシャル成長用基板上にＣｄＴ
ｅの結晶とＨｇＴｅの結晶とを交互に積層して超格子構
造のエピタキシャル結晶を形成するようにしている。
【００３１】このような本発明の気相エピタキシャル成
長装置を用いてＧａＡｓ基板上にＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　
Ｔｅの結晶を気相エピタキシャル成長する場合について
述べる。図１に示すように、直径３インチのＧａＡｓ基
板よりなるエピタキシャル成長用基板６を反応管４内に
導入する。
【００３２】そして反応管４内を排気した後、予備加熱
部８とエピタキシャル成長用基板６を４００　℃の温度
に加熱し、キャリアガスの水素ガスの総流量を８　リッ
トル／ｍｉｎとし、水銀蒸発器１、ジイソプロピルテル
ル蒸発器２、ジメチルカドミウム蒸発器３　内に流入し
て泡立てし、これら水銀を担持したキャリアガスの分圧
を１　×１０−２気圧、ジイソプロピルテルルを担持し
たキャリアガスの分圧を５　×１０−４気圧、ジメチル
カドミウムを担持したキャリアガスの分圧を５　×１０
−５気圧に設定して、エピタキシャル成長した。
【００３３】なお、水銀が反応管に付着するのを防止す
るために水銀ガスが通過する経路、および反応管はヒー
タ２６で２５０　℃の温度に加熱した。成長は、まず図
示しないが、反応管４　に接続されている水素ガス専用
のガス導入管よりエピタキシャル成長用基板を６００　
℃の温度に加熱した状態で反応管内に３０分流して表面
の酸化膜を除去した後、ジイソプロピルテルルとジメチ
ルカドミウムを担持したキャリアガスのみを反応管内に
流入して、エピタキシャル成長用基板上にＣｄＴｅ層を
バッファ層として形成する。
【００３４】次いで水銀、ジイソプロピルテルルとジメ
チルカドミウムを担持したキャリアガスを反応管内に流
入し、Ｈｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ（ｘ＝０．２）結晶を
１０μｍ　の厚さに形成した。
【００３５】そしてこのＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶
をＸ　線回折装置を用いて、その成分を測定したところ
、直径が３　インチのエピタキシャル成長用基板の上で
のｘ　値は０．２　±０．００２の範囲内に収まり均一
な組成のＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶が得られた。
【００３６】また上記本発明の水銀蒸発器を用いること
で、ＧａＡｓ基板上にＣｄＴｅ結晶、ＨｇＴｅ結晶を組
とした超格子層が周期的に形成された超格子結晶が容易
に得られた。 以上述べたように本発明の気相エピタキシャル成長装置
を用いて基板上にＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶をエピ
タキシャル成長すると、基板の全領域の範囲で組成（ｘ
値）　の変動の少ないＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅ結晶が
得られる。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように本発明の気相エピタキ
シャル成長装置によれば、比較的簡単な装置で大面積の
組成変動の少ないＨｇ１−ｘ　Ｃｄｘ　Ｔｅのエピタキ
シャル結晶が得られ、該結晶を用いて赤外線検知素子を
形成すると、電気的特性の良好な検知素子が得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】　　本発明の気相エピタキシャル成長装置の説
明図である。
【図２】　　本発明のガス導入部の他の実施例の説明図
である。
【図３】　　本発明の水銀蒸発器の説明図である。
【図４】　　本発明の装置を説明するためのＣｄＴｅと
ＨｇＴｅの生成曲線である。
【図５】　　従来の装置の説明図である。
【図６】　　従来の改良された装置の説明図である。
【符号の説明】
１　　水銀蒸発器 ２　　ジイソプロピルテルル蒸発器 ３　　ジメチルカドミウム蒸発器 ４　　反応管 ５　　基板設置台 ６　　エピタキシャル成長用基板 ８　　予備加熱部 １１　　第１のガス導入部 １２　　第２のガス導入部 １３　　第３のガス導入部 １１−１，１１−２　、１２−１，１２−２　、１３−
１，１３−２ノズル２１　　ＣｄＴｅの生成曲線 ２２　　ＨｇＴｅの生成曲線 ２３　　水銀収容部 ２４　　水銀泡立て部 ２５　　連通管 ２６　　ヒータ ２７　　ポンプ ２８　　Ｏリング ３１　　第１の仕切り板 ３２　　上部領域 ３３　　下部領域 ３４　　第２の仕切り板 ３５　　架台 ３６　　第３の仕切り板 ３７　　石英部材 ３８　　石英棒 ３９　　キャリアガス導入管

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　互いに生成速度の異なる結晶同士が結
    合して三元以上の混晶のエピタキシャル結晶を形成する
    装置に於いて、反応管（４）　内に設けられ、エピタキ
    シャル成長用基板（６）　を載置する基板設置台（５）
    　と、該基板設置台（５）　に隣接してエピタキシャル
    成長用ガスを予熱するため、その流入側に設けた予備加
    熱部（８）　と、前記反応管（４）　の入口より該反応
    管（４）　内に水平方向に延び、予備加熱部（８）と基
    板設置台（５）　の境界近傍迄到達するように設けた第
    １の仕切り板（３１）と、前記反応管（４）　の入口よ
    り該反応管（４）　内に水平方向に延び、予備加熱部（
    ８）に到達する第２の仕切り板（３４）と、前記第１の
    仕切り板（３１）と反応管（４）　の内壁で形成され、
    該反応管（４）　のガス入口側に設けた第１のガス導入
    部（１１）に連通する上部領域（３２）と、前記第１の
    仕切り板（３１）と第２の仕切り板（３４）とで形成さ
    れ、前記反応管（４）のガス入口側に設けた第２のガス
    導入部（１２）に連通し、生成速度の遅い結晶を構成す
    る成分が形成される下部領域（３３）と、前記予備加熱
    部（８）　のガス流入側の位置で前記下部領域（３３）
    内に合流する第３のガス導入部（１３）を設けたことを
    特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
  2. 【請求項２】　　請求項１記載の下部領域に合流する第
    ３のガス導入部（１３）を通過するガスが水銀ガスで、
    第２のガス導入部（１２）を通過するガスが周期律表第
    六族元素を含むエピタキシャル成長用ガスで、第１のガ
    ス導入部（１１）を通過するガスが周期律表第二族元素
    を含むエピタキシャル成長用ガスであることを特徴とす
    る気相エピタキシャル成長装置。
  3. 【請求項３】　　請求項１記載の第１、第２および第３
    のガス導入部（１１，１２，１３）が複数本のノズル（
    １１−１，１１−２…、１２−１，１２−２　…、１３
    −１，１３−２　…）　で構成され、これ等の各ノズル
    （１１−１，１１−２…、１２−１，１２−２　…、１
    ３−１，１３−２　…）　ごとにエピタキシャル成長用
    ガスの濃度、および流量が独立に制御できるようにした
    ことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
  4. 【請求項４】　　請求項１記載の第３のガス導入部（１
    ３）に連なる蒸発器が加熱用のヒータ（２６）を備えた
    水銀泡立て部（２４）と、該水銀泡立て部（２４）に連
    通管（２５）で連通した水銀収容部（２３）とで構成さ
    れ、該水銀収容部（２３）の水銀を上下に移動させる手
    段（２７）を備えたことを特徴とする気相エピタキシャ
    ル成長装置。
  5. 【請求項５】　　請求項４記載の蒸発器の水銀収容部（
    ２３）に冷却手段を設け、水銀収容部（２３）の水銀を
    上下に移動させる手段（２７）を作動させて、水銀泡立
    て部（２４）の水銀を反応管内に導入することで、水銀
    を含む化合物半導体結晶とカドミウムを含む化合物半導
    体結晶とを交互に積層して超格子構造のエピタキシャル
    結晶が形成可能と成るようにしたことを特徴とする請求
    項１記載の気相エピタキシャル成長装置。
  6. 【請求項６】　　エピタキシャル成長用基板（６）　上
    に三元以上の混晶を気相成長させる方法に於いて、エピ
    タキシャル成長用ガスの一部を反応管（４）内で混合し
    た後、該基板（６）　に隣接した予備加熱部（８）　上
    を通過させ、その後、他のエピタキシャル成長用ガスの
    混合して前記エピタキシャル成長用基板（６）　上にエ
    ピタキシャル成長層を成長することを特徴とする気相エ
    ピタキシャル成長方法。
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