JPH04288039A - 1,2−ジヒドロフタル酸類及びその製造法 - Google Patents

1,2−ジヒドロフタル酸類及びその製造法

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JPH04288039A
JPH04288039A JP3072416A JP7241691A JPH04288039A JP H04288039 A JPH04288039 A JP H04288039A JP 3072416 A JP3072416 A JP 3072416A JP 7241691 A JP7241691 A JP 7241691A JP H04288039 A JPH04288039 A JP H04288039A
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JP
Japan
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dihydrophthalic
acids
acid
formula
compound
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Pending
Application number
JP3072416A
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English (en)
Inventor
Toshinobu Ono
敏信 大野
Ikuzo Nishiguchi
西口 郁三
Tsunesuke Hirashima
平嶋 恒亮
Masaaki Kudo
正昭 工藤
Takayuki Akita
秋田 孝幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osaka City Government
Nihon Nohyaku Co Ltd
Original Assignee
Osaka City Government
Nihon Nohyaku Co Ltd
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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は1,2−ジヒドロフタル
酸類及びその製造法に関するものである。本発明の後記
一般式(I’)で表される1,2−ジヒドロフタル酸類
はそれ自体又は中間体として、例えば各種エステル類、
アルキッド樹脂あるいはポリエステル、ポリアミド、ポ
リイミド類等の合成原料やエポキシ樹脂硬化剤又は高分
子改質剤として利用される重要な化合物である。又、高
分子材料の中間体としてのみならず、各種化学品、医薬
、農薬等を製造するための中間体として有用な化合物で
あり、産業上広い用途を有する化合物である。
【0002】
【従来の技術】一般に1,2−ジヒドロフタル酸の代表
的な合成法としては二つの方法が知られており、一つは
Org.Syn.50,50(1970)に記載のフタ
ル酸のナトリウム/アマルガムによる還元法で、他の一
つは米国特許第3471381号(1969)に記載の
フタル酸の電極還元法によるものであるが、先の還元法
ではナトリウム/アマルガムを使用するために製造時の
煩雑さ、製造後の廃液処理及び低収率(54−62%)
など多くの解決すべき課題を有している。又、後者の米
国特許に記載された発明は無公害の製法であるが、5%
硫酸を用いて70℃以上の反応温度条件下では原料の各
種フタル酸類の溶解性や反応性の相違のために、満足す
べき選択性をもって目的とする還元体を得ることができ
ず、無置換の1,2−ジヒドロフタル酸類以外の製造に
は適さず、汎用性を有しないという課題を有している。 従って現状では、工業的見地からは電極法が優っている
が、現製造法には汎用性や一般性がなく、置換基を有す
る1,2−ジヒドロフタル酸類の製造には必ずしも適用
することができず、応用面での実用化が遅れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一般式(I)
で表される1,2−ジヒドロフタル酸類は文献未記載の
新規化合物であり、これらの化合物を包含する一般式(
I’)で表される1,2−ジヒドロフタル酸類は従来の
還元法又は電極還元法では製造することができない化合
物をも含めて本発明によって製造することができ、例え
ば本発明の一般式(I’)で表される化合物を従来の無
置換フタル酸の電極還元により電気化学的に還元すれば
、反応率は極めて低く、且つ多くの副生成物が生成し、
目的とする1,2−ジヒドロフタル酸類の選択性や収率
が極めて低く、産業上の利用性に問題がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式(I)(
式中、Rは低級アルキル基又は低級ハロアルキル基を示
す。)で表される1,2−ジヒドロフタル酸類及びこれ
らの化合物を包含する一般式(I’)式中、R’は水素
原子、低級アルキル基又は低級ハロアルキル基を示す。 )で表される1,2−ジヒドロフタル酸類の新規な製造
法に関するものである。
【0005】本発明の一般式(I)で表される1,2−
ジヒドロフタル酸類は文献未記載の新規化合物である。 更に本発明は、従来法では高収率で且つ経済的に製造す
ることはできなかった一般式(I)を包含する一般式(
I’)で表される1,2−ジヒドロフタル酸類を高収率
、高選択性及び無公害で製造する新規な製造法をも提供
するものである。本発明の製造法を例えば図式的に示す
と下記の通りである。 (式中、R’は水素原子、低級アルキル基又は低級ハロ
アルキル基を示す。)即ち、一般式(II)で表される
フタル酸類を低級脂肪族アルコ−ル系有機溶媒及びエ−
テル系有機溶媒から選択される1種以上の有機溶媒及び
酸性水溶液との混合溶媒の存在下に隔膜を用いて陰極還
元することにより、一般式(I’)で表される1,2−
ジヒドロフタル酸類を製造することができる。
【0006】本発明で使用できる有機溶媒としては低級
脂肪族アルコ−ル系有機溶媒及びエ−テル系有機溶媒を
使用することができ、低級脂肪族アルコ−ル系有機溶媒
としては、例えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−
ル、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、エ−テル系有機溶媒
としては、例えばテトラヒドロフラン(THF)、ジオ
キサン、ジグライム等を例示することができるが、本発
明は例示の有機溶媒に限定されるものではなく、本反応
の進行を阻害しない有機溶媒であれば良い。
【0007】本発明で使用する酸性水溶液の酸としては
無機酸及び有機酸を使用することができ、例えば硫酸、
硝酸、過塩素酸、ホウフッ化酸、パラトルエンスルホン
酸等の鉱酸又は有機酸を使用することができ、好ましく
は硫酸又はホウフッ化酸を使用するのが良い。酸性水溶
液の酸濃度としては0.1〜30重量%の範囲から選択
され、好ましくは3〜10重量%の範囲が適当である。 有機溶媒/酸性水溶液の比率は10〜90重量%の範囲
から適宜選択すれば良く、好ましくは30〜70重量%
の範囲が適当である。
【0008】反応基質であるフタル酸類の濃度は0.1
〜10重量%の範囲であるが、この範囲に限定されるこ
となく基質が溶解する限り高濃度条件でも選択性良く反
応は進行する。又、電流密度は0.1〜10.0 A/
dm2の範囲から適宜選択すれば良い。電極材質として
は陰極として、例えば亜鉛、鉛、錫、銅等を使用するこ
とができ、好ましくは鉛を使用するのが良い。又米国特
許第3471381号(1969)に記載の水銀、カド
ニウム、タリウム等を含有する合金も使用することがで
きる。陽極としては、例えば炭素、鉛、白金、白金メッ
キ電極等を使用することができる。
【0009】反応温度は0〜50℃の範囲から選択すれ
ば良い。本発明で使用する隔膜素材としては、例えばア
スベスト、ガラスフィルタ−、素焼き材料、多孔質プラ
スチックフィルム等の濾過膜やイオン交換膜等を使用す
ることができる。反応終了後、目的物を含む反応液から
常法により単離し、必要に応じて再結晶法等により精製
することにより、目的物を製造することができる。
【0010】
【実施例】以下に本発明の代表的な実施例を挙げるが、
本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例1  4−メチル−1,2−ジヒドロフタル酸の
製造 素焼円筒隔膜(内径2.5cm、外径2.7cm、高さ
7cm)付きビ−カ−形電解セル(容量100ml)内
に、陰極として厚さ1mmの鉛板(3cm×4cm)、
陽極として厚さ1mmの鉛板(3cm×4cm)を約2
cmの間隔をおいて取り付け、陰極室にジオキサン40
ml及び5%硫酸40mlの混合溶液、円筒内陽極室に
5%硫酸20mlをそれぞれ導入した。陰極室に4−メ
チルフタル酸2.0gを加え、陰極液をマグネチックス
タ−ラ−で攪拌し、反応液を50℃以下に保ちながら0
.5Aの定電流条件下で8 F/molの通電を行った
。次いで陰極室の溶媒を30ml程度に濃縮し冷却する
ことにより白色固体結晶を得た。更にその溶液をエ−テ
ル抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、エ−テルを
留去し、得られた固体結晶をアセトン/エ−テルで再結
晶して合計1.75gの目的物を得た。  収率  8
7% 物性  白色固体  m.p.  167−170℃I
R (KBr)    1710(C=O),  12
00cm−1.1H−NMR(CD3OD, δ値) 
1.80(brs,3H), 3.60(m,2H),
 5.5−6.2(m,3H). 元素分析:(C9H10O4 として)実測値  C 
59.62   H 5.76.計算値  C 59.
32   H 5 54.
【0011】実施例2  4
−トリフルオロメチル−1,2−ジヒドロフタル酸の製
造 実施例1に従い、反応基質として4−トリフルオロメチ
ルフタル酸1.0gを陰極室に加え、0.5Aの定電流
条件で8 F/mol通電した。陰極液を30ml程度
に濃縮しエ−テル抽出を行い、次いで無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、エ−テルを留去後ヘキサン/ エ−テル
で再結晶して0.85gの4−トリフルオロメチル−1
,2−ジヒドロフタル酸を得た。収率84% 物性  白色固体  m.p.  180−182℃I
R (KBr)    1700(C=O), 125
0, 1116, 910cm−1.1H−NMR(C
D3COCD3,δ値) 4.18(m,1H), 4
.18(m,1H), 5.98(m,1H), 6.30(m,1H), 7.03(m,1H).元素
分析:(C9H7O4F3として)実測値  C 46
.05   H 3.16.計算値  C 45.76
   H 2.99.
【0012】実施例3  4−ト
リフルオロメチル−1,2−ジヒドロフタル酸の製造 実施例1に従い、反応基質として4−トリフルオロメチ
ルフタル酸2.0gを陰極室に加え、0.25Aの定電
流条件で8 F/mol通電した。実施例2と同様に処
理することにより1.73gの目的物を得た。収率84
【0013】実施例4  4−tert−ブチル−1
,2−ジヒドロフタル酸の製造 実施例1に従い、反応基質として4−tert−ブチル
フタル酸1.0gを陰極室に加え、0.5Aの定電流条
件で8 F/mol通電した。実施例1と同様に処理す
ることにより0.89gの目的物を得た。収率88%物
性  白色固体  m.p.  192−193℃IR
 (KBr)    1700(C=O), 1300
, 1240, 612cm−1.1H−NMR(CD
3COCD3,δ値) 1.10(s,3H), 3.
57(m,2H), 5.60(brs,1H), 5.88(brd,1H), 6.20(brd,1H
).元素分析:(C12H15O4として)実測値  
C 64.38   H 7.28.計算値  C 6
4.26   H 7.20.
【0014】実施例5 
 4−tert−ブチル−1,2−ジヒドロフタル酸の
製造 実施例1の条件において、陰極室溶媒としてジグライム
40mlと5%硫酸水溶液40mlの混合溶媒を用い、
4−tert−ブチルフタル酸を1.0g陰極室に加え
、0.5Aの定電流条件で8 F/mol通電した。陰
極室溶液を40mlまで濃縮しエ−テルで目的物を抽出
した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、エ−テ
ル層を濃縮し、ヘキサンを添加して再結晶することによ
り0.62gの目的物を得た。  収率61%
【0015】実施例6  4−tert−ブチル−1,
2−ジヒドロフタル酸の製造 実施例1の条件において、陰極室溶媒としてメタノ−ル
40mlと5%硫酸水溶液40mlの混合溶媒を用い、
4−tert−ブチルフタル酸を1.0g陰極室に加え
、0.5Aの定電流条件で8 F/mol通電した.反
応終了後、実施例1と同様にして単離して目的物0.7
0gを得た。  収率61%
【0016】実施例7  1,2−ジヒドロフタル酸の
製造 素焼円筒隔膜(内径2.5cm、外径2.7cm、高さ
7cm)付きビ−カ−形電解セル(容量100ml)内
に、陰極として厚さ1mmの鉛板(3cm×4cm)、
陽極として厚さ1mmの鉛板(3cm×4cm)を約2
cmの間隔をおいて取り付け、陰極室にジオキサン40
ml及び5%硫酸40mlの混合溶液、円筒内陽極室に
5%硫酸20mlをそれぞれ導入した。陰極室にフタル
酸2gを加え、陰極液をマグネチックスタ−ラ−で攪拌
し、反応液を50℃以下に保ちながら0.5Aの定電流
条件下で5 F/molの通電を行った。次いで陰極室
の溶媒を30ml程度に濃縮し冷却することにより1.
2gの白色固体結晶を得た。更にその溶液をエ−テル抽
出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、エ−テルを留去
し、得られた固体結晶をアセトン/エ−テルで再結晶し
て合計1.72gの目的物を得た。 m.p.  173−175℃      収率  8
6%
【0017】実施例8  1,2−ジヒドロフタル
酸の製造 素焼円筒隔膜(内径4.5cm、外径5.0cm、高さ
15cm)付きビ−カ−形電解セル(容量1000ml
)内に、陰極として厚さ1mmの鉛板(7cm×13c
m)、陽極として厚さ1mmの鉛板(4cm×13cm
)を約5cmの間隔をおいて取り付け、陰極室にジオキ
サン300ml及び5%硫酸300mlの混合溶液、円
筒内陽極室に5%硫酸200l をそれぞれ導入した。 陰極室にフタル酸40gを加え、陰極液をマグネチック
スタ−ラ−で攪拌し、反応液を50℃以下に保ちながら
10Aの定電流条件下で電極還元を行い、5 F/mo
lの通電を行った後、陰極室の溶媒を200ml程度に
濃縮し冷却することにより、析出した目的物の白色固体
結晶27.6gを得た。更にその溶液を濃縮し再結晶し
て9.2gの目的物を得た。  収率  90%

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  一般式(I) (式中、Rは低級アルキル基又は低級ハロアルキル基を
    示す。)で表される1,2−ジヒドロフタル酸類。
  2. 【請求項2】  Rがメチル基、tert−ブチル基又
    はトリフルオロメチル基である請求項第1項記載の1,
    2−ジヒドロフタル酸類。
  3. 【請求項3】  一般式(II) (式中、R’は水素原子、低級アルキル基又は低級ハロ
    アルキル基を示す。)で表されるフタル酸類を有機溶媒
    及び酸性水溶液の存在下に電極還元反応することを特徴
    とする一般式(I’) (式中、R’は前記に同じ。)で表される1,2−ジヒ
    ドロフタル酸類の製造法。
  4. 【請求項4】  有機溶媒が低級脂肪族アルコ−ル系有
    機溶媒及びエ−テル系有機溶媒から選択される1種以上
    である請求項第3項記載の1,2−ジヒドロフタル酸類
    の製造法。
  5. 【請求項5】  R’がメチル基、tert−ブチル基
    又はトリフルオロメチル基である請求項第4項記載の1
    ,2−ジヒドロフタル酸類の製造法。
  6. 【請求項6】  1,2−ジヒドロフタル酸類の環上の
    置換基がメタ位に置換された請求項第5項記載の1,2
    −ジヒドロフタル酸類の製造法。
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