JPS645114B2 - - Google Patents
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- JPS645114B2 JPS645114B2 JP56103696A JP10369681A JPS645114B2 JP S645114 B2 JPS645114 B2 JP S645114B2 JP 56103696 A JP56103696 A JP 56103696A JP 10369681 A JP10369681 A JP 10369681A JP S645114 B2 JPS645114 B2 JP S645114B2
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Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセト
キシフランの新規な製造法に関する。
キシフランの新規な製造法に関する。
２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフラ
ンはマレアルデヒドや２―アセトキシテトラヒド
ロフラン等を合成するための中間体として重要な
化合物である。２，５―ジヒドロ―２，５―ジア
セトキシフランの製造法としては、例えばフラン
を四酢酸鉛で処理する方法（Acta Chem.
Scand.、６、535（1952））、フランをまずブロム
化し、次いでアセトキシ化する方法（Acta
Chem.Scand.、４、1233（1950））等が知られてい
るが、これらの方法にはいずれも重大な難点があ
り、工業的規模での生産には不適当である。即ち
前者の方法では公害の原因となり且つ高価な四酢
酸鉛の使用が必須の要件であり、それ故環境衛生
面、経済面において問題がある。また後者の方法
では工程が長く、しかも−60〜−50℃という極低
温下にて反応を行なう必要があり、それ故反応操
作が煩雑であり工業的生産には不利である。また
フランを電解酸化する方法（J.Chem.Soc.、969
（1968））も知られているが、該方法では目的物を
僅か12％程度の収率でしか得ることはできず、到
底実用化できるものではない。
ンはマレアルデヒドや２―アセトキシテトラヒド
ロフラン等を合成するための中間体として重要な
化合物である。２，５―ジヒドロ―２，５―ジア
セトキシフランの製造法としては、例えばフラン
を四酢酸鉛で処理する方法（Acta Chem.
Scand.、６、535（1952））、フランをまずブロム
化し、次いでアセトキシ化する方法（Acta
Chem.Scand.、４、1233（1950））等が知られてい
るが、これらの方法にはいずれも重大な難点があ
り、工業的規模での生産には不適当である。即ち
前者の方法では公害の原因となり且つ高価な四酢
酸鉛の使用が必須の要件であり、それ故環境衛生
面、経済面において問題がある。また後者の方法
では工程が長く、しかも−60〜−50℃という極低
温下にて反応を行なう必要があり、それ故反応操
作が煩雑であり工業的生産には不利である。また
フランを電解酸化する方法（J.Chem.Soc.、969
（1968））も知られているが、該方法では目的物を
僅か12％程度の収率でしか得ることはできず、到
底実用化できるものではない。
本発明の目的は、四酢酸鉛等の特殊な試薬を必
要とすることなく、穏和な条件下簡便な操作で目
的とする２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキ
シフランを高収率で製造し得る方法を提供するこ
とにある。
要とすることなく、穏和な条件下簡便な操作で目
的とする２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキ
シフランを高収率で製造し得る方法を提供するこ
とにある。
即ち本発明は酢酸の存在下低温にてフランを電
解酸化することを特徴とする２，５―ジヒドロ―
２，５―ジアセトキシフランの製造法に係る。
解酸化することを特徴とする２，５―ジヒドロ―
２，５―ジアセトキシフランの製造法に係る。
本発明の方法によれば、酢酸の存在下低温にて
フランを電解酸化するという極めて簡易な操作、
緩和な反応条件下に目的化合物を実に75％以上と
いう高収率で得ることができる。加えて本発明の
方法では四酢酸鉛等の有害な試薬の使用は全く不
必要である。
フランを電解酸化するという極めて簡易な操作、
緩和な反応条件下に目的化合物を実に75％以上と
いう高収率で得ることができる。加えて本発明の
方法では四酢酸鉛等の有害な試薬の使用は全く不
必要である。
本発明では反応系内に酢酸を存在させることを
必須とする。酢酸の使用量としては特に限定され
ないが、通常フランに対して大過剰量用いられ
る。この酢酸は反応溶媒としても作用する。本発
明では酢酸と他の適当な溶媒との混合溶媒を反応
溶媒として用いることもできる。斯かる溶媒とし
ては凝固点が低く電解酸化時に不活性であり且つ
酢酸やフランと相溶性を有する溶媒であれば公知
のものを広く使用でき、例えばアセトニトリル、
酢酸エチル、エーテル等を挙げることができる。
必須とする。酢酸の使用量としては特に限定され
ないが、通常フランに対して大過剰量用いられ
る。この酢酸は反応溶媒としても作用する。本発
明では酢酸と他の適当な溶媒との混合溶媒を反応
溶媒として用いることもできる。斯かる溶媒とし
ては凝固点が低く電解酸化時に不活性であり且つ
酢酸やフランと相溶性を有する溶媒であれば公知
のものを広く使用でき、例えばアセトニトリル、
酢酸エチル、エーテル等を挙げることができる。
電解酸化を行う時の支持電解質としては、通常
の支持電解質を使用することができる。例えば、
食塩、臭化カリウム、酢酸塩、第４級アンモニウ
ム塩、鉱酸塩、有機酸塩、有機スルホン酸塩等を
挙げることができる。この中でも酢酸塩を使用す
るのが好ましい。電解酸化反応の反応温度は、低
い方が好ましいが、酢酸及び他の溶剤の凝固点に
よつて制限される。好ましくは０〜30℃の範囲、
特に好ましくは０〜20℃の範囲である。低い反応
温度では、副反応が抑制され、目的生成物も安定
であるが、同時に原料フランの散逸を抑制するこ
とができる。電解反応に於いて、電極は、通常の
電極が用いられる。例えば白金、炭素、鉄、鉛、
ステンレス、白金コーテイング物、チタン等を挙
げることができる。隔膜を使用してもよいが、無
隔膜で十分である。得られた２，５―ジヒドロ―
２，５―ジアセトキシフランは、シス体、トラン
ス体の混合物である。通常原料フランは、溶剤と
共に最初から反応容器中に入れて反応を行うが、
原料フランを滴下しつゝ反応を行うことも未反応
フランの散逸を抑制する効果から有望である。
の支持電解質を使用することができる。例えば、
食塩、臭化カリウム、酢酸塩、第４級アンモニウ
ム塩、鉱酸塩、有機酸塩、有機スルホン酸塩等を
挙げることができる。この中でも酢酸塩を使用す
るのが好ましい。電解酸化反応の反応温度は、低
い方が好ましいが、酢酸及び他の溶剤の凝固点に
よつて制限される。好ましくは０〜30℃の範囲、
特に好ましくは０〜20℃の範囲である。低い反応
温度では、副反応が抑制され、目的生成物も安定
であるが、同時に原料フランの散逸を抑制するこ
とができる。電解反応に於いて、電極は、通常の
電極が用いられる。例えば白金、炭素、鉄、鉛、
ステンレス、白金コーテイング物、チタン等を挙
げることができる。隔膜を使用してもよいが、無
隔膜で十分である。得られた２，５―ジヒドロ―
２，５―ジアセトキシフランは、シス体、トラン
ス体の混合物である。通常原料フランは、溶剤と
共に最初から反応容器中に入れて反応を行うが、
原料フランを滴下しつゝ反応を行うことも未反応
フランの散逸を抑制する効果から有望である。
以下実施例を示して説明する。
実施例 １
フラン2gを酢酸40mlとアセトニトリル10mlの
混合溶媒に溶解し、酢酸ナトリウム2gを加える。
陽極として白金電極、陰極として炭素電極を装入
し、５〜７℃に保持して電解反応を行う。反応終
了後反応液を水に注ぎ、塩化メチレンで３回抽出
する。抽出液をあわせて無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを留去し、残渣を蒸留す
ると２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフ
ランを得る。収率87％沸点99〜105℃／1.8mmHg。
混合溶媒に溶解し、酢酸ナトリウム2gを加える。
陽極として白金電極、陰極として炭素電極を装入
し、５〜７℃に保持して電解反応を行う。反応終
了後反応液を水に注ぎ、塩化メチレンで３回抽出
する。抽出液をあわせて無水硫酸マグネシウムで
乾燥する。塩化メチレンを留去し、残渣を蒸留す
ると２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフ
ランを得る。収率87％沸点99〜105℃／1.8mmHg。
実施例 ２
フラン2gを40mlの酢酸に溶解し、17〜19℃の
温度を保つて実施例１と同様の反応処理を行う
と、２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフ
ランを得る。収率75％沸点99〜104℃／1.7mmHg。
温度を保つて実施例１と同様の反応処理を行う
と、２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフ
ランを得る。収率75％沸点99〜104℃／1.7mmHg。
実施例 ３
酢酸40mlとアセトニトリル10mlの混合溶剤に酢
酸ナトリウム2gを加え、陽極に白金電極、陰極
として炭素電極を装入し、５〜10℃に保持し、電
解反応を行いつゝ、2gのフランを滴下する。反
応後の処理を実施例１と同様に行うと、目的物
２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフラン
を得る。収率83％沸点100〜105℃／２mmHg。
酸ナトリウム2gを加え、陽極に白金電極、陰極
として炭素電極を装入し、５〜10℃に保持し、電
解反応を行いつゝ、2gのフランを滴下する。反
応後の処理を実施例１と同様に行うと、目的物
２，５―ジヒドロ―２，５―ジアセトキシフラン
を得る。収率83％沸点100〜105℃／２mmHg。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酢酸の存在下低温にてフランを電解酸化する
ことを特徴とする２，５―ジヒドロ―２，５―ジ
アセトキシフランの製造法。 ２ ０〜30℃にて電解酸化を行なう特許請求の範
囲第１項に記載の方法。 ３ 酢酸を含有する混合溶媒を使用する特許請求
の範囲第１項又は第２項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103696A JPS583988A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | ２，５−ジヒドロ−２，５−ジアセトキシフランの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103696A JPS583988A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | ２，５−ジヒドロ−２，５−ジアセトキシフランの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583988A JPS583988A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS645114B2 true JPS645114B2 (ja) | 1989-01-27 |
Family
ID=14360934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103696A Granted JPS583988A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | ２，５−ジヒドロ−２，５−ジアセトキシフランの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583988A (ja) |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56103696A patent/JPS583988A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS583988A (ja) | 1983-01-10 |
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