JPH04288819A - 液相成長用ボート - Google Patents
液相成長用ボートInfo
- Publication number
- JPH04288819A JPH04288819A JP4012991A JP4012991A JPH04288819A JP H04288819 A JPH04288819 A JP H04288819A JP 4012991 A JP4012991 A JP 4012991A JP 4012991 A JP4012991 A JP 4012991A JP H04288819 A JPH04288819 A JP H04288819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- substrate
- growth
- boat
- sweeping
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜結晶成長におけ
る、液相成長用ボートに関するものである。
る、液相成長用ボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の液相成長用ボートの基本構
成の概念を示す側断面図であり、１はボート母体、２は
ボート母体１に密着しているスライドボート、３は結晶
を成長する為の基板、４は成長溶液（以下成長用メルト
と呼ぶ）、５は結晶成長後に基板３上に残った成長用メ
ルト４（以下メルト残りと呼ぶ）を掃き取る為の掃き取
り板、７はボート母体１の位置を電気炉又は反応管に対
して相対的に移動させることのできる第１スライダー、
８はスライドボート２のボート母体１に対する相対的な
位置を移動させることのできる第２スライダーである。
成の概念を示す側断面図であり、１はボート母体、２は
ボート母体１に密着しているスライドボート、３は結晶
を成長する為の基板、４は成長溶液（以下成長用メルト
と呼ぶ）、５は結晶成長後に基板３上に残った成長用メ
ルト４（以下メルト残りと呼ぶ）を掃き取る為の掃き取
り板、７はボート母体１の位置を電気炉又は反応管に対
して相対的に移動させることのできる第１スライダー、
８はスライドボート２のボート母体１に対する相対的な
位置を移動させることのできる第２スライダーである。
【０００３】次に動作について説明する。基板３や成長
用メルト４が反応しないガス中（例えばＮ２ ，Ａｒ
，Ｈ２ 等）で成長用メルト４中の溶質の飽和温度より
若干高い温度にしばらく保ち、成長用メルト４を均質化
する。 次いで一定の勾配で温度を下げ続け、成長用メルト４の
飽和温度以下になった時点で第２スライダー８を動かし
て、基板３に成長用メルト４を接触させる。すると成長
用メルト４中の溶質が基板３上に析出し、結晶を形成す
る。その後第２スライダー８を動かして、成長用メルト
４を基板３からはなす。この際成長用メルト４自身の持
つ基板３に対する表面張力により、基板３上にいくらか
の成長用メルト４が残る。しかし、このメルト残りは、
基板３に対して成長用メルト４と同時に動いていく掃き
取り板５によってすり切られる。この掃き取り板５は成
長用メルト４の持つ基板３に対する表面張力と同等か、
それ以下の表面張力を成長用メルト４が持つ物質で構成
される。通常この掃き取り板５には基板３と同じ物質で
構成される結晶又は多結晶が用いられる。以上の様にし
て所望の結晶を成長させた基板３が得られる。
用メルト４が反応しないガス中（例えばＮ２ ，Ａｒ
，Ｈ２ 等）で成長用メルト４中の溶質の飽和温度より
若干高い温度にしばらく保ち、成長用メルト４を均質化
する。 次いで一定の勾配で温度を下げ続け、成長用メルト４の
飽和温度以下になった時点で第２スライダー８を動かし
て、基板３に成長用メルト４を接触させる。すると成長
用メルト４中の溶質が基板３上に析出し、結晶を形成す
る。その後第２スライダー８を動かして、成長用メルト
４を基板３からはなす。この際成長用メルト４自身の持
つ基板３に対する表面張力により、基板３上にいくらか
の成長用メルト４が残る。しかし、このメルト残りは、
基板３に対して成長用メルト４と同時に動いていく掃き
取り板５によってすり切られる。この掃き取り板５は成
長用メルト４の持つ基板３に対する表面張力と同等か、
それ以下の表面張力を成長用メルト４が持つ物質で構成
される。通常この掃き取り板５には基板３と同じ物質で
構成される結晶又は多結晶が用いられる。以上の様にし
て所望の結晶を成長させた基板３が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の液相成長用ボー
トは以上のように構成されているので、成長用メルトの
基板に対するぬれが掃き取り板に対するぬれと、同程度
であるため、メルト残りをすべて掃き取ることができず
、成長用メルトが残ってしまい、結晶成長後の基板の有
効使用面積が少なくなってしまうといった問題があった
。
トは以上のように構成されているので、成長用メルトの
基板に対するぬれが掃き取り板に対するぬれと、同程度
であるため、メルト残りをすべて掃き取ることができず
、成長用メルトが残ってしまい、結晶成長後の基板の有
効使用面積が少なくなってしまうといった問題があった
。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、結晶成長後のメルト残りを少な
くできることにより、成長後の結晶の有効利用面積をふ
やすことができる液相成長用ボートを得ることを目的と
する。
ためになされたもので、結晶成長後のメルト残りを少な
くできることにより、成長後の結晶の有効利用面積をふ
やすことができる液相成長用ボートを得ることを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る液相成長
用ボートは、複数の掃き取り板を間隔を持たせて配置し
たもの、あるいは掃き取り板自体に穴又は溝を設けたも
のである。
用ボートは、複数の掃き取り板を間隔を持たせて配置し
たもの、あるいは掃き取り板自体に穴又は溝を設けたも
のである。
【０００７】
【作用】この発明における複数の掃き取り板の間に持た
せた間隔、あるいは掃き取り板自体に設けた穴又は溝は
、毛細管現象により、メルト残りを吸い取り、メルト残
りを減らすことができ、結晶成長後の基板の有効面積を
広くすることができる。
せた間隔、あるいは掃き取り板自体に設けた穴又は溝は
、毛細管現象により、メルト残りを吸い取り、メルト残
りを減らすことができ、結晶成長後の基板の有効面積を
広くすることができる。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の基本となる概念を示
す最小単位の液相成長用ボートの構成図である。図にお
いて、１〜５，７，８は図４の従来例において示した１
〜５，７，８と同様であるので、説明を省略する。６は
掃き取り板５では取りきれないメルト残りを毛細管現象
を利用し吸い取る為の間隙である。
ついて説明する。図１はこの発明の基本となる概念を示
す最小単位の液相成長用ボートの構成図である。図にお
いて、１〜５，７，８は図４の従来例において示した１
〜５，７，８と同様であるので、説明を省略する。６は
掃き取り板５では取りきれないメルト残りを毛細管現象
を利用し吸い取る為の間隙である。
【０００９】次に動作について説明する。基板３や成長
用メルト４が反応しないガス中（例えばＮ２ ，Ａｒ
， Ｈ２ 等）で成長用メルト４中の溶質の飽和温度よ
り若干高い温度にしばらく保ち、成長用メルト４を均質
化する。 次いで一定の勾配で温度を下げ続け、成長用メルト４の
飽和温度以下になった時点で第２スライダー８を動かし
て、基板３に成長用メルト４を接触させる。すると成長
用メルト４中の溶質が基板３上に析出し、結晶を形成す
る。その後、第２スライダー８を動かして成長用メルト
４を基板３からはなす。この際成長用メルト４自身の持
つ基板３に対する表面張力が一般的に小さい為、基板３
上にはいくらかの成長用メルト４が残る。しかし、この
メルト残りは、成長用メルト４と同時に同一方向に動く
複数の掃き取り板５によって掃き取られるだけでなく、
複数の掃き取り板５の間に設けられた間隙６によって吸
い取られる。
用メルト４が反応しないガス中（例えばＮ２ ，Ａｒ
， Ｈ２ 等）で成長用メルト４中の溶質の飽和温度よ
り若干高い温度にしばらく保ち、成長用メルト４を均質
化する。 次いで一定の勾配で温度を下げ続け、成長用メルト４の
飽和温度以下になった時点で第２スライダー８を動かし
て、基板３に成長用メルト４を接触させる。すると成長
用メルト４中の溶質が基板３上に析出し、結晶を形成す
る。その後、第２スライダー８を動かして成長用メルト
４を基板３からはなす。この際成長用メルト４自身の持
つ基板３に対する表面張力が一般的に小さい為、基板３
上にはいくらかの成長用メルト４が残る。しかし、この
メルト残りは、成長用メルト４と同時に同一方向に動く
複数の掃き取り板５によって掃き取られるだけでなく、
複数の掃き取り板５の間に設けられた間隙６によって吸
い取られる。
【００１０】実施例２．なお、上記実施例では複数の掃
き取り板５の間に間隙６を設けたものを示したが、図２
又は図３に示す様に掃き取り板自体に穴や溝状の構造を
設けたものでもよく、上記実施例と同様の効果を奏する
。図２及び図３において、９〜１０は掃き取り板、１１
は掃き取り板９に設けた穴、１２は掃き取り板１０に設
けた溝である。
き取り板５の間に間隙６を設けたものを示したが、図２
又は図３に示す様に掃き取り板自体に穴や溝状の構造を
設けたものでもよく、上記実施例と同様の効果を奏する
。図２及び図３において、９〜１０は掃き取り板、１１
は掃き取り板９に設けた穴、１２は掃き取り板１０に設
けた溝である。
【００１１】実施例３．また上記実施例では、スライド
ボート２中に成長用メルト４を入れておくメルトだめが
１つであったが、これは複数でも良く、上記実施例と同
様の効果を奏する。
ボート２中に成長用メルト４を入れておくメルトだめが
１つであったが、これは複数でも良く、上記実施例と同
様の効果を奏する。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば複数の
掃き取り板に間隙を設ける、あるいは掃き取り板自体に
穴や溝状の間隙を設けたことにより、メルト残りを吸い
取ることができ、基板上のメルト残りを減らすことがで
きるため、基板の有効使用面積を広くとることができる
。
掃き取り板に間隙を設ける、あるいは掃き取り板自体に
穴や溝状の間隙を設けたことにより、メルト残りを吸い
取ることができ、基板上のメルト残りを減らすことがで
きるため、基板の有効使用面積を広くとることができる
。
【図１】この発明の一実施例による液相成長用ボートの
側断面図である。
側断面図である。
【図２】この発明の他の実施例による掃き取り板の斜視
図である。
図である。
【図３】この発明の他の実施例による掃き取り板の斜視
図である。
図である。
【図４】従来の液相成長用ボートを示す側断面図である
。
。
５ 掃き取り板
６ 間隙
７ 第１スライダー
８ 第２スライダー
９ 掃き取り板
１０ 掃き取り板
１１ 穴
１２ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 スライドボート上に間隔を持って設け
られた複数の掃き取り板、又は、スライドボート上に設
けられた穴又は溝状の空隙を持つ掃き取り板を含んで構
成される液相成長用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012991A JPH04288819A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 液相成長用ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012991A JPH04288819A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 液相成長用ボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288819A true JPH04288819A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=12572201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4012991A Pending JPH04288819A (ja) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | 液相成長用ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04288819A (ja) |
-
1991
- 1991-03-06 JP JP4012991A patent/JPH04288819A/ja active Pending
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