JPH0438517Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0438517Y2 JPH0438517Y2 JP1982034401U JP3440182U JPH0438517Y2 JP H0438517 Y2 JPH0438517 Y2 JP H0438517Y2 JP 1982034401 U JP1982034401 U JP 1982034401U JP 3440182 U JP3440182 U JP 3440182U JP H0438517 Y2 JPH0438517 Y2 JP H0438517Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial
- solution
- carbon boat
- growth
- boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は液相エピタキシヤル成長装置の構造に
関するものである。
関するものである。
半導体結晶を液相エピタキシヤル成長によつて
成長する場合、液相エピタキシヤル成長装置とし
て、水素雰囲気中で第１図に示すような成長基板
スライド式のカーボンボートが広く使用されてい
る。
成長する場合、液相エピタキシヤル成長装置とし
て、水素雰囲気中で第１図に示すような成長基板
スライド式のカーボンボートが広く使用されてい
る。
上記カーボンボートはスライド板４をスライド
することにより成長基板３をエピタキシヤル溶液
１の下に移動して、所望の半導体層を成長し、そ
ののち再びスライド板４を移動して成長基板３を
エピタキシヤル溶液１から分離することにより成
長が終了する。ここで成長終了後は第２図に示す
ようにエピタキシヤル溶液１は溶液つぼ２ａ及び
スライド板４に接した状態で成長温度から室温に
冷却される為、エピタキシヤル溶液１は上記溶液
つぼ２ａ及びスライド板４に付着する。ここでカ
ーボンボートに付着したエピタキシヤル溶液を除
去する場合、従来は固化したエピタキシヤル溶液
が液化するまで再びカーボンボートを加熱したの
ち、機械的にエピタキシヤル溶液を除去してい
た。しかし、カーボンボートを加熱してエピタキ
シヤル溶液を除去する作業はかなりの労力を要す
る為、カーボンボートを加熱することなく室温に
おいてエピタキシヤル溶液を固化した状態のま
ま、機械的に容易に除去できるような構造のカー
ボンボートが要求されていた。
することにより成長基板３をエピタキシヤル溶液
１の下に移動して、所望の半導体層を成長し、そ
ののち再びスライド板４を移動して成長基板３を
エピタキシヤル溶液１から分離することにより成
長が終了する。ここで成長終了後は第２図に示す
ようにエピタキシヤル溶液１は溶液つぼ２ａ及び
スライド板４に接した状態で成長温度から室温に
冷却される為、エピタキシヤル溶液１は上記溶液
つぼ２ａ及びスライド板４に付着する。ここでカ
ーボンボートに付着したエピタキシヤル溶液を除
去する場合、従来は固化したエピタキシヤル溶液
が液化するまで再びカーボンボートを加熱したの
ち、機械的にエピタキシヤル溶液を除去してい
た。しかし、カーボンボートを加熱してエピタキ
シヤル溶液を除去する作業はかなりの労力を要す
る為、カーボンボートを加熱することなく室温に
おいてエピタキシヤル溶液を固化した状態のま
ま、機械的に容易に除去できるような構造のカー
ボンボートが要求されていた。
本考案の目的は成長終了後エピタキシヤル溶液
をカーボンボートから除去する場合、カーボンボ
ートを加熱することなく、室温でエピタキシヤル
溶液を固化した状態のまま容易に除去できるよう
な構造のカーボンボートを実現することにある。
をカーボンボートから除去する場合、カーボンボ
ートを加熱することなく、室温でエピタキシヤル
溶液を固化した状態のまま容易に除去できるよう
な構造のカーボンボートを実現することにある。
本考案によれば成長終了後液相エピタキシヤル
装置を冷却する過程において、カーボンボート表
面のうち少なくともエピタキシヤル溶液が接する
部分に多数の溝を形成した構造のカーボンボート
を用いることによつて本考案の目的を実現するこ
とが可能となる。
装置を冷却する過程において、カーボンボート表
面のうち少なくともエピタキシヤル溶液が接する
部分に多数の溝を形成した構造のカーボンボート
を用いることによつて本考案の目的を実現するこ
とが可能となる。
以下図に従つて本考案を説明する。
第３図に本考案のカーボンボートを示すが、第
４図にスライド板１４に形成された溝の断面図を
示す。第４図において成長終了時カーボンボート
を冷却する過程においてエピタキシヤル溶液１１
はその表面張力の為溝１４ａの内部まで入り込む
ことはなく、溝外部のカーボンボート表面１４ｂ
に接した状態で固化する。したがつてカーボンボ
ート表面に多数の溝を設けることはエピタキシヤ
ル溶液１１とカーボンボート１４との接触面積を
小さくしたことに相当する。
４図にスライド板１４に形成された溝の断面図を
示す。第４図において成長終了時カーボンボート
を冷却する過程においてエピタキシヤル溶液１１
はその表面張力の為溝１４ａの内部まで入り込む
ことはなく、溝外部のカーボンボート表面１４ｂ
に接した状態で固化する。したがつてカーボンボ
ート表面に多数の溝を設けることはエピタキシヤ
ル溶液１１とカーボンボート１４との接触面積を
小さくしたことに相当する。
一般的にエピタキシヤル溶液が固化した状態に
おいてエピタキシヤル溶液がカーボンボートと接
触している面積が小さくなると、エピタキシヤル
溶液とカーボンボートとの付着力は小さくなるか
ら、カーボンボートに溝を形成することは、エピ
タキシヤル溶液とカーボンボートとの付着力を小
さくしたことに相当する。
おいてエピタキシヤル溶液がカーボンボートと接
触している面積が小さくなると、エピタキシヤル
溶液とカーボンボートとの付着力は小さくなるか
ら、カーボンボートに溝を形成することは、エピ
タキシヤル溶液とカーボンボートとの付着力を小
さくしたことに相当する。
したがつて、エピタキシヤル溶液とカーボンボ
ートとの接触面積が十分小さくなるまで、多数の
溝をカーボンボート表面に形成すれば、室温にお
いてエピタキシヤル溶液が固化した状態のまま、
カーボンボートから、機械的に除去することが可
能となる。
ートとの接触面積が十分小さくなるまで、多数の
溝をカーボンボート表面に形成すれば、室温にお
いてエピタキシヤル溶液が固化した状態のまま、
カーボンボートから、機械的に除去することが可
能となる。
以下実施例を上げて本考案を説明する。
第５図は本考案実施例の４つの溶液つぼ２２ａ
を有するカーボンボートである。上記カーボンボ
ートのスライド板２４の表面図を第６図に示すが
このスライド板２４の表面には成長終了後に、４
つのエピタキシヤル溶液２１が接する部分に深さ
１mm幅１mmの溝が1.5mm間隔に格子状に形成され
ている。
を有するカーボンボートである。上記カーボンボ
ートのスライド板２４の表面図を第６図に示すが
このスライド板２４の表面には成長終了後に、４
つのエピタキシヤル溶液２１が接する部分に深さ
１mm幅１mmの溝が1.5mm間隔に格子状に形成され
ている。
また同様の溝が溶液つぼ２２ａの表面にも形成
されており、これらの溝を形成することによりエ
ピタキシヤル溶液２１と溶液つぼ２２ａ及び、ス
ライド２４との接触面積は９分の１に減少し、エ
ピタキシヤル溶液とカーボンボートとの付着力は
大幅に減少した。上記実施例のカーボンボートを
用いてIoを溶媒とし、IoAs，IoＰ及びGaAsを溶質
とするエピタキシヤル溶液を使用した液相エピタ
キシヤル成長を行つたところ成長終了後カーボン
ボートを加熱することなく、室温において固化し
たエピタキシヤル溶液を容易に機械的にカーボン
ボートから除去できることが確認され、本考案の
成長装置の有用性が示された。
されており、これらの溝を形成することによりエ
ピタキシヤル溶液２１と溶液つぼ２２ａ及び、ス
ライド２４との接触面積は９分の１に減少し、エ
ピタキシヤル溶液とカーボンボートとの付着力は
大幅に減少した。上記実施例のカーボンボートを
用いてIoを溶媒とし、IoAs，IoＰ及びGaAsを溶質
とするエピタキシヤル溶液を使用した液相エピタ
キシヤル成長を行つたところ成長終了後カーボン
ボートを加熱することなく、室温において固化し
たエピタキシヤル溶液を容易に機械的にカーボン
ボートから除去できることが確認され、本考案の
成長装置の有用性が示された。
また上記実施例では図６に示すようにカーボン
ボート表面のうち、成長終了後エピタキシヤル溶
液に接する部分にのみ溝を形成したことを述べた
がカーボンボート表面に形成された溝の領域は、
図７に示すように、成長終了後にエピタキシヤル
溶液が接していない部分を含んでいても、同様の
効果が得られる。
ボート表面のうち、成長終了後エピタキシヤル溶
液に接する部分にのみ溝を形成したことを述べた
がカーボンボート表面に形成された溝の領域は、
図７に示すように、成長終了後にエピタキシヤル
溶液が接していない部分を含んでいても、同様の
効果が得られる。
第１図及び第２図は従来の液相エピタキシヤル
成長装置の断面図。第３図は本考案の液相エピタ
キシヤル成長装置の断面図。第４図は本考案の液
相エピタキシヤル成長装置の表面に形成された溝
の断面図。第５図は本考案の液相エピタキシヤル
成長装置の実施例の断面図。第６図第７図は上記
美施例の装置のスライド板の表面図である。 各図において、１及び１１……エピタキシヤル
溶液、２，１２及び２２……カーボンボート本
体、２ａ，１２ａ及び２２ａ……溶液つぼ、４，
１４及び２４……スライド板である。
成長装置の断面図。第３図は本考案の液相エピタ
キシヤル成長装置の断面図。第４図は本考案の液
相エピタキシヤル成長装置の表面に形成された溝
の断面図。第５図は本考案の液相エピタキシヤル
成長装置の実施例の断面図。第６図第７図は上記
美施例の装置のスライド板の表面図である。 各図において、１及び１１……エピタキシヤル
溶液、２，１２及び２２……カーボンボート本
体、２ａ，１２ａ及び２２ａ……溶液つぼ、４，
１４及び２４……スライド板である。
Claims (1)
- 液相エピタキシヤル成長用カーボンボート表面
のうち、少なくとも結晶成長終了後のカーボンボ
ート冷却時にエピタキシヤル溶液が接しているス
ライド板表面部分および溶液つぼ内面に多数の溝
を形成したことを特徴とするエピタキシヤル成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3440182U JPS58138330U (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3440182U JPS58138330U (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58138330U JPS58138330U (ja) | 1983-09-17 |
| JPH0438517Y2 true JPH0438517Y2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=30045884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3440182U Granted JPS58138330U (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58138330U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961531U (ja) * | 1982-10-19 | 1984-04-23 | 三洋電機株式会社 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
| JPH0517878Y2 (ja) * | 1985-05-13 | 1993-05-13 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792598A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-09 | Fujitsu Ltd | Unit for liquid-phase epitaxial growth |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3440182U patent/JPS58138330U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58138330U (ja) | 1983-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6489321A (en) | Method of adhering iii-v compound layer to substrate | |
| JPH0438517Y2 (ja) | ||
| JPH0445238Y2 (ja) | ||
| JPS5777096A (en) | Liquid phase epitaxial growing apparatus | |
| JPS63186775U (ja) | ||
| JPH0543109Y2 (ja) | ||
| JPH0523583Y2 (ja) | ||
| JPS63167175U (ja) | ||
| JPS61108131A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPS58110491A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPS5478377A (en) | Method and apparatus for growing semiconductor crystal | |
| JPS6129122A (ja) | ＧａＡｓ液相エピタキシヤル成長法 | |
| JP2001039793A5 (ja) | ||
| JPS61220422A (ja) | 液相成長装置及びそれを用いた液相成長方法 | |
| JPH0247435B2 (ja) | Gaasekisoepitakisharuseichoho | |
| JPS599912A (ja) | 液相結晶成長法 | |
| JPS61280613A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0165867U (ja) | ||
| JPS5710922A (en) | Sliding type liquid phase epitaxial growth device | |
| JPS6311596A (ja) | 多元化合物半導体の二相融液法による液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH04321593A (ja) | 液相エピタキシャル成長方法 | |
| JPS6058619A (ja) | 液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPH0763058B2 (ja) | メルトのベ−キング方法および液相エピタキシヤル成長法 | |
| JPS63151698A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH0210799B2 (ja) |