JPH04288843A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH04288843A
JPH04288843A JP3041528A JP4152891A JPH04288843A JP H04288843 A JPH04288843 A JP H04288843A JP 3041528 A JP3041528 A JP 3041528A JP 4152891 A JP4152891 A JP 4152891A JP H04288843 A JPH04288843 A JP H04288843A
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JP
Japan
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bonding pad
base film
bonding
contact area
unevenness
Prior art date
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Pending
Application number
JP3041528A
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English (en)
Inventor
▲楢▼橋　浩
Hiroshi Narahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH04288843A publication Critical patent/JPH04288843A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に係り、
特にチップの電極とパッケージの電極とを接続するボン
ディング部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば４ＭダイナミックＲＡＭ等
の従来の半導体装置のボンディングパッド部の構成を示
す断面図である。図において、１はチップ（図示せず）
上に形成された下地膜、２はこの下地膜１上に形成され
た金属性のボンディングパッド、３はこのボンディング
パッド２上に例えば熱圧着法等により接合されたＡｕ　
またはＡｌ　等の接続ワイヤであり、他端はパッケージ
の電極等のような外囲器端子（図示せず）に接合されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置はボ
ンディング部が以上のように構成されているので、ワイ
ヤボンディング作業を行う際に、ボンディングパッド２
が下地膜１から剥がれ機能上支障を来すという問題点が
あった。この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、ワイヤボンディング作業を行っても
、ボンディングパッドが下地膜から剥がれることなく機
能上支障を来すことのない半導体装置を提供することを
目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、ボンディングパッドまたはその下地膜の少なくと
もいずれか一方に凹凸を有したものである。
【０００５】
【作用】この発明における半導体装置のボンディングパ
ッドまたは下地の凹凸は、ボンディングパッドと下地と
の接触面積を大にして、ボンディングパッドと下地との
間の接合力を強化する。
【０００６】
【実施例】以下、この発明の一実施例における半導体装
置を図について説明する。図１において、１１はチップ
（図示せず）上に形成された下地膜で、図２に示すよう
なホトマスク１２を用いて異方性ドライエッチングによ
りパターニングされ形成された凹部１１ａ　および凸部
１１ｂ　を有している。１３はこの下地膜１１上に形成
されたボンディングパッドで、下地膜１１との接触面は
下地膜１１の凹部１１ａ　および凸部１１ｂ　に沿って
接合されており、反対側の上面には下地膜１１の凹部１
１ａ　および凸部１１ｂ　に対応して凹凸が形成されて
いる。１４はボンディングパッド１３の凹凸上に接合さ
れたＡｕ　またはＡｌ　等の接続ワイヤであり、他端は
パッケージの電極等のような外囲器端子（図示せず）に
接合されている。
【０００７】上記のように構成されたこの発明の一実施
例における半導体装置においては、ホトマスク１２を用
いて異方性ドライエッチングによりパターニングされた
下地膜１１の凹部１１ａ　および凸部１１ｂ　に沿って
ボンディングパッド１３は接合されているので、従来装
置における下地膜１とボンディングパッド２との接合に
比較し、接触面積は大幅に増大しており接合力も強化さ
れるため、ワイヤボンディング作業時にボンディングパ
ッド１３が下地膜１１から剥がれることもなくなる。
【０００８】また、ボンディングパッド１３の上面には
、下地膜１１のパターンに従って凹凸が形成されるので
、ボンディングパッド１３と接続ワイヤ１３との接触面
積も増大し接合力は強化される。尚、上記一実施例にお
いては、下地膜１１に凹部１１ａ　および凸部１１ｂ　
を形成したものについて説明したが、ボンディングパッ
ド１３側に凹凸を形成しても良く、この場合は下地膜１
１がボンディングパッド１３の凹凸に沿って接合される
ので同様の効果を有する。又、上記一実施例では、下地
膜１１を異方的にドライエッチングしパターンを形成し
たが、ウエットエッチング等により等方的に下地膜１１
をエッチングしパターンを形成しても良い。さらに、上
記一実施例では、矩形状に凹凸を形成しているが、三角
形状、波形状等のように平面形状に比較し接触面積が増
大するような形状のものであれば良いことは言うまでも
ない。
【０００９】
【発明の効果】以上のように、この発明によればボンデ
ィングパッドまたはその下地膜のいずれか一方に凹凸を
形成したので、ボンディングパッドと下地膜との接触面
積が増大して接合力が強化され、ワイヤボンディング作
業を行っても、ボンディングパッドが下地膜から剥がれ
ることもなく、機能上支障を起こすことのない半導体装
置を提供することかできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例における半導体装置のボン
ディング部の構成を示す断面図である。
【図２】図１における下地膜の凹凸をドライエッチング
により形成するために用いられるホトマスクの構成を示
す図である。
【図３】従来の半導体装置のボンディング部の構成を示
す断面図である。
【符号の説明】
１１　　下地膜 １１ａ　　凹部 １１ｂ　　凸部 １３　　ボンディングパッド １４　　接続ワイヤ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　ボンディングパットまたはその下地膜
    の少なくともいずれか一方に凹凸を有したことを特徴と
    する半導体装置。
JP3041528A 1991-03-07 1991-03-07 半導体装置 Pending JPH04288843A (ja)

Priority Applications (1)

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JP3041528A JPH04288843A (ja) 1991-03-07 1991-03-07 半導体装置

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JP3041528A JPH04288843A (ja) 1991-03-07 1991-03-07 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04288843A true JPH04288843A (ja) 1992-10-13

Family

ID=12610905

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JP3041528A Pending JPH04288843A (ja) 1991-03-07 1991-03-07 半導体装置

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JP (1) JPH04288843A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309025A (en) * 1992-07-27 1994-05-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor bond pad structure and method
US6348416B1 (en) * 1998-12-24 2002-02-19 Shinko Electric Industries Co., Ltd Carrier substrate for producing semiconductor device
KR100734250B1 (ko) * 2001-01-09 2007-07-02 삼성전자주식회사 단차를 구비하는 반도체 장치의 본딩 패드 및 이를제조하는 방법

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